JPH0636408B2 - 反応処理装置 - Google Patents
反応処理装置Info
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- JPH0636408B2 JPH0636408B2 JP59056032A JP5603284A JPH0636408B2 JP H0636408 B2 JPH0636408 B2 JP H0636408B2 JP 59056032 A JP59056032 A JP 59056032A JP 5603284 A JP5603284 A JP 5603284A JP H0636408 B2 JPH0636408 B2 JP H0636408B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3311—Horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3312—Vertical transfer of a batch of workpieces
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、反応処理装置に関し、特に反応室内部を密閉
状態に保って気相成長を行なうＣＶＤ装置に適用して有
効な技術に関するものである。
状態に保って気相成長を行なうＣＶＤ装置に適用して有
効な技術に関するものである。
半導体装置の製造には半導体ウェーハの表面に反応ガス
を用いた気相成長技術による薄膜の形成を反応処理装置
を使用して行なうことが不可欠である。このため種々の
反応処理装置が開発されている。そして、近年における
半導体素子の微細化に伴なって電気抵抗が低く高融点の
金属であるタングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン
(Ti)等およびこれらの金属を主成分とする金属化合物を
半導体素子の電極、配線に適用することが要求されてく
ると、反応処理時における金属膜の酸化を防止するため
に反応室内を外気と遮断した密閉状態にする反応処理装
置も必要とされることになる。
を用いた気相成長技術による薄膜の形成を反応処理装置
を使用して行なうことが不可欠である。このため種々の
反応処理装置が開発されている。そして、近年における
半導体素子の微細化に伴なって電気抵抗が低く高融点の
金属であるタングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン
(Ti)等およびこれらの金属を主成分とする金属化合物を
半導体素子の電極、配線に適用することが要求されてく
ると、反応処理時における金属膜の酸化を防止するため
に反応室内を外気と遮断した密閉状態にする反応処理装
置も必要とされることになる。
このようなことから、従来では反応室のウェーハ取出し
口に密着するベルジャなどの蓋体を付設し、反応室内に
ウェーハを収納させた後にこの蓋体で反応室を密閉し、
反応室内での反応処理時にウェーハが外気の酸素に触れ
ないように構成した装置となっている（特開昭48-10308
8号公報）。しかしながら、このような構成では、反応
室にウェーハを収納したり取り出したりする毎に蓋体を
開閉して行なう必要がある。そのため、処理の１サイク
ル毎に反応室内を減圧にして真空化作業を行なわねばな
らず処理効率が悪い上に、が外気中のちり等の異物が反
応室内に侵入し易くウェーハ表面の欠陥を生じる原因と
なっている。
口に密着するベルジャなどの蓋体を付設し、反応室内に
ウェーハを収納させた後にこの蓋体で反応室を密閉し、
反応室内での反応処理時にウェーハが外気の酸素に触れ
ないように構成した装置となっている（特開昭48-10308
8号公報）。しかしながら、このような構成では、反応
室にウェーハを収納したり取り出したりする毎に蓋体を
開閉して行なう必要がある。そのため、処理の１サイク
ル毎に反応室内を減圧にして真空化作業を行なわねばな
らず処理効率が悪い上に、が外気中のちり等の異物が反
応室内に侵入し易くウェーハ表面の欠陥を生じる原因と
なっている。
また、従来の別の反応炉は石英管を横方向に配設した所
謂横型反応炉がある（工業調査会発行電子材料１９８２
年別冊、昭和５６年１１月１０日発行、７５頁〜８１
頁）。しかしながら、この横型反応炉においては、ウェ
