JPH0636369A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0636369A JPH0636369A JP20858692A JP20858692A JPH0636369A JP H0636369 A JPH0636369 A JP H0636369A JP 20858692 A JP20858692 A JP 20858692A JP 20858692 A JP20858692 A JP 20858692A JP H0636369 A JPH0636369 A JP H0636369A
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- Japan
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- protective film
- magneto
- film
- hydrogen
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に、第１保護膜、第２保護膜及び
磁気記録膜をこの順に積層してなり、第１保護膜が、窒
化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム又は酸化アルミニ
ウムから形成され、第２保護膜が、含水素窒化珪素、含
水素酸化珪素、含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化
アルミニウムから形成されている光磁気記録媒体。 【効果】 Ｃ／Ｎ、感度が良好で、線速依存性の少
ない光磁気記録媒体が得られる。
磁気記録膜をこの順に積層してなり、第１保護膜が、窒
化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム又は酸化アルミニ
ウムから形成され、第２保護膜が、含水素窒化珪素、含
水素酸化珪素、含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化
アルミニウムから形成されている光磁気記録媒体。 【効果】 Ｃ／Ｎ、感度が良好で、線速依存性の少
ない光磁気記録媒体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関し、
更に詳しくは、高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁
気記録媒体に関する。
更に詳しくは、高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書換え可能な高記録
密度記録媒体として種々研究されてきており、製品化さ
れつつある。
密度記録媒体として種々研究されてきており、製品化さ
れつつある。
【０００３】このような光磁気記録媒体としては、基板
上部に光磁気記録膜、反射膜を積層し、更に光磁気記録
膜の保護の目的及び磁気光学効果を高める目的で光磁気
記録膜を透明無機物質よりなる保護膜で挟持するものが
従来知られている。
上部に光磁気記録膜、反射膜を積層し、更に光磁気記録
膜の保護の目的及び磁気光学効果を高める目的で光磁気
記録膜を透明無機物質よりなる保護膜で挟持するものが
従来知られている。
【０００４】ここで用いられる光磁気記録媒体の材料と
しては、基板としてポリカ−ボネ−ト（以下、ＰＣと省
略する）あるいはアモルファスポリオレフィンなどの透
明樹脂が、光磁気記録膜としてＭｎＢｉあるいは希土類
−遷移金属元素合金などが、反射膜としてアルミニウ
ム、アルミニウム合金などの反射性の金属材料などが、
保護膜としては珪素の酸化物、窒化物、アルミニウムの
酸化物、窒化物などが知られている。
しては、基板としてポリカ−ボネ−ト（以下、ＰＣと省
略する）あるいはアモルファスポリオレフィンなどの透
明樹脂が、光磁気記録膜としてＭｎＢｉあるいは希土類
−遷移金属元素合金などが、反射膜としてアルミニウ
ム、アルミニウム合金などの反射性の金属材料などが、
保護膜としては珪素の酸化物、窒化物、アルミニウムの
酸化物、窒化物などが知られている。
【０００５】近年、光磁気記録媒体は、デ−タの転送レ
−トを向上するためにディスクの回転数を高回転で行う
ことが望まれており、ディスク回転数が高い状態、つま
り記録領域の線速が速い状態においても記録感度が実用
的範囲に入ることが必要となっている。一般にこの様な
ディスクの線速に対する記録感度の依存性を線速依存性
という。
−トを向上するためにディスクの回転数を高回転で行う
ことが望まれており、ディスク回転数が高い状態、つま
り記録領域の線速が速い状態においても記録感度が実用
的範囲に入ることが必要となっている。一般にこの様な
ディスクの線速に対する記録感度の依存性を線速依存性
という。
【０００６】しかしながら、従来の保護膜を用いた膜構
成では線速依存性が悪く、ディスクの回転数を高回転に
してデ−タの転送レ−トを向上させることが困難であっ
た。また従来の膜構成で線速依存性を向上させる場合に
は、熱拡散を抑制するために保護膜の膜厚を増加させな
ければならないため、Ｃ／Ｎが低下するという欠点があ
った。
