JPH0636560A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH0636560A
JPH0636560A JP4194097A JP19409792A JPH0636560A JP H0636560 A JPH0636560 A JP H0636560A JP 4194097 A JP4194097 A JP 4194097A JP 19409792 A JP19409792 A JP 19409792A JP H0636560 A JPH0636560 A JP H0636560A
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Takeshi Kajimoto
毅 梶本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高速かつ高ビットレートのシリアルアクセス
が可能な半導体記憶装置を得ることである。 【構成】 第1および第2の入出力線グループIOG
1,IOG2が設けられる。複数の第1のビット線グル
ープBG1,BG3はそれぞれ対応するカラム選択回路
SL1,SL3を介して第2の入出力線グループIOG
1に接続され、複数の第2のビット線グループBG2,
BG4はそれぞれ対応するカラム選択回路SL2,SL
4を介して第2の入出力線グループIOG2に接続され
る。カラムデコーダ5aは、第1のビット線グループに
対応する1つのカラム選択回路および第2のビット線グ
ループに対応する1つのカラム選択回路を同時にまたは
所定の時間差をもって活性化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体記憶装置に関
し、特にカラム系の選択方式に関する。
【0002】
【従来の技術】図24は、従来のダイナミックランダム
アクセスメモリ(以下、DRAMと呼ぶ)の一例を示す
ブロック図である。また、図25は、図24のDRAM
の主要部の構成を詳細に示す図である。
【0003】半導体チップCH上には4つのメモリブロ
ックが設けられる。ただし、図24には一つのメモリブ
ロックをB1のみが示されている。
【0004】メモリアレイ1は、複数のビット線対、そ
れらのビット線対に交差する複数のワード線、および複
数のビット線対と複数のワード線との交点に設けられる
複数のメモリセルを含む。図25には、ビット線対BL
1〜BL8、それらのビット線対BL1〜BL8に交差
する複数のワード線WL、およびビット線対BL1〜B
L8とワード線WLとの交点に設けられた複数のメモリ
セルMCが示される。複数のビット線対は、各々が4つ
のビット線対を含む複数のビット線グループBG1,B
G2に区分される。図25においては、ビット線対BL
1〜BL4がビット線グループBG1を構成し、ビット
線対BL5〜BL8がビット線グループBG2を構成す
る。
【0005】複数のワード線WLは、図24に示される
ロウデコーダ2に接続される。ロウデコーダ2は、複数
のワード線WLのうちいずれかを選択し、選択されたワ
ード線WLを活性化する。つまり、ロウデコーダ2は、
選択されたワード線の電位をハイレベルにし、選択され
ないワード線の電位をローレベルに維持する。
【0006】図24に示されるセンスアンプ群3は、複
数のビット線対にそれぞれ接続された複数のセンスアン
プSA(図25)を含む。各センスアンプSAは、対応
するビット線対上の電位差を検知・増幅する。
【0007】図24に示されるカラム選択回路群4は、
複数のビット線グループに対応して設けられた複数のカ
ラム選択回路を含む。図25には、ビット線グループB
G1に対応して設けられたカラム選択回路SL1、およ
びビット線グループBG2に対応して設けられたカラム
選択回路SL2が示される。
【0008】各カラム選択回路は、各ビット線グループ
内の4つのビット線対に対応して4組のトランスファー
ゲートTGを含む。各ビット線グループ内の4つのビッ
ト線対は、4組のトランスファーゲートTGを介して4
つの入出力線対IO1〜IO4にそれぞれ接続される。
【0009】カラムデコーダ5は、複数のビット線グル
ープのうちいずれかを選択し、対応するカラム選択回路
内の4組のトランスファーゲートTGを同時に導通状態
にさせる。図25においては、カラムデコーダ5から発
生されるカラム選択信号CSL1がカラム選択回路SL
1内の4組のトランスファーゲートTGに与えられ、カ
ラム選択信号CSL2がカラム選択回路SL2内の4組
のトランスファーゲートTGに与えられる。
【0010】図24において、メモリブロックB1は、
入力バッファ6、4ビットの直/並(パラレル/シリア
ル)変換回路7、ライトバッファ8、プリアンプ9、4
ビットの並/直(パラレル/シリアル)変換回路10お
よび出力バッファ11をさらに含む。入力バッファ6、
直/並変換回路7およびライトバッファ8は、データの
書込時に動作し、プリアンプ9、並/直変換回路10お
よび出力バッファ11は、データの読出時に動作する。
【0011】半導体チップCH上には、さらに、ロウア
ドレスバッファ12、カラムアドレスバッファ13、制
御信号バッファ14、CLKバッファ15、アドレスカ
ウンタ16およびタイミングジェネレータ17が設けら
れる。
【0012】ロウアドレスバッファ12は、外部から与
えられるアドレス信号ADDを所定のタイミングでロウ
アドレス信号としてロウデコーダ2に与える。カラムア
ドレスバッファ13は、外部から与えらえるアドレス信
号ADDを所定のタイミングでカラムアドレス信号とし
てアドレスカウンタ16に与える。
【0013】制御信号バッファ14は、外部ロウアドレ
スストローブ信号/RAS、外部カラムアドレスストロ
ーブ信号/CAS、外部ライトイネーブル信号/WEお
よび外部アウトプットイネーブル信号/OEを受け、そ
れらをタイミングジェネレータ17に与える。CLKバ
ッファ15は、外部から与えらえるクロック信号CLK
を受け、それをチップ内部の各回路に与える。
【0014】アドレスカウンタ16は、カラムアドレス
バッファ13から与えられるカラムアドレス信号をスタ
ートアドレスとして受け、そのスタートアドレスをクロ
ック信号CLKに応答して順次変化させる。アドレスカ
ウンタ16から発生されるカラムアドレス信号のうち2
ビットA0,A1は直/並変換回路7および並/直変換
回路10に与えられ、残りのビットA2〜Anはカラム
デコーダ5に与えられる。タイミングジェネレータ17
は、チップ内部の各回路を制御するための各種制御信号
を発生する。
【0015】次に、図24および図25に示されるDR
AMの通常のランダムアクセスモードの動作を説明す
る。
【0016】まず、ロウデコーダ2は、ロウアドレス信
号に応答してメモリアレイ1内の複数のワード線WLの
うち1つを選択し、その電位をハイに立上げる。それに
より、選択されたワード線WLに接続される複数のメモ
リセルMCからそれぞれ対応するビット線上にデータが
読出される。それらのデータは、センスアンプ群3に含
まれる複数のセンサアンプSAにより検知・増幅され、
かつ保持される。
【0017】その後、カラムデコーダ5は、アドレスカ
ウンタ16を介して与えられるカラムアドレス信号のビ
ットA2〜Anに応答して複数のビット線グループのう
ちいずれかを選択し、対応するカラム選択回路を活性化
する。それにより、選択されたビット線グループ内の4
つのビット線対がカラム選択回路を介して4つの入出力
線対IO1〜IO4にそれぞれ接続される。
【0018】データの読出時には、選択されたビット線
グループ内の4つのビット線対上の4つのデータが4つ
の入出力線対IO1〜IO4を介してプリアンプ9に与
えられ、増幅される。プリアンプ9により増幅された4
つのデータは読出データバスRDB1〜RDB4に与え
られる。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号の
2ビットA0,A1に応答して読出データバスRDB1
〜RDB4上の4つのデータのうち1つを出力バッファ
11に与える。その結果、出力バッファ11から入出力
端子I/Oにデータが出力される。
【0019】データの書込時には、入出力端子I/Oに
外部からデータが順次与えられる。それらのデータは入
力バッファ6を介して直/並変換回路7に順次与えられ
る。直/並変換回路7は、それらのデータを並列データ
に変換し、ライトバッファ8に与える。それにより、4
つの入出力線対IO1〜IO4上にそれぞれデータが与
えられる。入出力線対IO1〜IO4上の4つのデータ
は、活性化されたカラム選択回路を介して選択されたビ
ット線グループ内の4つのビット線対に与えられ、4つ
のメモリセルMCに書込まれる。
【0020】ところで、1つのワード線WLが活性化さ
れた後センスアンプ群3に含まれる複数のセンスアンプ
SAに保持されたデータを、複数のカラム選択回路を順
次活性化することにより連続的に入出力線対IO1〜I
O4に読出すことが可能である。
【0021】複数のカラム選択回路を外部から与えられ
るアドレス信号に従ってランダムに活性化するモードを
ページモードと呼ぶ。また、スタートアドレスを指定す
るアドレス信号のみをアドレスカウンタ16に設定し、
その後は、アドレスカウンタ16から発生されるアドレ
ス信号により複数のカラム選択回路を順次活性化するモ
ードをシリアルモードと呼ぶ。センスアンプ群3には、
一般に数千ビットのデータが保持されているので、ペー
ジモードおよびシリアルモードによれば、高速のアクセ
スが可能となる。
【0022】特に、シリアルモードの場合には、一つの
カラム選択回路を活性化することにより得られる複数の
データを並列/直列変換することにより、または時分割
動作(パイプライン制御)を行うことにより、シリアル
アクセスがさらに高速化される。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】図26は、図24およ
び図25に示されるDRAMの主要部のみを示す図であ
る。図25において、ビット線グループBG1はビット
線対BL1〜BL4を含み、ビット線グループBG2は
ビット線対BL5〜BL8を含む。ビット線グループB
G3はビット線対BL9〜BL12を含み、ビット線グ
ループBG4はビット線対BL13〜BL16を含む。
【0024】ここで、ビット線対BL1〜BL16に割
当てられたカラムアドレスをY1〜Y16とする。
【0025】ビット線グループBG1内のビット線対B
L1〜BL4はカラム選択回路SL1を介して入出力線
対IO1〜IO4にそれぞれ接続され、ビット線グルー
プBG2内のビット線対BL5〜BL8はカラム選択回
路SL2を介して入出力線対IO1〜IO4にそれぞれ
接続される。ビット線グループBG3内のビット線対B
L9〜BL12はカラム選択回路BL3を介して入出力
線対IO1〜IO4にそれぞれ接続され、ビット線グル
ープBG4内のビット線対BL13〜BL16はカラム
選択回路SL4を介して入出力線対IO1〜IO4にそ
れぞれ接続される。
【0026】このように、入出力線対IO1〜IO4は
すべてのビット線グループに共通に設けられている。そ
のため、複数のカラム選択回路を同時に活性化すること
はできない。
【0027】シリアルモード時には、まずアドレスカウ
ンタ16にスタートアドレスが設定され、そのスタート
アドレスに対応する1つのカラム選択回路が活性化され
る。
【0028】図27に示すようにスタートアドレスがY
1〜Y4に設定されると、カラム選択回路SL1が最初
に活性化される。スタートアドレスがY1に設定された
場合には、カラム選択回路SL1の活性化時にカラムア
ドレスY1,Y2,Y3,Y4に順次アクセスが行われ
る。スタートアドレスがY2に設定された場合には、カ
ラム選択回路SL1の活性化時にカラムアドレスY2,
Y3,Y4に順次アクセスが行われる。スタートアドレ
スがY3に設定された場合には、カラム選択回路SL1
の活性化時にカラムアドレスY3,Y4に順次アクセス
が行われる。スタートアドレスがY4に設定された場合
には、カラム選択回路SL1の活性化時にカラムアドレ
スY4のみにアクセスが行われる。
【0029】このように、スタートアドレスに依存し
て、新たなカラム選択回路の活性化を必要とせずにアク
セスできる範囲が異っている。特に、スタートアドレス
がたとえばY4に設定されたときには、次のカラムアド
レスにアクセスするためには別のカラム選択回路を活性
化する必要がある。それにより、カラム選択回路の活性
からプリアンプの動作までの時間が、ビットレートを律
束するという問題がある。
【0030】このような問題を、図28および図29の
波形図を参照しながら説明する。図28は、シリアルモ
ードにおいてスタートアドレスがY1に設定された場合
の動作を示すタイミング図である。図29は、シリアル
モードにおいてスタートアドレスがY4に設定された場
合の動作を示すタイミング図である。
【0031】図28および図29において、D1〜D1
2はそれぞれビット線対BL1〜BL12(図25およ
び図26参照)に読出されたデータを表わす。
【0032】まず、外部ロウアドレスストローブ信号/
RASがローに立下がると、外部から与えられるアドレ
ス信号ADDがロウアドレス信号AXとしてロウデコー
ダ2に与えられる。それにより、複数のワード線WLの
うち1つが活性化される。その後、外部カラムアドレス
ストローブ信号/CASがローに立下がると、外部から
与えれるアドレス信号ADDがカラムアドレス信号AY
としてアドレスカウンタ16に与えらえる。アドレスカ
ウンタ16はカラムアドレス信号AYのうち2ビットA
0,A1を並/直変換回路10に与え、残りのビットA
2〜Anをカラムデコーダ5に与える。
【0033】図28に示すように、カラムアドレス信号
AYがカラムアドレスY1を指定している場合には、ス
タートアドレスがY1に設定される。カラムデコーダ5
は、まず、カラム選択信号CSL1をハイに立ち上げ、
カラム選択回路SL1を活性化する。それにより、ビッ
ト線対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力線
対IO1〜IO4に読出される。
【0034】それらのデータD1〜D4はプリアンプ9
を介して読出データバスRDB1〜RDB4に与えらえ
る。アドレスカウンタ16は、CLKバッファ15から
与えられるクロック信号CLKに応答して、カラムアド
レス信号AYを順次カウントアップする。並/直変換回
路10は、カラムアドレス信号AYの2ビットA0,A
1に応答して、データD1〜D4を順次選択して出力バ
ッファ11に与える。それにより、データD1〜D4が
出力データDoutとして入出力端子I/Oからシリア
ルに出力される。
【0035】次に、カラムデコーダ5がカラム選択信号
CSL2をハイに立ち上げると、同様にして、データD
5〜D8が入出力線対IO1〜IO4に読出される。そ
れらのデータD5〜D8はプリアンプ9を介して読出デ
ータバスRDB1〜RDB4に与えられる。アドレスカ
ウンタ16は、CLKバッファ15から与えられるクロ
ック信号CLKに応答して、カラムアドレス信号AYを
順次カウントアップする。並/直変換回路10は、カラ
ムアドレス信号AYの2ビットA0,A1に応答して、
データD5〜D8を順次選択して出力バッファ11に与
える。それにより、データD5〜D8が出力データDo
utとして入出力端子I/Oからシリアルに出力され
る。
【0036】このようにして、入出力端子I/Oからシ
リアルにデータが読出される。図29に示すように、カ
ラムアドレス信号AYがカラムアドレスY4を指定して
いる場合には、スタートアドレスがY4に設定される。
この場合にも、カラムデコーダ5が、まず、カラム選択
信号CSL1をハイに立ち上げ、カラム選択回路SL1
を活性化する。それにより、ビット線対BL1〜BL4
上のデータD1〜D4が入出力線対IO1〜IO4に読
出される。
【0037】それらのデータD1〜D4はプリアンプ9
を介して読出データバスRDB1〜RDB4に与えられ
る。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号AYの
2ビットA0,A1に応答して、データD4を選択して
出力バッファ11に与える。それにより、データD4が
出力データDoutとして入出力端子I/Oから出力さ
れる。
【0038】次に、カラムデコーダ5がカラム選択信号
CSL2をハイに立ち上げると、同様にして、データD
5〜D8が入出力線対IO1〜IO4に読出される。そ
れらのデータD5〜D8はプリアンプ9を介し読出デー
タバスRDB1〜RDB4に与えられる。アドレスカウ
ンタ16は、CLKバッファ15から与えられるクロッ
ク信号CLKに応答して、カラムアドレス信号AYを順
次カウントアップする。並/直変換回路10は、カラム
アドレス信号AYの2ビットA0,A1に応答して、デ
ータD5〜D8を順次選択して出力バッファ11に与え
る。それにより、データD5〜D8が出力データDou
tとして入出力端子I/Oからシリアルに出力される。
【0039】この場合、カラム選択信号CSL1がロー
に立ち下るまでカラム選択信号CSL2をハイに立ち上
げることができない。また、2つのカラム選択信号が同
時にオンすることを避けるためにカラム選択信号CSL
1の立ち下がりとカラム選択信号CSL2の立ち上がり
との間にマージンを設ける必要がある。
【0040】図28に示すようにカラムアドレス信号A
YがカラムアドレスY1を指定している場合には、出力
されるデータ間にギャップが生じず、ビットレートが低
下しない。しかし、図29に示すようにカラムアドレス
信号AYがカラムアドレスY4を指定している場合に
は、入出力端子I/Oから出力されるデータD4とデー
タD5との間にギャップが生じる。このように、あるビ
ット線グループ内の1つのビット線対と他のビット線グ
ループ内の1つのビット線対とが連続的に選択される場
合にデータギャップが生じる。そのため、アクセス速度
およびビットレートが低下するという問題がある。
【0041】この発明の目的は、高速なアクセスが可能
な半導体記憶装置を提供することである。
【0042】この発明の他の目的は、高速かつ高ビット
レートのシリアルアクセスが可能な半導体記憶装置を得
ることである。
【0043】この発明のさらに他の目的は、スタートア
ドレスの制限なく高速のシリアルモードが実現された半
導体記憶装置を得ることである。
【0044】
【課題を解決するための手段】
(1)第1の発明 第1の発明にかかる半導体記憶装置は、複数のメモリセ
ル、複数のビット線、n個の入出力線グループ、複数の
接続手段、および列選択手段を備える。
【0045】複数のメモリセルは、複数行および複数列
に配列され、各々がデータを記憶する。複数のビット線
は、各々が所定数のビット線を含む複数のビット線グル
ープに区分される。複数のビット線グループはn個のメ
イングループに分類される。
【0046】n個の入出力線グループは、n個のメイン
グループに対応して設けられ、各々が所定数の入出力線
を含む。複数の接続手段は、複数のビット線グループに
対応して設けられ、各々が対応するビット線グループと
対応する入出力線グループとの間に接続される。列選択
手段は、複数のビット線グループのいずれかを選択する
ために複数の接続手段に対応する複数の選択信号を選択
的に発生する。
【0047】複数の接続手段の各々は、対応する選択信
号に応答して活性化され、対応するビット線グループ内
の各ビット線を対応する入出力線グループ内の各入出力
線にそれぞれ接続する。列選択手段は、異なる入出力線
グループに接続された複数の接続手段を同時にまたは所
定の時間差をもって活性化する手段を含む。
【0048】(2)第2の発明 第2の発明にかかる半導体記憶装置は、複数のメモリセ
ル、複数のビット線、n個の入出力線グループ、n個の
接続手段グループ、および列選択手段を備える。
【0049】複数のメモリセルは、複数行および複数列
に配列され、各々がデータを記憶する。複数のビット線
は複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメモ
リセルに接続される。複数のビット線は、各々が所定数
のビット線を含む複数のビット線グループに区分され
る。
【0050】n個の入出力線グループの各々は所定数の
入出力線を含む。n個の接続手段グループは、n個の入
出力線グループに対応して設けられる。n個の接続手段
グループの各々は、複数のビット線グループに対応して
設けられた複数の接続手段を含む。複数の接続手段の各
々は、対応するビット線グループと対応する入出力線グ
ループとの間に接続される。列選択手段は、複数のビッ
ト線グループのいずれかを選択するために各接続手段グ
ループ内の複数の接続手段に対応する複数の選択信号を
選択的に発生する。
【0051】各接続手段グループ内の複数の接続手段の
各々は、対応する選択信号に応答して活性化され、対応
するビット線グループ内の各ビット線を対応する入出力
線グループ内の各入出力線にそれぞれ接続する。列選択
手段は、異なる入出力線グループに接続された複数の接
続手段を同時にまたは所定の時間差をもって活性化する
手段を含む。
【0052】(3)第3の発明 第3の発明にかかる半導体記憶装置は、複数のメモリセ
ル、複数のビット線、n個の入出力線グループ、複数の
接続手段、列選択手段、グローバル入出力線グループ、
切換手段、および入出力線選択手段を備える。
【0053】複数メモリセルは、複数行および複数列に
配列され、各々がデータを記憶する。複数のビット線は
複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメモリ
セルに接続される。複数のビット線は、各々が所定数の
ビット線を含む複数のビット線グループに区分される。
複数のビット線グループはn個のメイングループに分類
される。n個のメイングループの各ビット線グループは
交互に配置される。
