JPH0637008A - パターニング方法 - Google Patents
パターニング方法Info
- Publication number
- JPH0637008A JPH0637008A JP4190791A JP19079192A JPH0637008A JP H0637008 A JPH0637008 A JP H0637008A JP 4190791 A JP4190791 A JP 4190791A JP 19079192 A JP19079192 A JP 19079192A JP H0637008 A JPH0637008 A JP H0637008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive material
- pattern
- positive
- thin film
- negative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜のリフトオフにおいて、対象となる膜厚
が大きくても、精度良くパターニングできる方法を提供
する。 【構成】 薄膜，厚膜のリフトオフにおいて、第１の感
光材料12でポジパターン13を形成した後、その上に第２
の感光材料14でネガパターン15を形成し、その後、前記
第１の感光材料で形成したポジパターンを除去すること
によりリフト形成することで逆テーパ部12bを形成す
る。これにより第２の感光材料14上に形成するメタル薄
膜16に段切れが発生し易くなり、ばりやかけを起こさず
良好なパターニングが行なえる。
が大きくても、精度良くパターニングできる方法を提供
する。 【構成】 薄膜，厚膜のリフトオフにおいて、第１の感
光材料12でポジパターン13を形成した後、その上に第２
の感光材料14でネガパターン15を形成し、その後、前記
第１の感光材料で形成したポジパターンを除去すること
によりリフト形成することで逆テーパ部12bを形成す
る。これにより第２の感光材料14上に形成するメタル薄
膜16に段切れが発生し易くなり、ばりやかけを起こさず
良好なパターニングが行なえる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、数μm〜数十μm程度の
パターン幅を用いる薄膜デバイス、例えば、薄膜ヘッド
等の製造に用いるパターニング方法に関する。
パターン幅を用いる薄膜デバイス、例えば、薄膜ヘッド
等の製造に用いるパターニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のリフトオフの工程を説明す
る要部の断面図である。基板41上(a)にレジスト42(b)で
ネガパターン43(c)を形成する。その後、最終的にパタ
ーン形成を必要とするところのメタル薄膜44(d)を全面
に形成する。次にレジスト剥離液によってレジスト42を
除去すると、メタル薄膜44のうちレジスト42上に形成さ
れた部分も除去され、所望のメタルパターン45(e)が得
られる。
る要部の断面図である。基板41上(a)にレジスト42(b)で
ネガパターン43(c)を形成する。その後、最終的にパタ
ーン形成を必要とするところのメタル薄膜44(d)を全面
に形成する。次にレジスト剥離液によってレジスト42を
除去すると、メタル薄膜44のうちレジスト42上に形成さ
れた部分も除去され、所望のメタルパターン45(e)が得
られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前述のよ
うな方法では下記のような問題点を有する。図５はレジ
ストが剥離する前後の断面図であり、レジスト剥離前の
断面図(a)に示すようにメタル薄膜51の膜厚が大きくな
ってくると、レジスト剥離後の断面図(b)に示すように
レジスト52と共に除去されるメタル薄膜51の端部に、ば
り53やかけ54を発生し、良好なパターニングが行なえな
い。またこの対策としてレジスト52の膜厚を大きくする
ことが考えられるが、それは、パターン寸法が大きくて
精度を必要としない場合にしか使えない。
うな方法では下記のような問題点を有する。図５はレジ
ストが剥離する前後の断面図であり、レジスト剥離前の
断面図(a)に示すようにメタル薄膜51の膜厚が大きくな
ってくると、レジスト剥離後の断面図(b)に示すように
レジスト52と共に除去されるメタル薄膜51の端部に、ば
り53やかけ54を発生し、良好なパターニングが行なえな
い。またこの対策としてレジスト52の膜厚を大きくする
ことが考えられるが、それは、パターン寸法が大きくて
精度を必要としない場合にしか使えない。
【０００４】本発明は上述したようなメタル薄膜の端部
に、ばりやかけのないパターン寸法の精度が良いパター
ニング方法の提供を目的とする。
に、ばりやかけのないパターン寸法の精度が良いパター
