JPS6322384B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6322384B2 JPS6322384B2 JP58121627A JP12162783A JPS6322384B2 JP S6322384 B2 JPS6322384 B2 JP S6322384B2 JP 58121627 A JP58121627 A JP 58121627A JP 12162783 A JP12162783 A JP 12162783A JP S6322384 B2 JPS6322384 B2 JP S6322384B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- magnetic
- shield case
- bubble memory
- loss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/0256—Details of interchangeable modules or receptacles therefor, e.g. cartridge mechanisms
- H05K5/026—Details of interchangeable modules or receptacles therefor, e.g. cartridge mechanisms having standardized interfaces
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気バブルメモリモジユールに係
り、特に薄形化、低損失化に好適なモジユールに
関する。
り、特に薄形化、低損失化に好適なモジユールに
関する。
第１図は従来の磁気バブルメモリモジユールを
部分的に切断した斜視図を示し、第２図は第１図
のＡ―Ａ線断面図を示す。図において、配線基板
２は磁気バブルメモリチツプ１を搭載し端部に外
部接続端子３を有する。さらに基板２上には、向
い合う巻線の組が平行になるように４個所に巻線
４を施した軟磁性材料の環状直方体コア５が取り
付けられる。この環状直方体コア５が作る空間に
チップ１が配置される。導体シールドケース６は
外部接続端子３を除いて、チップ１、巻線４およ
びコア５の全体を覆うようにされ、上、下に磁石
板７および整磁板８の組が配置される。そして、
管状の磁気シールドケース９が全体を覆うように
構成される。
部分的に切断した斜視図を示し、第２図は第１図
のＡ―Ａ線断面図を示す。図において、配線基板
２は磁気バブルメモリチツプ１を搭載し端部に外
部接続端子３を有する。さらに基板２上には、向
い合う巻線の組が平行になるように４個所に巻線
４を施した軟磁性材料の環状直方体コア５が取り
付けられる。この環状直方体コア５が作る空間に
チップ１が配置される。導体シールドケース６は
外部接続端子３を除いて、チップ１、巻線４およ
びコア５の全体を覆うようにされ、上、下に磁石
板７および整磁板８の組が配置される。そして、
管状の磁気シールドケース９が全体を覆うように
構成される。
このような構成の磁気バブルメモリモジユール
のモジユール高さH1は、第２図から明らかなよ
うに、磁気シールドケース９、磁石板７、整磁板
８、導体シールドケース６、チップ１を搭載した
基板２、巻線４を施したコア５の各々の厚さで与
えられる。
のモジユール高さH1は、第２図から明らかなよ
うに、磁気シールドケース９、磁石板７、整磁板
８、導体シールドケース６、チップ１を搭載した
基板２、巻線４を施したコア５の各々の厚さで与
えられる。
磁気バブルメモリモジユールがより広く種々の
機器に採用されるにつれ、特に小型の機器におい
ては、モジユールの小型化が必須であり、薄形化
および低損失化の要求が高い。
機器に採用されるにつれ、特に小型の機器におい
ては、モジユールの小型化が必須であり、薄形化
および低損失化の要求が高い。
図に示すモジユール構造において、薄形化、低
損失化を図ろうとする場合、損失Ｐを減少させる
ために巻線４の厚さｔを増加させると、モジユー
ル高さH1が増加し、逆にモジユール高さH1を減
少させるため、巻線４の厚さｔを減少させると損
失Ｐが増加するため、同時に解決できない要素を
もつている。第６図の曲線１６は第１図、第２図
の構造によるモジユール高さＨと損失Ｐの関係を
示しており、点１９はモジユール高さＨがH1の
時、損失ＰがP1であることを示す。この構造に
おける高さの限界はH2である。
損失化を図ろうとする場合、損失Ｐを減少させる
ために巻線４の厚さｔを増加させると、モジユー
ル高さH1が増加し、逆にモジユール高さH1を減
少させるため、巻線４の厚さｔを減少させると損
失Ｐが増加するため、同時に解決できない要素を
もつている。第６図の曲線１６は第１図、第２図
の構造によるモジユール高さＨと損失Ｐの関係を
示しており、点１９はモジユール高さＨがH1の
時、損失ＰがP1であることを示す。この構造に
おける高さの限界はH2である。
本発明の目的は上記の問題を解決し、薄形化お
よび低損失化が可能な磁気バブルメモリモジユー
ルを提供することにある。
よび低損失化が可能な磁気バブルメモリモジユー
ルを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、導体シー
ルドケースの中央部を磁気バブルメモリチップに
近づけるごとく凹部を形成する。これによつて、
巻線の厚さｔが基本的に損失Ｐにのみ依存し、モ
ジユール高さＨに影響を与えない構造とすること
ができる。
ルドケースの中央部を磁気バブルメモリチップに
近づけるごとく凹部を形成する。これによつて、
巻線の厚さｔが基本的に損失Ｐにのみ依存し、モ
ジユール高さＨに影響を与えない構造とすること
ができる。
以下本発明の一実施例を図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第３図は部分的に断面した本発明の一実施例の
斜視図を示し、第４図は第３図のＢ―Ｂ線断面図
を示す。図において、基板２は第１図と同様に磁
気バブルメモリチップ１を搭載し、端部に外部接
続端子３を有する。基板２上には、向い合う巻線
の組が平行になるように４個所に巻線４を施した
軟磁性材料の環状直方体コア５が取り付けられ
る。このコア５が作る空間にチップ１が配置され
る。導体シールドケース６１は外部接続端子３を
除いて、チップ１、巻線４およびコア５の全体を
覆うように構成される。この構造により回転磁界
を発生させてチップ１内のバブルを転送してい
る。特徴的なことは、導体シールドケース６１
に、その中央部をチップ１に近づけるようにして
凹部１２を形成していることである。第３図、第