【0054】n個の入出力線グループは、n個のメイン
グループに対応して設けられ、各々が所定数の入出力線
を含む。複数の接続手段は、複数のビット線グループに
対応して設けられ、各々が対応するビット線グループと
対応する入出力線グループとの間に接続される。列選択
手段は、複数のビット線グループのいずれかを選択する
ために複数の接続手段に対応する複数の選択信号を選択
的に発生する。
【0055】複数の接続手段の各々は、対応する選択信
号に応答して活性化され、対応するビット線グループ内
の各ビット線を対応する入出力線グループ内の各入出力
線にそれぞれ接続する。列選択手段は、異なる入出力線
グループに接続された複数の接続手段を同時にまたは所
定の時間差をもって活性化する。
【0056】グローバル入出力線グループは、n個の入
出力線グループに共通に設けられ、所定数の入出力線を
含む。切換手段は、n個の入出力線グループ内の各入出
力線を選択的にグローバル入出力線グループ内の対応す
る入出力線に接続する。入出力線選択手段は、グローバ
ル入出力線グループ内の各入出力線を順次選択する。
【0057】(4)第4の発明 第4の発明にかかる半導体記憶装置は、n個のメモリア
レイ、n個の入出力線グループ、複数の接続手段、列選
択手段、グローバル入出力線グループ、切換手段、およ
び入出力線選択手段を備える。
【0058】n個のメモリアレイは隣接して配置され
る。n個のメモリアレイの各々は、複数行および複数列
に配列されかつ各々がデータを記憶する複数のメモリセ
ルと、複数列に対応して設けられかつ各々が対応する列
のメモリセルに接続された複数のビット線とを含む。各
メモリアレイ内の複数のビット線は、各々が所定数のビ
ット線を含む複数のビット線グループに区分される。
【0059】n個の入出力線グループは、n個のメモリ
アレイに対応して設けられ、各々が対応するメモリアレ
イ内の複数のビット線グループの一端側に各ビット線と
垂直に配置される所定数の入出力線を含む。複数の接続
手段は、n個のメモリアレイ内の複数のビット線グルー
プに対応して設けられ、各々が対応するビット線グルー
プと対応する入出力線グループとの間に接続される。列
選択信号はn個のメモリアレイ内の複数のビット線グル
ープのいずれかを選択するために複数の接続手段に対応
する複数の選択信号を選択的に発生する。
【0060】複数の接続手段の各々は、対応する選択信
号に応答して活性化され、対応するビット線グループ内
の各ビット線を対応する入出力線グループ内の各入出力
線にそれぞれ接続する。列選択手段は、異なる入出力線
グループに接続された複数の接続手段を同時にまたは所
定の時間差をもって活性化する。
【0061】グローバル入出力線グループは、n個の入
出力線グループに共通に設けられ、所定数の入出力線を
含む。切換手段は、n個の入出力線グループ内の各入出
力線を選択的にグローバル入出力線グループ内の対応す
る入出力線に接続する。入出力線選択手段は、グローバ
ル入出力線グループ内の各入出力線を順次選択する。
【0062】
【作用】第1ないし第4の発明にかかる半導体記憶装置
においては、異なる入出力線グループに接続される複数
の接続手段を同時にまたは所定の時間差をもって活性化
することにより、複数のビット線グループを同時にまた
は所定の時間差をもってそれぞれ対応する入出力線グル
ープに接続することが可能となる。
【0063】それにより、あるビット線グループ内の1
つのビット線と他のビット線グループ内の1つのビット
線とが連続的に選択される場合に、ある1つの入出力線
グループ内の入出力線にアクセスしている間に、他の入
出力線グループ内の入出力線にデータを準備することが
できる。したがって、アクセス速度が高速化され、かつ
アクセスされたデータ間にギャップが生じない。
【0064】
【実施例】
(1)第1の実施例 図1は、第1の実施例によるDRAMの全体の構成を示
すブロック図である。図1のDRAMが図24のDRA
Mと異なるのは、次の点である。
【0065】第1の入出力線グループIOG1および第
2の入出力線グループIOG2が設けられている。第1
の入出力線グループIOG1は入出力線対IO1〜IO
4を含む。第2の入出力線グループIOG2は入出力線
対IO5〜IO8を含む。
【0066】図24に示されるカラムデコーダ5、アド
レスカウンタ16およびタイミングジェネレータ17の
代わりにカラムデコーダ5a、アドレスカウンタ16a
およびタイミングジェネレータ17aが設けられてい
る。カラムデコーダ5a、アドレスカウンタ16aおよ
びタイミングジェネレータ17aの構成および動作は、
後述するようにカラムデコーダ5およびアドレスカウン
タ16およびタイミングジェネレータ17の構成及び動
作と異なる。
【0067】入出力線切換回路18がさらに設けられて
いる。入出力線切換回路18は、アドレスカウンタ16
aからカラムアドレス信号の3ビットA0,A1,A2
を受け、第1の入出力線グループIOG1内の入出力線
対IO1〜IO4または第2の入出力線グループIOG
2内の入出力線対IO5〜IO9をグローバル入出力線
グループGIOG内のグローバル入出力線GIO1〜G
IO4に選択的に接続する。他の部分の構成は、図24
に示される構成と同様である。
【0068】図2は、図1に示されるDRAMの主要部
の詳細な構成を示す図である。メモリアレイ1、センス
アンプ群3およびカラム選択回路群4の構成は、図25
に示される構成と同様である。奇数番目ビット線グルー
プ、たとえばビット線グループBG1,BG3を第1の
ビット線グループと呼び、偶数番目のビット線グルー
プ、たとえばビット線グループBG2,BG4を第2の
ビット線グループと呼ぶ。複数の第1ビット線グループ
が第1のメイングループを構成し、複数の第2ビット線
グループが第2のメイングループを構成する。
【0069】各第1のビット線グループ内の4つのビッ
ト線対は、対応するカラム選択回路を介して第1の入出
力線グループIOG1内の4つの入出力線対IO1〜I
O4にそれぞれ接続される。各第2のビット線グループ
内の4つのビット線対は、対応するカラム選択回路を介
して第2の入出力線グループIOG2内の4つの入出力
線対IO5〜IO8にそれぞれ接続される。各カラム選
択回路が接続手段を構成する。
【0070】この実施例のDRAMは、通常のランダム
アクセスモード、ページモードおよびシリアルモードに
加えてアドレスラッピングモードを有する。以下、この
実施例のDRAMにおけるシリアルモードおよびアドレ
スラッピングモードを説明する。
【0071】図3は、図2に示される構成のうち主要部
のみを概略的に示す図である。図3に示されるように、
第1のビット線グループBG1,BG3はそれぞれカラ
ム選択回路SL1,SL3を介して第1の入出力線グル
ープIOG1に接続され、第2のビット線グループBG
2,BG4はそれぞれカラム選択回路SL2,SL4を
介して第2の入出力線グループIOG2に接続されてい
る。
【0072】そのため、1つの第1のビット線グループ
に対応するカラム選択回路および1つの第2のビット線
グループに対応するカラム選択回路を同時に活性化する
ことが可能となる。たとえば、カラム選択回路SL1お
よびカラム選択回路SL2を同時に活性化することがで
きる。また、カラム選択回路SL2およびカラム選択回
路SL3を同時に活性化することもできる。
【0073】なお、図29を用いて説明したように、出
力されるデータ間にギャップが生じ得るのは、スタート
アドレスとして、Y4,Y8のように各ビット線グルー
プ内の最上位のカラムアドレスが選択された場合であ
る。すなわち、あるビット線グループ内の1つのビット
線対と次のビット線グループ内の1つのビット線対とが
連続的に選択される場合に、データギャップが生じ得
る。したがって、この場合には、スタートアドレスに対
応するカラム選択回路および次のカラムアドレスに対応
するカラム選択回路を、同時に、またはデータギャップ
が生じない範囲で順次に、活性化する必要がある。
【0074】他の場合には、2つのカラム選択回路を同
時に活性化する必要はなく、データギャップが生じない
ようにそれらを順に活性化することができる。
【0075】実際の装置では、アクセス速度および消費
電力を考慮して各カラム選択回路の活性化期間が決定さ
れる。
【0076】図4は、シリアルモードにおいて新たなカ
ラム選択回路の活性化を必要とせずにアクセスできる範
囲を示す図である。
【0077】スタートアドレスがY1〜Y4に設定され
ると、カラム選択回路SL1,SL2が最初に活性化さ
れる。スタートアドレスがY5〜Y8に設定されると、
カラム選択回路SL2,SL3が最初に活性化される。
スタートアドレスがY8〜Y12に設定されると、カラ
ム選択回路SL3,SL4が最初に活性化される。
【0078】たとえば、スタートアドレスがY1に設定
されると、新たなカラム選択回路を活性化することな
く、カラムアドレスY1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y
6,Y7,Y8に順次アクセスすることができる。スタ
ートアドレスがY2に設定されると、新たなカラム選択
回路を活性化することなく、カラムアドレスY2,Y
3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8に順次アクセスする
ことができる。スタートアドレスがY3に設定される
と、新たなカラム選択回路を活性化することなく、カラ
ムアドレスY3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8に順次
アクセスすることができる。スタートアドレスがY4に
設定されると、新たなカラム選択回路を活性化すること
なく、カラムアドレスY4,Y5,Y6,Y7,Y8に
順次アクセスすることができる。
【0079】このように、スタートアドレスレスとして
どのカラムアドレスが選択された場合でも、新たなカラ
ム選択回路を活性することなく少なくとも5ビットの連
続アクセスが可能となる。したがって、このアクセスの
期間を利用して次のカラム選択回路の活性化から並/直
変換回路10へのデータの転送までの動作を行うことが
できる。
【0080】図5は、アドレスラッピングモードにおい
て新たなカラム選択回路の活性化を必要とせずにアクセ
スできる範囲を示す図である。
【0081】スタートアドレスがY1〜Y8に設定され
ると、カラム選択回路SL1,SL2が最初に活性化さ
れる。
【0082】たとえば、スタートアドレスがY1に設定
されると、新たなカラム選択回路を活性化することな
く、カラムアドレスY1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y
6,Y7,Y8に順次アクセスすることができる。スタ
ートアドレスがY2に設定されると、新たなカラム選択
回路を活性化することなく、カラムアドレスY2,Y
3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8,Y1に順次アクセ
スすることができる。スタートアドレスがY3に設定さ
れると、新たなカラム選択回路を活性化することなく、
カラムアドレスY3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8,
Y1,Y2に順次アクセスすることができる。
【0083】このように、スタートアドレスとしてどの
カラムアドレスが選択された場合でも、新たなカラム選
択回路を活性化することなく8ビットの連続アクセスが
可能となる。
【0084】次に図6および図7を参照しながらこの実
施例のDRAMにおけるシリアルモードおよびアドレス
ラッピングモードの動作を説明する。図6は、シリアル
モードにおいてスタートアドレスがY4に設定された場
合の動作を示すタイミング図である。図7は、アドレス
ラッピングモードにおいて第1番目のスタートアドレス
がY4に設定されかつ第2番目のスタートアドレスがY
10に設定された場合の動作を示すタイミング図であ
る。
【0085】図6および図7において、D1〜D16は
それぞれビット線対BL1〜BL16に読出されたデー
タを表わす。
【0086】まず、シリアルモードにおいては、図6に
示されるように、外部ロウアドレスストローブ信号/R
ASがロー立ち下がると、外部から与えらえるアドレス
信号ADDがロウアドレス信号AXとしてロウデコーダ
2に与えられる。それにより、複数のワード線WLのう
ち1つが活性化される。
【0087】その後、外部カラムアドレスストローブ信
号/CASがローに立ち下がると、外部から与えられる
アドレス信号ADDがカラムアドレス信号AYとしてア
ドレスカウンタ16aに与えられる。アドレスカウンタ
16aは、カラムアドレス信号AYの2ビットA0,A
1を並/直変換回路10に与え、残りのビットA2〜A
nをカラムデコーダ5aに与える。また、アドレスカウ
ンタ16aは、入出力線対IO1〜IO8を選択的にグ
ローバル入出力線対GIO1〜GIO4に接続するため
にカラムアドレス信号AYの3ビットA0,A1,A2
を入出力線切換回路18に与える。
【0088】カラムアドレス信号AYがカラムアドレス
Y4を指定している場合には、スタートアドレスがY4
に設定される。カラムデコーダ5aは、まず、カラムア
ドレス信号AYに応答して、後述する論理に従って、カ
ラム選択信号CSL1,CSL2をハイに立ち上げ、カ
ラム選択回路SL1,SL2を同時に活性化する。それ
により、ビット線対BL1〜BL4上のデータD1〜D
4が入出力線対IO1〜IO4に読出され、ビット線対
BL5〜BL8上のデータが入出力線対IO5〜IO8
に読出される。入出力線切換回路18は、まず、カラム
アドレス信号AYの3ビットA0,A1,A2に応答し
て、入出力線対IO4をグローバル入出力線対GIO1
に接続する。それにより、データD4がプリアンプ9を
介して読出データバスRDB4に与えらえる。その後、
カラム選択信号CSL1がローに立下がる。並/直変換
回路10は、カラムアドレス信号AYの2ビットA0,
A1に応答して、データD4を選択して出力バッファ1
1に与える。
【0089】また、入出力線切換回路18は、順次カウ
ントアップされるカラムアドレス信号AYの3ビットA
0,A1,A2に応答して、入出力線対IO5,IO
6,IO7,IO8を順次グローバル入出力線対GIO
1,GIO2,GIO3,GIO4に接続する。それよ
り、データD5〜D8がプリアンプ9を介して読出デー
タバスRDB1〜RDB4に与えらえる。その後、カラ
ム選択信号CSL2がローに立下がる。並/直変換回路
10は、順次カウントアップされるカラムアドレス信号
AYの2ビットA0,A1に応答して、データD5〜D
8を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0090】次に、カラム選択信号CSL1の立下がり
後に、カラムデコーダ5aが、カラムアドレス信号AY
に応答して、後述する論理に従って、カラム選択信号C
SL3をハイに立上げる。それにより、データD9〜D
12が入出力線対IO1〜IO4に読出される。
【0091】入出力線切換回路18は、順次カウントア
ップされるカラムアドレス信号AYの3ビットA0,A
1,A2に応答して、入出力線対IO1,IO2,IO
3,IO4を順次グローバル入出力線対GIO1,GI
O2,GIO3,GIO4に接続する。それにより、デ
ータD9〜D12がプリアンプ9を介して読出データバ
スRDB1〜RDB4に順次与えられる。並/直変換回
路10は、順次カウントアップされるカラムアドレス信
号AYの2ビットA0,A1に応答して、データD9〜
D12を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0092】カラム選択信号CSL2の立下がり後に、
カラムデコーダ5aが、カラムアドレス信号AYに応答
して、後述する論理に従って、カラム選択信号CSL4
をハイに立上げる。それにより、データD13〜D16
が入出力線対IO5〜IO8に読出される。
【0093】入出力線切換回路18は、順次カウントア
ップされるカラムアドレス信号AYの3ビットA0,A
1,A2に応答して、入出力線対IO5,IO6,IO
7,IO8を順次グローバル入出力線対GIO1,GI
O2,GIO3,GIO4に接続する。それにより、デ
ータD13〜D16がプリアンプ9を介して読出データ
バスRDB1〜RDB4に順次与えられる。並/直変換
回路10は、順次カウントアップされるカラムアドレス
信号AYの2ビットA0,A1に応答して、データD1
3〜D16を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0094】このようにして、入出力端子I/Oからシ
リアルにデータが出力される。アドレスラッピングモー
ドにおいても、図7に示されるように、外部ロウアドレ
スストローブ信号/RASがローに立下がると、外部か
ら与えられるアドレス信号ADDがロウアドレス信号A
Xとしてロウデコーダ2に与えられる。
【0095】その後、外部カラムアドレスストローブ信
号/CASがローに立下がると、外部から与えられるア
ドレス信号ADDがカラムアドレス信号AY1としてア
ドレスカウンタ16aに与えられる。
【0096】カラムアドレス信号AY1がカラムアドレ
スY4を指定している場合には、第1番目のスタートア
ドレスがY4に設定される。カラムデコーダ5aは、カ
ラムアドレス信号AY1に応答して、後述する論理に従
って、カラム選択信号CSL1,CSL2をハイに立ち
上げ、カラム選択回路SL1,SL2を同時に活性化す
る。それにより、ビット線対BL1〜BL4上のデータ
D1〜D4が入出力線対IO1〜IO4に読出され、ビ
ット線対BL5〜BL8上のデータD5〜D8が入出力
線対IO5〜IO8に読出される。
【0097】入出力線切換回路18は、カラムアドレス
信号AY1の3ビットA0,A1,A2に応答して、入
出力線対IO4をグローバル入出力線対GIO4に接続
する。それにより、データD4がプリアンプ9を介して
読出データバスRDB4に与えられる。並/直変換回路
10は、カラムアドレス信号AY1の2ビットA0,A
1に応答して、データD4を選択して出力バッファ11
に与える。
【0098】また、入出力線切換回路18は、順次カウ
ントアップされるカラムアドレス信号AY1の3ビット
A0,A1,A2に応答して、入出力線対IO5,IO
6,IO7,IO8を順次グローバル入出力線対GIO
1,GIO2,GIO3,GIO4に接続する。それに
より、データD5〜D8がプリアンプ9を介して読出デ
ータバスRDB1〜RDB4に順次与えられる。並/直
変換回路10は、順次カウントアップされるカラムアド
レス信号AY1の2ビットA0,A1に応答して、デー
タD5〜D8を順次選択して出力バッファ11に与え
る。
【0099】さらに、入出力線切換回路18は、順次カ
ウントアップされるカラムアドレス信号AY1の3ビッ
トA0,A1,A2に応答して、入出力線対IO1,I
O2,IO3を順次グローバル入出力線対GIO1,G
IO2,GIO3に接続する。それにより、データD1
〜D3がプリアンプ9を介して読出データバスRDB1
〜RDB3に順次与えられる。並/直変換回路10は、
順次カウントアップされるカラムアドレス信号AY1の
2ビットA0,A1に応答して、データD1〜D3を順
次選択して出力バッファ11に与える。
【0100】カラム選択信号CSL1,CSL2は、一
定時間経過後ローに立下がる。このようにして、入出力
端子I/OからデータD4,D5,D6,D7,D8,
D1,D2,D3がシリアルに出力される。
【0101】カラムアドレスストローブ信号/CASが
再びローに立ち下がると、外部から与えられるアドレス
信号ADDがカラムアドレス信号AY2としてアドレス
カウンタ16aに与えられる。
【0102】今、カラムアドレス信号AY2がカラムア
ドレスY10を指定している場合には、第2番目のスタ
ートアドレスがY10に設定される。この場合には、カ
ラムデコーダ5aは、カラムアドレス信号AY2に応答
して、後述する論理に従って、カラム選択信号CSL
3,CSL4をハイに立ち上げ、カラム選択回路SL
3,SL4を同時に活性化する。それにより、ビット線
対BL9〜BL12上のデータD9〜D12が入出力線
対IO1〜IO4に読出され、ビット線対BL13〜B
L16上のデータが入出力線対IO5〜IO8に読出さ
れる。
【0103】この場合には、入出力線切換回路18は、
順次カウントアップされるカラムアドレス信号AY2の
3ビットA0,A1,A2に応答して、まず入出力線対
IO2,IO3,IO4を順次グローバル入出力線対G
IO2,GIO3,GIO4に接続し、次に入出力線対
IO5,IO6,IO7,IO8を順次グローバル入出
力線対GIO1,GIO2,GIO3,GIO4に接続
し、さらに入出力線対IO1をグローバル入出力線対G
IO1に接続する。
【0104】このようにして、入出力端子I/Oからデ
ータD10,D11,D12,D13,D14,D1
5,D16,D9が出力される。
【0105】次に、この実施例のDRAMの各部の詳細
な構成を説明する。図8は、アドレスカウンタ16aの
構成の一例を示す図である。また、図19は、シリアル
モード時およびラッピングモード時のアドレスカウンタ
16aのアドレス進行例を示す図である。
【0106】アドレスカウンタ16aは、2進カウンタ
160およびANDゲート161を含む。2進カウンタ
160には、カラムアドレス信号がスタートアドレスと
して設定される。2進カウンタ160は、クロック信号
CLKに応答してスタートアドレスをカウントアップま
たはカウントダウンして出力する。ANDゲート161
は2進カウンタ160の3ビット目の桁上げパルス出力
端子と4ビット目の桁上げパルス入力端子との間に接続
される。
【0107】ANDゲート161の一方の入力端子にモ
ード制御信号MDが与えられ、他方の入力端子には3ビ