ニング方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明にお
いては、第１の感光材料でポジパターンを形成した後、
その上に第２の感光材料でネガパターンを形成し、その
後、前記第１の感光材料で形成したポジパターンを除去
することでリフト形成することを特徴とするものであ
る。
いては、第１の感光材料でポジパターンを形成した後、
その上に第２の感光材料でネガパターンを形成し、その
後、前記第１の感光材料で形成したポジパターンを除去
することでリフト形成することを特徴とするものであ
る。
【０００６】本発明の第２の発明は、第１の発明におけ
るポジパターンの形成において、感度の異なる感光材料
のうち感度の悪い方の感光材料を下層に、感度の良い方
の感光材料を上層に形成した後、１回の露光でポジパタ
ーンを形成することを特徴とするものである。
るポジパターンの形成において、感度の異なる感光材料
のうち感度の悪い方の感光材料を下層に、感度の良い方
の感光材料を上層に形成した後、１回の露光でポジパタ
ーンを形成することを特徴とするものである。
【０００７】本発明の第３の発明は、第１の発明におけ
るポジパターンを形成する第１の材料とネガパターンを
形成する第２の材料が互いにポジ型，ネガ型と相異なる
感光材料であることを特徴としたものである。
るポジパターンを形成する第１の材料とネガパターンを
形成する第２の材料が互いにポジ型，ネガ型と相異なる
感光材料であることを特徴としたものである。
【０００８】
【作用】本発明の第１の発明では、第１の感光材料で形
成したポジパターンのテーパ部分を利用して第２の感光
材料で形成するネガパターンを逆テーパに形成すること
が可能となる。それによってその上に形成する薄膜に段
切れが発生し易くなり、薄膜の膜厚が大きくても、ばり
やかけを起さず、良好なパターンニングが行なえる。
成したポジパターンのテーパ部分を利用して第２の感光
材料で形成するネガパターンを逆テーパに形成すること
が可能となる。それによってその上に形成する薄膜に段
切れが発生し易くなり、薄膜の膜厚が大きくても、ばり
やかけを起さず、良好なパターンニングが行なえる。
【０００９】本発明の第２の発明では、感度の悪い感光
材料が大きなテーパ部分、感度の良い感光材料が小さな
テーパ部分を形成するので、ネガパターンはオーバーハ
ング型の２段のテーパ部分を有する。それによって薄膜
の段切れがさらに起こり易くなり、第１の発明よりも良
好なパターニングが行なえる。
材料が大きなテーパ部分、感度の良い感光材料が小さな
テーパ部分を形成するので、ネガパターンはオーバーハ
ング型の２段のテーパ部分を有する。それによって薄膜
の段切れがさらに起こり易くなり、第１の発明よりも良
好なパターニングが行なえる。
【００１０】本発明の第３の発明では、ポジパターンと
ネガパターンを形成する材料をポジ型，ネガ型と相異な
る感光材料とすることで一枚のマスクで加工を可能と
し、第１の発明が従来法に比べてマスク数が増えるとい
う欠点を補なうことができる。
ネガパターンを形成する材料をポジ型，ネガ型と相異な
る感光材料とすることで一枚のマスクで加工を可能と
し、第１の発明が従来法に比べてマスク数が増えるとい
う欠点を補なうことができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の第１の発明の実施例を示す工
程の要部断面図である。基板11(a)に例えばレジストの
ような第１の感光材料12(b)を塗布し、露光・現像して
ポジパターン13(c)を形成する。この時、ポジパターン1
3にはテーパ部分12aが形成される。
程の要部断面図である。基板11(a)に例えばレジストの
ような第１の感光材料12(b)を塗布し、露光・現像して
ポジパターン13(c)を形成する。この時、ポジパターン1
3にはテーパ部分12aが形成される。
【００１２】次に第２の感光材料14(d)を塗布し、露光
・現像してネガパターン15(e)を形成する。次に第１の
感光材料12だけが溶ける溶剤に浸漬させると、基板11は
上には第２の感光材料14(f)だけが残る。この時、第２
の感光材料14の形状は、第１の感光材料12のテーパ部分
12aがそのまま逆転して転写された逆テーパ部分12bとな
っている。
・現像してネガパターン15(e)を形成する。次に第１の
感光材料12だけが溶ける溶剤に浸漬させると、基板11は
上には第２の感光材料14(f)だけが残る。この時、第２
の感光材料14の形状は、第１の感光材料12のテーパ部分
12aがそのまま逆転して転写された逆テーパ部分12bとな
っている。
【００１３】次にメタル薄膜16(g)を形成すると、第２
の感光材料14の逆テーパ部分12bにより断切れを起こ
し、所望のメタルパターン17(h)が、ばりもかけもなく
精度良く形成できる。
の感光材料14の逆テーパ部分12bにより断切れを起こ