４図の例においては、チップ１の上側のシールド
ケース部分に凹部１２を形成している。そして、
上下に磁石板７および整磁板８を配置して、バイ
アス磁界を発生させてチップ１内のバブルを保持
しているが、上側の磁石板７および整磁板８は凹
部１２に配置する。なお、整磁板８を設けない構
造とすることもできる。管状の磁気シールドケー
ス９は第１図と同様に全体を覆うよう構成され
る。
斜視図を示し、第４図は第３図のＢ―Ｂ線断面図
を示す。図において、基板２は第１図と同様に磁
気バブルメモリチップ１を搭載し、端部に外部接
続端子３を有する。基板２上には、向い合う巻線
の組が平行になるように４個所に巻線４を施した
軟磁性材料の環状直方体コア５が取り付けられ
る。このコア５が作る空間にチップ１が配置され
る。導体シールドケース６１は外部接続端子３を
除いて、チップ１、巻線４およびコア５の全体を
覆うように構成される。この構造により回転磁界
を発生させてチップ１内のバブルを転送してい
る。特徴的なことは、導体シールドケース６１
に、その中央部をチップ１に近づけるようにして
凹部１２を形成していることである。第３図、第
４図の例においては、チップ１の上側のシールド
ケース部分に凹部１２を形成している。そして、
上下に磁石板７および整磁板８を配置して、バイ
アス磁界を発生させてチップ１内のバブルを保持
しているが、上側の磁石板７および整磁板８は凹
部１２に配置する。なお、整磁板８を設けない構
造とすることもできる。管状の磁気シールドケー
ス９は第１図と同様に全体を覆うよう構成され
る。
この構造によると、導体シールドケース６１の
中央部の凹部１２に磁石板７、整磁板８を配置す
ることができるので、巻線４とコア５との厚さＴ
はモジユール高さH2に影響を与えないようにす
ることができ、この厚さＴだけ低減することがで
きる。第６図の曲線１７は第３図及び第４図の構
造による特性を示す。従来の特性１６と損失Ｐを
同じP1とする場合、モジユール高さＨをH1から
H2へ減少することができ、より薄形化、低損失
化を達成することができる。
中央部の凹部１２に磁石板７、整磁板８を配置す
ることができるので、巻線４とコア５との厚さＴ
はモジユール高さH2に影響を与えないようにす
ることができ、この厚さＴだけ低減することがで
きる。第６図の曲線１７は第３図及び第４図の構
造による特性を示す。従来の特性１６と損失Ｐを
同じP1とする場合、モジユール高さＨをH1から
H2へ減少することができ、より薄形化、低損失
化を達成することができる。
第５図は本発明の他の実施例を示す。第５図の
例は、コア５を基板２の側面に配置し、導体シー
ルドケース６２の中央部の上、下に対称な凹部１
２１および１２２を形成し、この凹部１２１およ
び１２２に夫々上下の磁石板７および整磁板８を
配置している。
例は、コア５を基板２の側面に配置し、導体シー
ルドケース６２の中央部の上、下に対称な凹部１
２１および１２２を形成し、この凹部１２１およ
び１２２に夫々上下の磁石板７および整磁板８を
配置している。
この構造によれば、モジユール高さH2を変え
ることなく、巻線４の厚さｔを増加して損失Ｐを
低減することができる。第６図の曲線１８はこの
例の特性を示す。
ることなく、巻線４の厚さｔを増加して損失Ｐを
低減することができる。第６図の曲線１８はこの
例の特性を示す。
導体シールドケースに凹部を形成することによ
り、さらに次に示す効果を得ることができる。
り、さらに次に示す効果を得ることができる。
(1) パーミアンス係数Pmの増大によるモジユー
ル高さH2の低減 磁石板７、整磁板８、磁気シールドケース９
からなるバイアス磁気回路において、導体シー
ルドケース６１，６２の上、下に配置した磁石
板７、整磁板８間のギヤツプが減少することに
よりパーミアンヌ係数Pmが増大し、磁石板７
の厚さＭを減少させることができるため、モジ
ユール高H2の低減をはかることができる。
ル高さH2の低減 磁石板７、整磁板８、磁気シールドケース９
からなるバイアス磁気回路において、導体シー
ルドケース６１，６２の上、下に配置した磁石
板７、整磁板８間のギヤツプが減少することに
よりパーミアンヌ係数Pmが増大し、磁石板７
の厚さＭを減少させることができるため、モジ
ユール高H2の低減をはかることができる。
(2) VI積の低減
導体シールドケース６１，６２で覆われる体
積ｖが減少することにより、VI積（∝体積ｖ）
が低減でき回転磁界を発生させる駆動回路の小
型化を達成することができる。
積ｖが減少することにより、VI積（∝体積ｖ）
が低減でき回転磁界を発生させる駆動回路の小
型化を達成することができる。
(3) 回転磁界の一様性向上
導体シールドケース６１，６２に凹部１２，
１２１，１２２を設けてギヤツプＧを減少させ
ることにより、回転磁界は、チップ１の平面に
垂直な成分（Ｚ成分）が零に近づき水平な成分
のみとなり、一様性の向上を達成できる。
１２１，１２２を設けてギヤツプＧを減少させ
ることにより、回転磁界は、チップ１の平面に
垂直な成分（Ｚ成分）が零に近づき水平な成分
のみとなり、一様性の向上を達成できる。
本発明によれば、導体シールドケースに凹部を
形成することにより、モジユールの薄形化、低損
失化をはかることができる。
形成することにより、モジユールの薄形化、低損
失化をはかることができる。
第１図は従来例を示す部分的に切断した斜視
図、第２図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図は
本発明の一実施例を示す部分的に切断した斜視
図、第４図は第３図のＢ―Ｂ線断面図、第５図は
本発明の他の実施例を示す断面図、第６図はモジ
ユール高さＨと損失Ｐの関係を示す図である。 １…磁気バブルメモリチップ、２…配線基板、
４…巻線、５…コア、６１，６２…導体シールド
ケース、７…磁石板、８…整磁板、９…磁気シー
ルドケース、１２，１２１，１２２…凹部。
図、第２図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図は
本発明の一実施例を示す部分的に切断した斜視
図、第４図は第３図のＢ―Ｂ線断面図、第５図は
本発明の他の実施例を示す断面図、第６図はモジ
ユール高さＨと損失Ｐの関係を示す図である。 １…磁気バブルメモリチップ、２…配線基板、
４…巻線、５…コア、６１，６２…導体シールド
ケース、７…磁石板、８…整磁板、９…磁気シー
ルドケース、１２，１２１，１２２…凹部。
Claims (1)
- １ 向い合う巻線の組が互いに平行になるように
巻線を施した軟磁性材料の環状直方体コアの作る
空間に磁気バブルメモリ用チツプを配置し、上記
巻線、コアおよびチツプの全体を導体シールドケ
