JPH0636370A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0636370A JPH0636370A JP20858792A JP20858792A JPH0636370A JP H0636370 A JPH0636370 A JP H0636370A JP 20858792 A JP20858792 A JP 20858792A JP 20858792 A JP20858792 A JP 20858792A JP H0636370 A JPH0636370 A JP H0636370A
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- Japan
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- film
- magneto
- optical recording
- protective film
- recording medium
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に、少なくとも保護膜、磁気記録
膜、保護膜が順に積層されており、基板と磁気記録膜と
の間の保護膜が窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム
又は酸化アルミニウムより形成され、磁気記録膜を介し
て反対側の保護膜が水素を含み、室温での熱伝導率が、
１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の物質より形成されている光磁気
記録媒体。 【効果】 高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れる。
膜、保護膜が順に積層されており、基板と磁気記録膜と
の間の保護膜が窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム
又は酸化アルミニウムより形成され、磁気記録膜を介し
て反対側の保護膜が水素を含み、室温での熱伝導率が、
１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の物質より形成されている光磁気
記録媒体。 【効果】 高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関し、
更に詳しくは、高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁
気記録媒体に関する。
更に詳しくは、高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書換え可能な高記録
密度記録媒体として種々研究されてきており、製品化さ
れつつある。
密度記録媒体として種々研究されてきており、製品化さ
れつつある。
【０００３】このような光磁気記録媒体としては、基板
上部に光磁気記録膜、反射膜を積層し、更に光磁気記録
膜の保護の目的及び磁気光学効果を高める目的で光磁気
記録膜を透明無機物質よりなる保護膜で挟持するものが
従来知られている。
上部に光磁気記録膜、反射膜を積層し、更に光磁気記録
膜の保護の目的及び磁気光学効果を高める目的で光磁気
記録膜を透明無機物質よりなる保護膜で挟持するものが
従来知られている。
【０００４】ここで用いられる光磁気記録媒体の材料と
しては、基板としてポリカ−ボネ−ト（以下、ＰＣと省
略する）あるいはアモルファスポリオレフィンなどの透
明樹脂が、光磁気記録膜としてＭｎＢｉあるいは希土類
−遷移金属元素合金などが、反射膜としてアルミニウ
ム、アルミニウム合金などの反射性の金属材料などが、
保護膜としては珪素の酸化物、窒化物、アルミニウムの
酸化物、窒化物などが知られている。
しては、基板としてポリカ−ボネ−ト（以下、ＰＣと省
略する）あるいはアモルファスポリオレフィンなどの透
明樹脂が、光磁気記録膜としてＭｎＢｉあるいは希土類
−遷移金属元素合金などが、反射膜としてアルミニウ
ム、アルミニウム合金などの反射性の金属材料などが、
保護膜としては珪素の酸化物、窒化物、アルミニウムの
酸化物、窒化物などが知られている。
【０００５】近年、光磁気記録媒体は、デ−タの転送レ
−トを向上するためにディスクの回転数を高回転で行う
ことが望まれており、ディスク回転数が高い状態、つま
り記録領域の線速が速い状態においても記録感度が実用
的範囲に入ることが必要となっている。一般にこの様な
ディスクの線速に対する記録感度の依存性を線速依存性
という。
−トを向上するためにディスクの回転数を高回転で行う
ことが望まれており、ディスク回転数が高い状態、つま
り記録領域の線速が速い状態においても記録感度が実用
的範囲に入ることが必要となっている。一般にこの様な
ディスクの線速に対する記録感度の依存性を線速依存性
という。
【０００６】しかしながら、従来の保護膜を用いた膜構
