JPH098205A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 多端子化に対応でき、且つ、アウターリード
の位置ズレや平坦性の問題にも対応できる樹脂封止型半
導体装置を提供する。 【構成】 一体的に連結したリードフレーム素材と同じ
厚さの外部回路と接続するための柱状の端子柱１３３と
を有し、且つ、端子柱はインナーリードの外部側におい
てインナーリードに対して厚み方向に直交して設けられ
ており、端子柱の先端面に半田等からなる端子部を設
け、端子部を封止用樹脂部から露出させ、端子柱の外部
側の側面を封止用樹脂部から露出させており、インナー
リードは、断面形状が略方形で第１面１３１Ａａ、第２
面Ａｂ、第３面Ａｃ、第４面Ａｄの４面を有しており、
かつ第１面はリードフレーム素材と同じ厚さの他の部分
の一方の面と同一平面上にあって第２面に向き合ってお
り、第３面、第４面はインナーリードの内側に向かって
凹んだ形状に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置の多端子化
に対応でき、且つ、アウターリードの位置ズレ（スキュ
ー）やアウターリードの平坦性（コプラナリティー）の
問題に対応できる、リードフレームを用いた樹脂封止型
半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図１５（ａ）に示されるような構造であり、
半導体素子１５２０を搭載するダイパッド部１５１１や
周囲の回路との電気的接続を行うためのアウターリード
部１５１３、アウターリード部１５１３に一体となった
インナーリード部１５１２、該インナーリード部１５１
２の先端部と半導体素子１５２０の電極パッド１５２１
とを電気的に接続するためのワイヤ１５３０、半導体素
子１５２０を封止して外界からの応力、汚染から守る樹
脂１５４０等からなっており、半導体素子１５２０をリ
ードフレームのダイパッド１５１１部等に搭載した後
に、樹脂１５４０により封止してパッケージとしたもの
で、半導体素子１５２０の電極パッド１５２１に対応で
きる数のインナーリード１５１２を必要とするものであ
る。そして、このような樹脂封止型の半導体装置の組立
部材として用いられる（単層）リードフレームは、一般
には図１５（ｂ）に示すような構造のもので、半導体素
子を搭載するためのダイパッド１５１１と、ダイパッド
１５１１の周囲に設けられた半導体素子と結線するため
のインナーリード１５１２、該インナーリード１５１２
に連続して外部回路との結線を行うためのアウターリー
ド１５１３、樹脂封止する際のダムとなるダムバー１５
１４、リードフレーム１５１０全体を支持するフレーム
（枠）部１５１５等を備えており、通常、コバール、４
２合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金のような
導電性に優れた金属を用い、プレス法もしくはエッチン
グ法により形成されていた。尚、図１５（ｂ）（ロ）
は、図１５（ｂ）（イ）に示すリードフレーム平面図の
Ｆ１−Ｆ２における断面図である。

【０００３】このようなリードフレームを利用した樹脂
封止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッ
ケージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半
導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の
増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特
にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及び
ＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。
上記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細
なものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング
加工方法により作製され、微細でないものはプレスによ
る加工方法による作製されるのが一般的であったが、こ
のような半導体装置の多ピン化に伴い、リードフレーム
においても、インナーリード部先端の微細化が進み、当
初は、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き加
工によらず、リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍｍ
程度のものを用い、エッチング加工で対応してきた。こ
のエッチング加工方法の工程について以下、図１４に基
づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは４２％
ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板
（リードフレーム素材１４１０）を十分洗浄（図１４
（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光剤とした水
溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト１４２０を該
薄板の両表面に均一に塗布する。（（図１４（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図１４（ｃ））、レジスト
パターン１４３０を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必
要に応じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とする
エッチング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレー
ム素材１４１０）に吹き付け所定の寸法形状にエッチン
グし、貫通させる。（図１４（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図１４（ｅ））、洗
浄後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工
程を終了する。このように、エッチング加工等によって
作製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀
メッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング加工方法にお
いては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向
の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加工に
も限度があるのが一般的で、図１４に示すように、リー
ドフレーム素材の両面からエッチングするため、ライン
アンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅
は、板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リ
ードフレームの後工程等のアウターリードの強度を考え
た場合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上
必要とされている。この為、図１４に示すようなエッチ
ング加工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５
ｍｍ〜０．１２５ｍｍ程度まで薄くすることにより、ワ
イヤボンデイングのための必要な平坦幅７０〜８０μｍ
を確保し、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナー
リード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。

【０００４】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄くした場合には、アセンブリ工程や実装工程といった
後工程におけるアウターリードの強度確保が難しいとい
う点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング
加工を行う方法にも限界が出てきた。