ット目の桁上げパルス出力端子から桁上げパルスCRが
与えられる。ANDゲート161の出力信号は、2進カ
ウンタ160の4ビット目の桁上げパルス入力端子に与
えられる。
【0108】シリアルモード時には、モード制御信号M
Dがハイに設定される。それにより、アドレスカウンタ
16aから発生されるアドレスは、図9の(a)に示さ
れるように進行する。
【0109】ラッピングモード時には、モード制御信号
MDはローに設定される。それにより、アドレスカウン
タ16aにより発生されるアドレスは、図9の(b)に
示されるように進行する。
【0110】すなわち、シリアルモード時には、クロッ
ク信号CLKに応答して、カラムアドレス信号がスター
トアドレスから順次1ずつインクリメントされる。ま
た、ラッピングモード時には、クロック信号CLKに応
答して、カラムアドレス信号の3ビットA2,A1,A
0がスタートアドレスから“111”になるまで順次1
ずつインクリメントされ、その後“000”に戻され、
さらにクロック信号CLKに応答して順次1ずつインク
リメントされる。
【0111】図9には、カラムアドレス信号の5ビット
A4,A3,A2,A1,A0のみが示されている。シ
リアルモード時には、カラムアドレス信号のビットAn
〜A5も変化するが、ラッピングモード時には、カラム
アドレス信号のビットAn〜A5はスタートアドレスの
設定時の状態のまま変化しない。
【0112】図10は、カラムデコーダ5aに含まれる
メインデコーダ50の一部および最下位プリデコーダ5
1を示す図である。また、図11は最下位プリデコーダ
51の真理値表を従来の最下位プリデコーダの真理値表
と比較して示す図である。
【0113】最下位プリデコーダ51には、カラムアド
レス信号の2ビットA2,A3およびモード制御信号M
Dが与えられる。最下位プリデコーダ51の出力信号P
1〜P4はメインデコーダ50に与えらえる。メインデ
コーダ50は、最下位プリデコーダ51の出力信号P1
〜P4および図示しない他のプリデコーダの出力信号に
応答して、1つまたは2つのカラム選択信号をハイに立
ち上げる。
【0114】従来のプリデコーダにおいては、図11の
(a)に示されるように、カラムアドレス信号の2ビッ
トA2,A3に応答して出力信号P1〜P4のいずれか
1つが“1”となる。
【0115】これに対して、図10に示される最下位プ
リデコーダ51においては、シリアルモード時には、図
11の(b)に示されるように、カラムアドレス信号の
2ビットA2,A3に応答して、出力信号P1〜P4の
うちいずれか2つが“1”となる。アドレスラッピング
モード時には、図11の(c)に示されるように、カラ
ムアドレス信号の2ビットA2,A3に応答して、入出
力信号P1〜P4のうちいずれか2つが“1”となる。
【0116】ただし、実際の回路では、図10に示され
る各カラム選択信号と他の論理ゲートの信号との論理演
算により、動作モードに応じて各カラム選択信号の活性
化期間が調整される。
【0117】図12は、入出力線切換回路18の構成を
示す図である。入出力線切換回路18は、アドレス変換
論理回路180および切換回路181を含む。アドレス
変換論理回路180は、カラムアドレス信号の3ビット
A0,A1,A2を受け、スイッチ信号S1〜S8を発
生する。アドレス変換論理回路180の真理値表を図1
3に示す。アドレス変換論理回路180は、図13の真
理値表に従って切換回路181を制御する。
【0118】切換回路181は、スイッチ信号S1〜S
8に応答して、入出力線対IO1,IO5の一方、入出
力線対IO2,IO6の一方、入出力線対IO3,IO
7の一方および入出力線対IO4,IO8の一方をそれ
ぞれグローバル入出力線対GIO1,GIO2,GIO
3,GIO4に接続する。
【0119】図14は、切換回路181の詳細な構成を
示す回路図である。切換回路181は、Pチャネルトラ
ンジスタP1〜P8およびNチャネルトランジスタN5
〜N8を含む。
【0120】スイッチ信号S1が“1”のときには入出
力線対IO1がグローバル入出力線対GIO1に接続さ
れ、スイッチ信号S5が“1”のときには入出力線対I
O5がグローバル入出力線対GIO1に接続される。ス
イッチ信号S2が“1”のときには入出力線対IO2が
グローバル入出力線対GIO2に接続され、スイッチ信
号S6が“1”のときには入出力線対IO6がグローバ
ル入出力線対GIO2に接続される。スイッチ信号S3
が“1”のときには入出力線対IO3がグローバル入出
力線対GIO3に接続され、スイッチ信号S7が“1”
のときには入出力線対IO7がグローバル入出力線対G
IO3に接続される。スイッチ信号S4が“1”のとき
には入出力線対IO4がグローバル入出力線対GIO4
に接続され、スイッチ信号S8が“1”のときには入出
力線対IO8がグローバル入出力線対GIO4に接続さ
れる。
【0121】(2) 第2の実施例 図15は、第2の実施例によるDRAMの全体の構成を
示すブロック図である。第2の実施例によるDRAMが
第1の実施例によるDRAMと異なるのは次の点であ
る。
【0122】カラム選択回路群4bの構成が、後述する
ようにカラム選択回路群4と異なる。また、図1の入出
力線切換回路18が設けられておらず、プリアンプ9
は、読出データバスRDB1〜RDB8を介して並/直
変換回路10に接続されている。また、直/並変換回路
7および並/直変換回路10は、第1の実施例とは異な
り、8ビット構成を有する。
【0123】図16は、図15に示されるDRAMの主
要部の詳細な構成を示す図である。図16において、メ
モリアレイ1およびセンスアンプ群3の構成は、図2に
示される構成と同様である。カラム選択回路群4bは、
複数のビット線グループに対応して設けられた複数の第
1のカラム選択回路および複数のビット線グループに対
応して設けられた複数の第2のカラム選択回路を含む。
図16には、ビット線グループBG1〜BG4にそれぞ
れ対応する第1のカラム選択回路SL1a〜SL4a、
およびビット線グループBG1〜BG4にそれぞれ対応
する第2のカラム選択回路SL1b〜SL4bが示され
る。
【0124】複数の第1カラム選択回路が第1の接続手
段グループを構成し、複数の第2カラム選択回路が第2
の接続手段グループを構成する。
【0125】各ビット線グループ内の4つのビット線対
は、対応する第1のカラム選択回路を介して第1の入出
力線グループIOG1内の4つの入出力線対IO1〜I
O4にそれぞれ接続され、かつ対応する第2のカラム選
択回路を介して第2の入出力線グループIOG2内の4
つの入出力線対IO5〜IO8にそれぞれ接続される。
【0126】たとえば、ビット線グループBG1内のビ
ット線対BL1〜BL4は、第1のカラム選択回路SL
1aを介して第1の入出力線グループIOG1内の4つ
の入出力線対IO1〜IO4にそれぞれ接続され、かつ
第2のカラム選択回路SL1bを介して第2の入出力線
グループIOG2内の4つの入出力線対IO5〜IO8
にそれぞれ接続される。他のビット線グループ内の4つ
のビット線対も同様に接続される。
【0127】カラムデコーダ5bは、カラム選択回路群
4b内の複数の第1のカラム選択回路を選択するための
複数の第1のカラム選択信号およびカラム選択回路群4
b内の複数の第2のカラム選択回路を選択するための複
数の第2のカラム選択信号を発生する。図16において
は、カラムデコーダ5bは、第1のカラム選択信号CS
L1a〜CSL4aをそれぞれ第1のカラム選択回路S
L1a〜SL4aに与え、第2のカラム選択信号CSL
1b〜CSL4bをそれぞれ第2のカラム選択回路SL
1b〜SL4bに与える。
【0128】図17は、図16に示される構成のうち主
要部のみを概略的に示す図である。図17に示されるよ
うに、ビット線グループBG1は第1および第2のカラ
ム選択回路SL1a,SL1bを介してそれぞれ第1お
よび第2の入出力線グループIOG1,IOG2に接続
され、ビット線グループBG2は第1および第2のカラ
ム選択回路SL2a,SL2bを介してそれぞれ第1お
よび第2の入出力線グループIOG1,IOG2に接続
されている。また、ビット線グループBG3は第1およ
び第2のカラム選択回路SL3a,SL3bを介してそ
れぞれ第1および第2の入出力線グループIOG1,I
OG2に接続され、ビット線グループBG4は第1およ
び第2のカラム選択回路SL4a,SL4bを介してそ
れぞれ第1および第2の入出力線グループIOG1,I
OG2に接続されている。
【0129】そのため、1つの第1のカラム選択回路お
よび1つの第2のカラム選択回路を同時に活性化するこ
とが可能となる。たとえば、第1のカラム選択回路SL
1aおよび第2のカラム選択回路SL2bを同時に活性
化することができる。第2のカラム選択回路SL2bお
よび第1のカラム選択回路SL3aを同時に活性化する
こともできる。
【0130】なお、同じビット線グループに接続される
第1および第2のカラム選択回路を同時に活性化するこ
とはできない。
【0131】図18は、シリアルモードにおいて活性化
されるカラム選択回路およびアクセスされる範囲を示す
図である。図19は、アドレスラッピングモードにおい
て活性化されるカラム選択回路およびアクセスされる範
囲を示す図である。
【0132】図29を用いて説明したように、出力され
るデータ間にギャップが生じ得るのは、スタートアドレ
スとして、Y4,Y8のように各ビット線グループ内の
最上位のカラムアドレスが選択された場合である。した
がって、この場合には、スタートアドレスに対応する第
1のカラム選択回路および次のカラムアドレスに対応す
る第2のカラム選択回路を同時または順次活性化するか
あるいはスタートアドレスに対応する第2のカラム選択
回路および次のカラムアドレスに対応する第1のカラム
選択回路を同時または順次活性化する必要がある。
【0133】その他の場合には、図29に示すようなデ
ータギャップは生じないので、選択されたカラムアドレ
スに対応して、第1または第2のカラム選択回路を任意
に順次活性化することができる。第1および第2の選択
回路のどちらを活性化するかは、カラムデコーダ5bの
構成によって決定される。
【0134】図18および図19の例では、最初に必ず
第1のカラム選択回路が活性化される。その最初のカラ
ム選択回路が活性化されている期間にアクセスされるビ
ット数、すなわち読出されるデータの数が偶数のときに
は、以後は、第1のカラム選択回路が順に活性化され
る。最初のカラム選択回路が活性化されている期間にア
クセスされるビット数、すなわち読出されるデータの数
が奇数のときには、以後は、第2のカラム選択回路が順
に活性化される。
【0135】図18において、たとえば、スタートアド
レスがY1に設定されると、予め定められた論理により
第1のカラム選択回路SL1aおよび第1のカラム選択
回路SL2aが順に活性化される。この場合、カラムア
ドレスY1,Y2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセ
スが行なわれる。
【0136】すなわち、ビット線対BL1,BL2,B
L3,BL4上のデータが、第1のカラム選択回路SL
1aを介して、入出力線対IO1,IO2,IO3,I
O4に与えられ、さらに、ビット線対BL5,BL6,
BL7,BL8上のデータが、第1のカラム選択回路S
L2aを介して、入出力線対IO5,IO6,IO7,
IO8に与えられる。
【0137】スタートアドレスがY2に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第2のカラム選択回路SL2bおよび第2のカラム
選択回路SL3bが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、カ
ラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行な
われ、さらにカラムアドレスY9にアクセスが行なわれ
る。
【0138】すなわち、ビット線対BL2,BL3,B
L4上のデータが、第1のカラム選択回路SL1aを介
して、入出力線対IO2,IO3,IO4に与えられ、
ビット線対BL5,BL6,BL7,BL8上のデータ
が、第2のカラム選択回路SL2bを介して、入出力線
対IO5,IO6,IO7,IO8に与えられ、さら
に、ビット線対BL9上のデータが、第2のカラム選択
回路SL3bを介して、入出力線対IO5に与えられ
る。
【0139】スタートアドレスがY3に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第1のカラム選択回路SL2aおよび第1のカラム
選択回路SL3aが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY3,Y4にアクセスが行なわれ、カラムア
ドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY9,Y10にアクセスが行なわ
れる。
【0140】すなわち、ビット線対BL3,BL4上の
データが、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入
出力線対IO3,IO4に与えられ、ビット線対BL
5,BL6,BL7,BL8上のデータが、第1のカラ
ム選択回路SL2aを介して、入出力線対IO1,IO
2,IO3,IO4に与えられ、さらに、ビット線対B
L9,BL10上のデータが、第1のカラム選択回路S
L3aを介して、入出力線対IO1,IO2に与えられ
る。
【0141】スタートアドレスがY4に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
aおよび第2のカラム選択回路SL2bが同時または順
に活性化され、さらに第2のカラム選択回路SL3bが
活性化される。この場合、カラムアドレスY4にアクセ
スが行なわれ、カラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8
にアクセスが行なわれ、さらにカラムアドレスY9,Y
10,Y11にアクセスが行なわれる。
【0142】すなわち、ビット線対BL4上のデータ
が、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入出力線
対IO1に与えられ、ビット線対BL5,BL6,BL
7,BL8上のデータが、第2のカラム選択回路SL2
bを介して、入出力線対IO5,IO6,IO7,IO
8に与えられ、さらに、ビット線対BL9,BL10,
BL11上のデータが、第2のカラム選択回路SL3b
を介して、入出力線対IO5,IO6,IO7に与えら
れる。
【0143】このように、スタートアドレスがY4に設
定された場合には、第1のカラム選択回路SL1aおよ
び第2のカラム選択回路SL2bが同時または順次活性
化される。
【0144】したがって、スタートアドレスとしてどの
カラムアドレスが選択された場合でも、連続的なシリア
ルアクセスが可能となる。
【0145】図19において、たとえば、スタートアド
レスがY1に設定されると、予め定められた論理により
第1のカラム選択回路SL1aおよび第1のカラム選択
回路SL2aが順に活性化される。この場合、カラムア
ドレスY1,Y2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセ
スが行なわれる。
【0146】すなわち、ビット線対BL1,BL2,B
L3,BL4上のデータが、第1のカラム選択回路SL
1aを介して、入出力線対IO1,IO2,IO3,I
O4に与えられ、さらに、ビット線対BL5,BL6,
BL7,BL8上のデータが、第1のカラム選択回路S
L2aを介して、入出力線対IO1,IO2,IO3,
IO4に与えられる。
【0147】スタートアドレスがY2に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第2のカラム選択回路SL2bおよび第2のカラム
選択回路SL1bが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、カ
ラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行な
われ、さらにカラムアドレスY1にアクセスが行なわれ
る。
【0148】すなわち、ビット線対BL2,BL3,B
L4上のデータが、第1のカラム選択回路SL1aを介
して、入出力線対IO2,IO3,IO4に与えられ、
ビット線対BL5,BL6,BL7,BL8上のデータ
が、第2のカラム選択回路SL2bを介して、入出力線
対IO5,IO6,IO7,IO8に与えられ、さら
に、ビット線対BL1上のデータが、第2のカラム選択
回路SL1bを介して、入出力線対IO5に与えられ
る。
【0149】スタートアドレスがY3に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第1のカラム選択回路SL2aおよび第1のカラム
選択回路SL1aが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY3,Y4にアクセスが行なわれ、カラムア
ドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY1,Y2にアクセスが行なわれ
る。
【0150】すなわち、ビット線対BL3,BL4上の
データが、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入
出力線対IO3,IO4に与えられ、さらに、ビット線
対BL5,BL6,BL7,BL8上のデータが、第1
のカラム選択回路SL2aを介して、入出力線対IO
1,IO2,IO3,IO4に与えられ、さらに、ビッ
ト線対BL1,BL2上のデータが、第1のカラム選択
回路SL1aを介して、入出力線対IO1,IO2に与
えられる。
【0151】スタートアドレスがY4に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第2のカラム選択回路SL2bが同時または順に活
性化され、さらに第2のカラム選択回路SL1bが活性
化される。この場合、カラムアドレスY4にアクセスが
行なわれ、カラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にア
クセスが行なわれ、さらにカラムアドレスY1,Y2,
Y3にアクセスが行なわれる。
【0152】すなわち、ビット線対BL4上のデータ
が、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入出力線
対IO4に与えられ、ビット線対BL5,BL6,BL
7,BL8上のデータが、第2のカラム選択回路SL2
bを介して、入出力線対IO5,IO6,IO7,IO
8に与えられ、さらに、ビット線対BL1,BL2上の
データが、第2のカラム選択回路SL1bを介して、入
出力線対IO5,IO6,IO7に与えられる。
【0153】このように、スタートアドレスがY1に設
定された場合には、第1のカラム選択回路SL1aおよ
び第2のカラム選択回路SL2bが同時にまたは順次活
性化される。
【0154】したがって、スタートアドレスとしてどの
カラムアドレスが選択された場合でも、連続的なアドレ
スラッピングが可能となる。
【0155】次に図20および図21を参照しながらこ
の実施例のDRAMにおけるシリアルモードおよびペー
ジモードの動作を説明する。図20は、シリアルモード
においてスタートアドレスがY4に設定された場合の動
作を示すタイミング図である。図21は、ページモード
においてランダムなカラム選択が行なわれる場合の動作
を示すタイミング図である。
【0156】シリアルモードにおいては、図20に示さ
れるように、外部ロウアドレスストローブ信号/RAS
がローに立下がると、外部から与えられるアドレス信号
ADDがロウアドレス信号AXとしてロウデコーダ2に
与えられる。その後、外部カラムアドレスストローブ信
号/CASがローに立下がると、外部から与えられるア
ドレス信号ADDがカラムアドレス信号AYとしてアド
レスカウンタ16aに与えられる。
【0157】カラムアドレス信号AYがカラムアドレス
Y4を指定している場合には、スタートアドレスがY4
に設定される。カラムデコーダ5bは、カラムアドレス
信号AYに応答して、予め定められた論理に従って、第
1のカラム選択信号CSL1aおよび第2のカラム選択
信号CSL2bを順次活性化する。それにより、ビット
線対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力線対
IO1〜IO4に読出され、ビット線対BL5〜BL8
上のデータD5〜D8が入出力線対IO5〜IO8に読
出される。
【0158】入出力線対IO1〜IO4上のデータD1
〜D4および入出力線対IO5〜IO8上のデータD5
〜D8は、プリアンプ9により増幅され、それぞれ読出
データバスRDB1〜RDB8に与えられる。並/直変
換回路10は、順次カウントアップされるカラムアドレ
ス信号AYの3ビットA0,A1,A2に応答して、デ
ータD4〜D8を順次選択して出力バッファ11に与え
る。
【0159】カラム選択信号CSL2bの立下がり後、
カラムデコーダ5bは、カラムアドレス信号AYに応答
して、予め定められた論理に従って、第2のカラム選択
信号CSL3bをハイに立上げる。それにより、データ
D9〜D12が入出力線対IO5〜IO8に読出され
る。入出力線対IO5〜IO8上のデータD9〜D12
は、プリアンプ9により増幅され、それぞれ読出データ
バスRDB5〜RDB8に与えられる。並/直変換回路
10は、順次カウントアップされるカラムアドレス信号
AYの3ビットA0,A1,A2に応答して、データD
9〜D12を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0160】カラム選択信号CSL3bの立下がり後、
