JPH07193355A - 配線パターンの形成方法 - Google Patents
配線パターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH07193355A JPH07193355A JP5347284A JP34728493A JPH07193355A JP H07193355 A JPH07193355 A JP H07193355A JP 5347284 A JP5347284 A JP 5347284A JP 34728493 A JP34728493 A JP 34728493A JP H07193355 A JPH07193355 A JP H07193355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- thin film
- wiring pattern
- developing solution
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジストのポストベークおよび薄膜の
エッチングの個々の処理工程を経ることなく、かつフォ
トレジストの剥離性の悪化を招くことなく、能率よく配
線パターンを形成することができる配線パターンの形成
方法を提供する。 【構成】 基板１１の上にＡｌあるいはＡｌ系合金の薄
膜１２を成膜し、この薄膜１２の上にポジ型フォトレジ
スト１３を塗布し、このフォトレジスト１３を露光し、
次いでアルカリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもと
で前記ポジ型フォトレジスト１３を現像し、この現像時
に前記アルカリ性のレジスト現像液により前記フォトレ
ジスト１３の露光部１３′を除去するとともに、その除
去部分の下側の薄膜１２を前記アルカリ性のレジスト現
像液によりエッチングする。
エッチングの個々の処理工程を経ることなく、かつフォ
トレジストの剥離性の悪化を招くことなく、能率よく配
線パターンを形成することができる配線パターンの形成
方法を提供する。 【構成】 基板１１の上にＡｌあるいはＡｌ系合金の薄
膜１２を成膜し、この薄膜１２の上にポジ型フォトレジ
スト１３を塗布し、このフォトレジスト１３を露光し、
次いでアルカリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもと
で前記ポジ型フォトレジスト１３を現像し、この現像時
に前記アルカリ性のレジスト現像液により前記フォトレ
ジスト１３の露光部１３′を除去するとともに、その除
去部分の下側の薄膜１２を前記アルカリ性のレジスト現
像液によりエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばガラス製の基
板の上に金属膜からなる配線パターンを形成する方法に
関する。
板の上に金属膜からなる配線パターンを形成する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示素子の製造時には、ガラ
ス製の基板の上にフォトリソグラフィ法により配線パタ
ーンを形成している。この配線パターンの材料として
は、低電気抵抗を得るためにＡｌあるいはＡｌにＴｉ等
を添加したＡｌ系合金が用いられている。
ス製の基板の上にフォトリソグラフィ法により配線パタ
ーンを形成している。この配線パターンの材料として
は、低電気抵抗を得るためにＡｌあるいはＡｌにＴｉ等
を添加したＡｌ系合金が用いられている。
【０００３】この配線パターンの従来の形成工程を図２
に示してある。この工程について説明すると、まず図２
（ａ）に示すように、ガラス製の基板１の上にスパッタ
法あるいは蒸着法によりＡｌあるいはＡｌ系合金の薄膜
２を成膜する。そしてこの薄膜２の上に図２（ｂ）に示
すようにフォトレジスト３を均一な厚さに塗布する。
に示してある。この工程について説明すると、まず図２
（ａ）に示すように、ガラス製の基板１の上にスパッタ
法あるいは蒸着法によりＡｌあるいはＡｌ系合金の薄膜
２を成膜する。そしてこの薄膜２の上に図２（ｂ）に示
すようにフォトレジスト３を均一な厚さに塗布する。
【０００４】次に、図２（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト３を露光および現像して薄膜２の一部を露出させ
る。また現像したフォトレジスト３はポストベークの処
理により硬化させる。
ジスト３を露光および現像して薄膜２の一部を露出させ
る。また現像したフォトレジスト３はポストベークの処
理により硬化させる。
【０００５】次に、図２（ｄ）に示すように、薄膜２の
露出部分をドライエッチングあるいはウエットエッチン
グにより除去する。このエッチングにより薄膜２の無用
部分が排除されて所定形状の配線パターン２Ａとなる。
露出部分をドライエッチングあるいはウエットエッチン
グにより除去する。このエッチングにより薄膜２の無用
部分が排除されて所定形状の配線パターン２Ａとなる。
【０００６】この後、図２（ｅ）に示すように、配線パ
ターン２Ａの上に残っているフォトレジスト３を溶剤を
用いて剥離し、配線パターン２Ａを露出させる。
ターン２Ａの上に残っているフォトレジスト３を溶剤を
用いて剥離し、配線パターン２Ａを露出させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の配線パターンの形成方法においては、現像し
たフォトレジストをポストベークし、さらにこの後、基
板をエッチング装置内に搬入してドライあるいはウエッ
トのエッチング処理を行なわなければならず、このため
作業工程が複雑となり作業能率が低下する難点がある。
うな従来の配線パターンの形成方法においては、現像し
たフォトレジストをポストベークし、さらにこの後、基
板をエッチング装置内に搬入してドライあるいはウエッ
トのエッチング処理を行なわなければならず、このため
作業工程が複雑となり作業能率が低下する難点がある。
