JPH0637152A - 半導体装置の製造方法、および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＡＢによる実装が行われる半導体装置にお
いて、リードの補強を目的として接着された補強部材近
傍のリード面のメッキ不良により発生する腐食を防止
し、断面積が小さくなる傾向にあるリードの断線事故を
防止可能な半導体装置の製造方法を実現する。 【構成】 銅箔からなる一層テープ１に、リード群２０
をフォトリソグラフィー法により形成した後、メッキを
行い各リード２１全面にメッキ層を形成する。その後、
補強部材３を接着し、リード２１の補強を行い、半導体
チップ３０をボンディングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、テープボンディングを
用いてリードが接続される半導体装置の製造方法に関
し、特に、リードのメッキ工程およびリードの補強部材
を用いた補強工程に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】テープボンディング（ＴＡＢ）は、半導
体チップの実装化技術として、量産性に優れ、また、近
年益々微細化が進む半導体チップの電極に対応可能な技
術として種々の半導体チップの実装に採用されている。

【０００３】図１３、図１４に、このテープボンディン
グに用いられるフィルムキャリヤの製造方法およびフィ
ルムキャリヤへの装着方法を示してある。接着層１５が
形成されたフィルムキャリヤ１０としては、一般に耐熱
性に優れた絶縁性の有るポリイミドが用いられることが
多い。このような半導体装置は先ず、図１３（ａ）に示
すように、キャリヤを駆動するためのスプロケットホー
ル１１、ＩＣチップを装着するためのディバイスホール
１２、形成されたリードを切断するためのスリット穴１
３をポリイミド製のベースフィルム１０に形成する。そ
して、図１３（ｂ）に示すように、このフィルム１０の
表面に形成された接着層１５上に薄膜の銅箔１６を貼
る。次に、ディバイスホール１２、およびスリット穴１
３側のフィルム１０の裏面側にレジスト層を形成した
後、これと反対側の表面側から銅箔１６をフォトリソグ
ラフィー法により加工し、複数のリードを作成した後、
レジスト層を除去する。従って、図１３（ｃ）に示すよ
うな複数のリード２１ａ〜２１ｌからなるリード群２０
を各ディバイスホール１２の周囲に形成することができ
る。この各リード２１は、ディバイスホール１２の内側
に向いた半導体チップの電極に接続されるインナーリー
ド（フィンガー）２２と、ディバイスホール１２に対し
てインナーリード２２の外側となり、基板上の配線と接
続されるアウターリード２３とに分けることができる。

【０００４】図１４に、上記にて作成されたリード２１
にメッキを施し、ＩＣチップ３０を装着する工程を示し
てある。本図においては、図１３（ｃ）の断面Ｘ−Ｘに
基づき説明する。図１４（ａ）に示すように、図１３に
おいて作成されたリード２１は、アウターリード２３の
一端がベースフィルム１０に支持されている。さらに、
これらのリード２１は、アウターリード２３とインナー
リード２２との境界となるリード２１の略中間点２４に
おいて、ディバイスホール１２とスリット穴１３により
形成された補強部材１７により支持されている。この補
強部材１７は、個々のリード２１のばたつき、曲がりな
どを防止する機能を有している。

【０００５】ベースフィルム１０の表面に形成されたこ
のようなリード２１に、図１４（ｂ）に示すように、２
色メッキを施す。本例においては、後述するＩＣチップ
３０の金バンプ４１と接続するために、インナーリード
２２にＮｉをバリアーメタルとして金メッキ４１を施し
ている。一方、基板上の配線と接続するために、アウタ
ーリード２３には、はんだメッキ４２を施している。そ
して、メッキの施されたリード２１に図１４（ｃ）に示
すようにＩＣチップ３０をディバイスホール１２から取
付ける。その後、リード２１とバンプ３１との接続を保
護するために、モールド材３２を注入し、アウターリー
ド２３をスリット穴１３からカットすることにより、リ
ードがＩＣチップ３０に装着された半導体装置を製造で
きる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記にて作成されたリ
ードは、補強部材によりばたつき、曲がりなどの発生が
防止されているため、ギャングボンディングが容易にで
きると同時に、ボンディング不良の発生の抑制が可能で
ある。しかしながら、図１１に示すように、補強部材と
リードとの接合部近傍のメッキが不完全であるため、リ
ードに腐食が発生することがある。図１５は、上記にて
製造された半導体装置のリードと補強部材との接合箇所
を拡大して示してある。上記にて説明したように、リー
ド２１は、ベースフィルム１０上に形成された状態でメ
ッキが施される。このため、ベースフィルム１０との境
界部分においては、メッキの厚みを確保することが難し
い。