【０００５】これに対応する方法として、アウターリー
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード部分をハーフエッチングもしくはプレスにより薄
くしてエッチング加工を行う方法が提案されている。し
かし、プレスにより薄くしてエッチング加工をおこなう
場合には、後工程においての精度が不足する（例えば、
めっきエリアの平滑性）、ボンデイング、モールデイン
グ時のクランプに必要なインナーリードの平坦性、寸法
精度が確保されない、製版を２度行なわなければならな
い等製造工程が複雑になる、等問題点が多くある。そし
て、インナーリード部分をハーフエッチングにより薄く
してエッチング加工を行う方法の場合にも、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があり、いずれも実用化には、未だ至っていないのが
現状である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】一方、半導体装置の多
端子化に伴いインナーリードピッチが狭くなる為、半導
体装置を実装する際に、アウターリードの位置ズレ（ス
キュー）や平坦性（コプラナリティー）の良し悪しが大
きな問題となってきた。本発明は、このような状況のも
と、多端子化に対応でき、且つ、アウターリードの位置
ズレ（スキュー）や平坦性（コプラナリティー）の問題
にも対応できる半導体装置の提供をしようとするもので
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、２段エッチング加工によりインナーリードの
厚さがリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に外形加工
されたリードフレームを用いた半導体装置であって、前
記リードフレームは、リードフレーム素材よりも薄肉の
インナーリードと、該インナーリードに一体的に連結し
たリードフレーム素材と同じ厚さの外部回路と接続する
ための柱状の端子柱とを有し、且つ、端子柱はインナー
リードの外部側においてインナーリードに対して厚み方
向に直交して設けられており、端子柱の先端面に半田等
からなる端子部を設け、端子部を封止用樹脂部から露出
させ、端子柱の外部側の側面を封止用樹脂部から露出さ
せており、インナーリードは、断面形状が略方形で第１
面、第２面、第３面、第４面の４面を有しており、かつ
第１面はリードフレーム素材と同じ厚さの他の部分の一
方の面と同一平面上にあって第２面に向き合っており、
第３面、第４面はインナーリードの内側に向かって凹ん
だ形状に形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、２段エッチン
グ加工によりインナーリードの厚さがリードフレーム素
材の厚さよりも薄肉に外形加工されたリードフレームを
用いた半導体装置であって、前記リードフレームは、リ
ードフレーム素材よりも薄肉のインナーリードと、該イ
ンナーリードに一体的に連結したリードフレーム素材と
同じ厚さの外部回路と接続するための柱状の端子柱とを
有し、且つ、端子柱はインナーリードの外部側において
インナーリードに対して厚み方向に直交して設けられて
おり、端子柱の先端の一部を封止用樹脂部から露出させ
て端子部とし、端子柱の外部側の側面を封止用樹脂部か
ら露出させており、インナーリードは、断面形状が略方
形で第１面、第２面、第３面、第４面の４面を有してお
り、かつ第１面はリードフレーム素材と同じ厚さの他の
部分の一方の面と同一平面上にあって第２面に向き合っ
ており、第３面、第４面はインナーリードの内側に向か
って凹んだ形状に形成されていることを特徴とするもの
である。そして、上記において、半導体素子は、インナ
ーリード部間に収まり、該半導体素子の電極部（パッ
ド）はワイヤにてインナーリードと電気的に結線されて
いることを特徴とするものである。また、該リードフレ
ームはダイパッドを有し、半導体素子はダイパッド上に
搭載、固定されていることを特徴とするものであり、該
リードフレームはダイパッドを持たないもので、半導体
素子はインナーリードとともに補強用テープにより固定
されていることを特徴とするものである。また、上記に
おいて、リードフレームはダイパッドを持たないもの
で、半導体素子はインナーリードとともに補強固定用テ
ープにより固定されていることを特徴とするものであ
る。また、上記において、半導体素子は、半導体素子の
電極部（パッド）側の面をインナーリードの第２面に絶
縁性接着材により固定されており、該半導体素子の電極
部（パッド）はワイヤによりインナーリードの第１面と
電気的に結線されていることを特徴とするものである。
また、上記において、半導体素子は、バンプによりイン
ナーリードの第２面に固定され、電気的にインナーリー
ドと接続していることを特徴とするものである。尚、上
記において、端子柱の先端面に半田等からなる端子部を
設け、端子部を封止用樹脂部から露出させる場合、半田
等からなる端子部は封止用樹脂部から突出したものが一
般的であるが、必ずしも突出する必要はない。また、端
子柱部の外部側の側面を封止用樹脂部から露出させて、
そのまま用いる場合もあるが、封止用樹脂部から露出さ
れて部分を接着材等を介して保護枠で覆っても良い。

【０００８】

【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記のよう
に構成することにより、リードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置において、多端子化に対応でき、且つ、
従来の図１３（ｂ）に示す単層リードフレームを用いた
場合のように、アウターリードのフオーミング工程を必
要としないため、これらの工程に起因して発生していた
アウターリードのスキューの問題やアウターリードの平
坦性（コープラナリティー）の問題を全く無くすことが
できる半導体装置の提供を可能とするものである。詳し
くは、２段エッチング加工によりインナーリードの厚さ
が素材の厚さよりも薄肉に外形加工された、即ち、イン
ナーリードを微細に加工された多ピンのリードフレーム
を用いることにより、半導体装置の多端子化に対応でき
るものとしている。更に、後述する、図１１に示す２段
エッンチングにより作製された、リードフレームを用い
ることにより、インナーリード部の第２面は平坦性を確
保でき、ワイヤボンデイング性の良いものとしている。
また第１面も平坦面で、第３面、第４面はインナーリー
ド側に凹状であるためインナーリード部は、安定してお
り、且つ、ワイヤボンデイングの平坦幅を広くとれる。

【０００９】

【実施例】本発明の樹脂封止型半導体装置の実施例を図
にそって説明する。先ず、実施例１の樹脂封止型半導体
装置を図１、図２に示し、説明する。図１（ａ）は実施
例１の樹脂封止型半導体装置の断面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２におけるインナーリー
ド部の断面図で、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ１−Ｂ２
における端子柱部の断面図で、図２（ａ）は実施例１の
樹脂封止型半導体装置の斜視図であり、図２（ｂ）はそ
の正面図を、図２（ｃ）は下面図を示している。図１、
図２中、１００は半導体装置、１１０は半導体素子、１
１１は電極部（パッド）、１２０はワイヤ、１３０はリ
ードフレーム、１３１はインナーリード、１３１Ａａは
第１面、１３１Ａｂは第２面、１３１Ａｃは第３面、１
３１Ａｄは第４面、１３３は端子柱部、１３３Ａは端子
部、１３３Ｂは側面、１３３Ｓは先端面、１３５はダイ
パッド、１４０は封止用樹脂である。本実施例１の樹脂
封止型半導体装置においては、図１（ａ）に示すよう
に、半導体素子１１０は、インナーリード間に収まり、
且つ、半導体素子は、図１（ａ）で半導体素子１１０の
電極部（パッド）１１１を上にして、半導体素子１１０
の電極部（パッド）１１１側の面とは反対側の面にてダ
イパッド１３５上に搭載され、固定されている。そし
て、電極部（パッド）１１１はインナーリード１３１の
第２面１３１Ａｂにてワイヤ１２０により、電気的に結
線されている。本実施例１の半導体装置１００と外部回
路との電気的な接続は、端子柱１３３の先端面１３３Ｓ
に設けられた半球状の半田からなる端子部１３３Ａを介
してプリント基板等へ搭載されることにより行われる。
尚、実施例１の半導体装置において、必らずしも保護枠
１８０を設ける必要はなく、図１（ｄ）に示すような保
護枠１８０を設けない構造のままでも良い。