カラムデコーダ5bは、カラムアドレス信号AYに応答
して、予め定められた論理に従って、第2のカラム選択
信号CSL4bをハイに立上げる。それにより、データ
D13〜D16が入出力線対IO5〜IO8に読出され
る。
【0161】このようにして、入出力端子I/Oからシ
リアルにデータが出力される。ページモードにおいて
も、図21に示されるように、外部ロウアドレスストロ
ーブ信号/RASがローに立下がると、外部から与えら
れるアドレス信号ADDがロウアドレス信号AXとして
ロウデコーダ2に与えられる。その後、外部カラムアド
レスストローブ信号/CASがローに立下がると、外部
からランダムに与えられるアドレス信号ADDがカラム
アドレス信号AY1,AY2,AY3,…としてアドレ
スカウンタ16aに与えられる。
【0162】図21の例においては、カラムアドレス信
号AY1〜AY10がそれぞれカラムアドレスY3,Y
6,Y11,Y4,Y8,Y7,Y2,Y9,Y5,Y
10を指定している。
【0163】カラムデコーダ5bは、カラムアドレス信
号AY1に応答して、予め定められた論理に従って、第
1のカラム選択信号CSL1aをハイに立上げ、第1の
カラム選択回路SL1aを活性化する。それにより、ビ
ット線対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力
線対IO1〜IO4に読出される。入出力線対IO1〜
IO4上のデータD1〜D4はプリアンプ9により増幅
され、それぞれ読出データバスRDB1〜RDB4に与
えられる。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号
AY1の3ビットA0,A1,A2に応答して、データ
D3を選択して出力バッファ11に与える。
【0164】次に、カラムデコーダ5bは、カラムアド
レス信号AY2に応答して、予め定められた論理に従っ
て、第2のカラム選択信号CSL2bをハイに立上げ、
第2のカラム選択回路SL2bを活性化する。それによ
り、ビット線対BL5〜BL8上のデータD5〜D8が
入出力線対IO5〜IO8に読出される。入出力線対I
O5〜IO8上のデータD5〜D8は、プリアンプ9に
より増幅され、それぞれ読出データバスRDB5〜RD
B8に与えられる。並/直変換回路10は、カラムアド
レス信号AY2の3ビットA0,A1,A2に応答し
て、データD6を選択して出力バッファ11に与える。
【0165】カラムデコーダ5bは、第1のカラム選択
信号CSL1aの立下がり後、カラムアドレス信号AY
3に応答して、予め定められた論理に従って、第1のカ
ラム選択信号CSL3aをハイに立上げ、第1のカラム
選択回路SL3aを活性化する。それにより、ビット線
対BL9〜BL12上のデータD9〜D12が入出力線
対IO1〜IO4に読出される。入出力線対IO1〜I
O4上のデータは、プリアンプ9により増幅され、それ
ぞれ読出データバスRDB1〜RDB4に与えられる。
並/直変換回路10は、カラムアドレス信号AY3の3
ビットA0,A1,A2に応答して、データD11を選
択して出力バッファ11に与える。
【0166】カラムデコーダ5bは、第2のカラム選択
信号CSL2bの立下がり後、カラムアドレス信号AY
4に応答して、予め定められた論理に従って、第2のカ
ラム選択信号CSL1bをハイに立上げ、第2のカラム
選択回路SL1bを活性化する。それにより、ビット線
対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力線対I
O5〜IO8に読出される。入出力線対IO5〜IO8
上のデータD1〜D4は、プリアンプ9により増幅さ
れ、それぞれ読出データバスRDB5〜RDB8に与え
られる。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号A
Y4の3ビットA0,A1,A2に応答して、データD
4を選択して出力バッファ11に与える。
【0167】さらに、カラムデコーダ5bは、第1のカ
ラム選択信号CSL3aの立下がり後、第1のカラム選
択信号CLS2aをハイに立上げ、第2のカラム選択信
号CSL1bの立下がり後、第2のカラム選択信号CS
L3bをハイに立上げ、第1のカラム選択回路SL2a
および第2のカラム選択回路SL3bを順次活性化す
る。それにより、ビット線対BL5〜BL8上のデータ
D5〜D8が入出力線対IO1〜IO4に読出され、ビ
ット線対BL9〜BL12上のデータD9〜D12が入
出力線対IO5〜IO8に読出される。
【0168】このようにして、入出力端子I/Oからデ
ータD3,D6,D11,D4,D8,D7,D2,D
9,D5,D10がシリアルに出力される。
【0169】このようにランダムなカラム選択を行なう
ページモードにおいては、第1のカラム選択回路および
第2のカラム選択回路が交互に選択される。
【0170】したがって、2つのビット線グループを第
1および第2の入出力線グループIOG1,IOG2に
同時にまたは順次接続することができるので、あるカラ
ムアドレスにアクセスを行なっている間に、次のカラム
アドレスのためのカラム選択を同時に行なうことができ
る。したがって、ページモードにおいても連続的な高速
のアクセスが可能となる。
【0171】図22は、カラムデコーダ5bの主要部の
構成を示す図である。カラムデコーダ5bは、カラムメ
インデコーダ50a,50b、カラムプリデコーダ51
a、51b、アドレスラッチ52a,52b、アドレス
比較器53およびANDゲート54a,54bを含む。
【0172】外部カラムアドレスストローブ信号/CA
Sがローのときに、カラムアドレスバッファ13から与
えられるカラムアドレス信号がアドレスカウンタ16a
にセットされる。
【0173】アドレスカウンタ16aは、外部カラムア
ドレスストローブ信号/CASがハイのときに、カウン
トアップ動作を行なう。
【0174】アドレスラッチ52a,52bおよびアド
レス比較器53には、アドレスカウンタ16aからのカ
ラムアドレス信号のビットA2〜Anが与えられる。ア
ドレス比較器53は、アドレスカウンタ16aからのカ
ラムアドレス信号をアドレスラッチ52a,52bの各
々にラッチされたカラムアドレス信号と比較し、比較結
果を示す出力信号MMを発生する。
【0175】ANDゲート54aの一方の入力端子には
奇数クロック信号CLKoが与えられる。ANDゲート
54bの一方の入力端子には偶数クロック信号CLKe
が与えられる。奇数クロック信号CLKoは、最初のカ
ラムアドレス信号が入力された後クロック信号CLKの
奇数番目のパルスに応答してハイになる信号である。偶
数クロック信号CLKeは、最初のカラムアドレス信号
が入力された後クロック信号CLKの偶数番目のパルス
に応答してハイになる信号である。また、アドレス比較
器53の出力信号MMは、比較結果が一致を表わす場合
にローとなり、比較結果が不一致を表わす場合にハイと
なる。
【0176】ANDゲート54aの出力信号がハイにな
ると、アドレスラッチ52aは、アドレスカウンタ16
aから与えられるカラムアドレス信号をラッチしてカラ
ムプリデコーダ51aに出力する。カラムプリデコーダ
51aは、アドレスラッチ52aから与えられるカラム
アドレス信号をプリデコードし、プリデコードされた信
号をカラムメインデコーダ50aに与える。カラムメイ
ンデコーダ50aは、カラムプリデコーダ51aの出力
信号をデコードし、複数の第1のカラム選択信号CSL
1a〜CSLmaのうちいずれか1つを活性化する。
【0177】ANDゲート54bの出力信号がハイにな
ると、アドレスラッチ52bは、アドレスカウンタ16
aから与えられるカラムアドレス信号をラッチしてカラ
ムプリデコーダ51bに出力する。カラムプリデコーダ
51bは、アドレスラッチ52bから与えられるカラム
アドレス信号をプリデコードし、プリデコードされた信
号をカラムメインデコーダ50bに与える。カラムメイ
ンデコーダ50bは、カラムプリデコーダ51bの出力
信号をデコードし、複数の第2のカラム選択信号CSL
1b〜CSLmbのうちいずれか1つを活性化する。
【0178】図22のカラムデコーダ5bによれば、最
初のカラムアドレス信号が入力された後クロック信号C
LKの奇数番目のパルス発生時に新たなカラムアドレス
信号が与えられると、複数の第1のカラム選択信号のう
ち1つが活性化される。また、最初のカラムアドレス信
号が入力された後クロック信号CLKの偶数番目のパル
スの発生時に新たなカラムアドレス信号が与えられる
と、複数の第2のカラム選択信号のうち1つが活性化さ
れる。
【0179】(3) 第3の実施例 図23は、第3の実施例によるDRAMの主要部の詳細
な構成を示す図である。第3の実施例によるDRAMの
全体の構成は、図1に示される構成と同様である。図2
3のDRAMは、レイアウトにおいてのみ図2のDRA
Mと異なる。
【0180】メモリアレイ1(図1参照)は、第1およ
び第2のメモリアレイ11,12に分割される。第1の
メモリアレイ11は複数の第1のビット線グループを含
み、第2のメモリアレイ12は複数の第2のビット線グ
ループを含む。図23においては、メモリアレイ11が
第1のビット線グループBG1,BG3を含み、第2の
メモリアレイ12が第2のビット線グループBG2,B
G4を含む。
【0181】センスアンプ群3は、第1および第2のセ
ンスアンプ群31,32に分割される。また、カラム選
択回路群4は、第1および第2のカラム選択回路群4
1,42に分割される。図23においては、第1のカラ
ム選択回路群41がカラム選択回路SL1,SL3を含
み、第2のカラム選択回路群42がカラム選択回路SL
2,SL4を含む。
【0182】第1のメモリアレイ11内の第1のビット
線グループBG1,BG3の一端側に、第1の入出力線
グループIOG1が各ビット線対と垂直に配置される。
また、第2のメモリアレイ12内の第2のビット線グル
ープBG2,BG4の一端側に、第2の入出力線グルー
プIOG2が各ビット線対と垂直に配置される。
【0183】第1の入出力線グループIOG1と第2の
入出力線グループIOG2との間に入出力線切換回路1
8が配置される。
【0184】また、カラムデコーダ5aは、第1および
第2のカラムデコーダ5c,5dに分割されている。第
1のカラムデコーダ5cは、第1のメモリアレイ11内
の複数のビット線グループをそれぞれ選択する複数のカ
ラム選択信号を発生する。第2のカラムデコーダ5d
は、第2のメモリアレイ12内の複数のビット線グルー
プをそれぞれ選択する複数のカラム選択信号を発生す
る。
【0185】この実施例のDRAMの動作は、レイアウ
ト上の差異による信号経路の違いを除いて第1の実施例
のDRAMの動作と同様である。
【0186】
【発明の効果】以上のように、第1ないし第4の発明に
よれば、複数のビット線グループを同時にまたは所定の
時間差をもってそれぞれ対応する入出力線グループに接
続することが可能となるので、ある1つの入出力線グル
ープ内の入出力線にアクセスしている間に他の入出力線
グループ内の入出力線にデータを準備することができ
る。そのため、アクセス速度が高速化され、かつアクセ
スされたデータ間にギャップが生じない。
【0187】したがって、高速なアクセスが可能な半導
体記憶装置が得られる。また、高速かつ高ビットレート
のシリアルアクセスが可能な半導体記憶装置が得られ
る。さらに、スタートアドレスの制限なく高速のシリア
ルモードが実現された半導体記憶装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例によるDRAMの全体の構成を示
すブロック図である。
【図2】図1のDRAMの主要部の詳細な構成を示す図
である。
【図3】図2に示される構成のうち主要部のみを概略的
に示す図である。
【図4】シリアルモードにおいて新たなカラム選択回路
の活性化を必要とせずにアクセスできる範囲を示す図で
ある。
【図5】アドレスラッピングモードにおいて新たなカラ
ム選択回路の活性化を必要とせずにアクセスできる範囲
を示す図である。
【図6】図1および図2のDRAMにおけるシリアルモ
ードの動作を説明するためのタイミング図である。
【図7】図1および図2のDRAMにおけるアドレスラ
ッピングモードの動作を説明するためのタイミング図で
ある。
【図8】アドレスカウンタの構成の一例を示す図であ
る。
【図9】図8のアドレスカウンタの真理値表を示す図で
ある。
【図10】カラムデコーダの一部の構成を示す図であ
る。
【図11】最下位プリデコーダの真理値表を従来の最下
位プリデコーダの真理値表と比較して示す図である。
【図12】入出力線切換回路の構成を示す図である。
【図13】入出力線切換回路に含まれるアドレス変換論
理回路の真理値表を示す図である。
【図14】入出力線切換回路に含まれる切換回路の構成
を示す回路図である。
【図15】第2の実施例によるDRAMの全体の構成を
示すブロック図である。
【図16】図15のDRAMの主要部の詳細な構成を示
す図である。
【図17】図16に示される構成のうち主要部のみを概
略的に示す図である。
【図18】シリアルモードにおいて活性化されるカラム
選択回路およびアクセスされる範囲を示す図である。
【図19】アドレスラッピングモードにおいて活性化さ
れるカラム選択回路およびアクセスされる範囲を示す図
である。
【図20】図16のDRAMにおけるシリアルモードの
動作を説明するためのタイミング図である。
【図21】図16のDRAMにおけるページモードの動
作を説明するためのタイミング図である。
【図22】図16のDRAMに含まれるカラムデコーダ
の構成の一例を示すブロック図である。
【図23】第3の実施例によるDRAMの主要部の詳細
な構成を示す図である。
【図24】従来のDRAMの全体の構成を示すブロック
図である。
【図25】図24のDRAMの主要部の詳細な構成を示
す図である。
【図26】図25に示される構成のうち主要部のみを概
略的に示す図である。
【図27】図24および図25のDRAMにおいて新た
なカラム選択回路の活性化を必要とせずにアクセスでき
る範囲を示す図である。
【図28】図24および図25のDRAMにおけるシリ
アルモードの動作を説明するためのタイミング図であ
る。
【図29】図24および図25のDRAMにおけるシリ
アルモードの動作の問題点を説明するためのタイミング
図である。
【符号の説明】
1 メモリアレイ 2 ロウデコーダ 3 センスアンプ群 4,4b カラム選択回路群 5a,5b カラムデコーダ 10 並/直変換回路 16a アドレスカウンタ 18 入出力線切換回路 BG1,BG2 第1のビット線グループ BG3,BG4 第2のビット線グループ BL1〜BL16 ビット線対 WL ワード線 MC メモリセル SL1〜SL4 カラム選択回路 SL1a〜SL4a 第1のカラム選択回路 SL1b〜SL4b 第2のカラム選択回路 IOG1 第1の入出力線グループ IOG2 第2の入出力線グループ TG トランスファゲート CSL1〜CSL4,CSL1a〜CSL4a,CSL
1b〜CSL4b カラム選択信号 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年2月2日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体記憶装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体記憶装置に関
し、特にカラム系の選択方式に関する。
【0002】
【従来の技術】図24は、従来のダイナミックランダム
アクセスメモリ(以下、DRAMと呼ぶ)の一例を示す
ブロック図である。また、図25は、図24のDRAM
の主要部の構成を詳細に示す図である。
【0003】半導体チップCH上には4つのメモリブロ
ックが設けられる。ただし、図24には一つのメモリブ
ロックをB1のみが示されている。
【0004】メモリアレイ1は、複数のビット線対、そ
れらのビット線対に交差する複数のワード線、および複
数のビット線対と複数のワード線との交点に設けられる
複数のメモリセルを含む。図25には、ビット線対BL
1〜BL8、それらのビット線対BL1〜BL8に交差
する複数のワード線WL、およびビット線対BL1〜B
L8とワード線WLとの交点に設けられた複数のメモリ
セルMCが示される。複数のビット線対は、各々が4つ
のビット線対を含む複数のビット線グループBG1,B
G2に区分される。図25においては、ビット線対BL
1〜BL4がビット線グループBG1を構成し、ビット
線対BL5〜BL8がビット線グループBG2を構成す
る。
【0005】複数のワード線WLは、図24に示される
ロウデコーダ2に接続される。ロウデコーダ2は、複数
のワード線WLのうちいずれかを選択し、選択されたワ
ード線WLを活性化する。つまり、ロウデコーダ2は、
選択されたワード線の電位をハイレベルにし、選択され
ないワード線の電位をローレベルに維持する。
【0006】図24に示されるセンスアンプ群3は、複
数のビット線対にそれぞれ接続された複数のセンスアン
プSA(図25)を含む。各センスアンプSAは、対応
するビット線対上の電位差を検知・増幅する。
【0007】図24に示されるカラム選択回路群4は、
複数のビット線グループに対応して設けられた複数のカ
ラム選択回路を含む。図25には、ビット線グループB
G1に対応して設けられたカラム選択回路SL1、およ
びビット線グループBG2に対応して設けられたカラム
選択回路SL2が示される。
【0008】各カラム選択回路は、各ビット線グループ
内の4つのビット線対に対応して4組のトランスファー
ゲートTGを含む。各ビット線グループ内の4つのビッ
ト線対は、4組のトランスファーゲートTGを介して4
つの入出力線対IO1〜IO4にそれぞれ接続される。
【0009】カラムデコーダ5は、複数のビット線グル
ープのうちいずれかを選択し、対応するカラム選択回路
内の4組のトランスファーゲートTGを同時に導通状態
にさせる。図25においては、カラムデコーダ5から発
生されるカラム選択信号CSL1がカラム選択回路SL
1内の4組のトランスファーゲートTGに与えられ、カ
ラム選択信号CSL2がカラム選択回路SL2内の4組
のトランスファーゲートTGに与えられる。
【0010】図24において、メモリブロックB1は、
入力バッファ6、4ビットの直/並(パラレル/シリア
ル)変換回路7、ライトバッファ8、プリアンプ9、4
ビットの並/直(パラレル/シリアル)変換回路10お
よび出力バッファ11をさらに含む。入力バッファ6、
直/並変換回路7およびライトバッファ8は、データの
書込時に動作し、プリアンプ9、並/直変換回路10お
よび出力バッファ11は、データの読出時に動作する。
【0011】半導体チップCH上には、さらに、ロウア
ドレスバッファ12、カラムアドレスバッファ13、制
御信号バッファ14、CLKバッファ15、アドレスカ
ウンタ16およびタイミングジェネレータ17が設けら
れる。
【0012】ロウアドレスバッファ12は、外部から与
えられるアドレス信号ADDを所定のタイミングでロウ
アドレス信号としてロウデコーダ2に与える。カラムア
ドレスバッファ13は、外部から与えらえるアドレス信
号ADDを所定のタイミングでカラムアドレス信号とし
てアドレスカウンタ16に与える。
【0013】制御信号バッファ14は、外部ロウアドレ
スストローブ信号/RAS、外部カラムアドレスストロ
ーブ信号/CAS、外部ライトイネーブル信号/WEお
よび外部アウトプットイネーブル信号/OEを受け、そ
れらをタイミングジェネレータ17に与える。CLKバ
ッファ15は、外部から与えらえるクロック信号CLK
を受け、それをチップ内部の各回路に与える。
【0014】アドレスカウンタ16は、カラムアドレス
バッファ13から与えられるカラムアドレス信号をスタ
ートアドレスとして受け、そのスタートアドレスをクロ
ック信号CLKに応答して順次変化させる。アドレスカ
ウンタ16から発生されるカラムアドレス信号のうち2
ビットA0,A1は直/並変換回路7および並/直変換
回路10に与えられ、残りのビットA2〜Anはカラム
デコーダ5に与えられる。タイミングジェネレータ17
は、チップ内部の各回路を制御するための各種制御信号
を発生する。
【0015】次に、図24および図25に示されるDR
AMの通常のランダムアクセスモードの動作を説明す
る。
【0016】まず、ロウデコーダ2は、ロウアドレス信
号に応答してメモリアレイ1内の複数のワード線WLの
うち1つを選択し、その電位をハイに立上げる。それに
より、選択されたワード線WLに接続される複数のメモ
リセルMCからそれぞれ対応するビット線上にデータが
読出される。それらのデータは、センスアンプ群3に含
まれる複数のセンサアンプSAにより検知・増幅され、
かつ保持される。
【0017】その後、カラムデコーダ5は、アドレスカ
ウンタ16を介して与えられるカラムアドレス信号のビ
ットA2〜Anに応答して複数のビット線グループのう
ちいずれかを選択し、対応するカラム選択回路を活性化
する。それにより、選択されたビット線グループ内の4
つのビット線対がカラム選択回路を介して4つの入出力
線対IO1〜IO4にそれぞれ接続される。
【0018】データの読出時には、選択されたビット線
グループ内の4つのビット線対上の4つのデータが4つ
の入出力線対IO1〜IO4を介してプリアンプ9に与
えられ、増幅される。プリアンプ9により増幅された4
つのデータは読出データバスRDB1〜RDB4に与え
られる。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号の
2ビットA0,A1に応答して読出データバスRDB1
〜RDB4上の4つのデータのうち1つを出力バッファ
11に与える。その結果、出力バッファ11から入出力
端子I/Oにデータが出力される。
【0019】データの書込時には、入出力端子I/Oに