【０００７】さらに、ベースフィルム１０から形成され
ている補強部材１７がリード２１に接着している面には
メッキが施されないという問題と、この補強部材１７と
リード２１との接合部分１８においても、金メッキ４１
の厚みを確保することが困難であるという問題もある。
これらのメッキが施されない部分やメッキの厚みを確保
する部分を覆うように、補強部材１７を型枠代わりとし
てモールド材３２を注入しても、矢印１９のような経路
により水分がリードに達することが多い。また、このイ
ンナーリード２３の接合部分１８においては、アウター
リード２３と異なり、基板への実装時にはんだがリフロ
ーし、隙間を埋めることもない。さらに、補強材１７が
リード２１に接着している面はメッキを行うことが不可
能である。従って、テープキャリヤ法を用いた半導体装
置において、このリードと補強部材との接合部分が最も
腐食を受けやすい部分の１つとなっている。

【０００８】従来の半導体装置においては、リードの厚
みが〜４０μｍ程度確保されており、このような腐食は
問題と成らないことが多かった。しかしながら、近年、
半導体装置に設けられた電極の微細化に伴い、リードの
厚みも減少しているため、腐食による断線などの不具合
を考えられる。従って、このような不具合に対する対応
措置を取ることが急務となっている。

【０００９】そこで、本発明においては、上記の問題点
に鑑みて、リードのばたつき等を抑えながら、リード全
体に亘って均一な厚みのメッキを施すことが可能な半導
体装置の製造方法を実現することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明においては、フィルムキャリヤと異なる補
強部材を用い、リードへのメッキを、補強部材を接着す
る前に行うようにしている。すなわち、本発明に係る複
数の導体製リードからなるリード群が繰り返し形成され
たテープ状のフィルムキャリヤに、半導体チップの電極
がギャングボンディングされた半導体装置の製造方法に
おいては、ギャングボンディングに先立って導体製リー
ドにメッキを施すメッキ工程と、リード群のメッキされ
た少なくとも２以上の導体製リードに亘って補強部材を
接着する補強工程とを有することを特徴としている。

【００１１】従って、フィルムキャリヤとしては、二層
テープを用いる必要はなく、薄膜導電体からなる一層テ
ープを用いることが可能である。さらに、メッキ工程と
しては、導体製リードの半導体チップの電極に接するイ
ンナー部をメッキする内メッキ金属と、このインナー部
から半導体チップの外側に延びる導体製リードのアウタ
ー部をメッキする外メッキ金属とを独立して選択可能な
２色メッキ工程を用いても良い。この際、内メッキ金属
として金を用いる場合は、外メッキ金属としては、はん
だ、錫、金、さらに合金としては錫と鉛との合金からな
る群から選ばれた金属を採用でき、内メッキとして錫、
金を用いる場合は、外メッキ金属として錫を採用するこ
とができる。さらに、導体製リードとして接続突起部を
備えた接続突起付リードを採用することも可能である。

【００１２】このような製造方法により製造された半導
体装置は、複数の導体製リードからなるリード群と、こ
の導体製リードにギャングボンディングされた半導体チ
ップと、少なくとも２以上の導体製リードに亘って接着
された補強部材とを有する半導体装置であって、補強部
材が、導体製リードに施されたメッキ層の上に接着され
た防食性補強部材であることを特徴とする半導体装置で
ある。

【００１３】

【作用】このように、本発明に係る製造方法において
は、補強部材を接着する補強工程に先立ってメッキ工程
を行うため、導体製リードは、補強部材が接着されない
状態下でメッキが施される。従って、補強部材との接合
部分も周囲の導体製リードの表面と同じ状態でメッキが
行われ、導体製リードの表面全体に均一なメッキ層が形
成される。このように、本発明に係る製造方法により製
造された半導体装置においては、補強部材の接着された
導体製リードの表面も含め、補強部材と導体製リードと
の接合部分に必要な厚みのメッキ層が形成されている。
このため、導体製リードの全体に亘って防食処理が施さ
れている状態となる。従って、本例の製造方法において
は、このような導体製リードに補強部材を接着すること
によりばたつき、曲がりなどを防止し、ボンディングを
行っている。このため、本発明に係る製造方法により、
接続不良などの不具合が少なく、また、腐食による導体
製リードの断線なども少ない、非常に信頼性の高い半導
体装置が実現できる。

