JPH0637012A - 周辺露光によるパターン形成方法 - Google Patents
周辺露光によるパターン形成方法Info
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- JPH0637012A JPH0637012A JP19205892A JP19205892A JPH0637012A JP H0637012 A JPH0637012 A JP H0637012A JP 19205892 A JP19205892 A JP 19205892A JP 19205892 A JP19205892 A JP 19205892A JP H0637012 A JPH0637012 A JP H0637012A
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- shutter
- resist
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- film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ周辺部のレジストおよび下地膜を良好
に安定して除去できる周辺露光によるパターン形成方法
を提供する。 【構成】 シャッター４を下地膜の下層から上層へゆく
に従い、その面積を大きくするようにし、第２の下地膜
７が第１の下地膜２を覆うように下地膜パターンを形成
する。 【効果】 シャッター位置やウエハ位置の機械合わせに
よる誤差を補うことができ、後工程において果物となる
レジストの現像残りや下地膜のエッチング残りを防止で
き、歩留り良く半導体装置を製造できる。
に安定して除去できる周辺露光によるパターン形成方法
を提供する。 【構成】 シャッター４を下地膜の下層から上層へゆく
に従い、その面積を大きくするようにし、第２の下地膜
７が第１の下地膜２を覆うように下地膜パターンを形成
する。 【効果】 シャッター位置やウエハ位置の機械合わせに
よる誤差を補うことができ、後工程において果物となる
レジストの現像残りや下地膜のエッチング残りを防止で
き、歩留り良く半導体装置を製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置製造工程に
おいてウエハ周辺部のレジストや下地膜を除去するため
の周辺露光によるパターン形成方法に関するものであ
る。
おいてウエハ周辺部のレジストや下地膜を除去するため
の周辺露光によるパターン形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程において、ウエハ保
持、押さえ等の物理的理由からウエハ周辺部のレジスト
および下地膜は剥がれを生じやすく、剥がれたレジスト
および下地膜は後工程において異物となり歩留り低下の
原因のひとつとなっている。そこで、半導体装置を製造
するにあたってウエハ周辺部を露光することによってウ
エハ周辺部のレジストおよび下地膜をあらかじめ除去す
るといった周辺露光によるパターン形成方法が考案され
てきた。
持、押さえ等の物理的理由からウエハ周辺部のレジスト
および下地膜は剥がれを生じやすく、剥がれたレジスト
および下地膜は後工程において異物となり歩留り低下の
原因のひとつとなっている。そこで、半導体装置を製造
するにあたってウエハ周辺部を露光することによってウ
エハ周辺部のレジストおよび下地膜をあらかじめ除去す
るといった周辺露光によるパターン形成方法が考案され
てきた。
【０００３】図４は従来の下地膜の周辺露光によるパタ
ーン形成方法を示す工程断面図である。図４（ａ）〜
（ｅ）に従って順次説明する。まず、半導体基板（以下
ウエハと称す）１上に下地膜２を成膜し、ポジ型のレジ
スト３を塗布する（図４（ａ））。次に周辺露光装置に
設けられたシャッター４でウエハ１の中心部を覆いウエ
ハ１の周辺部のみを露光する（図４（ｂ））。
ーン形成方法を示す工程断面図である。図４（ａ）〜
（ｅ）に従って順次説明する。まず、半導体基板（以下
ウエハと称す）１上に下地膜２を成膜し、ポジ型のレジ
スト３を塗布する（図４（ａ））。次に周辺露光装置に
設けられたシャッター４でウエハ１の中心部を覆いウエ
ハ１の周辺部のみを露光する（図４（ｂ））。
【０００４】次に露光されたウエハ１周辺部のレジスト
３を現像液で除去し、レジスト３パターンを形成する
（図４（ｃ））。次にレジスト３パターンをマスクとし
て下地膜２をエッチングする（図４（ｄ））。その後、
レジスト３パターンをアッシングにより除去して下地膜
２パターンを形成する（図４（ｅ））。この後、下地膜
２パターンには所定の処理が施されて半導体装置のため