成では線速依存性が悪く、ディスクの回転数を高回転に
してデ−タの転送レ−トを向上させることが困難であっ
た。また従来の膜構成で線速依存性を向上させる場合に
は、熱拡散を抑制するために保護膜の膜厚を増加させな
ければならないため、Ｃ／Ｎが低下するという欠点があ
った。
【０００７】更に熱伝導率の低い保護膜を直接ＰＣ基板
に堆積させると、ＰＣ基板が熱に対してダメ−ジを受け
やすい為、スパッタリングにより成膜された膜の熱によ
りＰＣ基板のダメ−ジが大きく、Ｃ／Ｎが低下するとい
う欠点を有していた。
に堆積させると、ＰＣ基板が熱に対してダメ−ジを受け
やすい為、スパッタリングにより成膜された膜の熱によ
りＰＣ基板のダメ−ジが大きく、Ｃ／Ｎが低下するとい
う欠点を有していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高Ｃ
／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するために鋭意検討を行った結果、基板と磁気記録
膜との間の保護膜を２層とし、そのうち磁気記録膜に近
い保護膜を含水素窒化珪素、含水素酸化珪素、含水素窒
化アルミニウム又は含水素酸化アルミニウムから形成
し、他の保護膜を窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウ
ム又は酸化アルミニウムから形成することにより、高Ｃ
／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記録媒体が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
解決するために鋭意検討を行った結果、基板と磁気記録
膜との間の保護膜を２層とし、そのうち磁気記録膜に近
い保護膜を含水素窒化珪素、含水素酸化珪素、含水素窒
化アルミニウム又は含水素酸化アルミニウムから形成
し、他の保護膜を窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウ
ム又は酸化アルミニウムから形成することにより、高Ｃ
／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記録媒体が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、基板上に、第１保護
膜、第２保護膜及び磁気記録膜をこの順に積層してなる
構造を少なくとも有し、第１保護膜を、窒化珪素、酸化
珪素、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成
し、第２保護膜を、含水素窒化珪素、含水素酸化珪素、
含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化アルミニウムか
ら形成することを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
膜、第２保護膜及び磁気記録膜をこの順に積層してなる
構造を少なくとも有し、第１保護膜を、窒化珪素、酸化
珪素、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成
し、第２保護膜を、含水素窒化珪素、含水素酸化珪素、
含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化アルミニウムか
ら形成することを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を図
１に示す。図１において、基板１上に第１保護膜２、第
２保護膜３、磁気記録膜４、第３保護膜５及び反射膜６
がこの順に積層されている。
１に示す。図１において、基板１上に第１保護膜２、第
２保護膜３、磁気記録膜４、第３保護膜５及び反射膜６
がこの順に積層されている。
【００１３】基板１の材料としては、ＰＣ、アモルファ
スポリオレフィン等の透明樹脂が好ましく、光磁気記録
膜４の材料としては、テルビウム（Ｔｂ）ジスプロシウ
ム（Ｄｙ）等の希土類金属と鉄、コバルト、クロム等の
遷移金属との合金等が好ましい。また、反射膜６の材料
としては、アルミニウム、アルミニウムと、チタン又は
クロムとの等との合金等が好適に用いられる。
スポリオレフィン等の透明樹脂が好ましく、光磁気記録
膜４の材料としては、テルビウム（Ｔｂ）ジスプロシウ
ム（Ｄｙ）等の希土類金属と鉄、コバルト、クロム等の
遷移金属との合金等が好ましい。また、反射膜６の材料
としては、アルミニウム、アルミニウムと、チタン又は
クロムとの等との合金等が好適に用いられる。
【００１４】磁気記録膜４及び反射膜６の膜厚として
は、それぞれ２００〜３００オングストローム、４００
〜１０００オングストロームが好ましい。
は、それぞれ２００〜３００オングストローム、４００
〜１０００オングストロームが好ましい。
【００１５】第１保護膜２は、窒化珪素、酸化珪素、窒
化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成する。こ
のような材料から形成することによって、製膜時に基板
へ与えるダメ−ジが小さくなる。特に光学的ノイズの少