【００１０】実施例１の半導体装置１００に使用のリー
ドフレーム１３０は、４２％ニッケル−鉄合金を素材と
したもので、そして、図９（ａ）に示すような形状をし
た、エッチングにより外形加工されたリードフレーム１
３０Ａを用いたものであり、端子柱部１３３部分や他の
部分の厚さより薄肉に形成されたインナーリード部１３
１をもつ。ダムバー１３６は樹脂封止する際のダムとな
る。尚、図９（ａ）に示すような形状をした、エッチン
グにより外形加工されたリードフレーム１３０Ａを、本
実施例においては用いたが、インナーリード部１３１と
端子柱部１３３以外は最終的に不要なものであるから、
特にこの形状に限定はされない。インナーリード部１３
１の厚さｔは４０μｍ、インナーリード部１３１以外の
厚さｔ₀ は０．１５ｍｍでリードフレーム素材の板厚の
ままである。インナーリード部１３１以外の板厚は０．
１５ｍｍに限らず更に薄い０．１２５ｍ〜０．５０ｍｍ
程度でも良い。また、インナーリードピッチは０．１２
ｍｍと狭いピッチで、半導体装置の多端子化に対応でき
るものとしている。インナーリード部１３１の第２面１
３１Ａｂは平坦状でワイヤボンデイィングし易い形状と
なっており、図１（ｂ）に示すように、第３面１３１Ａ
ｃ、第４面１３１Ａｄはインナーリード側へ凹んだ形状
をしており、第２面１３１Ａｂ（ワイヤボンディング
面）を狭くしても強度的に強いものとしている。

【００１１】本実施例においては、インナーリード１３
１の長さが短かく、インナーリード１３１部にヨレが発
生しずらい為、直接図９（ａ）に示すような、インナー
リード先端がそれぞれ分離された形状のリードフレーム
をエッチング加工にして作製し、これに後述する方法に
より半導体素子を搭載して樹脂封止している。インナー
リード１３１が長く、インナーリード１３１部にヨレを
生じ易い場合には、直接図９（ａ）に示す形状にエッチ
ング加工することは出来ないため、図９（ｃ）（イ）に
示すようにインナーリード先端部を連結部１３１Ｂにて
固定した状態にエッチング加工した後、インナーリード
１３１部を補強テープ１６０で固定し（図９（ｃ）
（ロ））、次いでプレスにて、半導体装置作製の際には
不要の連結部１３１Ｂを除去し、この状態で半導体素子
を搭載して半導体装置を作製する。（図９（ｃ）
（ハ））

【００１２】次に本実施例１の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を図８に基づいて簡単に説明する。先ず、後述
するエッチング加工にて外形加工された、図９（ａ）に
示すリードフレーム１３０Ａを、インナーリード１３１
先端の第２面１３１Ａｂが図８で上になるようにして用
意した。（図８（ａ）） 次いで半導体素子１１０の電極部１１１側の面を図８で
上にして、半導体素子をダイパッド１３５上に搭載、固
定した。（図８（ｂ）） 半導体素子１１０をダイパッド１３５に固定した後、半
導体素子１１０の電極部１１１とインナーリード部１３
１先端の第２面とをワイヤ１２０にてボンデイング接続
した。（図８（ｃ）） 次いで、通常の封止用樹脂１４０で樹脂封止を行った
後、不要なリードフレーム１３０の樹脂１４０面から突
出している部分をプレスにて切断し、端子柱１３３を形
成するとともに端子柱１３３の側面１３３Ｂを形成し
た。（図８（ｄ）） 図９に示すリードフレーム１３０Ａのダムバー１３６、
フレーム部１３７等を除去した。この後、リードフレー
ムの端子柱の外側の面に半球状の半田からなる端子部１
３３Ａを作製して半導体装置を作製した。（図８
（ｅ）） 次いで、保護枠１８０を接着材１９０を介して端子柱の
側面を覆うように、外周全体に設けた。（図８（ｆ）） 尚、保護枠１８０は、半導体装置の補強の為と、端子柱
の側面が露出することにより封止用樹脂と端子柱の隙間
から水分が入り半導体装置にクラックが入り破損してし
まうことがないようにする為に設けたものであるが、必
ずしも必要としない。また、樹脂による封止は所定の型
を用いて行うが、半導体素子１１０のサイズで、且つ、
リードフレームの端子柱の外側の面が若干樹脂から外部
へ突出した状態で封止した。