し、所望のメタルパターン17(h)が、ばりもかけもなく
精度良く形成できる。
【００１４】なお、第１の感光材料12の感度及び露光・
現像条件を変えることによって第２の感光材料14の逆テ
ーパ部分12bが制御でき、メタル薄膜16の膜厚、必要寸
法精度に合った最適のリフトオフが行なえる。
現像条件を変えることによって第２の感光材料14の逆テ
ーパ部分12bが制御でき、メタル薄膜16の膜厚、必要寸
法精度に合った最適のリフトオフが行なえる。
【００１５】図２は本発明の第２の発明の実施例を示す
工程の要部断面図である。基板21(a)に感度の悪い感光
材料23を塗布してプリベークした後、感度の良い感光材
料22を塗布してプリベークし、露光する(b)。この時、
感度の悪い感光材料23には大きなテーパ部分23aが形成
され、感度の良い感光材料22には、小さなテーパ部分22
aが形成されたポジパターン24(c)が形成できる。
工程の要部断面図である。基板21(a)に感度の悪い感光
材料23を塗布してプリベークした後、感度の良い感光材
料22を塗布してプリベークし、露光する(b)。この時、
感度の悪い感光材料23には大きなテーパ部分23aが形成
され、感度の良い感光材料22には、小さなテーパ部分22
aが形成されたポジパターン24(c)が形成できる。
【００１６】次に第３の感光材料25(d)を塗布して、露
光・現像しネガパターン26(e)を形成する。この時、第
３の感光材料25の形状は、小さなテーパ部分22aと大き
なテーパ部分23aとが逆転写されたオーバーハング状の
夫々のテーパ形状22b，23b(f)となる。次に第３の感光
材料25だけが溶けない溶剤でポジパターン24も溶解す
る。次にメタル薄膜27(g)を形成すると、大きな逆テー
パ部分23bで完全に断切れを起こし、第１の発明の例よ
りも高精度のメタルパターン28(h)が得られる。
光・現像しネガパターン26(e)を形成する。この時、第
３の感光材料25の形状は、小さなテーパ部分22aと大き
なテーパ部分23aとが逆転写されたオーバーハング状の
夫々のテーパ形状22b，23b(f)となる。次に第３の感光
材料25だけが溶けない溶剤でポジパターン24も溶解す
る。次にメタル薄膜27(g)を形成すると、大きな逆テー
パ部分23bで完全に断切れを起こし、第１の発明の例よ
りも高精度のメタルパターン28(h)が得られる。
【００１７】図３は本発明の第３の発明の実施例を示す
工程の要部断面図である。基板31(a)にポジレジスト32
(b)を塗布し、ポジマスク33(c)で露光し現像するとポジ
パターン34(d)が形成できる。
工程の要部断面図である。基板31(a)にポジレジスト32
(b)を塗布し、ポジマスク33(c)で露光し現像するとポジ
パターン34(d)が形成できる。
【００１８】次にネガレジスト35(e)を塗布し、前記ポ
ジマスク33で露光現像(f)するとネガパターン36(g)が形
成できる。ポジレジスト32もネガレジスト35もテーパ部
分32a，35aを有しているので、第１の発明と同様に逆テ
ーパ型のネガパターン36(h)を形成することができる。
市販のポジレジスト用剥離液はネガレジスト35を溶解し
ないネガパターン36の形成に問題はない。以下の工程
は、第１の発明と同様である。
ジマスク33で露光現像(f)するとネガパターン36(g)が形
成できる。ポジレジスト32もネガレジスト35もテーパ部
分32a，35aを有しているので、第１の発明と同様に逆テ
ーパ型のネガパターン36(h)を形成することができる。
市販のポジレジスト用剥離液はネガレジスト35を溶解し
ないネガパターン36の形成に問題はない。以下の工程
は、第１の発明と同様である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第１の発明
は、第１の感光材料でポジパターンを形成した後、その
上に第２の感光材料でネガパターンを形成し、その後、
第１の感光材料を除去することで、逆テーパ型のリフト
形成が可能となり、対象膜が大きな膜厚であっても、ば
りやかけのない寸法精度の良好なリフトオフが可能とな
る。
は、第１の感光材料でポジパターンを形成した後、その
上に第２の感光材料でネガパターンを形成し、その後、
第１の感光材料を除去することで、逆テーパ型のリフト
形成が可能となり、対象膜が大きな膜厚であっても、ば
りやかけのない寸法精度の良好なリフトオフが可能とな
る。
【００２０】本発明の第２の発明は、ポジパターンの形
成において感度の悪い感光材料を下層に、感度の良い感
光材料をも上層に形成し、１回の露光でポジパターンを
形成することによって、第１の発明よりも切断れを起こ
しやすいオーバーハング型のリフト形成が可能となり、
さらに大きな膜厚の対象に対しても、ばりやかけのない
寸法精度がさらに良好なリフトオフが可能となる。
成において感度の悪い感光材料を下層に、感度の良い感