ーハの大量処理に伴なって炉長が長くなり、その結果、
設置面積が大になり工場敷地の有効利用上好ましくない
という問題もある。
謂横型反応炉がある（工業調査会発行電子材料１９８２
年別冊、昭和５６年１１月１０日発行、７５頁〜８１
頁）。しかしながら、この横型反応炉においては、ウェ
ーハの大量処理に伴なって炉長が長くなり、その結果、
設置面積が大になり工場敷地の有効利用上好ましくない
という問題もある。
本発明の目的は、反応処理を高能率で行なうことができ
る反応処理装置を提供することにある。
る反応処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、有害な異物が被処理体に付
着するのを防止できる反応処理装置を提供することにあ
る。
着するのを防止できる反応処理装置を提供することにあ
る。
また、本発明のさらに他の目的は、設置スペースの低減
を実現することのできる反応処理装置を提供することに
ある。
を実現することのできる反応処理装置を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、上端部に被処理体の出入口を有する反応室は
上下方向に配設され、前記反応室の上側には予備室が配
設され、複数枚の被処理体を上下方向に重ねた状態で前
記予備室と前記反応室との間を上下動する支持枠には前
記出入口を開閉する開閉蓋が設けられている。前記支持
枠に対しては、ローダ搬送部により複数の処理前の被処
理体が水平方向に搬送され、処理後の被処理体はアンロ
ーダ搬送部によって支持枠から水平方向にアンローダ部
に搬送される。これにより、反応室への外気の混入を防
止して形成薄膜である金属膜の酸化現象や異物付着が防
止される。さらに、反応室内では、被処理体は相互に隙
間を介して上下方向に重ねられた状態で処理され、搬送
時にも重ねられた状態となるので、設置面積を低減する
ことができるとともに、多数枚の被処理体を迅速に処理
することができ、反応処理を高効率で行うことができる
ものである。
上下方向に配設され、前記反応室の上側には予備室が配
設され、複数枚の被処理体を上下方向に重ねた状態で前
記予備室と前記反応室との間を上下動する支持枠には前
記出入口を開閉する開閉蓋が設けられている。前記支持
枠に対しては、ローダ搬送部により複数の処理前の被処
理体が水平方向に搬送され、処理後の被処理体はアンロ
ーダ搬送部によって支持枠から水平方向にアンローダ部
に搬送される。これにより、反応室への外気の混入を防
止して形成薄膜である金属膜の酸化現象や異物付着が防
止される。さらに、反応室内では、被処理体は相互に隙
間を介して上下方向に重ねられた状態で処理され、搬送
時にも重ねられた状態となるので、設置面積を低減する
ことができるとともに、多数枚の被処理体を迅速に処理
することができ、反応処理を高効率で行うことができる
ものである。
第１図は本発明を半導体ウェーハのＣＶＤ装置に適用し
た実施例であり、第２図はその概略平面構成図である。
図において１は石英管からなる反応管（反応室）であ
り、その大径のウェーハの出入口１ａを上方に向け、細
径の排気口１ｂを下方に向けて上下方向、つまり縦方向
に延設している。そして、この反応管１の周囲にはヒー
タ２を配設して反応管１およびその内部を所定の温度に
加熱できるようにしている。一方、ウェーハの出入口１
ａの周辺部にはガス供給口３を輪設し図外の反応ガス源
に接続している。また、排気口１ｂには真空ポンプを内
蔵した排気部４を接続し反応管１内部を所要の真空圧力
に保つようにしている。
た実施例であり、第２図はその概略平面構成図である。
図において１は石英管からなる反応管（反応室）であ
り、その大径のウェーハの出入口１ａを上方に向け、細
径の排気口１ｂを下方に向けて上下方向、つまり縦方向
に延設している。そして、この反応管１の周囲にはヒー
タ２を配設して反応管１およびその内部を所定の温度に
加熱できるようにしている。一方、ウェーハの出入口１
ａの周辺部にはガス供給口３を輪設し図外の反応ガス源
に接続している。また、排気口１ｂには真空ポンプを内
蔵した排気部４を接続し反応管１内部を所要の真空圧力
に保つようにしている。
更に、前記反応管１のウェーハの出入口１ａ上には主予
備室５を一体に取着形成すると共に、その水平方向の両
側には夫々ゲートバルブ８〜１１を有するローダ予備室
６とアンローダ予備室７を連設している前記主予備室５