のパターンが形成される（図示なし）。同様にして図４
（ａ）〜（ｅ）の工程を繰り返すことによって上記の下
地膜２を第１の下地膜２としてその上にさらに幾層かの
下地膜を重ね合わせてゆくことができる。
３を現像液で除去し、レジスト３パターンを形成する
（図４（ｃ））。次にレジスト３パターンをマスクとし
て下地膜２をエッチングする（図４（ｄ））。その後、
レジスト３パターンをアッシングにより除去して下地膜
２パターンを形成する（図４（ｅ））。この後、下地膜
２パターンには所定の処理が施されて半導体装置のため
のパターンが形成される（図示なし）。同様にして図４
（ａ）〜（ｅ）の工程を繰り返すことによって上記の下
地膜２を第１の下地膜２としてその上にさらに幾層かの
下地膜を重ね合わせてゆくことができる。
【０００５】図５は従来の第１の下地膜上の第２の下地
膜の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断面図
である。図５（ａ）〜（ｅ）に従って順次説明する。ま
ず、第１の下地膜２パターン上に第２の下地膜７を形成
したのち、全面にポジ型のレジスト８を塗布する。この
とき第２下地膜７の段差部上ではレジスト８膜はかなり
厚いものとなる（図５（ａ））。
膜の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断面図
である。図５（ａ）〜（ｅ）に従って順次説明する。ま
ず、第１の下地膜２パターン上に第２の下地膜７を形成
したのち、全面にポジ型のレジスト８を塗布する。この
とき第２下地膜７の段差部上ではレジスト８膜はかなり
厚いものとなる（図５（ａ））。
【０００６】次に図４（ｂ）と同様にしてシャッターを
用いてウエハ１周辺部のみを露光する。このときウエハ
１の位置決め、およびシャッター４の位置決めの際、微
妙な機械合わせずれが生じてウエハ１上のシャッター４
位置が第１の下地膜２パターンに対してずれて露光され
ることが多い（図５（ｂ））。次に、図４（ｃ）と同様
にして現像を行いレジスト８を溶解してレジスト８パタ
ーンを形成する。このときレジスト８パターンは第１の
下地膜２に対してずれて形成されていると、第２の下地
膜７の段差部上のレジスト８膜が厚くなっていた部分で
レジスト８の現像残り８ａが生じる（図５（ｃ））。
用いてウエハ１周辺部のみを露光する。このときウエハ
１の位置決め、およびシャッター４の位置決めの際、微
妙な機械合わせずれが生じてウエハ１上のシャッター４
位置が第１の下地膜２パターンに対してずれて露光され
ることが多い（図５（ｂ））。次に、図４（ｃ）と同様
にして現像を行いレジスト８を溶解してレジスト８パタ
ーンを形成する。このときレジスト８パターンは第１の
下地膜２に対してずれて形成されていると、第２の下地
膜７の段差部上のレジスト８膜が厚くなっていた部分で
レジスト８の現像残り８ａが生じる（図５（ｃ））。
【０００７】次に、図４（ｄ）と同様にしてレジスト８
パターンをマスクとして第２の下地膜７をエッチングす
る。このときレジスト８パターンのずれによって第２の
下地膜７は一方では第１の下地膜２パターンを被覆する
ように形成され、他方では第１の下地膜２パターン側壁
部にエッチング残り７ａが形成される（図５（ｄ））。
その後、図４（ｅ）と同様にしてレジスト８パターン
をアッシングにより除去して第１の下地膜２パターン上
に第２の下地膜７パターンを形成する。このときレジス
ト８の現像残り８ａと第２の下地膜７のエッチング残り
７ａは残存した状態である（図５（ｅ））。
パターンをマスクとして第２の下地膜７をエッチングす
る。このときレジスト８パターンのずれによって第２の
下地膜７は一方では第１の下地膜２パターンを被覆する
ように形成され、他方では第１の下地膜２パターン側壁
部にエッチング残り７ａが形成される（図５（ｄ））。
その後、図４（ｅ）と同様にしてレジスト８パターン
をアッシングにより除去して第１の下地膜２パターン上
に第２の下地膜７パターンを形成する。このときレジス
ト８の現像残り８ａと第２の下地膜７のエッチング残り
７ａは残存した状態である（図５（ｅ））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の周辺露光による
パターン形成方法は以上のようである。数層重ね合わせ
られた下地膜を形成する際にはその各々の下地膜を周辺
露光して積層する必要がある。図５（ｂ）に示すように
周辺露光位置のシャッター４は一枚であり、しかも固定
されている。このことから各下地膜をシャッター４を用
いて露光する際、シャッター４の位置決めおよびウエハ
１の位置決めは機械合わせによる誤差を生じやすいもの
であった。また、そのために図５（ｅ）に示すように第