【０００８】また、特に基板１の上の薄膜２をドライエ
ッチングで処理する場合には、塩素系のガスを用いるた
めにその処理時にフォトレジスト３と塩素系ガスとの化
合物が生成され、この化合物によりフォトレジスト３の
剥離性が悪化し、またコロージョンの発生の恐れもあ
る。
ッチングで処理する場合には、塩素系のガスを用いるた
めにその処理時にフォトレジスト３と塩素系ガスとの化
合物が生成され、この化合物によりフォトレジスト３の
剥離性が悪化し、またコロージョンの発生の恐れもあ
る。
【０００９】この発明はこのような点に着目してなされ
たもので、その目的とするところは、フォトレジストの
ポストベークおよび薄膜のエッチングの個々の処理工程
を経ることなく、かつフォトレジストの剥離性の悪化を
招くことなく、能率よく配線パターンを形成することが
できる配線パターンの形成方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、フォトレジストの
ポストベークおよび薄膜のエッチングの個々の処理工程
を経ることなく、かつフォトレジストの剥離性の悪化を
招くことなく、能率よく配線パターンを形成することが
できる配線パターンの形成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明はこのような目
的を達成するために、基板の上にＡｌあるいはＡｌ系合
金の薄膜を成膜し、この薄膜の上にポジ型フォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストを露光し、次いでアル
カリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ
型フォトレジストを現像し、この現像時に前記アルカリ
性のレジスト現像液により前記フォトレジストの露光部
分を除去するとともに、その除去部分の下側の薄膜を前
記アルカリ性のレジスト現像液によりエッチングするよ
うにしたものである。
的を達成するために、基板の上にＡｌあるいはＡｌ系合
金の薄膜を成膜し、この薄膜の上にポジ型フォトレジス
トを塗布し、このフォトレジストを露光し、次いでアル
カリ性のレジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ
型フォトレジストを現像し、この現像時に前記アルカリ
性のレジスト現像液により前記フォトレジストの露光部
分を除去するとともに、その除去部分の下側の薄膜を前
記アルカリ性のレジスト現像液によりエッチングするよ
うにしたものである。
【００１１】
【作用】ポジ型フォトレジストの露光後に、アルカリ性
のレジスト現像液を用いて昇温のもとでそのフォトレジ
ストを現像すると、まずフォトレジストの露光部が除去
され、これに引き続きその除去された部分の下側の薄膜
がアルカリ性のレジスト現像液によりエッチングされ、
このエッチングにより薄膜の無用部分が排除されて所定
形状の配線パターンとなる。したがってフォトレジスト
のポストベークおよび薄膜のエッチングの個々の処理を
省略でき、これにより作業工程が簡素化し能率的に配線
パターンを形成でき、また薄膜のエッチング時に、ドラ
イエッチングの場合のような化合物が生成されることが
なく、したがってフォトレジストの剥離性が悪化せず、
フォトレジストを容易に能率よく剥離することが可能と
なる。
のレジスト現像液を用いて昇温のもとでそのフォトレジ
ストを現像すると、まずフォトレジストの露光部が除去
され、これに引き続きその除去された部分の下側の薄膜
がアルカリ性のレジスト現像液によりエッチングされ、
このエッチングにより薄膜の無用部分が排除されて所定
形状の配線パターンとなる。したがってフォトレジスト
のポストベークおよび薄膜のエッチングの個々の処理を
省略でき、これにより作業工程が簡素化し能率的に配線
パターンを形成でき、また薄膜のエッチング時に、ドラ
イエッチングの場合のような化合物が生成されることが
なく、したがってフォトレジストの剥離性が悪化せず、
フォトレジストを容易に能率よく剥離することが可能と
なる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図１を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１３】図１には、配線パターンを形成する工程を
順に示してあり、まず図１（ａ）に示すように、基板１
１の上にスパッタ法あるいは蒸着法によりＡｌあるいは
Ａｌ系合金の薄膜１２を成膜する。そしてこの薄膜１２
の上に図１（ｂ）に示すようにポジ型のフォトレジスト
１３を２〜３μｍ程度の厚さに均一に塗布する。
順に示してあり、まず図１（ａ）に示すように、基板１
１の上にスパッタ法あるいは蒸着法によりＡｌあるいは
Ａｌ系合金の薄膜１２を成膜する。そしてこの薄膜１２
の上に図１（ｂ）に示すようにポジ型のフォトレジスト
１３を２〜３μｍ程度の厚さに均一に塗布する。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレ
ジスト１３をマスクＭを用いて露光し、フォトレジスト
１３の所定部分に露光部１３′を形成する。
ジスト１３をマスクＭを用いて露光し、フォトレジスト
１３の所定部分に露光部１３′を形成する。
【００１５】フォトレジスト１３の露光後には、基板１
１をディップ・シャワー併用の現像装置内に入れ、アル
カリ性のポジ型フォトレジスト用のレジスト現像液によ
り昇温のもとでポジ型フォトレジスト１３を現像する。
この現像時の昇温は、例えばレジスト現像液を予め加熱
して一定温度に上昇させておく手段、あるいは基板１１
をヒータ等で予め加熱して一定温度に上昇させておく手
段等により行なう。
１をディップ・シャワー併用の現像装置内に入れ、アル
カリ性のポジ型フォトレジスト用のレジスト現像液によ
り昇温のもとでポジ型フォトレジスト１３を現像する。
この現像時の昇温は、例えばレジスト現像液を予め加熱