外部からデータが順次与えられる。それらのデータは入
力バッファ6を介して直/並変換回路7に順次与えられ
る。直/並変換回路7は、それらのデータを並列データ
に変換し、ライトバッファ8に与える。それにより、4
つの入出力線対IO1〜IO4上にそれぞれデータが与
えられる。入出力線対IO1〜IO4上の4つのデータ
は、活性化されたカラム選択回路を介して選択されたビ
ット線グループ内の4つのビット線対に与えられ、4つ
のメモリセルMCに書込まれる。
【0020】ところで、1つのワード線WLが活性化さ
れた後センスアンプ群3に含まれる複数のセンスアンプ
SAに保持されたデータを、複数のカラム選択回路を順
次活性化することにより連続的に入出力線対IO1〜I
O4に読出すことが可能である。
【0021】複数のカラム選択回路を外部から与えられ
るアドレス信号に従ってランダムに活性化するモードを
ページモードと呼ぶ。また、スタートアドレスを指定す
るアドレス信号のみをアドレスカウンタ16に設定し、
その後は、アドレスカウンタ16から発生されるアドレ
ス信号により複数のカラム選択回路を順次活性化するモ
ードをシリアルモードと呼ぶ。センスアンプ群3には、
一般に数千ビットのデータが保持されているので、ペー
ジモードおよびシリアルモードによれば、高速のアクセ
スが可能となる。
【0022】特に、シリアルモードの場合には、一つの
カラム選択回路を活性化することにより得られる複数の
データを並列/直列変換することにより、または時分割
動作(パイプライン制御)を行うことにより、シリアル
アクセスがさらに高速化される。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】図26は、図24およ
び図25に示されるDRAMの主要部のみを示す図であ
る。図25において、ビット線グループBG1はビット
線対BL1〜BL4を含み、ビット線グループBG2は
ビット線対BL5〜BL8を含む。ビット線グループB
G3はビット線対BL9〜BL12を含み、ビット線グ
ループBG4はビット線対BL13〜BL16を含む。
【0024】ここで、ビット線対BL1〜BL16に割
当てられたカラムアドレスをY1〜Y16とする。
【0025】ビット線グループBG1内のビット線対B
L1〜BL4はカラム選択回路SL1を介して入出力線
対IO1〜IO4にそれぞれ接続され、ビット線グルー
プBG2内のビット線対BL5〜BL8はカラム選択回
路SL2を介して入出力線対IO1〜IO4にそれぞれ
接続される。ビット線グループBG3内のビット線対B
L9〜BL12はカラム選択回路BL3を介して入出力
線対IO1〜IO4にそれぞれ接続され、ビット線グル
ープBG4内のビット線対BL13〜BL16はカラム
選択回路SL4を介して入出力線対IO1〜IO4にそ
れぞれ接続される。
【0026】このように、入出力線対IO1〜IO4は
すべてのビット線グループに共通に設けられている。そ
のため、複数のカラム選択回路を同時に活性化すること
はできない。
【0027】シリアルモード時には、まずアドレスカウ
ンタ16にスタートアドレスが設定され、そのスタート
アドレスに対応する1つのカラム選択回路が活性化され
る。
【0028】図27に示すようにスタートアドレスがY
1〜Y4に設定されると、カラム選択回路SL1が最初
に活性化される。スタートアドレスがY1に設定された
場合には、カラム選択回路SL1の活性化時にカラムア
ドレスY1,Y2,Y3,Y4に順次アクセスが行われ
る。スタートアドレスがY2に設定された場合には、カ
ラム選択回路SL1の活性化時にカラムアドレスY2,
Y3,Y4に順次アクセスが行われる。スタートアドレ
スがY3に設定された場合には、カラム選択回路SL1
の活性化時にカラムアドレスY3,Y4に順次アクセス
が行われる。スタートアドレスがY4に設定された場合
には、カラム選択回路SL1の活性化時にカラムアドレ
スY4のみにアクセスが行われる。
【0029】このように、スタートアドレスに依存し
て、新たなカラム選択回路の活性化を必要とせずにアク
セスできる範囲が異っている。特に、スタートアドレス
がたとえばY4に設定されたときには、次のカラムアド
レスにアクセスするためには別のカラム選択回路を活性
化する必要がある。それにより、カラム選択回路の活性
からプリアンプの動作までの時間が、ビットレートを律
束するという問題がある。
【0030】このような問題を、図28および図29の
波形図を参照しながら説明する。図28は、シリアルモ
ードにおいてスタートアドレスがY1に設定された場合
の動作を示すタイミング図である。図29は、シリアル
モードにおいてスタートアドレスがY4に設定された場
合の動作を示すタイミング図である。
【0031】図28および図29において、D1〜D1
2はそれぞれビット線対BL1〜BL12(図25およ
び図26参照)に読出されたデータを表わす。
【0032】まず、外部ロウアドレスストローブ信号/
RASがローに立下がると、外部から与えられるアドレ
ス信号ADDがロウアドレス信号AXとしてロウデコー
ダ2に与えられる。それにより、複数のワード線WLの
うち1つが活性化される。その後、外部カラムアドレス
ストローブ信号/CASがローに立下がると、外部から
与えれるアドレス信号ADDがカラムアドレス信号AY
としてアドレスカウンタ16に与えらえる。アドレスカ
ウンタ16はカラムアドレス信号AYのうち2ビットA
0,A1を並/直変換回路10に与え、残りのビットA
2〜Anをカラムデコーダ5に与える。
【0033】図28に示すように、カラムアドレス信号
AYがカラムアドレスY1を指定している場合には、ス
タートアドレスがY1に設定される。カラムデコーダ5
は、まず、カラム選択信号CSL1をハイに立ち上げ、
カラム選択回路SL1を活性化する。それにより、ビッ
ト線対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力線
対IO1〜IO4に読出される。
【0034】それらのデータD1〜D4はプリアンプ9
を介して読出データバスRDB1〜RDB4に与えらえ
る。アドレスカウンタ16は、CLKバッファ15から
与えられるクロック信号CLKに応答して、カラムアド
レス信号AYを順次カウントアップする。並/直変換回
路10は、カラムアドレス信号AYの2ビットA0,A
1に応答して、データD1〜D4を順次選択して出力バ
ッファ11に与える。それにより、データD1〜D4が
出力データDoutとして入出力端子I/Oからシリア
ルに出力される。
【0035】次に、カラムデコーダ5がカラム選択信号
CSL2をハイに立ち上げると、同様にして、データD
5〜D8が入出力線対IO1〜IO4に読出される。そ
れらのデータD5〜D8はプリアンプ9を介して読出デ
ータバスRDB1〜RDB4に与えられる。アドレスカ
ウンタ16は、CLKバッファ15から与えられるクロ
ック信号CLKに応答して、カラムアドレス信号AYを
順次カウントアップする。並/直変換回路10は、カラ
ムアドレス信号AYの2ビットA0,A1に応答して、
データD5〜D8を順次選択して出力バッファ11に与
える。それにより、データD5〜D8が出力データDo
utとして入出力端子I/Oからシリアルに出力され
る。
【0036】このようにして、入出力端子I/Oからシ
リアルにデータが読出される。図29に示すように、カ
ラムアドレス信号AYがカラムアドレスY4を指定して
いる場合には、スタートアドレスがY4に設定される。
この場合にも、カラムデコーダ5が、まず、カラム選択
信号CSL1をハイに立ち上げ、カラム選択回路SL1
を活性化する。それにより、ビット線対BL1〜BL4
上のデータD1〜D4が入出力線対IO1〜IO4に読
出される。
【0037】それらのデータD1〜D4はプリアンプ9
を介して読出データバスRDB1〜RDB4に与えられ
る。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号AYの
2ビットA0,A1に応答して、データD4を選択して
出力バッファ11に与える。それにより、データD4が
出力データDoutとして入出力端子I/Oから出力さ
れる。
【0038】次に、カラムデコーダ5がカラム選択信号
CSL2をハイに立ち上げると、同様にして、データD
5〜D8が入出力線対IO1〜IO4に読出される。そ
れらのデータD5〜D8はプリアンプ9を介し読出デー
タバスRDB1〜RDB4に与えられる。アドレスカウ
ンタ16は、CLKバッファ15から与えられるクロッ
ク信号CLKに応答して、カラムアドレス信号AYを順
次カウントアップする。並/直変換回路10は、カラム
アドレス信号AYの2ビットA0,A1に応答して、デ
ータD5〜D8を順次選択して出力バッファ11に与え
る。それにより、データD5〜D8が出力データDou
tとして入出力端子I/Oからシリアルに出力される。
【0039】この場合、カラム選択信号CSL1がロー
に立ち下るまでカラム選択信号CSL2をハイに立ち上
げることができない。また、2つのカラム選択信号が同
時にオンすることを避けるためにカラム選択信号CSL
1の立ち下がりとカラム選択信号CSL2の立ち上がり
との間にマージンを設ける必要がある。
【0040】図28に示すようにカラムアドレス信号A
YがカラムアドレスY1を指定している場合には、出力
されるデータ間にギャップが生じず、ビットレートが低
下しない。しかし、図29に示すようにカラムアドレス
信号AYがカラムアドレスY4を指定している場合に
は、入出力端子I/Oから出力されるデータD4とデー
タD5との間にギャップが生じる。このように、あるビ
ット線グループ内の1つのビット線対と他のビット線グ
ループ内の1つのビット線対とが連続的に選択される場
合にデータギャップが生じる。そのため、アクセス速度
およびビットレートが低下するという問題がある。
【0041】この発明の目的は、高速なアクセスが可能
な半導体記憶装置を提供することである。
【0042】この発明の他の目的は、高速かつ高ビット
レートのシリアルアクセスが可能な半導体記憶装置を得
ることである。
【0043】この発明のさらに他の目的は、スタートア
ドレスの制限なく高速のシリアルモードが実現された半
導体記憶装置を得ることである。
【0044】
【課題を解決するための手段】 (1)第1の発明 第1の発明にかかる半導体記憶装置は、複数のメモリセ
および複数のビット線を含むメモリアレイ、n個の入
出力線グループ、複数の接続手段、および列選択手段を
備える。
【0045】複数のメモリセルは、複数行および複数列
に配列され、各々がデータを記憶する。複数のビット線
は、各々が所定数のビット線を含む複数のビット線グル
ープに区分される。複数のビット線グループはn個のメ
イングループに分類される。
【0046】n個の入出力線グループは、n個のメイン
グループに対応して設けられ、各々が所定数の入出力線
を含む。複数の接続手段は、複数のビット線グループに
対応して設けられ、各々が対応するビット線グループと
対応する入出力線グループとの間に接続される。列選択
手段は、複数のビット線グループのいずれかを選択する
ために複数の接続手段に対応する複数の選択信号を選択
的に発生する。
【0047】複数の接続手段の各々は、対応する選択信
号に応答して活性化され、対応するビット線グループ内
の各ビット線を対応する入出力線グループ内の各入出力
線にそれぞれ接続する。列選択手段は、メモリアレイ内
異なる入出力線グループに接続された複数の接続手段
を同時にまたは所定の時間差をもって活性化する手段を
含む。
【0048】(2)第2の発明 第2の発明にかかる半導体記憶装置は、複数のメモリセ
および複数のビット線を含むメモリアレイ、n個の入
出力線グループ、n個の接続手段グループ、および列選
択手段を備える。
【0049】複数のメモリセルは、複数行および複数列
に配列され、各々がデータを記憶する。複数のビット線
は複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメモ
リセルに接続される。複数のビット線は、各々が所定数
のビット線を含む複数のビット線グループに区分され
る。
【0050】n個の入出力線グループの各々は所定数の
入出力線を含む。n個の接続手段グループは、n個の入
出力線グループに対応して設けられる。n個の接続手段
グループの各々は、複数のビット線グループに対応して
設けられた複数の接続手段を含む。複数の接続手段の各
々は、対応するビット線グループと対応する入出力線グ
ループとの間に接続される。列選択手段は、複数のビッ
ト線グループのいずれかを選択するために各接続手段グ
ループ内の複数の接続手段に対応する複数の選択信号を
選択的に発生する。
【0051】各接続手段グループ内の複数の接続手段の
各々は、対応する選択信号に応答して活性化され、対応
するビット線グループ内の各ビット線を対応する入出力
線グループ内の各入出力線にそれぞれ接続する。列選択
手段は、メモリアレイ内の異なる入出力線グループに接
続された複数の接続手段を同時にまたは所定の時間差を
もって活性化する手段を含む。
【0052】(3)第3の発明 第3の発明にかかる半導体記憶装置は、複数のメモリセ
および複数のビット線を含むメモリアレイ、n個の入
出力線グループ、複数の接続手段、列選択手段、グロー
バル入出力線グループ、切換手段、および入出力線選択
手段を備える。
【0053】複数メモリセルは、複数行および複数列に
配列され、各々がデータを記憶する。複数のビット線は
複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメモリ
セルに接続される。複数のビット線は、各々が所定数の
ビット線を含む複数のビット線グループに区分される。
複数のビット線グループはn個のメイングループに分類
される。n個のメイングループの各ビット線グループは
交互に配置される。
【0054】n個の入出力線グループは、n個のメイン
グループに対応して設けられ、各々が所定数の入出力線
を含む。複数の接続手段は、複数のビット線グループに
対応して設けられ、各々が対応するビット線グループと
対応する入出力線グループとの間に接続される。列選択
手段は、複数のビット線グループのいずれかを選択する
ために複数の接続手段に対応する複数の選択信号を選択
的に発生する。
【0055】複数の接続手段の各々は、対応する選択信
号に応答して活性化され、対応するビット線グループ内
の各ビット線を対応する入出力線グループ内の各入出力
線にそれぞれ接続する。列選択手段は、メモリアレイ内
異なる入出力線グループに接続された複数の接続手段
を同時にまたは所定の時間差をもって活性化する。
【0056】グローバル入出力線グループは、n個の入
出力線グループに共通に設けられ、所定数の入出力線を
含む。切換手段は、n個の入出力線グループ内の各入出
力線を選択的にグローバル入出力線グループ内の対応す
る入出力線に接続する。入出力線選択手段は、グローバ
ル入出力線グループ内の各入出力線を順次選択する。
【0057】(4)第4の発明 第4の発明にかかる半導体記憶装置は、n個のメモリア
レイ、n個の入出力線グループ、複数の接続手段、列選
択手段、グローバル入出力線グループ、切換手段、およ
び入出力線選択手段を備える。
【0058】n個のメモリアレイは隣接して配置され
る。n個のメモリアレイの各々は、複数行および複数列
に配列されかつ各々がデータを記憶する複数のメモリセ
ルと、複数列に対応して設けられかつ各々が対応する列
のメモリセルに接続された複数のビット線とを含む。各
メモリアレイ内の複数のビット線は、各々が所定数のビ
ット線を含む複数のビット線グループに区分される。
【0059】n個の入出力線グループは、n個のメモリ
アレイに対応して設けられ、各々が対応するメモリアレ
イ内の複数のビット線グループの一端側に各ビット線と
垂直に配置される所定数の入出力線を含む。複数の接続
手段は、n個のメモリアレイ内の複数のビット線グルー
プに対応して設けられ、各々が対応するビット線グルー
プと対応する入出力線グループとの間に接続される。列
選択信号はn個のメモリアレイ内の複数のビット線グル
ープのいずれかを選択するために複数の接続手段に対応
する複数の選択信号を選択的に発生する。
【0060】複数の接続手段の各々は、対応する選択信
号に応答して活性化され、対応するビット線グループ内
の各ビット線を対応する入出力線グループ内の各入出力
線にそれぞれ接続する。列選択手段は、異なるメモリア
レイ内の入出力線グループに接続された複数の接続手段
を同時にまたは所定の時間差をもって活性化する。
【0061】グローバル入出力線グループは、n個の入
出力線グループに共通に設けられ、所定数の入出力線を
含む。切換手段は、n個の入出力線グループ内の各入出
力線を選択的にグローバル入出力線グループ内の対応す
る入出力線に接続する。入出力線選択手段は、グローバ
ル入出力線グループ内の各入出力線を順次選択する。
【0062】
【作用】第1ないし第4の発明にかかる半導体記憶装置
においては、異なる入出力線グループに接続される複数
の接続手段を同時にまたは所定の時間差をもって活性化
することにより、複数のビット線グループを同時にまた
は所定の時間差をもってそれぞれ対応する入出力線グル
ープに接続することが可能となる。
【0063】それにより、あるビット線グループ内の1
つのビット線と他のビット線グループ内の1つのビット
線とが連続的に選択される場合に、ある1つの入出力線
グループ内の入出力線にアクセスしている間に、他の入
出力線グループ内の入出力線にデータを準備することが
できる。したがって、アクセス速度が高速化され、かつ
アクセスされたデータ間にギャップが生じない。
【0064】
【実施例】 (1)第1の実施例 図1は、第1の実施例によるDRAMの全体の構成を示
すブロック図である。図1のDRAMが図24のDRA
Mと異なるのは、次の点である。
【0065】第1の入出力線グループIOG1および第
2の入出力線グループIOG2が設けられている。第1
の入出力線グループIOG1は入出力線対IO1〜IO
4を含む。第2の入出力線グループIOG2は入出力線
対IO5〜IO8を含む。
【0066】図24に示されるカラムデコーダ5、アド
レスカウンタ16およびタイミングジェネレータ17の
代わりにカラムデコーダ5a、アドレスカウンタ16a
およびタイミングジェネレータ17aが設けられてい
る。カラムデコーダ5a、アドレスカウンタ16aおよ
びタイミングジェネレータ17aの構成および動作は、
後述するようにカラムデコーダ5およびアドレスカウン
タ16およびタイミングジェネレータ17の構成及び動
作と異なる。
【0067】入出力線切換回路18がさらに設けられて
いる。入出力線切換回路18は、アドレスカウンタ16
aからカラムアドレス信号の3ビットA0,A1,A2
を受け、第1の入出力線グループIOG1内の入出力線
対IO1〜IO4または第2の入出力線グループIOG
2内の入出力線対IO5〜IO9をグローバル入出力線
グループGIOG内のグローバル入出力線GIO1〜G
IO4に選択的に接続する。他の部分の構成は、図24
に示される構成と同様である。
【0068】図2は、図1に示されるDRAMの主要部
の詳細な構成を示す図である。メモリアレイ1、センス
アンプ群3およびカラム選択回路群4の構成は、図25
に示される構成と同様である。奇数番目ビット線グルー
プ、たとえばビット線グループBG1,BG3を第1の
ビット線グループと呼び、偶数番目のビット線グルー
プ、たとえばビット線グループBG2,BG4を第2の
ビット線グループと呼ぶ。複数の第1ビット線グループ
が第1のメイングループを構成し、複数の第2ビット線
グループが第2のメイングループを構成する。
【0069】各第1のビット線グループ内の4つのビッ
ト線対は、対応するカラム選択回路を介して第1の入出
力線グループIOG1内の4つの入出力線対IO1〜I
O4にそれぞれ接続される。各第2のビット線グループ
内の4つのビット線対は、対応するカラム選択回路を介
して第2の入出力線グループIOG2内の4つの入出力
線対IO5〜IO8にそれぞれ接続される。各カラム選
択回路が接続手段を構成する。
【0070】この実施例のDRAMは、通常のランダム
アクセスモード、ページモードおよびシリアルモードに
加えてアドレスラッピングモードを有する。以下、この
実施例のDRAMにおけるシリアルモードおよびアドレ
スラッピングモードを説明する。
【0071】図3は、図2に示される構成のうち主要部
のみを概略的に示す図である。図3に示されるように、
第1のビット線グループBG1,BG3はそれぞれカラ
ム選択回路SL1,SL3を介して第1の入出力線グル
ープIOG1に接続され、第2のビット線グループBG
2,BG4はそれぞれカラム選択回路SL2,SL4を
介して第2の入出力線グループIOG2に接続されてい
る。
【0072】そのため、1つの第1のビット線グループ
に対応するカラム選択回路および1つの第2のビット線
グループに対応するカラム選択回路を同時に活性化する
ことが可能となる。たとえば、カラム選択回路SL1お
よびカラム選択回路SL2を同時に活性化することがで
きる。また、カラム選択回路SL2およびカラム選択回
路SL3を同時に活性化することもできる。
【0073】なお、図29を用いて説明したように、出
力されるデータ間にギャップが生じ得るのは、スタート
アドレスとして、Y4,Y8のように各ビット線グルー
プ内の最上位のカラムアドレスが選択された場合であ
る。すなわち、あるビット線グループ内の1つのビット
線対と次のビット線グループ内の1つのビット線対とが
連続的に選択される場合に、データギャップが生じ得
る。したがって、この場合には、スタートアドレスに対
応するカラム選択回路および次のカラムアドレスに対応
するカラム選択回路を、同時に、またはデータギャップ
が生じない範囲で順次に、活性化する必要がある。
【0074】他の場合には、2つのカラム選択回路を同