１の下地膜２と第２の下地膜７との間でパターンのずれ
を生じ、ウエハ周辺部のレジスト８や第２下地膜７は完
全に除去されず、レジスト８の現像残り８ａおよび第２
の下地膜７のエッチング残り７ａが形成されてしまう。
これら現像残り８ａあるいはエッチング残り７ａは後工
程においてウエハ１より剥がれて異物となり歩留まり低
下させるなどの問題点があった。
パターン形成方法は以上のようである。数層重ね合わせ
られた下地膜を形成する際にはその各々の下地膜を周辺
露光して積層する必要がある。図５（ｂ）に示すように
周辺露光位置のシャッター４は一枚であり、しかも固定
されている。このことから各下地膜をシャッター４を用
いて露光する際、シャッター４の位置決めおよびウエハ
１の位置決めは機械合わせによる誤差を生じやすいもの
であった。また、そのために図５（ｅ）に示すように第
１の下地膜２と第２の下地膜７との間でパターンのずれ
を生じ、ウエハ周辺部のレジスト８や第２下地膜７は完
全に除去されず、レジスト８の現像残り８ａおよび第２
の下地膜７のエッチング残り７ａが形成されてしまう。
これら現像残り８ａあるいはエッチング残り７ａは後工
程においてウエハ１より剥がれて異物となり歩留まり低
下させるなどの問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものでシャッター位置およびウエハ位置
の機械合わせによって生じる誤差にかかわらず、ウエハ
周辺部のレジストおよび下地膜を良好に安定して除去で
きる周辺露光によるパターン形成方法を得ることを目的
とする。
ためになされたものでシャッター位置およびウエハ位置
の機械合わせによって生じる誤差にかかわらず、ウエハ
周辺部のレジストおよび下地膜を良好に安定して除去で
きる周辺露光によるパターン形成方法を得ることを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の周辺露光によるパターン形成方法はシャッターを下地
膜の下層から上層へゆくに従い、その面積を大きくする
ようにしたものである。
の周辺露光によるパターン形成方法はシャッターを下地
膜の下層から上層へゆくに従い、その面積を大きくする
ようにしたものである。
【００１１】また、この発明に係わる請求項２の周辺露
光によるパターン形成方法は上層の下地膜が下層の下地
膜を被覆して形成されるようにしたものである。
光によるパターン形成方法は上層の下地膜が下層の下地
膜を被覆して形成されるようにしたものである。
【００１２】
【作用】この発明における周辺露光によるパターン形成
方法はシャッターを下地膜の下層から上層へゆくに従
い、その面積を大きくするようにし、上層の下地膜が下
層の下地膜を被覆して形成されるようにしたので、シャ
ッターの位置およびウエハ位置の機械合わせによる誤差
を補うことができ、パターンずれによって生じるレジス
トの現像残りや下地膜のエッチング残りのない周辺露光
によるパターン形成が行える。
方法はシャッターを下地膜の下層から上層へゆくに従
い、その面積を大きくするようにし、上層の下地膜が下
層の下地膜を被覆して形成されるようにしたので、シャ
ッターの位置およびウエハ位置の機械合わせによる誤差
を補うことができ、パターンずれによって生じるレジス
トの現像残りや下地膜のエッチング残りのない周辺露光
によるパターン形成が行える。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。
【００１４】実施例１．図１はこの発明の第１の下地膜
の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断面図で
ある。図において１〜３は従来例におけるものと同等の
ものであり、図１（ａ）（ｃ）（ｄ）は従来の図４
（ａ）（ｃ）（ｄ）と同等のものであるのでその詳細な
説明は省略し、図１（ｂ）についてのみ説明をする。こ
の発明の周辺露光装置においてはそれぞれ直径を異にし
た３枚のシャッター４、５、６を備えている。第１の下
地膜２上のレジスト３に対して周辺露光を施す場合は最
も直径の小さいシャッター４を閉じ、その他のシャッタ
ー５、６は開いて露光を行う。
の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断面図で
ある。図において１〜３は従来例におけるものと同等の
ものであり、図１（ａ）（ｃ）（ｄ）は従来の図４
（ａ）（ｃ）（ｄ）と同等のものであるのでその詳細な
説明は省略し、図１（ｂ）についてのみ説明をする。こ
の発明の周辺露光装置においてはそれぞれ直径を異にし
た３枚のシャッター４、５、６を備えている。第１の下
