JPH0636310B2 - 磁気バブルメモリモジユ−ル - Google Patents
磁気バブルメモリモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPH0636310B2 JPH0636310B2 JP60015341A JP1534185A JPH0636310B2 JP H0636310 B2 JPH0636310 B2 JP H0636310B2 JP 60015341 A JP60015341 A JP 60015341A JP 1534185 A JP1534185 A JP 1534185A JP H0636310 B2 JPH0636310 B2 JP H0636310B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory module
- bubble
- magnetic
- shield case
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、磁気バブルメモリモジユールに係り、特に、
対向2辺に巻線を施した長方形環状のコアに囲まれた位
置にバブルチツプを配置して、このバブルチツプを配線
基板と電気的に接続し、上記のバブルチツプ,巻線およ
びコアを導体シールドケースで覆つた磁気バブルメモリ
モジユールに関する。
対向2辺に巻線を施した長方形環状のコアに囲まれた位
置にバブルチツプを配置して、このバブルチツプを配線
基板と電気的に接続し、上記のバブルチツプ,巻線およ
びコアを導体シールドケースで覆つた磁気バブルメモリ
モジユールに関する。
この種の磁気バブルメモリモジユールについては、例え
ば本発明の出願人に係る先願の発明特公昭57−19517号
が公知である。第4図は、上記公知の磁気バブルメモリ
モジユールに更に若干の改良を施した磁気バブルメモリ
の1例を示す部分破断斜視図、第5図は同じく断面図で
ある。
ば本発明の出願人に係る先願の発明特公昭57−19517号
が公知である。第4図は、上記公知の磁気バブルメモリ
モジユールに更に若干の改良を施した磁気バブルメモリ
の1例を示す部分破断斜視図、第5図は同じく断面図で
ある。
1はバブルチツプで、長方形環状のコア3に囲まれてい
る。2は、上記長方形環状コア3の各辺に施された巻線
である。導体シールドケース4は上述の各構成部材を覆
つている。
る。2は、上記長方形環状コア3の各辺に施された巻線
である。導体シールドケース4は上述の各構成部材を覆
つている。
5は磁石板,6は整磁板で、バブルチツプ1の上下に配
設され、(第4図においては上側のもののみが現われて
いる)角形で筒状をした磁気シールドケース7がほぼ全
体を包んでいる。
設され、(第4図においては上側のもののみが現われて
いる)角形で筒状をした磁気シールドケース7がほぼ全
体を包んでいる。
バブルチツプ1は、フレキシブル配線基板8を介して外
部端子Tに導通される。上記のバブルチツプ1とフレキ
シブル配線基板8とはワイ9で接続,導通されている。
上記磁気バブルメモリモジユールにおいては、上記のワ
イヤ9をバブルチツプ1に接続して導通せしめるための
ボンデイング操作の必要上、これを浅いU字状に成形し
ている(第5図においては逆U字状に取りつけられてい
る)。
部端子Tに導通される。上記のバブルチツプ1とフレキ
シブル配線基板8とはワイ9で接続,導通されている。
上記磁気バブルメモリモジユールにおいては、上記のワ
イヤ9をバブルチツプ1に接続して導通せしめるための
ボンデイング操作の必要上、これを浅いU字状に成形し
ている(第5図においては逆U字状に取りつけられてい
る)。
上に述べたU字状のワイヤ9によつて接続される構成部
材の関係位置を固定するため、補強底板10a,補強スペ
ーサ10b,及び補強蓋板10cよりなる補強部材を設けな
ければならない。このような補強構造を設けなければな
らない為、モジユールの薄形化,小形化が困難になつて
いる上に、次記の理由によつてその性能を阻害してい
る。
材の関係位置を固定するため、補強底板10a,補強スペ
ーサ10b,及び補強蓋板10cよりなる補強部材を設けな
ければならない。このような補強構造を設けなければな
らない為、モジユールの薄形化,小形化が困難になつて
いる上に、次記の理由によつてその性能を阻害してい
る。
即ち、前記の補強部材を設けるため、磁気回路のギヤツ
プ長lgが大きくなり、かつ、導体シールドケース4の
表面積S,内部容積vが増大する。
プ長lgが大きくなり、かつ、導体シールドケース4の
表面積S,内部容積vが増大する。