【００１４】また、メッキ工程後に補強部材を接着すれ
ば良いので、フィルムキャリヤとしては、一層テープを
用いることも可能となる。このため、高価なポリイミド
などの耐熱性薄膜が不要であり、銅箔などの薄膜導電体
単体による安価なフィルムキャリヤを用いて補強部材の
接着された導体製リードを実現できる。また、メッキ工
程としては、半導体チップの電極材料と接合性の良い金
メッキなどをインナーリードに、また、基板の配線に用
いられているはんだメッキなどをアウターリードに施す
２色メッキを採用することも容易である。

【００１５】

【実施例】以下に図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。

【００１６】〔実施例１〕図１および図２に、実施例１
に係る、テープキャリヤ法（ＴＡＢ）を実装方法として
採用した半導体装置の製造方法を示してある。図１に示
した工程は、キャリヤフィルムにリードを形成し、形成
されたリードに半導体チップをギャングボンディングす
る工程である。先ず、図１（ａ）に示すように、本例の
製造方法においては、キャリヤフィルムとして厚さ３０
μｍ程度の銅箔の一層からなる一層テープ１を採用して
いる。そして、このキャリヤフィルム１に、フォトリソ
グラフィー法、あるいは、プレス工法を用いてスプロケ
ットホール１１およびリード群２０を繰り返し形成す
る。

【００１７】図１（ｂ）に示すように、本例のリード群
２０は、フィルム１の略中心に連続的に形成された長方
形をした開口２の内部に延びるように形成される。そし
て、このリード群２０は、その開口２の各辺から突出し
たそれぞれ３本のリード２１、すなわち、合計１２本の
リード２１により構成される。これらのリード２１は、
それぞれ各辺に垂直となるように、開口２の中心方向に
突出しており、この開口２に取付けられる半導体チップ
の電極に接続可能となるように形成される。さらに、こ
のフィルム１の両サイドに、フィルム１を駆動するため
のスプロケットホール１１が形成される。

【００１８】次に、図１（ｃ）に示すように、複数のリ
ード群２０の形成されたキャリヤフィルム１にメッキを
施す。本例においては、リード２１の内、半導体チップ
の電極と接続されるインナーリード２２には、電極と同
じ材質の金メッキをＮｉをバリヤーメタルとして施す。
一方、基板の配線と接続されるアウターリード２３に
は、リフローによる実装が可能なように、はんだメッキ
を施す。このような２色メッキの施されたリード２１
に、リード群２０を構成している各リード２１の略中間
点２４を連結するように、略正方形の補強部材３を接着
する。この補強部材３は、耐熱性のあるポリイミドによ
り形成されており、後述するボンディング、およびモー
ルディングにおいて、リード２１の曲がり、ばたつきを
抑制できるものである。補強部材３の接着方法として
は、液状の接着剤を用いても良く、また、シート状の接
着材を補強部材３に予め重ねておいても良い。また、熱
接着することも可能である。

【００１９】図２（ａ）に示すように、補強部材３の接
着されたリード２１に、補強部材３の取付け方向と同じ
方向、本例においては図面上フィルム１の下方から半導
体チップ３０をボンディングする。そして、各リード２
１と半導体チップ３０の各電極３１とを接続する。さら
に、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ３０の取付
け方向と逆側、すなわち、フィルム１の上方からモール
ド材３２を流し込み、モールディングを行う。本例にお
いては、リード２１に接着された補強部材３を型枠代わ
りとして、電極３１の形成された半導体チップ３０の接
続面３３から、半導体チップ３０の側面３４に掛けたモ
ールディングを行い、リード２１と電極３２との接続の
強化を図っている。このようにして製造された半導体装
置は、モールディングの終了した後、基板に実装される
際に、開口２の辺に沿って切断され、基板に取付けられ
る。

【００２０】図３および図４に、本例の製造方法により
製造された半導体装置の単体５を示してある。本例の半
導体装置５は、略正方形の接続面３３の周囲に各辺３個
の電極３１の用意された半導体チップ３０にリード２１
が接続された構成となっている。このリード２１は、電
極３１と接続したインナーリード２２に金メッキ４１が
施されており、このインナーリード２２の外部のアウタ
ーリード２３には、はんだメッキ４２が施されている。
そして、これらのリード２１の中間部分２４は、半導体
チップ３０と同じ方向から接着された補強部材３により
連結されている。さらに、半導体チップ３０の接続面３
３から側面３４にかけて、補強部材３を型枠としてモー
ルド材３２が注入されている。