地膜２上のレジスト３に対して周辺露光を施す場合は最
も直径の小さいシャッター４を閉じ、その他のシャッタ
ー５、６は開いて露光を行う。
【００１５】図２はこの発明の第１の下地膜上の第２の
下地膜の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断
面図である。図において１、２、７、８は従来例におけ
るものと同等のものであり、図２（ａ）は図５（ａ）と
同等のものであるのでその詳細な説明は省略する。
下地膜の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断
面図である。図において１、２、７、８は従来例におけ
るものと同等のものであり、図２（ａ）は図５（ａ）と
同等のものであるのでその詳細な説明は省略する。
【００１６】次に、周辺露光に設けられた３枚のシャッ
ター４、５、６のうち、シャッター４よりも直径の大き
いシャッター５を閉じ、その他のシャッター４、６を開
いて露光する。このときシャッター４とシャッター５と
の直径の差は機械合わせによるずれを充分補うことがで
きる（図２（ｂ））。次に、現像液によりレジスト８を
溶解し、レジスト８パターンを形成する。このときシャ
ッター５の直径はシャッター４の直径より大きく設定さ
れているので第２の下地膜７の段差部はシャッター５に
より覆われている。このためレジスト８を現像したとき
に現像残りは生じない（図２（ｃ））。
ター４、５、６のうち、シャッター４よりも直径の大き
いシャッター５を閉じ、その他のシャッター４、６を開
いて露光する。このときシャッター４とシャッター５と
の直径の差は機械合わせによるずれを充分補うことがで
きる（図２（ｂ））。次に、現像液によりレジスト８を
溶解し、レジスト８パターンを形成する。このときシャ
ッター５の直径はシャッター４の直径より大きく設定さ
れているので第２の下地膜７の段差部はシャッター５に
より覆われている。このためレジスト８を現像したとき
に現像残りは生じない（図２（ｃ））。
【００１７】次に、レジスト８パターンをマスクとし
て、第２の下地膜７をエッチングする。このときも第２
の下地膜７の段差部はレジスト８パターンで覆われてお
り、エッチング残りが生ずることはない（図２
（ｄ））。その後、レジスト８パターンをアッシングに
より除去して第１の下地膜２パターン上に第２の下地膜
７パターンを形成する。このとき、第２の下地膜７パタ
ーンは第１の下地膜２パターンを被覆して形成される
（図２（ｅ））。
て、第２の下地膜７をエッチングする。このときも第２
の下地膜７の段差部はレジスト８パターンで覆われてお
り、エッチング残りが生ずることはない（図２
（ｄ））。その後、レジスト８パターンをアッシングに
より除去して第１の下地膜２パターン上に第２の下地膜
７パターンを形成する。このとき、第２の下地膜７パタ
ーンは第１の下地膜２パターンを被覆して形成される
（図２（ｅ））。
【００１８】同様にして第３の下地膜も周辺露光を行う
ことができる。図３はこの発明の第１の下地膜および第
２の下地膜上の第３の下地膜の周辺露光によるパターン
形成方法を示す工程断面図である。図において１、２、
７は従来と同じものであり、工程としては図２（ｅ）に
継続して行われるものである。まず、図２（ｅ）で形成
した第２の下地膜７パターン上に第３の下地膜９を成膜
したのち、ポジ型のレジスト１０を塗布する（図３
（ａ））。
ことができる。図３はこの発明の第１の下地膜および第
２の下地膜上の第３の下地膜の周辺露光によるパターン
形成方法を示す工程断面図である。図において１、２、
７は従来と同じものであり、工程としては図２（ｅ）に
継続して行われるものである。まず、図２（ｅ）で形成
した第２の下地膜７パターン上に第３の下地膜９を成膜
したのち、ポジ型のレジスト１０を塗布する（図３
（ａ））。
【００１９】次に、周辺露光装置に設けられた３枚のシ
ャッター４、５、６のうち、シャッター５よりも直径の
大きいシャッター６を閉じ、その他のシャッター４、５
を開けて露光する。このときもシャッター５とシャッタ
ー６との直径の差は機械合わせによるずれを充分補える
ものである。（図３（ｂ））。次にレジスト１０を現像
し、レジスト１０パターンを形成する。このときも、シ
ャッター６の直径はシャッター５の直径より大きく設定
されているので第３の下地膜９の段差部はシャッター６
により覆われている。このためレジスト１０を現像した
時に現像残りは生じない（図３（ｃ））。
ャッター４、５、６のうち、シャッター５よりも直径の
大きいシャッター６を閉じ、その他のシャッター４、５
を開けて露光する。このときもシャッター５とシャッタ
ー６との直径の差は機械合わせによるずれを充分補える