内には上部に開閉蓋噛１２を一体に設けたウェーハ支持
枠１３を内装し、この支持枠１３の上部から予備室５上
方に突出したロッドラック１４をピニオン１５に噛み合
わせることにより、ピニオン１５の正逆転によってロッ
ドラック１４およびこれと一体のウェーハ支持枠１３は
主予備室５と反応管１にわたって上下動できる。また、
前記ローダ予備室６とアンローダ予備室７には前記排気
部４の支管４ａ，４ｂを夫々接続してこれらの予備室
６，７内も低圧に制御している。
備室５を一体に取着形成すると共に、その水平方向の両
側には夫々ゲートバルブ８〜１１を有するローダ予備室
６とアンローダ予備室７を連設している前記主予備室５
内には上部に開閉蓋噛１２を一体に設けたウェーハ支持
枠１３を内装し、この支持枠１３の上部から予備室５上
方に突出したロッドラック１４をピニオン１５に噛み合
わせることにより、ピニオン１５の正逆転によってロッ
ドラック１４およびこれと一体のウェーハ支持枠１３は
主予備室５と反応管１にわたって上下動できる。また、
前記ローダ予備室６とアンローダ予備室７には前記排気
部４の支管４ａ，４ｂを夫々接続してこれらの予備室
６，７内も低圧に制御している。
他方、前記ローダ予備室６の一側にはローダ部１６を設
けると共に内部にはローダ搬送部１７を設け、前記ロー
ダ部１６上に載荷されたカートリッジ１８内のウェーハ
Ｗを複数枚（全枚数）一度に前記ローダ予備室６を通し
て主予備室５へ搬送移動し、前記ウェーハ支持枠１３上
に移載できる。同様に、前記アンローダ予備室７の一側
にはアンローダ部１９と内部にアンローダ搬送部２０と
を設け、主予備室５内のウェーハ支持枠１３上のウェー
ハをアンローダ予備室７を通してアンローダ部１９上の
カートリッジ２１内に搬送移動できる。即ち、これらロ
ーダ搬送部１７とアンローダ搬送部２０は、第３図(A)
〜(G)にローダ搬送部１７で例示するように、複数枚の
ウェーハ支持板１７ｂを回転軸１７ａの上下方向に列設
し、かつ回転軸１７ａを若干上下移動できるようにして
いる。そして、同図(A)〜(C)で示す回転軸１７ａの右方
回動および上動でローダ部１６上のカートリッジ１８内
のウェーハＷをウェーハ支持板１７ｂ上にすくい取り、
回転軸１７ａの逆転によって同図(D)のようにウェーハ
Ｗをローダ予備室６内に位置させる。続いて回転軸１７
ａを回動しかつ若干下方へ移動させることにより同図
(E),(F)のようにウェーハＷを主予備室５内のウェーハ
支持枠１３に移載できる。回転軸１７ａを逆転すれば同
図(G)のように常態位置に復旧する。アンローダ搬送部
２０についても全く同じである。なお、前記各ゲートバ
ルブ８，９，１０，１１はこれら搬送部１７，２０と同
期的に開閉作動されることはいうまでもない。
けると共に内部にはローダ搬送部１７を設け、前記ロー
ダ部１６上に載荷されたカートリッジ１８内のウェーハ
Ｗを複数枚（全枚数）一度に前記ローダ予備室６を通し
て主予備室５へ搬送移動し、前記ウェーハ支持枠１３上
に移載できる。同様に、前記アンローダ予備室７の一側
にはアンローダ部１９と内部にアンローダ搬送部２０と
を設け、主予備室５内のウェーハ支持枠１３上のウェー
ハをアンローダ予備室７を通してアンローダ部１９上の
カートリッジ２１内に搬送移動できる。即ち、これらロ
ーダ搬送部１７とアンローダ搬送部２０は、第３図(A)
〜(G)にローダ搬送部１７で例示するように、複数枚の
ウェーハ支持板１７ｂを回転軸１７ａの上下方向に列設
し、かつ回転軸１７ａを若干上下移動できるようにして
いる。そして、同図(A)〜(C)で示す回転軸１７ａの右方
回動および上動でローダ部１６上のカートリッジ１８内
のウェーハＷをウェーハ支持板１７ｂ上にすくい取り、
回転軸１７ａの逆転によって同図(D)のようにウェーハ
Ｗをローダ予備室６内に位置させる。続いて回転軸１７
ａを回動しかつ若干下方へ移動させることにより同図
(E),(F)のようにウェーハＷを主予備室５内のウェーハ
支持枠１３に移載できる。回転軸１７ａを逆転すれば同
図(G)のように常態位置に復旧する。アンローダ搬送部
２０についても全く同じである。なお、前記各ゲートバ
ルブ８，９，１０，１１はこれら搬送部１７，２０と同
期的に開閉作動されることはいうまでもない。
以上の構成によればローダ部１６に設置されたカートリ
ッジ１８内のウェーハＷはローダ搬送部１７によって、