成では線速依存性が悪く、ディスクの回転数を高回転に
してデ−タの転送レ−トを向上させることが困難であっ
た。また従来の膜構成で線速依存性を向上させる場合に
は、熱拡散を抑制するために保護膜の膜厚を増加させな
ければならないため、Ｃ／Ｎが低下するという欠点があ
った。
成では線速依存性が悪く、ディスクの回転数を高回転に
してデ−タの転送レ−トを向上させることが困難であっ
た。また従来の膜構成で線速依存性を向上させる場合に
は、熱拡散を抑制するために保護膜の膜厚を増加させな
ければならないため、Ｃ／Ｎが低下するという欠点があ
った。
【０００７】更に熱伝導率の低い保護膜を直接ＰＣ基板
に堆積させると、ＰＣ基板が熱に対してダメ−ジを受け
やすい為、スパッタリングにより成膜された膜の熱によ
りＰＣ基板のダメ−ジが大きく、Ｃ／Ｎが低下するとい
う欠点を有していた。
に堆積させると、ＰＣ基板が熱に対してダメ−ジを受け
やすい為、スパッタリングにより成膜された膜の熱によ
りＰＣ基板のダメ−ジが大きく、Ｃ／Ｎが低下するとい
う欠点を有していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高Ｃ
／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するために鋭意検討を行った結果、従来の光磁気記
録膜を透明無機物質よりなる保護膜で挟持するタイプの
光磁気記録媒体において、基板と磁気記録膜との間の保
護膜を窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム又は酸化
アルミニウムから形成し、磁気記録膜を介して反対側の
保護膜を水素を含み、室温での熱伝導率が、特定の値以
下の物質より形成することにより、高Ｃ／Ｎでかつ線速
依存性に優れた光磁気記録媒体が得られることを見出
し、本発明を完成するに至った。
解決するために鋭意検討を行った結果、従来の光磁気記
録膜を透明無機物質よりなる保護膜で挟持するタイプの
光磁気記録媒体において、基板と磁気記録膜との間の保
護膜を窒化珪素、酸化珪素、窒化アルミニウム又は酸化
アルミニウムから形成し、磁気記録膜を介して反対側の
保護膜を水素を含み、室温での熱伝導率が、特定の値以
下の物質より形成することにより、高Ｃ／Ｎでかつ線速
依存性に優れた光磁気記録媒体が得られることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、基板上に、少なくと
も保護膜と磁気記録膜とが積層され、かつ保護膜により
磁気記録膜が挟持されている構造を有する光磁気記録媒
体において、基板と磁気記録膜との間の保護膜を窒化珪
素、酸化珪素、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウム
から形成し、磁気記録膜を介して反対側の保護膜を水素
を含み、室温での熱伝導率が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の
物質より形成することを特徴とする光磁気記録媒体に関
する。
も保護膜と磁気記録膜とが積層され、かつ保護膜により
磁気記録膜が挟持されている構造を有する光磁気記録媒
体において、基板と磁気記録膜との間の保護膜を窒化珪
素、酸化珪素、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウム
から形成し、磁気記録膜を介して反対側の保護膜を水素
を含み、室温での熱伝導率が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の
物質より形成することを特徴とする光磁気記録媒体に関
する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体の構成の一例を図
１に示す。図１において、基板１上に保護膜２、磁気記
録膜３、保護膜４及び反射膜５がこの順に積層されてい
る。
１に示す。図１において、基板１上に保護膜２、磁気記
録膜３、保護膜４及び反射膜５がこの順に積層されてい
る。
【００１３】基板１の材料としては、ＰＣ、アモルファ
スポリオレフィン等の透明樹脂が好ましく、光磁気記録
膜３の材料としては、テルビウム（Ｔｂ）ジスプロシウ
ム（Ｄｙ）等の希土類金属と鉄、コバルト、クロム等の
遷移金属との合金等が好ましい。また、反射膜５の材料
としては、アルミニウム、アルミニウムと、チタン又は
クロム等との合金等が好適に用いられる。
スポリオレフィン等の透明樹脂が好ましく、光磁気記録
膜３の材料としては、テルビウム（Ｔｂ）ジスプロシウ
ム（Ｄｙ）等の希土類金属と鉄、コバルト、クロム等の
遷移金属との合金等が好ましい。また、反射膜５の材料
としては、アルミニウム、アルミニウムと、チタン又は
クロム等との合金等が好適に用いられる。
【００１４】磁気記録膜３及び反射膜５の膜厚として
は、それぞれ２００〜３００オングストローム、４００