ものである。（図３（ｂ））。次にレジスト１０を現像
し、レジスト１０パターンを形成する。このときも、シ
ャッター６の直径はシャッター５の直径より大きく設定
されているので第３の下地膜９の段差部はシャッター６
により覆われている。このためレジスト１０を現像した
時に現像残りは生じない（図３（ｃ））。
【００２０】次に、レジスト１０パターンをマスクとし
て第３の下地膜９をエッチングする。このときも第３の
下地膜９の段差部はレジスト１０パターンで覆われてお
り、エッチング残りは生じない（図３（ｄ））。その
後、レジスト１０パターンをアッシングにより除去し
て、第２の下地膜７パターン上に第３の下地膜９パター
ンを形成する。このとき第３の下地膜９パターンは第２
の下地膜７パターンを被覆して形成される（図３
（ｅ））。
て第３の下地膜９をエッチングする。このときも第３の
下地膜９の段差部はレジスト１０パターンで覆われてお
り、エッチング残りは生じない（図３（ｄ））。その
後、レジスト１０パターンをアッシングにより除去し
て、第２の下地膜７パターン上に第３の下地膜９パター
ンを形成する。このとき第３の下地膜９パターンは第２
の下地膜７パターンを被覆して形成される（図３
（ｅ））。
【００２１】実施例２．なお、上記実施例１ではそれぞ
れ面積の異なった３枚のシャッター４、５、６を用いた
場合について説明したが、下地膜に応じて任意にその面
積を変えることができるシャッターを用いても良い。
れ面積の異なった３枚のシャッター４、５、６を用いた
場合について説明したが、下地膜に応じて任意にその面
積を変えることができるシャッターを用いても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によればシャッタ
ーを下地膜の下層から上層へゆくに従いその面積を大き
くするようにし、上層の下地膜が下層の下地膜を被覆し
て形成されるようにしたので、ウエハ周辺部のレジスト
や下地膜の除去を良好に安定して行え、歩留りよく半導
体装置を製造できる。
ーを下地膜の下層から上層へゆくに従いその面積を大き
くするようにし、上層の下地膜が下層の下地膜を被覆し
て形成されるようにしたので、ウエハ周辺部のレジスト
や下地膜の除去を良好に安定して行え、歩留りよく半導
体装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の下地膜の周辺露光による形成
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図２】この発明の第２の下地膜の周辺露光によるパタ
ーン形成方法を示す工程断面図である。
ーン形成方法を示す工程断面図である。
【図３】この発明の第３の下地膜の周辺露光によるパタ
ーン形成方法を示す工程断面図である。
ーン形成方法を示す工程断面図である。
【図４】従来の第１の下地膜の周辺露光によるパターン
形成方法を示す工程断面図である。
形成方法を示す工程断面図である。
【図５】従来の第２の下地膜の周辺露光によるパターン
形成方法を示す工程断面図である。
形成方法を示す工程断面図である。
１ 半導体基板 ２ 第１の下地膜 ３、８、１０ レジスト ４、５、６ シャッター ７ 第２の下地膜 ９ 第３の下地膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】次に図４（ｂ）と同様にしてシャッターを
用いてウエハ１周辺部のみを露光する。このときウエハ
１とシャッター４との位置決めの際、微妙な機械合わせ
ずれが生じてウエハ１上のシャッター４位置が第１の下
地膜２パターンに対してずれて露光されることが多い
（図５（ｂ））。次に、図４（ｃ）と同様にして現像を
行いレジスト８を溶解してレジスト８パターンを形成す
る。このときレジスト８パターンは第１の下地膜２に対
してずれて形成されていると、第２の下地膜７および第
２の下地膜７の段差部上のレジスト８膜が厚くなってい
た部分でレジスト８の現像残り８ａが生じる（図５
（ｃ））。
用いてウエハ１周辺部のみを露光する。このときウエハ
１とシャッター４との位置決めの際、微妙な機械合わせ
ずれが生じてウエハ１上のシャッター４位置が第１の下
地膜２パターンに対してずれて露光されることが多い
（図５（ｂ））。次に、図４（ｃ）と同様にして現像を
行いレジスト８を溶解してレジスト８パターンを形成す
る。このときレジスト８パターンは第１の下地膜２に対
してずれて形成されていると、第２の下地膜７および第
２の下地膜７の段差部上のレジスト８膜が厚くなってい
た部分でレジスト８の現像残り８ａが生じる（図５
（ｃ））。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】次に、図４（ｄ）と同様にしてレジスト８