光材料をも上層に形成し、１回の露光でポジパターンを
形成することによって、第１の発明よりも切断れを起こ
しやすいオーバーハング型のリフト形成が可能となり、
さらに大きな膜厚の対象に対しても、ばりやかけのない
寸法精度がさらに良好なリフトオフが可能となる。
【００２１】本発明の第３の発明は、ポジパターンをポ
ジレジストで、ネガパターンをネガレジストで、夫々形
成することでマスクが共用でき従来法と同様の１枚マス
クで良好なリフトオフが行なえることである。
ジレジストで、ネガパターンをネガレジストで、夫々形
成することでマスクが共用でき従来法と同様の１枚マス
クで良好なリフトオフが行なえることである。
【図１】本発明の第１の発明の実施例を示す工程の要部
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２の発明の実施例を示す工程の要部
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第３の発明の実施例を示す工程の要部
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のリフトオフの工程を説明する要部の断面
図である。
図である。
【図５】図４におけるレジストが剥離する前後の断面図
である。
である。
11，21，31，41，50…基板、 12…第１の感光材料、
13，24，34…ポジパターン、 14…第２の感光材料、
15，26，36，43…ネガパターン、 16，27，44，51…メ
タル薄膜、 17，28，45…メタルパターン、 22…感度
の良い感光材料、23…感度の悪い感光材料、 25…第３
の感光材料、 33…ポジマスク、 42，52…レジスト、
53…ばり、 54…かけ。
13，24，34…ポジパターン、 14…第２の感光材料、
15，26，36，43…ネガパターン、 16，27，44，51…メ
タル薄膜、 17，28，45…メタルパターン、 22…感度
の良い感光材料、23…感度の悪い感光材料、 25…第３
の感光材料、 33…ポジマスク、 42，52…レジスト、
53…ばり、 54…かけ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｋ 8518−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 薄膜，厚膜のリフトオフにおいて、第１
の感光材料でポジパターンを形成した後、その上に第２
の感光材料でネガパターンを形成し、その後、前第１の
感光材料で形成したポジパターンを除去することにより
リフト形成することを特徴とするパターニング方法。 - 【請求項２】 前記ポジパターンの形成において、感度
の異なる感光材料のうち感度の悪い方の感光材料を下層
に、感度の良い方の感光材料を上層に形成した後、１回
の露光でポジパターンを形成することを特徴とする請求
項１記載のパターニング方法。 - 【請求項３】 前記ポジパターンを形成する第１の感光
材料と、ネガパターンを形成する第２の感光材料が、互
いにポジ型，ネガ型と相異なる感光材料であることを特
徴とする請求項１記載のパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4190791A JPH0637008A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | パターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4190791A JPH0637008A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | パターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637008A true JPH0637008A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16263801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4190791A Pending JPH0637008A (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | パターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637008A (ja) |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4190791A patent/JPH0637008A/ja active Pending
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