【００１３】本発明の半導体装置に用いられるリードフ
レームの製造方法を以下、図にそって説明する。図１１
は、本実施例１の樹脂封止型半導体装置に用いられたリ
ードフレームの製造方法を説明するための、インナーリ
ード先端部を含む要部における各工程断面図であり、こ
こで作製されるリードフレームを示す平面図である図９
（ａ）のＤ１−Ｄ２部の断面部における製造工程図であ
る。図１１中、１１１０はリードフレーム素材、１１２
０Ａ、１１２０Ｂはレジストパターン、１１３０は第一
の開口部、１１４０は第二の開口部、１１５０は第一の
凹部、１１６０は第二の凹部、１１７０は平坦状面、１
１８０はエッチング抵抗層を示す。先ず、４２％ニッケ
ル−鉄合金からなり、厚みが０．１５ｍｍのリードフレ
ーム素材１１１０の両面に、重クロム酸カリウムを感光
剤とした水溶性カゼインレジストを塗布した後、所定の
パターン版を用いて、所定形状の第一の開口部１１３
０、第二の開口部１１４０をもつレジストパターン１１
２０Ａ、１１２０Ｂを形成した。（図１１（ａ）） 第一の開口部１１３０は、後のエッチング加工において
リードフレーム素材１１１０をこの開口部からベタ状に
リードフレーム素材よりも薄肉に腐蝕するためのもの
で、レジストの第二の開口部１１４０は、インナーリー
ド先端部の形状を形成するためのものである。第一の開
口部１１３０は、少なくともリードフレーム１１１０の
ンナーリード先端部形成領域を含むが、後工程におい
て、テーピングの工程や、リードフレームを固定するク
ランプ工程で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部
分との段差が邪魔になる場合があるので、エッチングを
行うエリアはインナーリード先端の微細加工部分だけに
せず大きめにとる必要がある。次いで、液温５７°Ｃ、
比重４８ボーメの塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧
２．５ｋｇ／ｃｍ² にて、レジストパターンが形成され
たリードフレーム素材１１１０の両面をエッチングし、
ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部１１５０の深
さｈがリードフレーム部材の約２／３程度に達した時点
でエッチングを止めた。（図１１（ｂ）） 上記第１回目のエッチングにおいては、リードフレーム
素材１１１０の両面から同時にエッチングを行ったが、
必ずしも両面から同時にエッチングする必要はない。本
実施例のように、第１回目のエッチングにおいてリード
フレーム素材１１１０の両面から同時にエッチングする
理由は、両面からエッチングすることにより、後述する
第２回目のエッチング時間を短縮するためで、レジスト
パターン９２０Ｂ側からのみの片面エッチングの場合と
比べ、第１回目エッチングと第２回目エッチングのトー
タル時間が短縮される。次いで、第一の開口部１１３０
側の腐蝕された第一の凹部１５００にエッチング抵抗層
１１８０としての耐エッチング性のあるホットメルト型
ワックス（ザ・インクテエック社製の酸ワックス、型番
ＭＲ−ＷＢ６）を、ダイコータを用いて、塗布し、ベタ
状（平坦状）に腐蝕された第一の凹部１１５０に埋め込
んだ。レジストパターン１１２０Ａ上も該エッチング抵
抗層１１８０に塗布された状態とした。（図１１
（ｃ）） エッチング抵抗層１１８０を、レジストパターン１１２
０Ａ上全面に塗布する必要はないが、第一の凹部１１５
０を含む一部にのみ塗布することは難し為に、図１１
（ｃ）に示すように、第一の凹部１１５０とともに、第
一の開口部１１３０側全面にエッチング抵抗層１１８０
を塗布した。本実施例で使用したエッチング抵抗層１１
８０は、アルカリ溶解型のワックスであるが、基本的に
エッチング液に耐性があり、エッチング時にある程度の
柔軟性のあるものが、好ましく、特に、上記ワックスに
限定されず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエ
ッチング抵抗層１１８０をインナーリード先端部の形状
を形成するためのパターンが形成された面側の腐蝕され
た第一の凹部１１５０に埋め込むことにより、後工程で
のエッチング時に第一の凹部１１５０が腐蝕されて大き
くならないようにしているとともに、高精細なエッチン
グ加工に対しての機械的な強度補強をしており、スプレ
ー圧を高く（２．５ｋｇ／ｃｍ² 以上）とすることがで
き、これによりエッチングが深さ方向に進行し易すくな
る。この後、第２回目のエッチングを行い、ベタ状（平
坦状）に腐蝕された第二の凹部１１６０形成面側からリ
ードフレーム素材１１１０をエッチングし、貫通させ、
インナーリード先端部１３１Ａを形成した。（図１１
（ｄ）） 第１回目のエッチング加工にて作製された、リードフレ
ーム面に平行なエッチング形成面は平坦であるが、この
面を挟む２面はインナーリード側にへこんだ凹状であ
る。次いで、洗浄、エッチング抵抗層９８０の除去、レ
ジスト膜（レジストパターン１１２０Ａ、１１２０Ｂ）
の除去を行い、インナーリード先端部１３１Ａが微細加
工された図９（ａ）に示すリードフレーム１３０Ａを得
た。エッチング抵抗層１１８０とレジスト膜（レジスト
パターン１１２０Ａ、１１２Ｂ０）の除去は水酸化ナト
リウム水溶液により溶解除去した。

【００１４】上記、図１１に示すリードフレームの製造
方法は、本実施例に用いられる、インナーリード先端部
を薄肉に形成したリードフレームをエッチング加工によ
り製造する方法で、特に、図１に示す、インナーリード
先端の第１面１３１Ａａを薄肉部以外の他の部分と同一
面に、第２面１３１Ａｂと対向させて形成し、且つ、第
３面１３１Ａｃ、第４面１３１Ａｄをインナーリードの
内側に向かって凹んだ形状にするエッチング加工方法で
ある。後述する実施例３の半導体装置のようにバンプを
用いて半導体素子をインナーリードの第２面１３１Ａｂ
に搭載し、インナーリードと電気的に接続する場合に
は、第２面１３１Ａｂをインナーリード側に凹んだ形状
に形成した方がバンプ接続の際の許容度が大きくなる
為、図１２に示すエッチング加工方法が採られる。図１
２に示すエッチング加工方法は、第１回目のエッチング
工程までは、図１１に示す方法と同じであるが、エッチ
ング抵抗層１１８０を第二の凹部１１６０側に埋め込ん
だ後、第一の凹部１１５０側から第２回目のエッチング
を行い、貫通させる点で異なっている。但し、第１回目
のエッチングにて、第二開口部１１４０からのエッチン
グを充分に行っておく。図１２に示すエッチング加工方
法によって得られたリードフレームのインナーリード先
端の断面形状は、図６（ｂ）に示すように、第２面３３
１Ａｂがインナーリード側にへこんだ凹状になる。