時に活性化する必要はなく、データギャップが生じない
ようにそれらを順に活性化することができる。
【0075】実際の装置では、アクセス速度および消費
電力を考慮して各カラム選択回路の活性化期間が決定さ
れる。
【0076】図4は、シリアルモードにおいて新たなカ
ラム選択回路の活性化を必要とせずにアクセスできる範
囲を示す図である。
【0077】スタートアドレスがY1〜Y4に設定され
ると、カラム選択回路SL1,SL2が最初に活性化さ
れる。スタートアドレスがY5〜Y8に設定されると、
カラム選択回路SL2,SL3が最初に活性化される。
スタートアドレスがY8〜Y12に設定されると、カラ
ム選択回路SL3,SL4が最初に活性化される。
【0078】たとえば、スタートアドレスがY1に設定
されると、新たなカラム選択回路を活性化することな
く、カラムアドレスY1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y
6,Y7,Y8に順次アクセスすることができる。スタ
ートアドレスがY2に設定されると、新たなカラム選択
回路を活性化することなく、カラムアドレスY2,Y
3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8に順次アクセスする
ことができる。スタートアドレスがY3に設定される
と、新たなカラム選択回路を活性化することなく、カラ
ムアドレスY3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8に順次
アクセスすることができる。スタートアドレスがY4に
設定されると、新たなカラム選択回路を活性化すること
なく、カラムアドレスY4,Y5,Y6,Y7,Y8に
順次アクセスすることができる。
【0079】このように、スタートアドレスレスとして
どのカラムアドレスが選択された場合でも、新たなカラ
ム選択回路を活性することなく少なくとも5ビットの連
続アクセスが可能となる。したがって、このアクセスの
期間を利用して次のカラム選択回路の活性化から並/直
変換回路10へのデータの転送までの動作を行うことが
できる。
【0080】図5は、アドレスラッピングモードにおい
て新たなカラム選択回路の活性化を必要とせずにアクセ
スできる範囲を示す図である。
【0081】スタートアドレスがY1〜Y8に設定され
ると、カラム選択回路SL1,SL2が最初に活性化さ
れる。
【0082】たとえば、スタートアドレスがY1に設定
されると、新たなカラム選択回路を活性化することな
く、カラムアドレスY1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y
6,Y7,Y8に順次アクセスすることができる。スタ
ートアドレスがY2に設定されると、新たなカラム選択
回路を活性化することなく、カラムアドレスY2,Y
3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8,Y1に順次アクセ
スすることができる。スタートアドレスがY3に設定さ
れると、新たなカラム選択回路を活性化することなく、
カラムアドレスY3,Y4,Y5,Y6,Y7,Y8,
Y1,Y2に順次アクセスすることができる。
【0083】このように、スタートアドレスとしてどの
カラムアドレスが選択された場合でも、新たなカラム選
択回路を活性化することなく8ビットの連続アクセスが
可能となる。
【0084】次に図6および図7を参照しながらこの実
施例のDRAMにおけるシリアルモードおよびアドレス
ラッピングモードの動作を説明する。図6は、シリアル
モードにおいてスタートアドレスがY4に設定された場
合の動作を示すタイミング図である。図7は、アドレス
ラッピングモードにおいて第1番目のスタートアドレス
がY4に設定されかつ第2番目のスタートアドレスがY
10に設定された場合の動作を示すタイミング図であ
る。
【0085】図6および図7において、D1〜D16は
それぞれビット線対BL1〜BL16に読出されたデー
タを表わす。
【0086】まず、シリアルモードにおいては、図6に
示されるように、外部ロウアドレスストローブ信号/R
ASがロー立ち下がると、外部から与えらえるアドレス
信号ADDがロウアドレス信号AXとしてロウデコーダ
2に与えられる。それにより、複数のワード線WLのう
ち1つが活性化される。
【0087】その後、外部カラムアドレスストローブ信
号/CASがローに立ち下がると、外部から与えられる
アドレス信号ADDがカラムアドレス信号AYとしてア
ドレスカウンタ16aに与えられる。アドレスカウンタ
16aは、カラムアドレス信号AYの2ビットA0,A
1を並/直変換回路10に与え、残りのビットA2〜A
nをカラムデコーダ5aに与える。また、アドレスカウ
ンタ16aは、入出力線対IO1〜IO8を選択的にグ
ローバル入出力線対GIO1〜GIO4に接続するため
にカラムアドレス信号AYの3ビットA0,A1,A2
を入出力線切換回路18に与える。
【0088】カラムアドレス信号AYがカラムアドレス
Y4を指定している場合には、スタートアドレスがY4
に設定される。カラムデコーダ5aは、まず、カラムア
ドレス信号AYに応答して、後述する論理に従って、カ
ラム選択信号CSL1,CSL2をハイに立ち上げ、カ
ラム選択回路SL1,SL2を同時に活性化する。それ
により、ビット線対BL1〜BL4上のデータD1〜D
4が入出力線対IO1〜IO4に読出され、ビット線対
BL5〜BL8上のデータが入出力線対IO5〜IO8
に読出される。
【0089】入出力線切換回路18は、まず、カラムア
ドレス信号AYの3ビットA0,A1,A2に応答し
て、入出力線対IO4をグローバル入出力線対GIO1
に接続する。それにより、データD4がプリアンプ9を
介して読出データバスRDB4に与えらえる。その後、
カラム選択信号CSL1がローに立下がる。並/直変換
回路10は、カラムアドレス信号AYの2ビットA0,
A1に応答して、データD4を選択して出力バッファ1
1に与える。
【0090】また、入出力線切換回路18は、順次カウ
ントアップされるカラムアドレス信号AYの3ビットA
0,A1,A2に応答して、入出力線対IO5,IO
6,IO7,IO8を順次グローバル入出力線対GIO
1,GIO2,GIO3,GIO4に接続する。それよ
り、データD5〜D8がプリアンプ9を介して読出デー
タバスRDB1〜RDB4に与えらえる。その後、カラ
ム選択信号CSL2がローに立下がる。並/直変換回路
10は、順次カウントアップされるカラムアドレス信号
AYの2ビットA0,A1に応答して、データD5〜D
8を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0091】次に、カラム選択信号CSL1の立下がり
後に、カラムデコーダ5aが、カラムアドレス信号AY
に応答して、後述する論理に従って、カラム選択信号C
SL3をハイに立上げる。それにより、データD9〜D
12が入出力線対IO1〜IO4に読出される。
【0092】入出力線切換回路18は、順次カウントア
ップされるカラムアドレス信号AYの3ビットA0,A
1,A2に応答して、入出力線対IO1,IO2,IO
3,IO4を順次グローバル入出力線対GIO1,GI
O2,GIO3,GIO4に接続する。それにより、デ
ータD9〜D12がプリアンプ9を介して読出データバ
スRDB1〜RDB4に順次与えられる。並/直変換回
路10は、順次カウントアップされるカラムアドレス信
号AYの2ビットA0,A1に応答して、データD9〜
D12を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0093】カラム選択信号CSL2の立下がり後に、
カラムデコーダ5aが、カラムアドレス信号AYに応答
して、後述する論理に従って、カラム選択信号CSL4
をハイに立上げる。それにより、データD13〜D16
が入出力線対IO5〜IO8に読出される。
【0094】入出力線切換回路18は、順次カウントア
ップされるカラムアドレス信号AYの3ビットA0,A
1,A2に応答して、入出力線対IO5,IO6,IO
7,IO8を順次グローバル入出力線対GIO1,GI
O2,GIO3,GIO4に接続する。それにより、デ
ータD13〜D16がプリアンプ9を介して読出データ
バスRDB1〜RDB4に順次与えられる。並/直変換
回路10は、順次カウントアップされるカラムアドレス
信号AYの2ビットA0,A1に応答して、データD1
3〜D16を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0095】このようにして、入出力端子I/Oからシ
リアルにデータが出力される。アドレスラッピングモー
ドにおいても、図7に示されるように、外部ロウアドレ
スストローブ信号/RASがローに立下がると、外部か
ら与えられるアドレス信号ADDがロウアドレス信号A
Xとしてロウデコーダ2に与えられる。
【0096】その後、外部カラムアドレスストローブ信
号/CASがローに立下がると、外部から与えられるア
ドレス信号ADDがカラムアドレス信号AY1としてア
ドレスカウンタ16aに与えられる。
【0097】カラムアドレス信号AY1がカラムアドレ
スY4を指定している場合には、第1番目のスタートア
ドレスがY4に設定される。カラムデコーダ5aは、カ
ラムアドレス信号AY1に応答して、後述する論理に従
って、カラム選択信号CSL1,CSL2をハイに立ち
上げ、カラム選択回路SL1,SL2を同時に活性化す
る。それにより、ビット線対BL1〜BL4上のデータ
D1〜D4が入出力線対IO1〜IO4に読出され、ビ
ット線対BL5〜BL8上のデータD5〜D8が入出力
線対IO5〜IO8に読出される。
【0098】入出力線切換回路18は、カラムアドレス
信号AY1の3ビットA0,A1,A2に応答して、入
出力線対IO4をグローバル入出力線対GIO4に接続
する。それにより、データD4がプリアンプ9を介して
読出データバスRDB4に与えられる。並/直変換回路
10は、カラムアドレス信号AY1の2ビットA0,A
1に応答して、データD4を選択して出力バッファ11
に与える。
【0099】また、入出力線切換回路18は、順次カウ
ントアップされるカラムアドレス信号AY1の3ビット
A0,A1,A2に応答して、入出力線対IO5,IO
6,IO7,IO8を順次グローバル入出力線対GIO
1,GIO2,GIO3,GIO4に接続する。それに
より、データD5〜D8がプリアンプ9を介して読出デ
ータバスRDB1〜RDB4に順次与えられる。並/直
変換回路10は、順次カウントアップされるカラムアド
レス信号AY1の2ビットA0,A1に応答して、デー
タD5〜D8を順次選択して出力バッファ11に与え
る。
【0100】さらに、入出力線切換回路18は、順次カ
ウントアップされるカラムアドレス信号AY1の3ビッ
トA0,A1,A2に応答して、入出力線対IO1,I
O2,IO3を順次グローバル入出力線対GIO1,G
IO2,GIO3に接続する。それにより、データD1
〜D3がプリアンプ9を介して読出データバスRDB1
〜RDB3に順次与えられる。並/直変換回路10は、
順次カウントアップされるカラムアドレス信号AY1の
2ビットA0,A1に応答して、データD1〜D3を順
次選択して出力バッファ11に与える。
【0101】カラム選択信号CSL1,CSL2は、一
定時間経過後ローに立下がる。このようにして、入出力
端子I/OからデータD4,D5,D6,D7,D8,
D1,D2,D3がシリアルに出力される。
【0102】カラムアドレスストローブ信号/CASが
再びローに立ち下がると、外部から与えられるアドレス
信号ADDがカラムアドレス信号AY2としてアドレス
カウンタ16aに与えられる。
【0103】今、カラムアドレス信号AY2がカラムア
ドレスY10を指定している場合には、第2番目のスタ
ートアドレスがY10に設定される。この場合には、カ
ラムデコーダ5aは、カラムアドレス信号AY2に応答
して、後述する論理に従って、カラム選択信号CSL
3,CSL4をハイに立ち上げ、カラム選択回路SL
3,SL4を同時に活性化する。それにより、ビット線
対BL9〜BL12上のデータD9〜D12が入出力線
対IO1〜IO4に読出され、ビット線対BL13〜B
L16上のデータが入出力線対IO5〜IO8に読出さ
れる。
【0104】この場合には、入出力線切換回路18は、
順次カウントアップされるカラムアドレス信号AY2の
3ビットA0,A1,A2に応答して、まず入出力線対
IO2,IO3,IO4を順次グローバル入出力線対G
IO2,GIO3,GIO4に接続し、次に入出力線対
IO5,IO6,IO7,IO8を順次グローバル入出
力線対GIO1,GIO2,GIO3,GIO4に接続
し、さらに入出力線対IO1をグローバル入出力線対G
IO1に接続する。
【0105】このようにして、入出力端子I/Oからデ
ータD10,D11,D12,D13,D14,D1
5,D16,D9が出力される。
【0106】次に、この実施例のDRAMの各部の詳細
な構成を説明する。図8は、アドレスカウンタ16aの
構成の一例を示す図である。また、図9は、シリアルモ
ード時およびラッピングモード時のアドレスカウンタ1
6aのアドレス進行例を示す図である。
【0107】アドレスカウンタ16aは、2進カウンタ
160およびANDゲート161を含む。2進カウンタ
160には、カラムアドレス信号がスタートアドレスと
して設定される。2進カウンタ160は、クロック信号
CLKに応答してスタートアドレスをカウントアップま
たはカウントダウンして出力する。ANDゲート161
は2進カウンタ160の3ビット目の桁上げパルス出力
端子と4ビット目の桁上げパルス入力端子との間に接続
される。
【0108】ANDゲート161の一方の入力端子にモ
ード制御信号MDが与えられ、他方の入力端子には3ビ
ット目の桁上げパルス出力端子から桁上げパルスCRが
与えられる。ANDゲート161の出力信号は、2進カ
ウンタ160の4ビット目の桁上げパルス入力端子に与
えられる。
【0109】シリアルモード時には、モード制御信号M
Dがハイに設定される。それにより、アドレスカウンタ
16aから発生されるアドレスは、図9の(a)に示さ
れるように進行する。
【0110】ラッピングモード時には、モード制御信号
MDはローに設定される。それにより、アドレスカウン
タ16aにより発生されるアドレスは、図9の(b)に
示されるように進行する。
【0111】すなわち、シリアルモード時には、クロッ
ク信号CLKに応答して、カラムアドレス信号がスター
トアドレスから順次1ずつインクリメントされる。ま
た、ラッピングモード時には、クロック信号CLKに応
答して、カラムアドレス信号の3ビットA2,A1,A
0がスタートアドレスから“111”になるまで順次1
ずつインクリメントされ、その後“000”に戻され、
さらにクロック信号CLKに応答して順次1ずつインク
リメントされる。
【0112】図9には、カラムアドレス信号の5ビット
A4,A3,A2,A1,A0のみが示されている。シ
リアルモード時には、カラムアドレス信号のビットAn
〜A5も変化するが、ラッピングモード時には、カラム
アドレス信号のビットAn〜A5はスタートアドレスの
設定時の状態のまま変化しない。
【0113】図10は、カラムデコーダ5aに含まれる
メインデコーダ50の一部および最下位プリデコーダ5
1を示す図である。また、図11は最下位プリデコーダ
51の真理値表を従来の最下位プリデコーダの真理値表
と比較して示す図である。
【0114】最下位プリデコーダ51には、カラムアド
レス信号の2ビットA2,A3およびモード制御信号M
Dが与えられる。最下位プリデコーダ51の出力信号P
1〜P4はメインデコーダ50に与えらえる。メインデ
コーダ50は、最下位プリデコーダ51の出力信号P1
〜P4および図示しない他のプリデコーダの出力信号に
応答して、1つまたは2つのカラム選択信号をハイに立
ち上げる。
【0115】従来のプリデコーダにおいては、図11の
(a)に示されるように、カラムアドレス信号の2ビッ
トA2,A3に応答して出力信号P1〜P4のいずれか
1つが“1”となる。
【0116】これに対して、図10に示される最下位プ
リデコーダ51においては、シリアルモード時には、図
11の(b)に示されるように、カラムアドレス信号の
2ビットA2,A3に応答して、出力信号P1〜P4の
うちいずれか2つが“1”となる。アドレスラッピング
モード時には、図11の(c)に示されるように、カラ
ムアドレス信号の2ビットA2,A3に応答して、入出
力信号P1〜P4のうちいずれか2つが“1”となる。
【0117】ただし、実際の回路では、図10に示され
る各カラム選択信号と他の論理ゲートの信号との論理演
算により、動作モードに応じて各カラム選択信号の活性
化期間が調整される。
【0118】図12は、入出力線切換回路18の構成を
示す図である。入出力線切換回路18は、アドレス変換
論理回路180および切換回路181を含む。アドレス
変換論理回路180は、カラムアドレス信号の3ビット
A0,A1,A2を受け、スイッチ信号S1〜S8を発
生する。アドレス変換論理回路180の真理値表を図1
3に示す。アドレス変換論理回路180は、図13の真
理値表に従って切換回路181を制御する。
【0119】切換回路181は、スイッチ信号S1〜S
8に応答して、入出力線対IO1,IO5の一方、入出
力線対IO2,IO6の一方、入出力線対IO3,IO
7の一方および入出力線対IO4,IO8の一方をそれ
ぞれグローバル入出力線対GIO1,GIO2,GIO
3,GIO4に接続する。
【0120】図14は、切換回路181の詳細な構成を
示す回路図である。切換回路181は、Pチャネルトラ
ンジスタP1〜P8およびNチャネルトランジスタN5
〜N8を含む。
【0121】スイッチ信号S1が“1”のときには入出
力線対IO1がグローバル入出力線対GIO1に接続さ
れ、スイッチ信号S5が“1”のときには入出力線対I
O5がグローバル入出力線対GIO1に接続される。ス
イッチ信号S2が“1”のときには入出力線対IO2が
グローバル入出力線対GIO2に接続され、スイッチ信
号S6が“1”のときには入出力線対IO6がグローバ
ル入出力線対GIO2に接続される。スイッチ信号S3
が“1”のときには入出力線対IO3がグローバル入出
力線対GIO3に接続され、スイッチ信号S7が“1”
のときには入出力線対IO7がグローバル入出力線対G
IO3に接続される。スイッチ信号S4が“1”のとき
には入出力線対IO4がグローバル入出力線対GIO4
に接続され、スイッチ信号S8が“1”のときには入出
力線対IO8がグローバル入出力線対GIO4に接続さ
れる。
【0122】(2) 第2の実施例 図15は、第2の実施例によるDRAMの全体の構成を
示すブロック図である。第2の実施例によるDRAMが
第1の実施例によるDRAMと異なるのは次の点であ
る。
【0123】カラム選択回路群4bの構成が、後述する
ようにカラム選択回路群4と異なる。また、図1の入出
力線切換回路18が設けられておらず、プリアンプ9
は、読出データバスRDB1〜RDB8を介して並/直
変換回路10に接続されている。また、直/並変換回路
7および並/直変換回路10は、第1の実施例とは異な
り、8ビット構成を有する。
【0124】図16は、図15に示されるDRAMの主
要部の詳細な構成を示す図である。図16において、メ
モリアレイ1およびセンスアンプ群3の構成は、図2に
示される構成と同様である。カラム選択回路群4bは、
複数のビット線グループに対応して設けられた複数の第
1のカラム選択回路および複数のビット線グループに対
応して設けられた複数の第2のカラム選択回路を含む。
図16には、ビット線グループBG1〜BG4にそれぞ
れ対応する第1のカラム選択回路SL1a〜SL4a、
およびビット線グループBG1〜BG4にそれぞれ対応
する第2のカラム選択回路SL1b〜SL4bが示され
る。
【0125】複数の第1カラム選択回路が第1の接続手
段グループを構成し、複数の第2カラム選択回路が第2
の接続手段グループを構成する。
【0126】各ビット線グループ内の4つのビット線対
は、対応する第1のカラム選択回路を介して第1の入出
力線グループIOG1内の4つの入出力線対IO1〜I
O4にそれぞれ接続され、かつ対応する第2のカラム選
択回路を介して第2の入出力線グループIOG2内の4
つの入出力線対IO5〜IO8にそれぞれ接続される。
【0127】たとえば、ビット線グループBG1内のビ
ット線対BL1〜BL4は、第1のカラム選択回路SL
1aを介して第1の入出力線グループIOG1内の4つ
の入出力線対IO1〜IO4にそれぞれ接続され、かつ
第2のカラム選択回路SL1bを介して第2の入出力線
グループIOG2内の4つの入出力線対IO5〜IO8
にそれぞれ接続される。他のビット線グループ内の4つ
のビット線対も同様に接続される。
【0128】カラムデコーダ5bは、カラム選択回路群
4b内の複数の第1のカラム選択回路を選択するための
複数の第1のカラム選択信号およびカラム選択回路群4
b内の複数の第2のカラム選択回路を選択するための複
数の第2のカラム選択信号を発生する。図16において
は、カラムデコーダ5bは、第1のカラム選択信号CS
L1a〜CSL4aをそれぞれ第1のカラム選択回路S
L1a〜SL4aに与え、第2のカラム選択信号CSL
1b〜CSL4bをそれぞれ第2のカラム選択回路SL
1b〜SL4bに与える。
【0129】図17は、図16に示される構成のうち主
要部のみを概略的に示す図である。図17に示されるよ
うに、ビット線グループBG1は第1および第2のカラ
ム選択回路SL1a,SL1bを介してそれぞれ第1お
よび第2の入出力線グループIOG1,IOG2に接続
され、ビット線グループBG2は第1および第2のカラ
ム選択回路SL2a,SL2bを介してそれぞれ第1お
よび第2の入出力線グループIOG1,IOG2に接続
されている。また、ビット線グループBG3は第1およ