駆動所要電流Iは前記のギヤツブ長lgに比例して大き
くなる。この時、消費電力Pは駆動電流Iの自乗に比例
して増大する。
くなる。この時、消費電力Pは駆動電流Iの自乗に比例
して増大する。
P∝I2∝l2 g……………………………(1) また、消費電力Pは前記の表面積Sに比例して増大す
る。
る。
P∝S…………………………………(2) また、VI積は前記の内容積vに比例して大きくなる。
VI∝v…………………………………(3) 〔発明の目的〕 本発明は上述の事情に鑑みて為されたもので、磁気バブ
ルメモリの小形化,薄形化を可能ならしめ、これによつ
て磁気バブルメモリの消費電力の低減,VI積の低減に
貢献しようとするものである。
ルメモリの小形化,薄形化を可能ならしめ、これによつ
て磁気バブルメモリの消費電力の低減,VI積の低減に
貢献しようとするものである。
次に、本発明の基本的な原理について略述する。第5図
に示したモジユールの構造において、ワイヤ9はボンデ
イング操作の関係でこれをU字形に成形しなければなら
なかつたが、このワイヤ9を金属箔に置き替えると、別
段の湾曲を与えなくても公知技術を利用して接続導通せ
しめることができる。湾曲を与えない金属箔を用いれ
ば、U字形ワイヤ9を用いた場合に比して設置所要体積
が格段に減小する。さらに、バブルチツプ1を導体シー
ルドケース4に当接させて固定すると、磁気バブルメモ
リモジユールの全体的構造がいっそう小形,薄形化され
る。上記の原理に基づいて前述の目的(消費電力やVI
積の低減)を達成する為、本発明に係る磁気バブルメモ
リモジユールは、対向する2辺に巻線を施した長方形環
状のコアに囲まれた位置にバブルチツプを配置して、こ
のバブルチツプを配線基板と電気的に接続し、上記のバ
ブルチツプ,巻線およびコアを導体シールドケースで覆
つた磁気バブルメモリモジユールにおいて、金属箔を用
いて前記の配線基板とバブルチツプとを電気的に接続
し、前記バブルチツプを導体シールドケース上に直接固
定したことを特徴とする。
に示したモジユールの構造において、ワイヤ9はボンデ
イング操作の関係でこれをU字形に成形しなければなら
なかつたが、このワイヤ9を金属箔に置き替えると、別
段の湾曲を与えなくても公知技術を利用して接続導通せ
しめることができる。湾曲を与えない金属箔を用いれ
ば、U字形ワイヤ9を用いた場合に比して設置所要体積
が格段に減小する。さらに、バブルチツプ1を導体シー
ルドケース4に当接させて固定すると、磁気バブルメモ
リモジユールの全体的構造がいっそう小形,薄形化され
る。上記の原理に基づいて前述の目的(消費電力やVI
積の低減)を達成する為、本発明に係る磁気バブルメモ
リモジユールは、対向する2辺に巻線を施した長方形環
状のコアに囲まれた位置にバブルチツプを配置して、こ
のバブルチツプを配線基板と電気的に接続し、上記のバ
ブルチツプ,巻線およびコアを導体シールドケースで覆
つた磁気バブルメモリモジユールにおいて、金属箔を用
いて前記の配線基板とバブルチツプとを電気的に接続
し、前記バブルチツプを導体シールドケース上に直接固
定したことを特徴とする。
次に、本発明の1実施例を第1図及び第2図について説
明する。
明する。
第1図は本実施例の磁気バブルメモリモジユールの断面
図であり、4は導体シールドケースである。第2図は上
記の導体シールドケース4を取り外して描いた平面図で
ある。
図であり、4は導体シールドケースである。第2図は上
記の導体シールドケース4を取り外して描いた平面図で
ある。
第1図に示す如く、コア3に巻線2を施し、これに囲ま
れた区域内に位置せしめて、バブルチツプ1を導体シー
ルドケース4上に直接固定する。本発明において導体ケ
ース上にとは、導体シールドの表面に当接せしめてとの
意であって、地球を基準としての上下関係を限定するも
のではない。
れた区域内に位置せしめて、バブルチツプ1を導体シー
ルドケース4上に直接固定する。本発明において導体ケ
ース上にとは、導体シールドの表面に当接せしめてとの
意であって、地球を基準としての上下関係を限定するも
のではない。
8はフレキシブル基板で、絶縁フイルム16を介して銅箔
15を積層してある。この積層銅箔15とバブルチツプ1と
の間に銅箔リード14を架け渡し、その両端にそれぞれバ
ンブ13,17を設けて接続し、導通せしめる。
15を積層してある。この積層銅箔15とバブルチツプ1と
の間に銅箔リード14を架け渡し、その両端にそれぞれバ
ンブ13,17を設けて接続し、導通せしめる。
本発明を実施する際、銅箔リード14の代りに金箔リー
ド,金メツキ箔リードなどを用いてもよい。