【００２１】図５に、本例の半導体装置５のリード２１
を拡大して示してある。本例の装置のリード２１におい
ては、リード２１のインナーリード２２に金メッキ４１
が施され、アウターリード２２には、はんだメッキ４２
が施されている。この２色メッキはリード２１の略中間
部分２４において重なり合っており、この中間部分２４
に補強部材３が接着されている。このように、本例の装
置においては、従来の半導体装置と異なり、リード２１
に補強部材３が接着されていない状態で、リード２１の
メッキを行うことができるので、リード２１全体に亘っ
てメッキ層が形成されている。このため、従来の装置の
ように、補強部材３２と金メッキ４２との接続部分のメ
ッキ厚みの確保が困難なため、リードに腐食が発生する
などの不具合を防止することができる。さらに、従来の
装置と異なり、補強部材３の接着されるリードの面にも
メッキが施されており、防食の効果は高いと言える。ま
た、メッキ工程においても、補強部材３２が接着されて
いないので、リードの両面に均一なメッキ層を形成で
き、メッキ工程における反り、曲がりなどの変形も抑制
することができる。そして、リード２１の全面にメッキ
を施すことができるので、リード２１全体がメッキに覆
われ、形成されたメッキ層の剥がれの原因となるような
リード２１が露出した部分の削減を図ることも可能であ
る。

【００２２】本例の半導体装置においては、このような
メッキを施した後、リード２１を連結するような補強部
材３を接着している。このため、リード２１の形成後、
半導体チップ３０のボンディング時点までの保存時、輸
送時などに発生し易い図６に示すようなリード先端のば
たつき、さらに、リードの曲がりなどを防止することが
できる。従って、本例に示す半導体装置の製造方法によ
り、高価なポリイミドテープを用いずに、補強部材がリ
ードに接着された半導体装置を製造することができる。
さらに、この補強部材が接着されるリードの面にもメッ
キが施されているため、腐食等の不具合が抑制できる。
このため、本例の製造方法により、リードが断線するな
どのトラブルの少なく信頼性の高い半導体装置を安価に
実現することができる。特に、微細化が進んだ電極に対
応するために、極細のリードの採用が検討されている現
状において、このようなリードの断線事故を防止できる
製造方法は非常に重要なものである。

【００２３】なお、上記においては、略正方形の補強部
材を用いた半導体装置に基づき説明したが、図７に示す
ように、２以上のリードを相互に接続するような補強部
材６を採用しても良い。図７および図８には、各辺毎に
３本のリード２１に亘って接着された補強部材６が取付
けられた半導体装置の様子を示してある。また、この装
置のように、上述した実施例と異なり、補強部材を半導
体チップと逆の方向から接着しても勿論良い。また、モ
ールディングの範囲においても、電極の用意された半導
体チップの接続面に限定しても良い。

【００２４】さらに、図９に示すように、補強部材とし
て、この補強部材とキャリヤフィルム１とを接続するよ
うな接続部分８を付加した補強部材７を採用し、さら
に、リードの補強を強化することも可能である。このよ
うに、補強部材としては、リードの形状、実装の状況な
どに適した種々の形状のものを採用することが可能であ
る。

【００２５】また、本例においては、銅箔からなる一層
のキャリヤフィルムを用いているが、ポリイミドテープ
に銅箔の接着された二層のキャリヤフィルムを採用する
ことも勿論可能である。この場合は、リード全体にわた
るメッキを確保するために、従来のディバイスホールよ
り大きくリード全体が露出するようなホールを形成する
ことが望ましい。さらに、本例においては、金メッキと
はんだメッキとからなる２色メッキを採用しているが、
金製のバンプ電極と基板に用意されるはんだとの密着性
の良い、錫、あるいは錫と鉛との合金によるメッキをリ
ード全面に施しても良い。錫のウィスカー対策のため、
少量の鉛を含んだ合金を用いてメッキを施す場合は、鉛
の添加量は１〜２％であり、最大でも１０％である。こ
のように、メッキ金属においては、電極の材質、実装の
条件などにより様々な金属を採用することができる。