ない窒化珪素が好ましい。第１保護膜２の膜厚は、１０
０オングストロ−ム以上であればよいが、第２保護膜３
を製膜する際のＰＣ基板への熱ダメ−ジを防止するため
には２００〜６００オングストロ−ムが好ましい。
化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成する。こ
のような材料から形成することによって、製膜時に基板
へ与えるダメ−ジが小さくなる。特に光学的ノイズの少
ない窒化珪素が好ましい。第１保護膜２の膜厚は、１０
０オングストロ−ム以上であればよいが、第２保護膜３
を製膜する際のＰＣ基板への熱ダメ−ジを防止するため
には２００〜６００オングストロ−ムが好ましい。
【００１６】第２保護膜３は、含水素窒化珪素、含水素
酸化珪素、含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化アル
ミニウムから形成され、ディスク耐久性や生産性の点
で、含水素窒化珪素が好ましい。なお、水素含有量は、
光磁気記録媒体全体の構成により種々変化させることが
できるが、１０〜４０ａｔｍ％が好ましい。
酸化珪素、含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化アル
ミニウムから形成され、ディスク耐久性や生産性の点
で、含水素窒化珪素が好ましい。なお、水素含有量は、
光磁気記録媒体全体の構成により種々変化させることが
できるが、１０〜４０ａｔｍ％が好ましい。
【００１７】更に、第２保護膜３を形成する材料として
は、室温での熱伝導率が、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料
が好ましく、更に好ましくは、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の
材料である。これにより線速依存性を良好にすることが
できる。第２保護膜３の膜厚としては、１００オングス
トロ−ム以上で線速依存性に効果が現れるが、安定した
線速依存性を得る為には２００〜６００オングストロ−
ムとすることが好ましい。
は、室温での熱伝導率が、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料
が好ましく、更に好ましくは、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の
材料である。これにより線速依存性を良好にすることが
できる。第２保護膜３の膜厚としては、１００オングス
トロ−ム以上で線速依存性に効果が現れるが、安定した
線速依存性を得る為には２００〜６００オングストロ−
ムとすることが好ましい。
【００１８】第３保護膜５は必要に応じて設けられ、窒
化珪素、含水素窒化珪素、酸化珪素、含水素酸化珪素、
窒化アルミニウム、含水素窒化アルミニウム、酸化アル
ミニウム又は含水素酸化アルミニウムなどから形成され
ればよい。その際の膜厚としては、２００〜４００オン
グストロ−ムが好ましい。
化珪素、含水素窒化珪素、酸化珪素、含水素酸化珪素、
窒化アルミニウム、含水素窒化アルミニウム、酸化アル
ミニウム又は含水素酸化アルミニウムなどから形成され
ればよい。その際の膜厚としては、２００〜４００オン
グストロ−ムが好ましい。
【００１９】本発明の光磁気記録媒体においては、第１
保護膜２で生じたピンホ−ルが第２保護膜３の介挿によ
り途切れる為、基板１を通して進入する酸素および水が
光磁気記録層４に到達することがない。従って、光磁気
記録層の酸化に起因する孔食によるビットエラ−レ−ト
の増加が少なく、信頼性も向上する。
保護膜２で生じたピンホ−ルが第２保護膜３の介挿によ
り途切れる為、基板１を通して進入する酸素および水が
光磁気記録層４に到達することがない。従って、光磁気
記録層の酸化に起因する孔食によるビットエラ−レ−ト
の増加が少なく、信頼性も向上する。
【００２０】上述の第１保護膜２から反射膜６までの各
層は、スパッタリング法などの通常の薄膜形成方法によ
り形成することができる。例えば、第１保護膜２及び第
３保護膜５は、窒化珪素スパッタリングターゲットによ
って、磁気記録膜４は、Ｔｂスパッタリングターゲット
とＦｅ−Ｃｏスパッタリングターゲットによって、保護
膜４は、含水素窒化珪素スパッタリングターゲットによ
って、反射膜６は、Ａｌスパッタリングターゲットとか
ら製膜することができる。
層は、スパッタリング法などの通常の薄膜形成方法によ
り形成することができる。例えば、第１保護膜２及び第
３保護膜５は、窒化珪素スパッタリングターゲットによ
って、磁気記録膜４は、Ｔｂスパッタリングターゲット
とＦｅ−Ｃｏスパッタリングターゲットによって、保護
膜４は、含水素窒化珪素スパッタリングターゲットによ
って、反射膜６は、Ａｌスパッタリングターゲットとか
ら製膜することができる。
【００２１】更に、本発明の光磁気記録媒体には、必要
に応じて紫外線型樹脂などによるコート層を設けてもよ
い。
に応じて紫外線型樹脂などによるコート層を設けてもよ
い。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば高Ｃ／Ｎで、かつ高感度で線速依存性の少ない