ースで覆つた磁気バブルメモリモジユールにおい
て、上記導体シールドケースの中央部を上記チツ
プに近づけるごとく凹部を形成したことを特徴と
する磁気バブルメモリモジユール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121627A JPS6015888A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
| US06/627,893 US4592015A (en) | 1983-07-06 | 1984-07-05 | Magnetic bubble memory module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121627A JPS6015888A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015888A JPS6015888A (ja) | 1985-01-26 |
| JPS6322384B2 true JPS6322384B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=14815942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121627A Granted JPS6015888A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4592015A (ja) |
| JP (1) | JPS6015888A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0636310B2 (ja) * | 1985-01-31 | 1994-05-11 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリモジユ−ル |
| JPH0646506B2 (ja) * | 1985-04-01 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
| DE3685125D1 (de) * | 1985-01-31 | 1992-06-11 | Hitachi Ltd | Magnetischer blasenspeichermodul. |
| JPH0638313B2 (ja) * | 1985-04-26 | 1994-05-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ装置 |
| EP0201781B1 (en) * | 1985-04-26 | 1991-11-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory module |
| JPH07114073B2 (ja) * | 1985-04-26 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
| JPH0646510B2 (ja) * | 1985-04-30 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
| US4730271A (en) | 1985-04-26 | 1988-03-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic field confirming case with inclined portions for magnetic bubble memory module |
| JPH0646511B2 (ja) * | 1985-04-30 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
| JPH0646508B2 (ja) * | 1985-04-30 | 1994-06-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
| JPH0697555B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1994-11-30 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ |
| US4953002A (en) * | 1988-03-31 | 1990-08-28 | Honeywell Inc. | Semiconductor device housing with magnetic field protection |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4165535A (en) * | 1977-09-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Bubble memory drive system using a picture frame core and a reflection box |
| JPS54102931A (en) * | 1977-12-29 | 1979-08-13 | Plessey Handel Investment Ag | Magnetic domain device |
| US4150440A (en) * | 1978-03-13 | 1979-04-17 | Control Data Corporation | Bubble memory package |
| JPS57183695A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-12 | Nec Corp | Magnetic bubble storage device |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58121627A patent/JPS6015888A/ja active Granted
-
1984
- 1984-07-05 US US06/627,893 patent/US4592015A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4592015A (en) | 1986-05-27 |
| JPS6015888A (ja) | 1985-01-26 |
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