【００１５】尚、上記図１１、図１２に示すエッチング
加工方法のように、エッチングを２段階にわけて行うエ
ッチング加工方法を、一般には２段エッチング加工方法
といっており、微細加工に有利な加工方法である。本発
明に用いた図９（ａ）に示す、リードフレーム１３０Ａ
の製造においては、２段エッチング加工方法と、パター
ン形状を工夫することにより部分的にリードフレーム素
材を薄くしながら外形加工をする方法とが伴行して採ら
れており、リードフレーム素材を薄くした部分において
は、特に、微細な加工ができるようにしている。図１
１、図１２に示す、上記の方法においては、インナーリ
ード先端部１３１Ａの微細化加工は、第二の凹部１１６
０の形状と、最終的に得られるインナーリード先端部の
厚さｔに左右されるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍ
まで薄くすると、図１１（ｅ）に示す、平坦幅Ｗ１を１
００μｍとして、インナーリード先端部ピッチｐが０．
１５ｍｍまで微細加工可能となる。板厚ｔを３０μｍ程
度まで薄くし、平坦幅Ｗ１を７０μｍ程度とすると、イ
ンナーリード先端部ピッチｐが０．１２ｍｍ程度まで微
細加工ができるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次第で
はインナーリード先端部ピッチｐは更に狭いピッチまで
作製が可能となる。ちなみに、インナーリード先端部ピ
ッチｐを０．０８ｍｍ、板厚２５μｍで平坦幅４０μｍ
程度が確保できる。

【００１６】このようにエッチング加工にてリードフレ
ームを作製する際、インナーリードの長さが短かい場合
等、製造工程でインナーリードのヨレが発生しにくい場
合には、直接図９（ａ）に示す形状のリードフレームエ
ッチング加工にて得るが、インナーリードの長さが長
く、インナーリードにヨレが発生し易い場合には、図９
（ｃ）（イ）に示ように、インナーリード先端部から連
結部１３１Ｂを設け、インナーリード先端部同士を繋げ
た形状にして形成したものを得て、半導体装置作製には
不必要な連結部１３１Ｂをプレス等により切断除去して
図９（ａ）に示す形状を得る。尚、前述のように、図９
（ｃ）（イ）に示すものを切断し、図９（ａ）に示す形
状にする際には、図９（ｃ）（ロ）に示すように、通
常、補強のため補強テープ１６０（ポリイミドテープ）
を使用する。図９（ｃ）（ロ）の状態で、プレス等によ
り連結部１３１Ｂを切断除去するが、半導体素子は、テ
ープをつけた状態のままで、リードフレームに搭載さ
れ、そのまま樹脂脂封止される。尚、Ｅ１１−Ｅ１２は
切断部分を示すものである。

【００１７】本実施例１の半導体装置に用いられたリー
ドフレームのインナーリード部１３１の断面形状は、図
１３（イ）（ａ）に示すようになっており、エッチング
平坦面１３１Ａｂ側の幅Ｗ１はほぼ平坦で反対側の面の
幅Ｗ２より若干大きくくなっており、Ｗ１、Ｗ２（約１
００μｍ）ともこの部分の板厚さ方向中部の幅Ｗよりも
大きくなっている。このようにインリーリード先端部の
両面は広くなった断面形状であるため、どちらの面を用
いても半導体素子（図示せず）とインナーリード先端部
１３１Ａとワイヤ１２０Ａ、１２０Ｂによる結線（ボン
デイング）がし易いものとなっているが、本実施例の場
合はエッチング面側（図１３（ロ）（ａ））をボンデイ
ング面としている。図中、１３１Ａｂはエッチング加工
による平坦面、１３１Ａａはリードフレーム素材面、１
２１Ａ、１２１Ｂはめっき部である。エッチング平坦状
面がアラビの無い面であるため、図１３（ロ）の（ａ）
の場合は、特に結線（ボンデイング）適性が優れる。図
１３（ハ）は図１４に示す加工方法にて作製されたリー
ドフレームのインナーリード先端部１３３１Ｂと半導体
素子（図示せず）との結線（ボンデイング）を示すもの
であるが、この場合もインナーリード先端部１３３１Ｂ
の両面は平坦ではあるが、この部分の板厚方向の幅に比
べ大きくとれない。また両面ともリードフレーム素材面
である為、結線（ボンデイング）適性は本実施例のエッ
チング平坦面より劣る。図１３（ニ）はプレス（コイニ
ング）によりインナーリード先端部を薄肉化した後にエ
ッチング加工によりインナーリード先端部１３３１Ｃ、
１３３１Ｄを加工したものの、半導体素子（図示せず）
との結線（ボンデイング）を示したものであるが、この
場合はプレス面側が図に示すように平坦になっていない
ため、どちらの面を用いて結線（ボンデイング）して
も、図１１（ニ）の（ａ）、（ｂ）に示すように結線
（ボンデイング）の際に安定性が悪く品質的にも問題と
なる場合が多い。尚、１３３１Ａｂはコイニング面であ
る