パターンをマスクとして第２の下地膜７をエッチングす
る。このときレジスト８パターンのずれによって第２の
下地膜７は一方では第１の下地膜２パターンを被覆する
ように形成され、他方では第１の下地膜２パターン側壁
部にエッチング残り７ａが形成される（図５（ｄ））。
その後、図４（ｅ）と同様にしてレジスト８パターン
をアッシングにより除去して第１の下地膜２パターン上
に第２の下地膜７パターンを形成する。このとき第２の
下地膜７のエッチング残り７ａは残存した状態である
（図５（ｅ））。
パターンをマスクとして第２の下地膜７をエッチングす
る。このときレジスト８パターンのずれによって第２の
下地膜７は一方では第１の下地膜２パターンを被覆する
ように形成され、他方では第１の下地膜２パターン側壁
部にエッチング残り７ａが形成される（図５（ｄ））。
その後、図４（ｅ）と同様にしてレジスト８パターン
をアッシングにより除去して第１の下地膜２パターン上
に第２の下地膜７パターンを形成する。このとき第２の
下地膜７のエッチング残り７ａは残存した状態である
（図５（ｅ））。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の周辺露光による
パターン形成方法は以上のようである。数層重ね合わせ
られた下地膜を形成する際にはその各々の下地膜を周辺
露光して積層する必要がある。図５（ｂ）に示すように
周辺露光位置のシャッター４は一枚であり、しかも固定
されている。このことから各下地膜をシャッター４を用
いて露光する際、シャッター４の位置決めおよびウエハ
１の位置決めは機械合わせによる誤差を生じやすいもの
であった。また、そのために図５（ｅ）に示すように第
１の下地膜２と第２の下地膜７との間でパターンのずれ
を生じ、第２下地膜７は完全に除去されず、第２の下地
膜７のエッチング残り７ａが形成されてしまう。このエ
ッチング残り７ａは後工程においてウエハ１より剥がれ
て異物となり歩留まり低下させるなどの問題点があっ
た。
パターン形成方法は以上のようである。数層重ね合わせ
られた下地膜を形成する際にはその各々の下地膜を周辺
露光して積層する必要がある。図５（ｂ）に示すように
周辺露光位置のシャッター４は一枚であり、しかも固定
されている。このことから各下地膜をシャッター４を用
いて露光する際、シャッター４の位置決めおよびウエハ
１の位置決めは機械合わせによる誤差を生じやすいもの
であった。また、そのために図５（ｅ）に示すように第
１の下地膜２と第２の下地膜７との間でパターンのずれ
を生じ、第２下地膜７は完全に除去されず、第２の下地
膜７のエッチング残り７ａが形成されてしまう。このエ
ッチング残り７ａは後工程においてウエハ１より剥がれ
て異物となり歩留まり低下させるなどの問題点があっ
た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものでシャッター位置とウエハ位置との
機械合わせによって生じる誤差にかかわらず、ウエハ周
辺部のレジストおよび下地膜を良好に安定して除去でき
る周辺露光によるパターン形成方法を得ることを目的と
する。
ためになされたものでシャッター位置とウエハ位置との
機械合わせによって生じる誤差にかかわらず、ウエハ周
辺部のレジストおよび下地膜を良好に安定して除去でき
る周辺露光によるパターン形成方法を得ることを目的と
する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の周辺露光によるパターン形成方法はシャッターを下地
膜の下層での露光工程から上層での露光工程へゆくに従
い、上記シャッターの面積を大きくするようにしたもの
である。
の周辺露光によるパターン形成方法はシャッターを下地
膜の下層での露光工程から上層での露光工程へゆくに従
い、上記シャッターの面積を大きくするようにしたもの
である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】また、この発明に係わる請求項２の周辺露
光によるパターン形成方法は上層の下地膜が下層の下地
膜を周辺部においても被覆して形成されるようにしたも
のである。
光によるパターン形成方法は上層の下地膜が下層の下地
膜を周辺部においても被覆して形成されるようにしたも
のである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【作用】この発明における周辺露光によるパターン形成
方法はシャッターを下地膜の下層から上層へゆくに従
い、シャッターがウエハを覆う面積を大きくするように
し、上層の下地膜が下層の下地膜を周辺部においても被