光磁気記録媒体を提供することが可能となった。
によれば高Ｃ／Ｎで、かつ高感度で線速依存性の少ない
光磁気記録媒体を提供することが可能となった。
【００２３】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明を説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２４】実施例１ 図１に示した構造を有する光磁気記録媒体を製造した。
基板１としてポリカ−ボネ−ト基板を用い、第１保護膜
２として４００オングストロ−ムの、室温で熱伝導率
１．６Ｗ／ｍ・Ｋの窒化珪素膜を、第２保護膜３として
４００オングストロ−ムの、室温で熱伝導率１．２Ｗ／
ｍ・Ｋである含水素窒化珪素膜（水素含有量：３０ａｔ
ｍ％）を、光磁気記録層４として２５０オングストロ−
ムのＴｂＦｅＣｏ合金膜を、第３保護膜層５として３０
０オングストロ−ムの窒化珪素膜を、反射層６として５
００オングストロ−ムのアルミニウム膜を各々スパッタ
リング法により作成した。
基板１としてポリカ−ボネ−ト基板を用い、第１保護膜
２として４００オングストロ−ムの、室温で熱伝導率
１．６Ｗ／ｍ・Ｋの窒化珪素膜を、第２保護膜３として
４００オングストロ−ムの、室温で熱伝導率１．２Ｗ／
ｍ・Ｋである含水素窒化珪素膜（水素含有量：３０ａｔ
ｍ％）を、光磁気記録層４として２５０オングストロ−
ムのＴｂＦｅＣｏ合金膜を、第３保護膜層５として３０
０オングストロ−ムの窒化珪素膜を、反射層６として５
００オングストロ−ムのアルミニウム膜を各々スパッタ
リング法により作成した。
【００２５】Ｃ／Ｎと線速依存性を表１に示す。
【００２６】比較例１ 第１保護膜２として、室温における熱伝導率が１．６Ｗ
／ｍ・Ｋの窒化珪素を８００オングストロ−ム成膜し、
第２保護膜３を成膜せずにその上に直接光磁気記録層４
を成膜した以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒
体を製造した。
／ｍ・Ｋの窒化珪素を８００オングストロ−ム成膜し、
第２保護膜３を成膜せずにその上に直接光磁気記録層４
を成膜した以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒
体を製造した。
【００２７】Ｃ／Ｎと線速依存性を表１に示す。
【００２８】比較例２ 第１保護膜２を成膜せず、第２保護膜３として、室温に
おける熱伝導率１．２Ｗ／ｍ・Ｋの含水素窒化珪素を８
００オングストロ−ム成膜し、その上に直接磁気記録層
を成膜した以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒
体を製造した。Ｃ／Ｎと線速依存性を表１に示す。
おける熱伝導率１．２Ｗ／ｍ・Ｋの含水素窒化珪素を８
００オングストロ−ム成膜し、その上に直接磁気記録層
を成膜した以外は、実施例１と同様にして光磁気記録媒
体を製造した。Ｃ／Ｎと線速依存性を表１に示す。
【００２９】
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構成の一例を示す
図である。
図である。
１ ： 基板 ２ ： 第１保護膜 ３ ： 第２保護膜 ４ ： 光磁気記録膜 ５ ： 第３保護膜 ６ ： 反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、第１保護膜、第２保護膜及び
磁気記録膜をこの順に積層してなる構造を少なくとも有
し、第１保護膜を、窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニ
ウム又は酸化アルミニウムから形成し、第２保護膜を、
含水素窒化珪素、含水素酸化珪素、含水素窒化アルミニ
ウム又は含水素酸化アルミニウムから形成することを特
徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858692A JPH0636369A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858692A JPH0636369A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636369A true JPH0636369A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16558646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20858692A Pending JPH0636369A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636369A (ja) |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP20858692A patent/JPH0636369A/ja active Pending
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