【００１８】次に実施例１の樹脂封止型半導体装置の変
形例を挙げる。図３（ａ）〜図３（ｅ）は、それぞれ、
は実施例１の樹脂封止型半導体装置の変形例の断面図で
ある。図３（ａ）に示す変形例の半導体装置は、実施例
１の半導体装置とは、ダイパッド１３５の位置が異なる
もので、ダイパッド部１３５が外部に露出している。ダ
イパッド部１３５が外部に露出していることにより、実
施例１に比べ、熱の発散性が優れている。図３（ｂ）に
示す変形例の半導体装置も、ダイパッド部１３５が外部
に露出させているものであり、実施例１に比べ、熱の発
散性が優れている。実施例１や図３（ａ）に示す変形例
とは、半導体素子１１０の向きが異なり、ワイヤボンデ
イング面をリードフレームの第１面に設けている。図３
（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）に示す変形例は、それ
ぞれ実施例１、図３（ａ）に示す変形例、図３（ｂ）に
示す変形例において、半球状の半田からなる端子部を設
けず、端子柱の面を直接端子部として用いているもので
あり、製造工程を簡略した構造となっている。

【００１９】次いで、実施例２の樹脂封止型半導体装置
を挙げる。図４（ａ）は実施例２の樹脂封止型半導体装
置の断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ３−Ａ
４におけるインナーリード部の断面図で、図４（ｃ）は
図４（ａ）のＢ３−Ｂ４における端子柱部の断面図であ
る。尚、実施例２の半導体装置の外観は実施例１とほぼ
同じとなる為、図は省略した。図３中、２００は半導体
装置、２１０は半導体素子、２１１は電極部（パッ
ド）、２２０はワイヤ、２３０はリードフレーム、２３
１はインナーリード、２３１Ａａは第１面、２３１Ａｂ
は第２面、２３１Ａｃは第３面、２３１Ａｄは第４面、
２３３は端子柱部、２３３Ａは端子部、２３３Ｂは側
面、２３３Ｓは上端面、２４０は封止用樹脂、２７０は
補強固定用テープある。本実施例２の半導体装置におい
ては、リードフレーム２３０はダイパッドを持たないも
ので、半導体素子２１０はインナーリード２３１ととも
に補強固定用テープ２７０により固定されており、半導
体素子２１０は、半導体素子の電極部（パッド）２１１
側はワイヤ２２０により、インナーリード２３１の第２
面２３１Ａｂと結線されている。本実施例２の場合も、
実施例１場合と同様に、半導体装置２００と外部回路と
の電気的な接続は、端子柱２３３の先端部に設けられた
半球状の半田からなる端子部２３３Ａを介してプリント
基板等へ搭載されることにより行われる。

【００２０】また、本実施例２の半導体装置は、図１０
（ａ）、１０（ｂ）に示す、ダイパッドを持たない、エ
ッチングにより外形加工されたリードフレーム２３０Ａ
を用いたもので、その製造方法は実施例１とほぼ同じ工
程であるが、異なる点は、実施例１の場合には半導体素
子をインナーリードに固定した状態でワイヤボンデイン
グを行い、樹脂封止しているのに対し、本実施例２の場
合には、半導体素子２１０をインナーリード２３１とと
もに補強固定用テープ２７０上に固定した状態で、ワイ
ヤボンデイング工程を行い、樹脂封止している点であ
る。尚、樹脂封止後のプレスによる不要部分の切断、端
子部の形成は、実施例１と同様である。図１０（ａ）に
示すリードフレーム２３０Ａを得るには、図９（ａ）に
示すリードフレーム１３０Ａを得た場合と同様にして得
る。即ち、図１０（ｃ）（イ）に示すエッチング加工さ
れた後のものを切断し、図１０（ａ）に示す形状にする
る。この際、図１０（ｃ）（ロ）に示すように、通常、
補強のため補強テープ２６０（ポリイミドテープ）を使
用する。

【００２１】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、実施例２の半
導体装置の変形例半導体装置の断面図である。図５
（ａ）に示す変形例半導体装置は、半導体素子の向きが
図５（ａ）で、電極部を有する面を下側にしている点、
およびワイヤボンデイング面をリードフレームの第１面
に設けている点で実施例２の半導体装置と異なる。図５
（ｂ）、図５（ｃ）に示す変形例半導体装置は、それぞ
れ実施例２の半導体装置、図５（ａ）に示す変形例の半
導体装置において、半球状の半田からなる端子部を設け
ず、端子柱の面を直接端子部として用いているものであ
る。保護枠がなく、端子柱２３３の側面２３３Ｂを側面
に露出している為、テスタ等での信号のチエックがし易
い構造となっている。

【００２２】次いで、実施例３の樹脂封止型半導体装置
を挙げる。図６（ａ）は実施例３の樹脂封止型半導体装
置の断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ５−Ａ
６におけるインナーリード部の断面図で、図６（ｃ）は
図６（ａ）のＢ５−Ｂ６における端子柱部の断面図であ
る。尚、実施例３の半導体装置の外観も実施例１とほぼ
同じとなる為、図は省略した。図６中、３００は半導体
装置、３１０は半導体素子、３１２はバンプ、３３０は
リードフレーム、３３１はインナーリード、３３１Ａａ
は第１面、３３１Ａｂは第２面、３３１Ａｃは第３面、
３３１Ａｄは第４面、３３３は端子柱部、３３３Ａは端
子部、３３３Ｂは側面、３３３Ｓはは上端面、３４０は
封止用樹脂、３５０は補強用テープである。本実施例３
の半導体装置においては、半導体素子３１０は、バンプ
３１１によりインナーリード３３１の第２面３３１Ａｂ
に固定され、電気的にインナーリード３３１と接続して
いる。リードフレーム３３０は、図１０（ａ）、図１０
（ｂ）に示す外形のもので、図１１に示すエッチング加
工により作製されたものを用いている。図１３（イ）
（ｂ）に示すように、インナーリード３３１の両面の幅
Ｗ１Ａ、Ｗ２Ａ（約１００μｍ）ともこの部分の板厚さ
方向中部の幅ＷＡよりも大きくなっており、且つ、イン
ナーリード３３１の第２面３３１Ａｂはインナーリード
の内側に向かって凹んだ形状で、第１面３３１Ａａが平
坦であることより、インナーリードの微細化に対応でき
るとともに、インナーリード３３１の第２面３３１Ａｂ
において、半導体素子とバンプにて電気的に接続する際
には、図１３（ロ）（ｂ）のように接続がし易いものと
している。また、本実施例３の場合も、実施例１や実施
例２の場合と同様に、半導体装置３００と外部回路との
電気的な接続は、端子柱３３３先端部に設けられた半球
状の半田からなる端子部３３３Ａを介してプリント基板
等へ搭載されることにより行われる。