して一定温度に上昇させておく手段、あるいは基板１１
をヒータ等で予め加熱して一定温度に上昇させておく手
段等により行なう。
【００１６】このアルカリ性のレジスト現像液を用いた
現像時には、まず図１（ｄ−1 ）に示すように、フォト
レジスト１３の露光部１３′が除去され、これに引き続
き図１（ｄ−2 ）に示すように、その除去された部分の
下側の薄膜１２がアルカリ性のレジスト現像液によりエ
ッチングされる。そしてこのエッチングにより薄膜１２
の無用部分が排除されて所定形状の配線パターン１２Ａ
となる。
現像時には、まず図１（ｄ−1 ）に示すように、フォト
レジスト１３の露光部１３′が除去され、これに引き続
き図１（ｄ−2 ）に示すように、その除去された部分の
下側の薄膜１２がアルカリ性のレジスト現像液によりエ
ッチングされる。そしてこのエッチングにより薄膜１２
の無用部分が排除されて所定形状の配線パターン１２Ａ
となる。
【００１７】この後、図１（ｅ）に示すように、配線パ
ターン１２Ａの上に残っているフォトレジスト１３を溶
剤を用いて剥離し、配線パターン１２Ａを露出させる。
ターン１２Ａの上に残っているフォトレジスト１３を溶
剤を用いて剥離し、配線パターン１２Ａを露出させる。
【００１８】このような形成方法においては、フォトレ
ジスト１３の現像時に、そのフォトレジスト１３の現像
に引き続いて連続して薄膜１２のエッチングを達成する
ことができ、このためフォトレジスト１３のポストベー
クおよび薄膜１２のエッチングの個々の処理を省略で
き、したがって作業工程が簡素化し能率的に配線パター
ン１２Ａを形成することができる。
ジスト１３の現像時に、そのフォトレジスト１３の現像
に引き続いて連続して薄膜１２のエッチングを達成する
ことができ、このためフォトレジスト１３のポストベー
クおよび薄膜１２のエッチングの個々の処理を省略で
き、したがって作業工程が簡素化し能率的に配線パター
ン１２Ａを形成することができる。
【００１９】さらに、薄膜１２のエッチング時に、ドラ
イエッチングの場合のような化合物が生成されるような
ことがなく、したがってフォトレジスト１３の剥離性が
悪化せず、フォトレジスト１３を容易に能率よく剥離す
ることができる。そしてフォトレジスト１３はポストベ
ークの処理が行われないままの状態で配線パターン１２
Ａの上に残るから、より一層このフォトレジスト１３を
容易に剥離することができる。
イエッチングの場合のような化合物が生成されるような
ことがなく、したがってフォトレジスト１３の剥離性が
悪化せず、フォトレジスト１３を容易に能率よく剥離す
ることができる。そしてフォトレジスト１３はポストベ
ークの処理が行われないままの状態で配線パターン１２
Ａの上に残るから、より一層このフォトレジスト１３を
容易に剥離することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
フォトレジストのポストベークおよび薄膜のエッチング
の個々の処理を省略でき、したがって作業工程が簡素化
して能率よく配線パターンを形成することができ、また
フォトレジストの剥離性の悪化を防いでフォトレジスト
を容易に能率よく剥離することができる。
フォトレジストのポストベークおよび薄膜のエッチング
の個々の処理を省略でき、したがって作業工程が簡素化
して能率よく配線パターンを形成することができ、また
フォトレジストの剥離性の悪化を防いでフォトレジスト
を容易に能率よく剥離することができる。
【図１】この発明の一実施例に係る配線パターンの形成
方法を示す工程図。
方法を示す工程図。
【図２】従来の配線パターンの形成方法を示す工程図。
１１…基板 １２…薄膜 １２Ａ…配線パターン １３…ポジ型フォトレジスト １３′…露光部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/306 // Ｇ０２Ｆ 1/1343
Claims (1)
- 【請求項１】基板の上にＡｌあるいはＡｌ系合金の薄膜
を成膜し、この薄膜の上にポジ型フォトレジストを塗布
し、このフォトレジストを露光し、次いでアルカリ性の
レジスト現像液を用い、昇温のもとで前記ポジ型フォト
レジストを現像し、この現像時に前記アルカリ性のレジ
スト現像液により前記フォトレジストの露光部分を除去
するとともに、その除去部分の下側の薄膜を前記アルカ
リ性のレジスト現像液によりエッチングすることを特徴
とする配線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347284A JPH07193355A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 配線パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347284A JPH07193355A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 配線パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193355A true JPH07193355A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18389176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5347284A Abandoned JPH07193355A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 配線パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP5347284A patent/JPH07193355A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20040416 |