覆して形成されるようにしたので、シャッターの位置お
よびウエハ位置の機械合わせによる誤差を補うことがで
き、パターンずれによって生じる下地膜のエッチング残
りのない周辺露光によるパターン形成が行える。
方法はシャッターを下地膜の下層から上層へゆくに従
い、シャッターがウエハを覆う面積を大きくするように
し、上層の下地膜が下層の下地膜を周辺部においても被
覆して形成されるようにしたので、シャッターの位置お
よびウエハ位置の機械合わせによる誤差を補うことがで
き、パターンずれによって生じる下地膜のエッチング残
りのない周辺露光によるパターン形成が行える。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】実施例１．図１はこの発明の第１の下地膜
の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断面図で
ある。図において１〜３は従来例におけるものと同等の
ものであり、図１（ａ）（ｃ）（ｄ）は従来の図４
（ａ）（ｃ）（ｄ）と同等のものであるのでその詳細な
説明は省略し、図１（ｂ）についてのみ説明をする。こ
の発明の周辺露光装置においては中心が同一でかつそれ
ぞれ直径を異にした３枚のシャッター４、５、６を備え
ている。第１の下地膜２上のレジスト３に対して周辺露
光を施す場合は最も直径の小さいシャッター４を閉じ、
その他のシャッター５、６は開いて露光を行う。
の周辺露光によるパターン形成方法を示す工程断面図で
ある。図において１〜３は従来例におけるものと同等の
ものであり、図１（ａ）（ｃ）（ｄ）は従来の図４
（ａ）（ｃ）（ｄ）と同等のものであるのでその詳細な
説明は省略し、図１（ｂ）についてのみ説明をする。こ
の発明の周辺露光装置においては中心が同一でかつそれ
ぞれ直径を異にした３枚のシャッター４、５、６を備え
ている。第１の下地膜２上のレジスト３に対して周辺露
光を施す場合は最も直径の小さいシャッター４を閉じ、
その他のシャッター５、６は開いて露光を行う。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】次に、周辺露光に設けられた３枚のシャッ
ター４、５、６のうち、シャッター４よりも直径の大き
いシャッター５を閉じ、その他のシャッター４、６を開
いて露光する。このときシャッター４とシャッター５と
の直径の差はウエハの機械位置合わせによるずれを充分
補うことができる（図２（ｂ））。次に、現像液により
レジスト８を溶解し、レジスト８パターンを形成する。
このときシャッター５の直径はシャッター４の直径より
大きく設定されているので第２の下地膜７の段差部はシ
ャッター５により覆われている。このためレジスト８を
現像したときに現像残りは生じない（図２（ｃ））。
ター４、５、６のうち、シャッター４よりも直径の大き
いシャッター５を閉じ、その他のシャッター４、６を開
いて露光する。このときシャッター４とシャッター５と
の直径の差はウエハの機械位置合わせによるずれを充分
補うことができる（図２（ｂ））。次に、現像液により
レジスト８を溶解し、レジスト８パターンを形成する。
このときシャッター５の直径はシャッター４の直径より
大きく設定されているので第２の下地膜７の段差部はシ
ャッター５により覆われている。このためレジスト８を
現像したときに現像残りは生じない（図２（ｃ））。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】次に、周辺露光装置に設けられた３枚のシ
ャッター４、５、６のうち、シャッター５よりも直径の
大きいシャッター６を閉じ、その他のシャッター４、５
を開けて露光する。このときもシャッター５とシャッタ
ー６との直径の差はウエハの機械位置合わせによるずれ
を充分補えるものである。（図３（ｂ））。次にレジス
ト１０を現像し、レジスト１０パターンを形成する。こ
のときも、シャッター６の直径はシャッター５の直径よ
り大きく設定されているので第３の下地膜９の段差部は
シャッター６により覆われている。このためレジスト１
０を現像した時に現像残りは生じない（図３（ｃ））。
ャッター４、５、６のうち、シャッター５よりも直径の
大きいシャッター６を閉じ、その他のシャッター４、５
を開けて露光する。このときもシャッター５とシャッタ
ー６との直径の差はウエハの機械位置合わせによるずれ
を充分補えるものである。（図３（ｂ））。次にレジス
ト１０を現像し、レジスト１０パターンを形成する。こ
のときも、シャッター６の直径はシャッター５の直径よ
り大きく設定されているので第３の下地膜９の段差部は
シャッター６により覆われている。このためレジスト１