〜１０００オングストロームが好ましい。
は、それぞれ２００〜３００オングストローム、４００
〜１０００オングストロームが好ましい。
【００１５】磁気記録膜３を挟持している保護膜のう
ち、基板に近い側の保護膜２は、窒化珪素、酸化珪素、
窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成する。
このような材料から形成することによって、製膜時に基
板へ与えるダメ−ジが小さくなる。特に光学的ノイズの
少ない窒化珪素が好ましい。また、保護膜２の膜厚とし
ては、７００〜１２００オングストロームが好ましい。
ち、基板に近い側の保護膜２は、窒化珪素、酸化珪素、
窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成する。
このような材料から形成することによって、製膜時に基
板へ与えるダメ−ジが小さくなる。特に光学的ノイズの
少ない窒化珪素が好ましい。また、保護膜２の膜厚とし
ては、７００〜１２００オングストロームが好ましい。
【００１６】一方、磁気記録膜３を介して保護膜２の反
対側に存在する保護膜４は、水素を含み、室温での熱伝
導率が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の物質より形成する。具
体的に水素を含む物質とは、含水素窒化珪素、含水素酸
化珪素、含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化アルミ
ニウム等を挙げることができ、好ましくは、ディスクの
耐久性の点で含水素窒化珪素が好ましい。又、水素含有
量は、光磁気記録媒体全体の構成により種々変化するこ
とができるが、１５〜４０ａｔｍ％が好ましい。
対側に存在する保護膜４は、水素を含み、室温での熱伝
導率が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の物質より形成する。具
体的に水素を含む物質とは、含水素窒化珪素、含水素酸
化珪素、含水素窒化アルミニウム又は含水素酸化アルミ
ニウム等を挙げることができ、好ましくは、ディスクの
耐久性の点で含水素窒化珪素が好ましい。又、水素含有
量は、光磁気記録媒体全体の構成により種々変化するこ
とができるが、１５〜４０ａｔｍ％が好ましい。
【００１７】一方、上記の材料は、室温での熱伝導率
が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下であるという条件も満たす必
要があり、これにより線速依存性を良好にすることがで
きる。保護膜４の膜厚としては、２００〜４００オング
ストロームが好ましい。
が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下であるという条件も満たす必
要があり、これにより線速依存性を良好にすることがで
きる。保護膜４の膜厚としては、２００〜４００オング
ストロームが好ましい。
【００１８】上述の保護膜２から反射膜５までの各層
は、スパッタリング法などの通常の薄膜形成方法により
形成することができる。例えば、保護膜２は、窒化珪素
スパッタリングターゲットによって、磁気記録膜３は、
ＴｂスパッタリングターゲットとＦｅ−Ｃｏスパッタリ
ングターゲットによって、保護膜４は、含水素窒化珪素
スパッタリングターゲットによって、反射膜５は、Ａｌ
スパッタリングターゲットとから製膜することができ
る。
は、スパッタリング法などの通常の薄膜形成方法により
形成することができる。例えば、保護膜２は、窒化珪素
スパッタリングターゲットによって、磁気記録膜３は、
ＴｂスパッタリングターゲットとＦｅ−Ｃｏスパッタリ
ングターゲットによって、保護膜４は、含水素窒化珪素
スパッタリングターゲットによって、反射膜５は、Ａｌ
スパッタリングターゲットとから製膜することができ
る。
【００１９】更に、本発明の光磁気記録媒体には、必要
に応じて紫外線型樹脂などによるコート層を設けてもよ
い。
に応じて紫外線型樹脂などによるコート層を設けてもよ
い。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記
録媒体を提供することが可能となった。
によれば、高Ｃ／Ｎでかつ線速依存性に優れた光磁気記
録媒体を提供することが可能となった。
【００２１】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明を説明するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２２】実施例１ 図１に示した構造を有する光磁気記録媒体を製造した。
基板１としてポリカ−ボネ−トを用い、保護膜２として
８００オングストロ−ムの窒化珪素膜を、光磁気記録層
３として２５０オングストロ−ムのＴｂＦｅＣｏ合金膜
を、保護膜４として２５０オングストロ−ムの、室温に
おける熱伝導率が１．３Ｗ／ｍ・Ｋである含水素窒化珪