先ずゲートバルブ８を開けてローダ予備室６内に搬入さ
れる（第３図(A)〜(D)参照）。そして、このゲートバル
ブ８を閉じてローダ予備室６を外気と遮断した状態で今
度はゲートバルブ９を開き、ウェーハＷを主予備室５内
のウェーハ支持枠１３上に移載する（第３図(D)〜
(G)）。ローダ搬送部１７を復動させた上でゲートバル
ブ９を閉じ、今度はピニオン１５を作動すればウェーハ
支持枠１３は下動され開閉蓋１２が反応管１を遮蔽する
と共にウェーハＷは反応管１内に収納される。したがっ
て、ガス供給口３から所定のガスを供給する一方、排気
口１ｂから排気を行なって反応管１内部を所定の真空ガ
ス圧とし、かつヒータ２による加熱を行なうことにより
所要のＣＶＤが完成される。
ッジ１８内のウェーハＷはローダ搬送部１７によって、
先ずゲートバルブ８を開けてローダ予備室６内に搬入さ
れる（第３図(A)〜(D)参照）。そして、このゲートバル
ブ８を閉じてローダ予備室６を外気と遮断した状態で今
度はゲートバルブ９を開き、ウェーハＷを主予備室５内
のウェーハ支持枠１３上に移載する（第３図(D)〜
(G)）。ローダ搬送部１７を復動させた上でゲートバル
ブ９を閉じ、今度はピニオン１５を作動すればウェーハ
支持枠１３は下動され開閉蓋１２が反応管１を遮蔽する
と共にウェーハＷは反応管１内に収納される。したがっ
て、ガス供給口３から所定のガスを供給する一方、排気
口１ｂから排気を行なって反応管１内部を所定の真空ガ
ス圧とし、かつヒータ２による加熱を行なうことにより
所要のＣＶＤが完成される。
ＣＶＤの完成後はウェーハ支持枠１３を上動して主予備
室５内に戻した後、ゲートバルブ１０を開いてアンロー
ダ搬送部２０によりアンローダ予備室７へ移載し、ゲー
トバルブ１０を閉じた後にゲートバルブ１１を開いてア
ンローダ部１９のカートリッジ２１内に収納することに
なる。なお、この間次のウェーハをローダ搬送部１７に
よって主予備室５内に搬入することになる。
室５内に戻した後、ゲートバルブ１０を開いてアンロー
ダ搬送部２０によりアンローダ予備室７へ移載し、ゲー
トバルブ１０を閉じた後にゲートバルブ１１を開いてア
ンローダ部１９のカートリッジ２１内に収納することに
なる。なお、この間次のウェーハをローダ搬送部１７に
よって主予備室５内に搬入することになる。
したがって、このＣＶＤ装置によればゲートバルブを有
する主予備室５，ロード予備室６，アンロード予備室７
を設けているので、ウェーハＷを反応管１内にセットし
あるいはこれから取出す際に大気が反応管１内に侵入す
ることは防止できる。これにより、反応管１内への酸素
の侵入を防止し、ウェーハ等におけるメタル（メタルゲ
ート）の酸化を防止できる。一方、外気が侵入しないの
で、外気中の異物が侵入されることもなく、ウェーハへ
の異物の付着が防止できる。また、このとき反応管１内
は排気口１ｂが下にあることから上から下へ向かっての
ガス流となり、反応管内に異物が生じていてもこれがウ
ェーハＷ表面に付着することを有効に防止できる。更
に、このＣＶＤ装置は反応管１を上下方向の縦型に構成
しているので、平面的な占有面積を低減して設置スペー
スの低減を図ることができる。
する主予備室５，ロード予備室６，アンロード予備室７
を設けているので、ウェーハＷを反応管１内にセットし
あるいはこれから取出す際に大気が反応管１内に侵入す
ることは防止できる。これにより、反応管１内への酸素
の侵入を防止し、ウェーハ等におけるメタル（メタルゲ
ート）の酸化を防止できる。一方、外気が侵入しないの
で、外気中の異物が侵入されることもなく、ウェーハへ
の異物の付着が防止できる。また、このとき反応管１内
は排気口１ｂが下にあることから上から下へ向かっての
ガス流となり、反応管内に異物が生じていてもこれがウ
ェーハＷ表面に付着することを有効に防止できる。更
に、このＣＶＤ装置は反応管１を上下方向の縦型に構成
しているので、平面的な占有面積を低減して設置スペー
スの低減を図ることができる。
(1)反応室（反応管）に予備室を付設し、この予備室を
通して反応管内へのウェーハの出入れを行なっているの
で、反応管内への外気の侵入を有効に防止し、これによ
り酸素の侵入によるメタルの酸化を防止することができ
る。
通して反応管内へのウェーハの出入れを行なっているの
で、反応管内への外気の侵入を有効に防止し、これによ
り酸素の侵入によるメタルの酸化を防止することができ