【００２３】実施例３の半導体装置は、実施例１の半導
体装置の場合とは異なり、図１２に示すエッチングによ
り外形加工されたリードフレームを用いたものである
が、半導体装置自体の作製方法はほぼ同じ工程である。
異なる点は、実施例１の半導体装置の場合には半導体素
子をインナーリードに固定した状態でワイヤボンデイン
グを行い、樹脂封止しているのに対し、本実施例３の半
導体装置の場合には、半導体素子３１０をインナーリー
ド３３１にバンプを介して固定して電気的に接続した状
態で樹脂封止している点である。尚、樹脂封止後のプレ
スによる不要部分の切断、端子部の形成は、実施例１の
半導体装置の場合と同じである。

【００２４】図６（ｄ）は、実施例３の半導体装置の変
形例半導体装置の断面図である。図６（ｄ）に示す変形
例半導体装置は、実施例３の半導体装置において、半球
状の半田からなる端子部を設けず、端子柱の面を直接端
子部として用いているものである。保護枠を無くして端
子柱３３３の側面３３３Ｂを側面に露出している為、テ
スタ等での信号のチエックがし易い構造となっている。
更にこの端子柱３３３の側面３３３Ｂを傾斜させると上
部からチエックし易い構造とすることもできる。

【００２５】次いで、実施例４の樹脂封止型半導体装置
を挙げる。図７（ａ）は実施例４の樹脂封止型半導体装
置の断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ７−Ａ
８におけるインナーリード部の断面図で、図６（ｃ）は
図６（ａ）のＢ７−Ｂ８における端子柱部の断面図であ
る。尚、実施例４の半導体装置の外観も実施例１とほぼ
同じとなる為、図は省略した。図７中、４００は半導体
装置、４１０は半導体素子、４１１はパッド、４３０は
リードフレーム、４３１はインナーリード、４３１Ａａ
は第１面、４３１Ａｂは第２面、４３１Ａｃは第３面、
４３１Ａｄは第４面、４３３は端子柱部、４３３Ａは端
子部、４３３Ｂは側面、４３３Ｓは上端面、４４０は封
止用樹脂、４７０は絶縁性接着材である。本実施例の場
合は、半導体素子４１０のパッド３１１側の面をインナ
ーリード３３１の第２面４３１Ａｂに絶縁性接着材４７
０を介して固定し、パッド４１１とインナーリード４３
１の第１面４３１Ａａとをワイヤ４２０にて電気的に結
線したものである。使用するリードフレームは実施例３
等と同じ、図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示す外観形状
のものを使用している。また、本実施例４の場合も、実
施例１や実施例２の場合と同様に、半導体装置４００と
外部回路との電気的な接続は、端子柱３３３先端部に設
けられた半球状の半田からなる端子部４３３Ａを介して
プリント基板等へ搭載されることにより行われる。

【００２６】図７（ｄ）は、実施例４の半導体装置の変
形例半導体装置の断面図である。図７（ｄ）に示す変形
例半導体装置は、実施例４の半導体装置において、半球
状の半田からなる端子部を設けず、端子柱の面を直接端
子部として用いているものである。保護枠を無くして端
子柱４３３の側面４３３Ｂを側面に露出している為、テ
スタ等での信号のチエックがし易い構造となっている。

【００２７】

【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記
のように、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置において、多端子化に対応でき、且つ、従来の図１３
（ｂ）に示すアウターリードを持つリードフレームを用
いた場合のようにダムバーのカット工程や、ダムバーの
曲げ工程を必要としない、即ち、アウターリードのスキ
ューの問題や、平坦性（コープラナリティー）の問題を
皆無とできる半導体装置の提供を可能としている。ま
た、ＱＦＰやＢＧＡに比べるとパッケージ内部の配線長
が短かくなるため、寄生容量が小さくなり伝搬遅延時間
を短くすることを可能にしている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の樹脂封止型半導体装置の断面図

【図２】実施例１の樹脂封止型半導体装置の斜視図及び
下面図

【図３】実施例１の樹脂封止型半導体装置の変形例の図

【図４】実施例２の樹脂封止型半導体装置の断面図

【図５】実施例２の樹脂封止型半導体装置の変形例の図

【図６】実施例３の樹脂封止型半導体装置の断面図

【図７】実施例４の樹脂封止型半導体装置の断面図

【図８】実施例１の樹脂封止型半導体装置の作製工程を
説明するための図

【図９】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いられるリ
ードフレームの図

【図１０】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いられる
リードフレームの図

【図１１】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いられる
リードフレームの作製方法を説明するための図

【図１２】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いられる
リードフレームの作製方法を説明するための図