０を現像した時に現像残りは生じない（図３（ｃ））。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によればシャッタ
ーを下地膜の下層から上層へゆくに従いシャッターがウ
エハを覆う面積を大きくするようにし、上層の下地膜が
下層の下地膜を被覆して形成されるようにしたので、ウ
エハ周辺部のレジストや下地膜の除去を良好に安定して
行え、歩留りよく半導体装置を製造できる。
ーを下地膜の下層から上層へゆくに従いシャッターがウ
エハを覆う面積を大きくするようにし、上層の下地膜が
下層の下地膜を被覆して形成されるようにしたので、ウ
エハ周辺部のレジストや下地膜の除去を良好に安定して
行え、歩留りよく半導体装置を製造できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
Claims (2)
- 【請求項１】 下地膜を成膜する工程と、上記下地膜上
にレジスト膜を形成する工程と、上記下地膜の中央部を
シャッターで覆うことにより周辺部のみを露光する工程
と、上記レジスト膜の露光部を除去する工程および露光
部除去後のレジスト膜をマスクとして上記下地膜をエッ
チングする工程とからなる一連の工程を繰り返すことに
より半導体基板上に複数層の下地膜を形成する方法にお
いて、 上記シャッターを下地膜の下層から上層へゆくに従い、
その面積を大きくするようにしたことを特徴とする周辺
露光によるパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法により半導体基板上
に形成された複数層の下地膜において、上層の下地膜が
下層の下地膜を被覆して形成されるようにしたことを特
徴とする周辺露光によるパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19205892A JPH0637012A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 周辺露光によるパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19205892A JPH0637012A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 周辺露光によるパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637012A true JPH0637012A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16284922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19205892A Pending JPH0637012A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 周辺露光によるパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637012A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327592B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-03-15 | 박종섭 | 웨이퍼 에이지의 패턴 구조 및 그의 형성방법 |
| KR100545862B1 (ko) * | 2000-01-19 | 2006-01-24 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 엣지에서의 리프팅 제어 방법 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19205892A patent/JPH0637012A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327592B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2002-03-15 | 박종섭 | 웨이퍼 에이지의 패턴 구조 및 그의 형성방법 |
| KR100545862B1 (ko) * | 2000-01-19 | 2006-01-24 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 엣지에서의 리프팅 제어 방법 |
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