び第2のカラム選択回路SL3a,SL3bを介してそ
れぞれ第1および第2の入出力線グループIOG1,I
OG2に接続され、ビット線グループBG4は第1およ
び第2のカラム選択回路SL4a,SL4bを介してそ
れぞれ第1および第2の入出力線グループIOG1,I
OG2に接続されている。
【0130】そのため、1つの第1のカラム選択回路お
よび1つの第2のカラム選択回路を同時に活性化するこ
とが可能となる。たとえば、第1のカラム選択回路SL
1aおよび第2のカラム選択回路SL2bを同時に活性
化することができる。第2のカラム選択回路SL2bお
よび第1のカラム選択回路SL3aを同時に活性化する
こともできる。
【0131】なお、同じビット線グループに接続される
第1および第2のカラム選択回路を同時に活性化するこ
とはできない。
【0132】図18は、シリアルモードにおいて活性化
されるカラム選択回路およびアクセスされる範囲を示す
図である。ただし、図18は8ビット読出の場合を示
す。図19は、アドレスラッピングモードにおいて活性
化されるカラム選択回路およびアクセスされる範囲を示
す図である。
【0133】図29を用いて説明したように、出力され
るデータ間にギャップが生じ得るのは、スタートアドレ
スとして、Y4,Y8のように各ビット線グループ内の
最上位のカラムアドレスが選択された場合である。した
がって、この場合には、スタートアドレスに対応する第
1のカラム選択回路および次のカラムアドレスに対応す
る第2のカラム選択回路を同時または順次活性化するか
あるいはスタートアドレスに対応する第2のカラム選択
回路および次のカラムアドレスに対応する第1のカラム
選択回路を同時または順次活性化する必要がある。
【0134】その他の場合には、図29に示すようなデ
ータギャップは生じないので、選択されたカラムアドレ
スに対応して、第1または第2のカラム選択回路を任意
に順次活性化することができる。第1および第2の選択
回路のどちらを活性化するかは、カラムデコーダ5bの
構成によって決定される。
【0135】図18および図19の例では、最初に必ず
第1のカラム選択回路が活性化される。その最初のカラ
ム選択回路が活性化されている期間にアクセスされるビ
ット数、すなわち読出されるデータの数が偶数のときに
は、以後は、第1のカラム選択回路が順に活性化され
る。最初のカラム選択回路が活性化されている期間にア
クセスされるビット数、すなわち読出されるデータの数
が奇数のときには、以後は、第2のカラム選択回路が順
に活性化される。
【0136】図18の8ビット読出の場合において、た
とえば、スタートアドレスがY1に設定されると、予め
定められた論理により第1のカラム選択回路SL1aお
よび第1のカラム選択回路SL2aが順に活性化され
る。この場合、カラムアドレスY1,Y2,Y3,Y4
にアクセスが行なわれ、さらにカラムアドレスY5,Y
6,Y7,Y8にアクセスが行なわれる。
【0137】すなわち、ビット線対BL1,BL2,B
L3,BL4上のデータが、第1のカラム選択回路SL
1aを介して、入出力線対IO1,IO2,IO3,I
O4に与えられ、さらに、ビット線対BL5,BL6,
BL7,BL8上のデータが、第1のカラム選択回路S
L2aを介して、入出力線対IO5,IO6,IO7,
IO8に与えられる。
【0138】スタートアドレスがY2に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第2のカラム選択回路SL2bおよび第2のカラム
選択回路SL3bが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、カ
ラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行な
われ、さらにカラムアドレスY9にアクセスが行なわれ
る。
【0139】すなわち、ビット線対BL2,BL3,B
L4上のデータが、第1のカラム選択回路SL1aを介
して、入出力線対IO2,IO3,IO4に与えられ、
ビット線対BL5,BL6,BL7,BL8上のデータ
が、第2のカラム選択回路SL2bを介して、入出力線
対IO5,IO6,IO7,IO8に与えられ、さら
に、ビット線対BL9上のデータが、第2のカラム選択
回路SL3bを介して、入出力線対IO5に与えられ
る。
【0140】スタートアドレスがY3に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第1のカラム選択回路SL2aおよび第1のカラム
選択回路SL3aが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY3,Y4にアクセスが行なわれ、カラムア
ドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY9,Y10にアクセスが行なわ
れる。
【0141】すなわち、ビット線対BL3,BL4上の
データが、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入
出力線対IO3,IO4に与えられ、ビット線対BL
5,BL6,BL7,BL8上のデータが、第1のカラ
ム選択回路SL2aを介して、入出力線対IO1,IO
2,IO3,IO4に与えられ、さらに、ビット線対B
L9,BL10上のデータが、第1のカラム選択回路S
L3aを介して、入出力線対IO1,IO2に与えられ
る。
【0142】スタートアドレスがY4に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
aおよび第2のカラム選択回路SL2bが同時または順
に活性化され、さらに第2のカラム選択回路SL3bが
活性化される。この場合、カラムアドレスY4にアクセ
スが行なわれ、カラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8
にアクセスが行なわれ、さらにカラムアドレスY9,Y
10,Y11にアクセスが行なわれる。
【0143】すなわち、ビット線対BL4上のデータ
が、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入出力線
対IO1に与えられ、ビット線対BL5,BL6,BL
7,BL8上のデータが、第2のカラム選択回路SL2
bを介して、入出力線対IO5,IO6,IO7,IO
8に与えられ、さらに、ビット線対BL9,BL10,
BL11上のデータが、第2のカラム選択回路SL3b
を介して、入出力線対IO5,IO6,IO7に与えら
れる。
【0144】このように、スタートアドレスがY4に設
定された場合には、第1のカラム選択回路SL1aおよ
び第2のカラム選択回路SL2bが同時または順次活性
化される。
【0145】したがって、スタートアドレスとしてどの
カラムアドレスが選択された場合でも、連続的なシリア
ルアクセスが可能となる。
【0146】図19において、たとえば、スタートアド
レスがY1に設定されると、予め定められた論理により
第1のカラム選択回路SL1aおよび第1のカラム選択
回路SL2aが順に活性化される。この場合、カラムア
ドレスY1,Y2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセ
スが行なわれる。
【0147】すなわち、ビット線対BL1,BL2,B
L3,BL4上のデータが、第1のカラム選択回路SL
1aを介して、入出力線対IO1,IO2,IO3,I
O4に与えられ、さらに、ビット線対BL5,BL6,
BL7,BL8上のデータが、第1のカラム選択回路S
L2aを介して、入出力線対IO1,IO2,IO3,
IO4に与えられる。
【0148】スタートアドレスがY2に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第2のカラム選択回路SL2bおよび第2のカラム
選択回路SL1bが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY2,Y3,Y4にアクセスが行なわれ、カ
ラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行な
われ、さらにカラムアドレスY1にアクセスが行なわれ
る。
【0149】すなわち、ビット線対BL2,BL3,B
L4上のデータが、第1のカラム選択回路SL1aを介
して、入出力線対IO2,IO3,IO4に与えられ、
ビット線対BL5,BL6,BL7,BL8上のデータ
が、第2のカラム選択回路SL2bを介して、入出力線
対IO5,IO6,IO7,IO8に与えられ、さら
に、ビット線対BL1上のデータが、第2のカラム選択
回路SL1bを介して、入出力線対IO5に与えられ
る。
【0150】スタートアドレスがY3に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第1のカラム選択回路SL2aおよび第1のカラム
選択回路SL1aが順に活性化される。この場合、カラ
ムアドレスY3,Y4にアクセスが行なわれ、カラムア
ドレスY5,Y6,Y7,Y8にアクセスが行なわれ、
さらにカラムアドレスY1,Y2にアクセスが行なわれ
る。
【0151】すなわち、ビット線対BL3,BL4上の
データが、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入
出力線対IO3,IO4に与えられ、さらに、ビット線
対BL5,BL6,BL7,BL8上のデータが、第1
のカラム選択回路SL2aを介して、入出力線対IO
1,IO2,IO3,IO4に与えられ、さらに、ビッ
ト線対BL1,BL2上のデータが、第1のカラム選択
回路SL1aを介して、入出力線対IO1,IO2に与
えられる。
【0152】スタートアドレスがY4に設定されると、
予め定められた論理により第1のカラム選択回路SL1
a、第2のカラム選択回路SL2bが同時または順に活
性化され、さらに第2のカラム選択回路SL1bが活性
化される。この場合、カラムアドレスY4にアクセスが
行なわれ、カラムアドレスY5,Y6,Y7,Y8にア
クセスが行なわれ、さらにカラムアドレスY1,Y2,
Y3にアクセスが行なわれる。
【0153】すなわち、ビット線対BL4上のデータ
が、第1のカラム選択回路SL1aを介して、入出力線
対IO4に与えられ、ビット線対BL5,BL6,BL
7,BL8上のデータが、第2のカラム選択回路SL2
bを介して、入出力線対IO5,IO6,IO7,IO
8に与えられ、さらに、ビット線対BL1,BL2上の
データが、第2のカラム選択回路SL1bを介して、入
出力線対IO5,IO6,IO7に与えられる。
【0154】このように、スタートアドレスがYに設
定された場合には、第1のカラム選択回路SL1aおよ
び第2のカラム選択回路SL2bが同時にまたは順次活
性化される。
【0155】したがって、スタートアドレスとしてどの
カラムアドレスが選択された場合でも、連続的なアドレ
スラッピングが可能となる。
【0156】次に図20および図21を参照しながらこ
の実施例のDRAMにおけるシリアルモードおよびペー
ジモードの動作を説明する。図20は、シリアルモード
においてスタートアドレスがY4に設定された場合の動
作を示すタイミング図である。図21は、ページモード
においてランダムなカラム選択が行なわれる場合の動作
を示すタイミング図である。
【0157】シリアルモードにおいては、図20に示さ
れるように、外部ロウアドレスストローブ信号/RAS
がローに立下がると、外部から与えられるアドレス信号
ADDがロウアドレス信号AXとしてロウデコーダ2に
与えられる。その後、外部カラムアドレスストローブ信
号/CASがローに立下がると、外部から与えられるア
ドレス信号ADDがカラムアドレス信号AYとしてアド
レスカウンタ16aに与えられる。
【0158】カラムアドレス信号AYがカラムアドレス
Y4を指定している場合には、スタートアドレスがY4
に設定される。カラムデコーダ5bは、カラムアドレス
信号AYに応答して、予め定められた論理に従って、第
1のカラム選択信号CSL1aおよび第2のカラム選択
信号CSL2bを順次活性化する。それにより、ビット
線対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力線対
IO1〜IO4に読出され、ビット線対BL5〜BL8
上のデータD5〜D8が入出力線対IO5〜IO8に読
出される。
【0159】入出力線対IO1〜IO4上のデータD1
〜D4および入出力線対IO5〜IO8上のデータD5
〜D8は、プリアンプ9により増幅され、それぞれ読出
データバスRDB1〜RDB8に与えられる。並/直変
換回路10は、順次カウントアップされるカラムアドレ
ス信号AYの3ビットA0,A1,A2に応答して、デ
ータD4〜D8を順次選択して出力バッファ11に与え
る。
【0160】カラム選択信号CSL2bの立下がり後、
カラムデコーダ5bは、カラムアドレス信号AYに応答
して、予め定められた論理に従って、第2のカラム選択
信号CSL3bをハイに立上げる。それにより、データ
D9〜D12が入出力線対IO5〜IO8に読出され
る。入出力線対IO5〜IO8上のデータD9〜D12
は、プリアンプ9により増幅され、それぞれ読出データ
バスRDB5〜RDB8に与えられる。並/直変換回路
10は、順次カウントアップされるカラムアドレス信号
AYの3ビットA0,A1,A2に応答して、データD
9〜D12を順次選択して出力バッファ11に与える。
【0161】カラム選択信号CSL3bの立下がり後、
カラムデコーダ5bは、カラムアドレス信号AYに応答
して、予め定められた論理に従って、第2のカラム選択
信号CSL4bをハイに立上げる。それにより、データ
D13〜D16が入出力線対IO5〜IO8に読出され
る。
【0162】このようにして、入出力端子I/Oからシ
リアルにデータが出力される。ページモードにおいて
も、図21に示されるように、外部ロウアドレスストロ
ーブ信号/RASがローに立下がると、外部から与えら
れるアドレス信号ADDがロウアドレス信号AXとして
ロウデコーダ2に与えられる。その後、外部カラムアド
レスストローブ信号/CASがローに立下がると、外部
からランダムに与えられるアドレス信号ADDがカラム
アドレス信号AY1,AY2,AY3,…としてアドレ
スカウンタ16aに与えられる。
【0163】図21の例においては、カラムアドレス信
号AY1〜AY10がそれぞれカラムアドレスY3,Y
6,Y11,Y4,Y8,Y7,Y2,Y9,Y5,Y
10を指定している。
【0164】カラムデコーダ5bは、カラムアドレス信
号AY1に応答して、予め定められた論理に従って、第
1のカラム選択信号CSL1aをハイに立上げ、第1の
カラム選択回路SL1aを活性化する。それにより、ビ
ット線対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力
線対IO1〜IO4に読出される。入出力線対IO1〜
IO4上のデータD1〜D4はプリアンプ9により増幅
され、それぞれ読出データバスRDB1〜RDB4に与
えられる。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号
AY1の3ビットA0,A1,A2に応答して、データ
D3を選択して出力バッファ11に与える。
【0165】次に、カラムデコーダ5bは、カラムアド
レス信号AY2に応答して、予め定められた論理に従っ
て、第2のカラム選択信号CSL2bをハイに立上げ、
第2のカラム選択回路SL2bを活性化する。それによ
り、ビット線対BL5〜BL8上のデータD5〜D8が
入出力線対IO5〜IO8に読出される。入出力線対I
O5〜IO8上のデータD5〜D8は、プリアンプ9に
より増幅され、それぞれ読出データバスRDB5〜RD
B8に与えられる。並/直変換回路10は、カラムアド
レス信号AY2の3ビットA0,A1,A2に応答し
て、データD6を選択して出力バッファ11に与える。
【0166】カラムデコーダ5bは、第1のカラム選択
信号CSL1aの立下がり後、カラムアドレス信号AY
3に応答して、予め定められた論理に従って、第1のカ
ラム選択信号CSL3aをハイに立上げ、第1のカラム
選択回路SL3aを活性化する。それにより、ビット線
対BL9〜BL12上のデータD9〜D12が入出力線
対IO1〜IO4に読出される。入出力線対IO1〜I
O4上のデータは、プリアンプ9により増幅され、それ
ぞれ読出データバスRDB1〜RDB4に与えられる。
並/直変換回路10は、カラムアドレス信号AY3の3
ビットA0,A1,A2に応答して、データD11を選
択して出力バッファ11に与える。
【0167】カラムデコーダ5bは、第2のカラム選択
信号CSL2bの立下がり後、カラムアドレス信号AY
4に応答して、予め定められた論理に従って、第2のカ
ラム選択信号CSL1bをハイに立上げ、第2のカラム
選択回路SL1bを活性化する。それにより、ビット線
対BL1〜BL4上のデータD1〜D4が入出力線対I
O5〜IO8に読出される。入出力線対IO5〜IO8
上のデータD1〜D4は、プリアンプ9により増幅さ
れ、それぞれ読出データバスRDB5〜RDB8に与え
られる。並/直変換回路10は、カラムアドレス信号A
Y4の3ビットA0,A1,A2に応答して、データD
4を選択して出力バッファ11に与える。
【0168】さらに、カラムデコーダ5bは、第1のカ
ラム選択信号CSL3aの立下がり後、第1のカラム選
択信号CLS2aをハイに立上げ、第2のカラム選択信
号CSL1bの立下がり後、第2のカラム選択信号CS
L3bをハイに立上げ、第1のカラム選択回路SL2a
および第2のカラム選択回路SL3bを順次活性化す
る。それにより、ビット線対BL5〜BL8上のデータ
D5〜D8が入出力線対IO1〜IO4に読出され、ビ
ット線対BL9〜BL12上のデータD9〜D12が入
出力線対IO5〜IO8に読出される。
【0169】このようにして、入出力端子I/Oからデ
ータD3,D6,D11,D4,D8,D7,D2,D
9,D5,D10がシリアルに出力される。
【0170】このようにランダムなカラム選択を行なう
ページモードにおいては、第1のカラム選択回路および
第2のカラム選択回路が交互に選択される。
【0171】したがって、2つのビット線グループを第
1および第2の入出力線グループIOG1,IOG2に
同時にまたは順次接続することができるので、あるカラ
ムアドレスにアクセスを行なっている間に、次のカラム
アドレスのためのカラム選択を同時に行なうことができ
る。したがって、ページモードにおいても連続的な高速
のアクセスが可能となる。
【0172】図22は、カラムデコーダ5bの主要部の
構成を示す図である。カラムデコーダ5bは、カラムメ
インデコーダ50a,50b、カラムプリデコーダ51
a、51b、アドレスラッチ52a,52b、アドレス
比較器53およびANDゲート54a,54bを含む。
【0173】外部カラムアドレスストローブ信号/CA
Sがローのときに、カラムアドレスバッファ13から与
えられるカラムアドレス信号がアドレスカウンタ16a
にセットされる。
【0174】アドレスカウンタ16aは、外部カラムア
ドレスストローブ信号/CASがハイのときに、カウン
トアップ動作を行なう。
【0175】アドレスラッチ52a,52bおよびアド
レス比較器53には、アドレスカウンタ16aからのカ
ラムアドレス信号のビットA2〜Anが与えられる。ア
ドレス比較器53は、アドレスカウンタ16aからのカ
ラムアドレス信号をアドレスラッチ52a,52bの各
々にラッチされたカラムアドレス信号と比較し、比較結
果を示す出力信号MMを発生する。
【0176】ANDゲート54aの一方の入力端子には
奇数クロック信号CLKoが与えられる。ANDゲート
54bの一方の入力端子には偶数クロック信号CLKe
が与えられる。奇数クロック信号CLKoは、最初のカ
ラムアドレス信号が入力された後クロック信号CLKの
奇数番目のパルスに応答してハイになる信号である。偶
数クロック信号CLKeは、最初のカラムアドレス信号
が入力された後クロック信号CLKの偶数番目のパルス
に応答してハイになる信号である。また、アドレス比較
器53の出力信号MMは、比較結果が一致を表わす場合
にローとなり、比較結果が不一致を表わす場合にハイと
なる。
【0177】ANDゲート54aの出力信号がハイにな
ると、アドレスラッチ52aは、アドレスカウンタ16
aから与えられるカラムアドレス信号をラッチしてカラ
ムプリデコーダ51aに出力する。カラムプリデコーダ
51aは、アドレスラッチ52aから与えられるカラム
アドレス信号をプリデコードし、プリデコードされた信
号をカラムメインデコーダ50aに与える。カラムメイ
ンデコーダ50aは、カラムプリデコーダ51aの出力
信号をデコードし、複数の第1のカラム選択信号CSL
1a〜CSLmaのうちいずれか1つを活性化する。
【0178】ANDゲート54bの出力信号がハイにな
ると、アドレスラッチ52bは、アドレスカウンタ16
aから与えられるカラムアドレス信号をラッチしてカラ
ムプリデコーダ51bに出力する。カラムプリデコーダ
51bは、アドレスラッチ52bから与えられるカラム
アドレス信号をプリデコードし、プリデコードされた信
号をカラムメインデコーダ50bに与える。カラムメイ
ンデコーダ50bは、カラムプリデコーダ51bの出力
信号をデコードし、複数の第2のカラム選択信号CSL
1b〜CSLmbのうちいずれか1つを活性化する。
【0179】図22のカラムデコーダ5bによれば、最
初のカラムアドレス信号が入力された後クロック信号C
LKの奇数番目のパルス発生時に新たなカラムアドレス
信号が与えられると、複数の第1のカラム選択信号のう
ち1つが活性化される。また、最初のカラムアドレス信
号が入力された後クロック信号CLKの偶数番目のパル
スの発生時に新たなカラムアドレス信号が与えられる