る。
(2)予備室を設けることにより外気の侵入が防止でき、
これにより異物の侵入を防止してウェーハへの異物の付
着を防止して欠陥の発生を防止できる。
これにより異物の侵入を防止してウェーハへの異物の付
着を防止して欠陥の発生を防止できる。
(3)反応管を縦にして上方に反応ガス供給口を設け、下
方に排気口を設けているので、反応管内に異物が発生し
てもこれをすみやかに下方に除去することができ、これ
によりウェーハへの異物の付着を一層効果的に防止でき
る。
方に排気口を設けているので、反応管内に異物が発生し
てもこれをすみやかに下方に除去することができ、これ
によりウェーハへの異物の付着を一層効果的に防止でき
る。
(4)反応室（反応管）を上下方向つまり縦方向に配置
し、この反応室内で支持枠により複数の被処理体を相互
に隙間を介して重ねるように支持し、さらにローダ搬送
部とアンローダ搬送部により複数の被処理体は相互に隙
間を介して重ねられた状態で水平方向に搬送するように
した結果、装置の平面の設置スペースを低減でき、設置
面積の低減を達成することができる。また、狭い設置面
積において多数の被処理体を同時に処理することができ
るので、反応処理を高能率で行うことができる。
し、この反応室内で支持枠により複数の被処理体を相互
に隙間を介して重ねるように支持し、さらにローダ搬送
部とアンローダ搬送部により複数の被処理体は相互に隙
間を介して重ねられた状態で水平方向に搬送するように
した結果、装置の平面の設置スペースを低減でき、設置
面積の低減を達成することができる。また、狭い設置面
積において多数の被処理体を同時に処理することができ
るので、反応処理を高能率で行うことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、主予備室や
アンローダ予備室を１００℃程度の温度に保てば、処理
後のウェーハを直接外気に取出す場合よりも徐冷の効果
がある。また、ローダ搬送部、アンローダ搬送部はもと
よりウェーハ支持枠の上下動機構は図示以外の種々の機
構を利用することができる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、主予備室や
アンローダ予備室を１００℃程度の温度に保てば、処理
後のウェーハを直接外気に取出す場合よりも徐冷の効果
がある。また、ローダ搬送部、アンローダ搬送部はもと
よりウェーハ支持枠の上下動機構は図示以外の種々の機
構を利用することができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、薄膜を形成するＣＶＤ装置た
とえば低圧ＣＶＤ装置，プラズマＣＶＤ装置等にも適用
することができる。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、薄膜を形成するＣＶＤ装置た
とえば低圧ＣＶＤ装置，プラズマＣＶＤ装置等にも適用
することができる。
第１図は本発明の一実施例の全体縦断面図、 第２図は概略的な平面図、 第３図は搬送部の作用を説明するための正面図である。 １……反応管、２……ヒータ、３……ガス供給口、４…
…排気部、５……主予備室、６……ローダ予備室、７…
…アンローダ予備室、８〜１１……ゲートバルブ、１３
……ウェーハ支持枠、１６……ローダ部、１７……ロー
ダ搬送部、１８……カートリッジ（搬入側カートリッ
ジ）、１９……アンローダ部、２０……アンローダ搬送
部、２１……カートリッジ（搬出側カートリッジ）。
…排気部、５……主予備室、６……ローダ予備室、７…
…アンローダ予備室、８〜１１……ゲートバルブ、１３
……ウェーハ支持枠、１６……ローダ部、１７……ロー
ダ搬送部、１８……カートリッジ（搬入側カートリッ
ジ）、１９……アンローダ部、２０……アンローダ搬送
部、２１……カートリッジ（搬出側カートリッジ）。
フロントページの続き (72)発明者 志田 啓之 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内 (56)参考文献 特開 昭58−33828（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】上下方向に配置され、上端部に被処理体の
出入口を有する反応室と、 前記反応室の上側に配置され、ゲートバルブにより開閉