ド,金メツキ箔リードなどを用いてもよい。
本実施例によれば、導体シールドケース4でバブルチツ
プ1やフレキシブル配線基板8を支持でき、かつ導体シ
ールドケース4をパツケージング用ケースとして利用で
きるため、従来使用した補強板を不要とする。
プ1やフレキシブル配線基板8を支持でき、かつ導体シ
ールドケース4をパツケージング用ケースとして利用で
きるため、従来使用した補強板を不要とする。
また、第1図に示すようにバブルチツプ1を、導体シー
ルドケース4の上に直接固定してあるので、磁気バブル
メモリモジユールが薄形に構成される。
ルドケース4の上に直接固定してあるので、磁気バブル
メモリモジユールが薄形に構成される。
既述の如く、ワイヤを用いてバブルチツプを接続した場
合は該ワイヤをU字状に湾曲成形しなければボンデイン
グできなかつたが、本例の如く金属箔リードを用いる
と、この金属箔リードは殊実に湾曲させなくてもボンデ
イングできるので、図示のギヤツプ寸法Gを著しく減小
せしめることができる。この結果、導体シールドケース
4の表面積S,内部体積vが減少するため式(1),式
(2),式(3)から低消費電力化,低VI積化を達成してい
る。
合は該ワイヤをU字状に湾曲成形しなければボンデイン
グできなかつたが、本例の如く金属箔リードを用いる
と、この金属箔リードは殊実に湾曲させなくてもボンデ
イングできるので、図示のギヤツプ寸法Gを著しく減小
せしめることができる。この結果、導体シールドケース
4の表面積S,内部体積vが減少するため式(1),式
(2),式(3)から低消費電力化,低VI積化を達成してい
る。
第3図は、本発明のもう一つの実施例である。
本例のフレキシブル配線基板8は、バンプ13を形成した
バブルチツプ1と、銅箔15と絶縁フイルム16との積層構
造を有しかつ端部の銅箔15に銅箔リード19を形成して一
体化構造としてあり、この配線基板8が、バンプ13で銅
箔リード19と電気的に接続されている。
バブルチツプ1と、銅箔15と絶縁フイルム16との積層構
造を有しかつ端部の銅箔15に銅箔リード19を形成して一
体化構造としてあり、この配線基板8が、バンプ13で銅
箔リード19と電気的に接続されている。
本実施例によれば、銅箔リード19をフレキシブル配線基
板8と一体化構造にしたことにより個別の銅箔リードを
用いた場合に比べて電気的接続箇所が半減するためのボ
ンデイング工程を容易にしている。さらに、銅箔15と銅
箔リード19の接続部の空間が不要となるため、回転磁界
を供給する駆動磁気回路構造において、コアギヤツプ長
lg′を短くすることができる。その結果、式(1)から
駆動電流Iを減少させることができ、大幅な低消費電力
化を達成している。
板8と一体化構造にしたことにより個別の銅箔リードを
用いた場合に比べて電気的接続箇所が半減するためのボ
ンデイング工程を容易にしている。さらに、銅箔15と銅
箔リード19の接続部の空間が不要となるため、回転磁界
を供給する駆動磁気回路構造において、コアギヤツプ長
lg′を短くすることができる。その結果、式(1)から
駆動電流Iを減少させることができ、大幅な低消費電力
化を達成している。
以上の各実施例について詳しく述べたように、本発明を
適用すると磁気回路のギヤップ長さlg,導体シールド
ケースの表面積S,同内部容積vを著しく減少せしめる
ことができ、磁気バブルメモリモジユールを小形,薄形
化するとともに、消費電力,VI積を低減し得るという
優れた実用的効果を奏する。
適用すると磁気回路のギヤップ長さlg,導体シールド
ケースの表面積S,同内部容積vを著しく減少せしめる
ことができ、磁気バブルメモリモジユールを小形,薄形
化するとともに、消費電力,VI積を低減し得るという
優れた実用的効果を奏する。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の磁気バブルメモリモジユールの1実施
例の断面図、第2図は上記実施例の導体シールドケース
を取り除いた状態の平面図である。第3図は上記と異な
る実施例の断面図である。第4図は試案の磁気バブルメ
モリモジュールを部分的に破断して描いた斜視図、第5
図は上記試案の断面図である。 1……バブルチツプ、2……巻線、3……長方形環状の
コア、4……導体シールドケース、5……磁石板、6…
…整磁板、7……磁気シールドケース、8……フレキシ
ブル配線基板、9……ワイヤ、10a……補強底板、10b
……補強スペーサ、10c……補強蓋板、13……バンプ、
14……銅箔リード、15……銅箔、16……絶縁フイルム、
17……バンプ、18……引出線、19……銅箔リード。