【図１３】インナーリード先端部でのワイボンデイング
の結線状態を示す図

【図１４】従来のリードフレームのエッチング製造工程
を説明するための図

【図１５】樹脂封止型半導体装置及び単層リードフレー
ムの図

【符号の説明】

１００、２００、３００、４００ 樹
脂封止型半導体装置 １１０、２１０、３１０、４１０ 半
導体素子 １１１、２１１、４１１ 電
極（パッド） ３１２ バ
ンプ １２０、２２０、４２０ ワ
イヤ １２０Ａ、１２０Ｂ ワ
イヤ １２１Ａ、１２１Ｂ め
っき部 １３０、２３０、３３０、４３０ リ
ードフレーム １３１、２３１、３３１、４３１ イ
ンナーリード １３１Ａａ、２３１Ａａ、３３１Ａａ、４３１Ａａ 第
１面 １３１Ａｂ、２３１Ａｂ、３３１Ａｂ、４３１Ａｂ 第
２面 １３１Ａｃ、２３１Ａｃ、３３１Ａｃ、４３１Ａｃ 第
３面 １３１Ａｄ、２３１Ａｄ、３３１Ａｄ、４３１Ａｄ 第
４面 １３１Ｂ 連
結部 １３３、２３３、３３３、４３３ 端
子柱 １３３Ａ、２３３Ａ、３３３Ａ、４３３Ａ 端
子部 １３３Ｂ、２３３Ｂ、３３３Ｂ、４３３Ｂ 側
面 １３３Ｓ、２３３Ｓ、３３３Ｓ、４３３Ｓ 上
端面 １４０、２４０、３４０、４４０ 封
止用樹脂 １８０ 保
護枠 １９０ 接
着材 ２６０ 補
強用テープ ２７０ 補
強固定用テープ ３５０ 補
強用テープ ４７０ 絶
縁性接着材 １１１０ リ
ードフレーム素材 １１２０Ａ、１１２０Ｂ レ
ジストパターン １１３０ 第
一の開口部 １１４０ 第
二の開口部 １１５０ 第
一の凹部 １１６０ 第
二の凹部 １１７０ 平
坦状面 １１８０ エ
ッチング抵抗層 １３２０Ｂ、１３２０Ｃ、１３２０Ｄ ワ
イヤ １３２１Ｂ、１３２１Ｃ、１３２１Ｄ め
っき部 １３３１Ｂ、１３３１Ｃ、１３３１Ｄ イ
ンナーリード先端部 １３３１Ａａ リ
ードフレーム素材面 １３３１Ａｂ コ
イニング面 １４１０ リ
ードフレーム素材 １４２０ フ
オトレジスト １４３０ レ
ジストパターン １４４０ イ
ンナーリード １５１０ リ
ードフレーム １５１１ ダ
イパッド １５１２ イ
ンナーリード １５１２Ａ イ
ンナーリード先端部 １５１３ ア
ウターリード １５１４ ダ
ムバー １５１５ フ
レーム部（枠部） １５２０ 半
導体素子 １５２１ 電
極部（パッド） １５３０ ワ
イヤ １５４０ 封
止用樹脂

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２段エッチング加工によりインナーリー
   ドの厚さがリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に外形
   加工されたリードフレームを用いた半導体装置であっ
   て、前記リードフレームは、リードフレーム素材よりも
   薄肉のインナーリードと、該インナーリードに一体的に
   連結したリードフレーム素材と同じ厚さの外部回路と接
   続するための柱状の端子柱とを有し、且つ、端子柱はイ
   ンナーリードの外部側においてインナーリードに対して
   厚み方向に直交して設けられており、端子柱の先端面に
   半田等からなる端子部を設け、端子部を封止用樹脂部か
   ら露出させ、端子柱の外部側の側面を封止用樹脂部から
   露出させており、インナーリードは、断面形状が略方形
   で第１面、第２面、第３面、第４面の４面を有してお
   り、かつ第１面はリードフレーム素材と同じ厚さの他の
   部分の一方の面と同一平面上にあって第２面に向き合っ
   ており、第３面、第４面はインナーリードの内側に向か
   って凹んだ形状に形成されていることを特徴とする樹脂
   封止型半導体装置。
2. 【請求項２】 ２段エッチング加工によりインナーリー
   ドの厚さがリードフレーム素材の厚さよりも薄肉に外形
   加工されたリードフレームを用いた半導体装置であっ
   て、前記リードフレームは、リードフレーム素材よりも
   薄肉のインナーリードと、該インナーリードに一体的に
   連結したリードフレーム素材と同じ厚さの外部回路と接
   続するための柱状の端子柱とを有し、且つ、端子柱はイ
   ンナーリードの外部側においてインナーリードに対して
   厚み方向に直交して設けられており、端子柱の先端の一
   部を封止用樹脂部から露出させて端子部とし、端子柱の
   外部側の側面を封止用樹脂部から露出させており、イン
   ナーリードは、断面形状が略方形で第１面、第２面、第
   ３面、第４面の４面を有しており、かつ第１面はリード
   フレーム素材と同じ厚さの他の部分の一方の面と同一平
   面上にあって第２面に向き合っており、第３面、第４面
   はインナーリードの内側に向かって凹んだ形状に形成さ
   れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１ないし２において、半導体素子
   はインナーリード間に収まり、該半導体素子の電極部は
   ワイヤにてインナーリードと電気的に結線されているこ
   とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項３において、リードフレームはダ
   イパッドを有しており、半導体素子はダイパッド上に搭
   載され、固定されていることを特徴とする樹脂封止型半
   導体装置。
5. 【請求項５】 請求項３において、リードフレームはダ
   イパッドを持たないもので、半導体素子はインナーリー
   ドとともに補強固定用テープにより固定されていること
   を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし２において、半導体素子
   は半導体素子の電極部側の面をインナーリードの第２面
   に絶縁性接着材により固定されており、該半導体素子の
   電極部はワイヤによりインナーリードの第１面と電気的
   に結線されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
   置。
7. 【請求項７】 請求項１ないし２において、半導体素子
   はバンプによりインナーリードの第２面に固定されて電
   気的にインナーリードと接続していることを特徴とする
   樹脂封止型半導体装置。