自在に形成された予備室と、 前記出入口を開閉する開閉蓋が設けられ、複数枚の被処
理体を相互に隙間を介して上下方向に重ねた状態で前記
予備室と前記反応室との間を上下動する支持枠と、 前記予備室に隣接させて配置され、反応処理前の複数の
被処理体が相互に隙間を介して上下方向に重ねた状態で
収容された搬入側カートリッジを支持するローダ部と、 前記ローダ部の反対側に位置させて前記予備室に隣接し
て配置され、反応処理後の前記被処理体を相互に隙間を
介して上下方向に重ねた状態で収容する搬出側カートリ
ッジを支持するアンローダ部と、 上下縦方向の軸に取り付けられてそれぞれ前記被処理体
を支持する複数の支持板が設けられ、前記搬入側カート
リッジ内の被処理体を前記支持枠に水平方向に搬送する
ローダ搬送部と、 上下方向の軸に取り付けられてそれぞれ前記被処理体を
支持する複数の支持板が設けられ、前記支持枠内の処理
済の被処理体を前記搬出側カートリッジに水平方向に搬
送するアンローダ部とを有する反応処理装置。 - 【請求項２】前記予備室は前記処理室の真上に配設され
た主予備室と、この主予備室に隣接して配置されたロー
ダ予備室と、前記主予備室に隣接するとともに前記ロー
ダ予備室に対して反対側に位置するアンローダ予備室と
からなり、前記ローダ予備室と前記アンローダ予備室を
外側のゲートバルブにより外部に対して開閉自在に形成
し、前記主予備室を内側のゲートバルブにより前記ロー
ダ予備室と前記アンローダ予備室に対して開閉自在に形
成してなる特許請求の範囲第１項記載の反応処理装置。 - 【請求項３】前記反応室の上部に反応ガス供給口を設
け、前記反応室の下部に排気口を設けてなる特許請求の
範囲第１項又は２項記載の反応処理装置。 - 【請求項４】前記予備室の内部を真空引きしてなる特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の反応
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056032A JPH0636408B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056032A JPH0636408B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200520A JPS60200520A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0636408B2 true JPH0636408B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=13015732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056032A Expired - Lifetime JPH0636408B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636408B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125821A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2502661B2 (ja) * | 1988-03-04 | 1996-05-29 | 松下電器産業株式会社 | 気相成長装置 |
| JP2688604B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1997-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833828A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体表面処理装置 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59056032A patent/JPH0636408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60200520A (ja) | 1985-10-11 |
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