例の断面図、第2図は上記実施例の導体シールドケース
を取り除いた状態の平面図である。第3図は上記と異な
る実施例の断面図である。第4図は試案の磁気バブルメ
モリモジュールを部分的に破断して描いた斜視図、第5
図は上記試案の断面図である。 1……バブルチツプ、2……巻線、3……長方形環状の
コア、4……導体シールドケース、5……磁石板、6…
…整磁板、7……磁気シールドケース、8……フレキシ
ブル配線基板、9……ワイヤ、10a……補強底板、10b
……補強スペーサ、10c……補強蓋板、13……バンプ、
14……銅箔リード、15……銅箔、16……絶縁フイルム、
17……バンプ、18……引出線、19……銅箔リード。
Claims (1)
- 【請求項1】対向する2辺にそれぞれ巻線を施した長方
形環状のコアに囲まれた位置にバブルチップを配置し
て、このバブルチップを配線基板と電気的に接続し、上
記のバブルチップ,巻線およびコアを導体シールドケー
スで覆った磁気バブルメモリモジユールにおいて、金属
箔を用いて前記の配線基板とバブルチップとを電気的に
接続し、上記導体シールドケース上にバブルチップを直
接固定したことを特徴とする磁気バブルメモリモジュー
ル。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015341A JPH0636310B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
| DE8686101084T DE3685125D1 (de) | 1985-01-31 | 1986-01-28 | Magnetischer blasenspeichermodul. |
| EP86101084A EP0190642B1 (en) | 1985-01-31 | 1986-01-28 | Magnetic bubble memory module |
| US06/823,647 US4694423A (en) | 1985-01-31 | 1986-01-29 | Magnetic bubble memory module |
| EP86101238A EP0189926B1 (en) | 1985-01-31 | 1986-01-30 | Magnetic bubble memory module |
| DE8686101238T DE3686728T2 (de) | 1985-01-31 | 1986-01-30 | Magnetischer blasenspeichermodul. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015341A JPH0636310B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177696A JPS61177696A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH0636310B2 true JPH0636310B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=11886087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015341A Expired - Lifetime JPH0636310B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636310B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5514506A (en) * | 1978-07-14 | 1980-02-01 | Nec Corp | Bubble memory plane |
| JPS5935459A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-27 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JPS6015888A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60015341A patent/JPH0636310B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61177696A (ja) | 1986-08-09 |
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