と、複数の第2のカラム選択信号のうち1つが活性化さ
れる。
【0180】(3) 第3の実施例 図23は、第3の実施例によるDRAMの主要部の詳細
な構成を示す図である。第3の実施例によるDRAMの
全体の構成は、図1に示される構成と同様である。図2
3のDRAMは、レイアウトにおいてのみ図2のDRA
Mと異なる。
【0181】メモリアレイ1(図1参照)は、第1およ
び第2のメモリアレイ11,12に分割される。第1の
メモリアレイ11は複数の第1のビット線グループを含
み、第2のメモリアレイ12は複数の第2のビット線グ
ループを含む。図23においては、メモリアレイ11が
第1のビット線グループBG1,BG3を含み、第2の
メモリアレイ12が第2のビット線グループBG2,B
G4を含む。
【0182】センスアンプ群3は、第1および第2のセ
ンスアンプ群31,32に分割される。また、カラム選
択回路群4は、第1および第2のカラム選択回路群4
1,42に分割される。図23においては、第1のカラ
ム選択回路群41がカラム選択回路SL1,SL3を含
み、第2のカラム選択回路群42がカラム選択回路SL
2,SL4を含む。
【0183】第1のメモリアレイ11内の第1のビット
線グループBG1,BG3の一端側に、第1の入出力線
グループIOG1が各ビット線対と垂直に配置される。
また、第2のメモリアレイ12内の第2のビット線グル
ープBG2,BG4の一端側に、第2の入出力線グルー
プIOG2が各ビット線対と垂直に配置される。
【0184】第1の入出力線グループIOG1と第2の
入出力線グループIOG2との間に入出力線切換回路1
8が配置される。
【0185】また、カラムデコーダ5aは、第1および
第2のカラムデコーダ5c,5dに分割されている。第
1のカラムデコーダ5cは、第1のメモリアレイ11内
の複数のビット線グループをそれぞれ選択する複数のカ
ラム選択信号を発生する。第2のカラムデコーダ5d
は、第2のメモリアレイ12内の複数のビット線グルー
プをそれぞれ選択する複数のカラム選択信号を発生す
る。
【0186】この実施例のDRAMの動作は、レイアウ
ト上の差異による信号経路の違いを除いて第1の実施例
のDRAMの動作と同様である。
【0187】
【発明の効果】以上のように、第1ないし第4の発明に
よれば、複数のビット線グループを同時にまたは所定の
時間差をもってそれぞれ対応する入出力線グループに接
続することが可能となるので、ある1つの入出力線グル
ープ内の入出力線にアクセスしている間に他の入出力線
グループ内の入出力線にデータを準備することができ
る。そのため、アクセス速度が高速化され、かつアクセ
スされたデータ間にギャップが生じない。
【0188】したがって、高速なアクセスが可能な半導
体記憶装置が得られる。また、ページモード、ラップモ
ード、シリアルモード等の各種のアクセスモードの高速
化および高ビットレート化が可能な半導体記憶装置が得
られる。さらに、スタートアドレスの制限なく高速のシ
リアルモードが実現された半導体記憶装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例によるDRAMの全体の構成を示
すブロック図である。
【図2】図1のDRAMの主要部の詳細な構成を示す図
である。
【図3】図2に示される構成のうち主要部のみを概略的
に示す図である。
【図4】シリアルモードにおいて新たなカラム選択回路
の活性化を必要とせずにアクセスできる範囲を示す図で
ある。
【図5】アドレスラッピングモードにおいて新たなカラ
ム選択回路の活性化を必要とせずにアクセスできる範囲
を示す図である。
【図6】図1および図2のDRAMにおけるシリアルモ
ードの動作を説明するためのタイミング図である。
【図7】図1および図2のDRAMにおけるアドレスラ
ッピングモードの動作を説明するためのタイミング図で
ある。
【図8】アドレスカウンタの構成の一例を示す図であ
る。
【図9】図8のアドレスカウンタの真理値表を示す図で
ある。
【図10】カラムデコーダの一部の構成を示す図であ
る。
【図11】最下位プリデコーダの真理値表を従来の最下
位プリデコーダの真理値表と比較して示す図である。
【図12】入出力線切換回路の構成を示す図である。
【図13】入出力線切換回路に含まれるアドレス変換論
理回路の真理値表を示す図である。
【図14】入出力線切換回路に含まれる切換回路の構成
を示す回路図である。
【図15】第2の実施例によるDRAMの全体の構成を
示すブロック図である。
【図16】図15のDRAMの主要部の詳細な構成を示
す図である。
【図17】図16に示される構成のうち主要部のみを概
略的に示す図である。
【図18】シリアルモードにおいて活性化されるカラム
選択回路およびアクセスされる範囲を示す図である。
【図19】アドレスラッピングモードにおいて活性化さ
れるカラム選択回路およびアクセスされる範囲を示す図
である。
【図20】図15のDRAMにおけるシリアルモードの
動作を説明するためのタイミング図である。
【図21】図15のDRAMにおけるページモードの動
作を説明するためのタイミング図である。
【図22】図15のDRAMに含まれるカラムデコーダ
の構成の一例を示すブロック図である。
【図23】第3の実施例によるDRAMの主要部の詳細
な構成を示す図である。
【図24】従来のDRAMの全体の構成を示すブロック
図である。
【図25】図24のDRAMの主要部の詳細な構成を示
す図である。
【図26】図25に示される構成のうち主要部のみを概
略的に示す図である。
【図27】図24および図25のDRAMにおいて新た
なカラム選択回路の活性化を必要とせずにアクセスでき
る範囲を示す図である。
【図28】図24および図25のDRAMにおけるシリ
アルモードの動作を説明するためのタイミング図であ
る。
【図29】図24および図25のDRAMにおけるシリ
アルモードの動作の問題点を説明するためのタイミング
図である。
【符号の説明】 1 メモリアレイ 2 ロウデコーダ 3 センスアンプ群 4,4b カラム選択回路群 5a,5b カラムデコーダ 10 並/直変換回路 16a アドレスカウンタ 18 入出力線切換回路 BG1,BG2 第1のビット線グループ BG3,BG4 第2のビット線グループ BL1〜BL16 ビット線対 WL ワード線 MC メモリセル SL1〜SL4 カラム選択回路 SL1a〜SL4a 第1のカラム選択回路 SL1b〜SL4b 第2のカラム選択回路 IOG1 第1の入出力線グループ IOG2 第2の入出力線グループ TG トランスファゲート CSL1〜CSL4,CSL1a〜CSL4a,CSL
1b〜CSL4b カラム選択信号 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図21
【補正方法】変更
【補正内容】
【図21】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数行および複数列に配列され、各々が
    データを記憶する複数のメモリセルと、 前記複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメ
    モリセルに接続された複数のビット線とを備え、 前記複数のビット線は、各々が所定数のビット線を含む
    複数のビット線グループに区分され、前記複数のビット
    線グループはn個のメイングループに分類され、 前記n個のメイングループに対応して設けられ、各々が
    所定数の入出力線を含むn個の入出力線グループと、 前記複数のビット線グループに対応して設けられ、各々
    が対応するビット線グループと対応する入出力線グルー
    プとの間に接続された複数の接続手段と、 前記複数のビット線グループのいずれかを選択するため
    に前記複数の接続手段に対応する複数の選択信号を選択
    的に発生する列選択手段とをさらに備え、 前記複数の接続手段の各々は、対応する選択信号に応答
    して活性化され、対応するビット線グループ内の各ビッ
    ト線を対応する入出力線グループ内の各入出力線にそれ
    ぞれ接続し、 前記列選択手段は、異なる入出力線グループに接続され
    た複数の接続手段を同時にまたは所定の時間差をもって
    活性化する手段を含む、半導体記憶装置。
  2. 【請求項2】 複数行および複数列に配列され、各々が
    データを記憶する複数のメモリセルと、 前記複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメ
    モリセルに接続された複数のビット線とを備え、 前記複数のビット線は、各々が所定数のビット線を含む
    複数のビット線グループに区分され、 各々が所定数の入出力線を含むn個の入出力線グループ
    と、 前記n個の入出力線グループに対応して設けられたn個
    の接続手段グループとをさらに備え、 前記n個の接続手段グループの各々は、前記複数のビッ
    ト線グループに対応して設けられた複数の接続手段を含
    み、前記複数の接続手段の各々は、対応するビット線グ
    ループと対応する入出力線グループとの間に接続され、 前記複数のビット線グループのいずれかを選択するため
    に各接続手段グループ内の前記複数の接続手段に対応す
    る複数の選択信号を選択的に発生する列選択手段をさら
    に備え、 各接続手段グループ内の前記複数の接続手段の各々は、
    対応する選択信号に応答して活性化され、対応するビッ
    ト線グループ内の各ビット線を対応する入出力線グルー
    プ内の各入出力線にそれぞれ接続し、 前記列選択手段は、異なる入出力線グループに接続され
    た複数の接続手段を同時にまたは所定の時間差をもって
    活性化する手段を含む、半導体記憶装置。
  3. 【請求項3】 複数行および複数列に配列され、各々が
    データを記憶する複数のメモリセルと、 前記複数列に対応して設けられ、各々が対応する列のメ
    モリセルに接続された複数のビット線とを備え、 前記複数のビット線は、各々が所定数のビット線を含む
    複数のビット線グループに区分され、前記複数のビット
    線グループはn個のメイングループに分類され、 前記n個のメイングループの各ビット線グループは交互
    に配置され、 前記n個のメイングループに対応して設けられ、各々が
    所定数の入出力線を含むn個の入出力線グループと、 前記複数のビット線グループに対応して設けられ、各々
    が対応するビット線グループと対応する入出力線グルー
    プとの間に接続された複数の接続手段と、 前記複数のビット線グループのいずれかを選択するため
    に前記複数の接続手段に対応する複数の選択信号を選択
    的に発生する列選択手段とをさらに備え、 前記複数の接続手段の各々は、対応する選択信号に応答
    して活性化され、対応するビット線グループ内の各ビッ
    ト線を対応する入出力線グループ内の各入出力線にそれ
    ぞれ接続し、 前記列選択信号は、異なる入出力線グループに接続され
    た複数の接続手段を同時にまたは所定の時間差をもって
    活性化する手段を含み、 前記n個の入出力線グループに共通に設けられ、所定数
    の入出力線を含むグローバル入出力線グループと、 前記n個の入出力線グループ内の各入出力線を選択的に
    前記グローバル入出力線グループ内の対応する入出力線
    に接続する切換手段と、 前記グローバル入出力線グループ内の各入出力線を順次
    選択する入出力線選択手段とをさらに備えた、半導体記
    憶装置。
  4. 【請求項4】 隣接して配置されるn個のメモリアレイ
    を備え、 前記n個のメモリアレイの各々は、複数行および複数列
    に配列されかつ各々がデータを記憶する複数のメモリセ
    ル、および前記複数列に対応して設けられかつ各々が対
    応する列のメモリセルに接続された複数のビット線を含
    み、前記複数のビット線は、各々が所定数のビット線を
    含む複数のビット線グループに区分され、 前記n個のメモリアレイに対応して設けられ、各々が対
    応するメモリアレイ内の前記複数のビット線グループの
    一端側に各ビット線と垂直に配置された所定数の入出力
    線を含むn個の入出力線グループと、 前記n個のメモリアレイ内の前記複数のビット線グルー
    プに対応して設けられ、各々が対応するビット線グルー
    プと対応する入出力線グループとの間に接続された複数
    の接続手段と、 前記n個のメモリアレイ内の前記複数のビット線グルー
    プのいずれかを選択するために前記複数の接続手段に対
    応する複数の選択信号を選択的に発生する列選択手段と
    をさらに備え、 前記複数の接続手段の各々は、対応する選択信号に応答
    して活性化され、対応するビット線グループ内の各ビッ
    ト線を対応する入出力線グループ内の各入出力線にそれ
    ぞれ接続し、 前記列選択手段は、異なる入出力線グループに接続され
    た複数の接続手段を同時にまたは所定の時間差をもって
    活性化する手段を含み、 前記n個の入出力線グループに共通に設けられ、所定数
    の入出力線を含むグローバル入出力線グループと、 前記n個の入出力線グループ内の各入出力線を選択的に
    前記グローバル入出力線グループ内の対応する入出力線
    に接続する切換手段と、 前記グローバル入出力線グループ内の各入出力線を順次
    選択する入出力線選択手段とをさらに備えた、半導体記
    憶装置。
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DE4312086A DE4312086C2 (de) 1992-07-21 1993-04-13 Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren dafür
KR1019930013476A KR970006222B1 (ko) 1992-07-21 1993-07-16 반도체 기억장치와 그 동작방법

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5815460A (en) * 1994-06-28 1998-09-29 Nec Corporation Memory circuit sequentially accessible by arbitrary address

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3100622B2 (ja) * 1990-11-20 2000-10-16 沖電気工業株式会社 同期型ダイナミックram
KR960006271B1 (ko) * 1993-08-14 1996-05-13 삼성전자주식회사 고속동작을 위한 입출력라인구동방식을 가지는 반도체메모리장치
US5654932A (en) * 1995-10-04 1997-08-05 Cirrus Logic, Inc. Memory devices with selectable access type and methods using the same
JP2817685B2 (ja) * 1995-11-29 1998-10-30 日本電気株式会社 半導体メモリ
KR100211760B1 (ko) * 1995-12-28 1999-08-02 윤종용 멀티뱅크 구조를 갖는 반도체 메모리 장치의 데이타 입출력 경로 제어회로
JP3247603B2 (ja) * 1996-02-05 2002-01-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション プレデコーダ回路及びデコーダ回路
US6209071B1 (en) 1996-05-07 2001-03-27 Rambus Inc. Asynchronous request/synchronous data dynamic random access memory
JP3317187B2 (ja) * 1997-04-25 2002-08-26 日本電気株式会社 半導体記憶装置
KR100252053B1 (ko) * 1997-12-04 2000-05-01 윤종용 칼럼 방향의 데이터 입출력선을 가지는 반도체메모리장치와불량셀 구제회로 및 방법
US6252819B1 (en) * 2000-05-01 2001-06-26 Sandcraft, Inc. Reduced line select decoder for a memory array
KR100714892B1 (ko) * 2005-10-26 2007-05-04 삼성전자주식회사 클럭신호 발생기 및 이를 구비한 위상 및 지연 동기 루프
DE102006051292B4 (de) * 2005-10-26 2010-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Takterzeugungsschaltung, Multiphasen-Takterzeuger, Speicherelement, Verfahren zum Erzeugen von Taktsignalen und Verfahren zum Verriegeln der Phase
US8004335B2 (en) * 2008-02-11 2011-08-23 International Business Machines Corporation Phase interpolator system and associated methods
US8964496B2 (en) * 2013-07-26 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing compare operations using sensing circuitry

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6363198A (ja) * 1986-09-03 1988-03-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS6363199A (ja) * 1986-09-03 1988-03-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH0442490A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH04162286A (ja) * 1990-10-26 1992-06-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0670880B2 (ja) * 1983-01-21 1994-09-07 株式会社日立マイコンシステム 半導体記憶装置
US4800530A (en) * 1986-08-19 1989-01-24 Kabushiki Kasiha Toshiba Semiconductor memory system with dynamic random access memory cells
US5150327A (en) * 1988-10-31 1992-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory and video signal processing circuit having the same
JPH02246087A (ja) * 1989-03-20 1990-10-01 Hitachi Ltd 半導体記憶装置ならびにその冗長方式及びレイアウト方式
JPH07109703B2 (ja) * 1989-11-15 1995-11-22 株式会社東芝 半導体メモリ装置
KR920009059B1 (ko) * 1989-12-29 1992-10-13 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 병렬 테스트 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6363198A (ja) * 1986-09-03 1988-03-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS6363199A (ja) * 1986-09-03 1988-03-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH0442490A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH04162286A (ja) * 1990-10-26 1992-06-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5815460A (en) * 1994-06-28 1998-09-29 Nec Corporation Memory circuit sequentially accessible by arbitrary address

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Publication number Publication date
KR970006222B1 (ko) 1997-04-24
DE4312086A1 (de) 1994-01-27
DE4312086C2 (de) 2002-03-14
US5381367A (en) 1995-01-10
KR940003040A (ko) 1994-02-19

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