素膜（水素含有量：２０ａｔｍ％）を、反射層５として
５００オングストロ−ムのアルミニウム膜を各々スパッ
タリング法により作成した。
基板１としてポリカ−ボネ−トを用い、保護膜２として
８００オングストロ−ムの窒化珪素膜を、光磁気記録層
３として２５０オングストロ−ムのＴｂＦｅＣｏ合金膜
を、保護膜４として２５０オングストロ−ムの、室温に
おける熱伝導率が１．３Ｗ／ｍ・Ｋである含水素窒化珪
素膜（水素含有量：２０ａｔｍ％）を、反射層５として
５００オングストロ−ムのアルミニウム膜を各々スパッ
タリング法により作成した。
【００２３】得られたディスクのＣ／Ｎおよび線速依存
性を測定し、結果を表１に示す。
性を測定し、結果を表１に示す。
【００２４】実施例２ 図１に示した構造を有する光磁気記録媒体を製造した。
基板１としてポリカ−ボネ−トを用い、保護膜２として
８００オングストロ−ムの窒化珪素膜を、光磁気記録層
３として２５０オングストロ−ムのＴｂＦｅＣｏ合金膜
を、保護膜４として２５０オングストロ−ムの、室温に
おける熱伝導率が１．２Ｗ／ｍ・Ｋである含水素窒化珪
素膜（水素含有量：３０ａｔｍ％）を、反射層５として
５００オングストロ−ムのアルミニウム膜を各々スパッ
タリング法により作成した。
基板１としてポリカ−ボネ−トを用い、保護膜２として
８００オングストロ−ムの窒化珪素膜を、光磁気記録層
３として２５０オングストロ−ムのＴｂＦｅＣｏ合金膜
を、保護膜４として２５０オングストロ−ムの、室温に
おける熱伝導率が１．２Ｗ／ｍ・Ｋである含水素窒化珪
素膜（水素含有量：３０ａｔｍ％）を、反射層５として
５００オングストロ−ムのアルミニウム膜を各々スパッ
タリング法により作成した。
【００２５】得られたディスクのＣ／Ｎおよび線速依存
性を測定し、結果を表１に示す。
性を測定し、結果を表１に示す。
【００２６】比較例１ 保護膜４として、保護膜２と同一の窒化珪素を２５０オ
ングストロ−ム成膜した以外はすべて実施例１と同様と
して成膜した。
ングストロ−ム成膜した以外はすべて実施例１と同様と
して成膜した。
【００２７】得られたディスクのＣ／Ｎおよび線速依存
性を測定し、結果を表１に示す。
性を測定し、結果を表１に示す。
【００２８】比較例２ 保護膜４として、室温における熱伝導率が１．４Ｗ／ｍ
・Ｋである含水素窒化珪素膜（水素含有量：１０ａｔｍ
％）を２５０オングストロ−ム成膜した以外はすべて実
施例１と同様として成膜した。得られたディスクのＣ／
Ｎおよび線速依存性を測定し、結果を表１に示す。
・Ｋである含水素窒化珪素膜（水素含有量：１０ａｔｍ
％）を２５０オングストロ−ム成膜した以外はすべて実
施例１と同様として成膜した。得られたディスクのＣ／
Ｎおよび線速依存性を測定し、結果を表１に示す。
【００２９】
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構成の一例を示す
図である。
図である。
【符号の説明】 １ ： 基板 ２ ： 保護膜 ３ ： 光磁気記録膜 ４ ： 保護膜 ５ ： 反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも保護膜と磁気記録
膜とが積層され、かつ保護膜により磁気記録膜が挟持さ
れている構造を有する光磁気記録媒体において、基板と
磁気記録膜との間の保護膜を窒化珪素、酸化珪素、窒化
アルミニウム又は酸化アルミニウムから形成し、磁気記
録膜を介して反対側の保護膜を水素を含み、室温での熱
伝導率が、１．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下の物質より形成するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858792A JPH0636370A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20858792A JPH0636370A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636370A true JPH0636370A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16558664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20858792A Pending JPH0636370A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636370A (ja) |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP20858792A patent/JPH0636370A/ja active Pending
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