【００２６】〔実施例２〕図１０に、Ｂ−タブと呼ばれ
るインナーリードの先端に接続用の突起が形成されたリ
ードを備えたキャリアテープを製造する工程を示してあ
る。この製造工程は、本出願人の特公昭６２−２１１９
３０に詳しく開示されているが、概略は以下の通りであ
る。本例のキャリアテープ５０は、絶縁基板としてポリ
イミドテープ５１を用い、このポリイミドテープ５１の
上に導電体である銅箔５２を貼り付けている。先ず、図
１０（ａ）に示すように、ディバイスホール１２および
スプロケットホール１１が形成されたポリイミドテープ
５１に、銅箔５２を貼り付ける。この銅箔５２の両面に
フォトレジスト５３を塗布する。銅箔５２の表面は、１
０μｍ程度の凹凸が形成されており、この凹凸が後述す
る接続用の突起の表面に残る。この凹凸により、半導体
チップの電極として用いられているアルミニウムの表面
に形成された酸化アルミニウムが突き破ぶられるため、
接続用突起と電極との接合強度を確保することが可能と
なる。

【００２７】次に、図１０（ｂ）に示すように、銅箔５
２に塗布されたフォトレジスト５３をフォトマスクを用
いてパターニングする。銅箔５２の表面５２ａ側には、
インナーリードに対応したパターニングを施し、裏面５
２ｂ側には、接続用突起５６に対応したパターニングを
施す。そして、パターニングの施された状態で、図１０
（ｃ）に示すように、両面からエッチング液をスプレイ
し、ハーフエッチングを行う。このときのハーフエッチ
ング量は、両面からエッチングされる部分が貫通しない
程度にどどまるようにスプレー圧等を調整する。

【００２８】次に、図１０（ｄ）に示すように、裏面５
２ｂに保護レジスト５７をロールコートーやスプレイ等
により塗布する。次に、図１０（ｅ）に示すように、銅
箔５２の表面５２ａ側からエッチング液をスプレイし、
図１０（ｃ）に示す工程でエッチングされずに残ってい
た不要な銅箔５２をエッチングしてインナーリード２２
を含むリード２１を作製する。そして、図１０（ｆ）に
示すように、フォトレジスト５３および保護レジスト５
７を専用の剥離液を用いて剥離させる。これにより、イ
ンナーリード２２の先端に接続用突起５８の形成された
リードを製作することができる。

【００２９】次に、図１１（ａ）に示すように、複数の
リードを含むリード群２０にメッキを施す。本例におい
ては、リード２１の内、半導体チップの電極と接続され
るインナーリード２２、および基板の配線と接続される
アウターリード２３の両者に錫メッキ６０を施すように
している。そして、図１１（ｂ）に示すように、このよ
うなメッキ６０の施されたリード２１に、リード群２０
を構成している各リード２１の略中間点２４を連結する
ように、帯状の補強部材３を接着する。この補強部材３
は、耐熱性のあるポリイミドなどを用いることが多く、
半導体チップをボンディング、およびモールディングす
る際、リード２１の曲がり、ばたつきなどが抑制でき
る。補強部材３の接着方法としては、液状の接着剤を用
いても良く、また、シート状の接着材を補強部材３に予
め重ねておいても良い。また、熱接着することも可能で
ある。

【００３０】図１２に示すように、このようなリード群
２０が形成されたディバイスホール１２に半導体チップ
３０を挿入し、全体を覆うように、モールド材３２を流
し込み、モールディングを行う。モールディングの完了
し製造された半導体装置は、個々にキャリアテープ５０
から切断され、基板に取付けられる。

【００３１】本例の半導体装置は接続用突起を有するリ
ードを備えた半導体装置であり、実施例１と同様に、メ
ッキを施した後リード２１を連結するような補強部材３
を接着している。このため、リード２１の形成後、半導
体チップ３０のボンディング時点までの保存時、輸送時
などに発生し易いリード先端のばたつき、さらに、リー
ドの曲がりなどを防止でき、同時に、補強部材が接着さ
れるリードの面にもメッキが施されているため、腐食等
の不具合が抑制できる。従って、強固な電気的接続を得
ることが可能な反面、高い位置精度の要求される接続用
突起を備えたリードを用いる際に要求される、リードの
位置精度と強度保持という問題を同時に解決することが
できる。特に、微細化が進んだ電極に対応するために、
極細のリードの採用が検討されている現状において、こ
のようなリードは断線事故なども防止できるため、非常
に有用である。

【００３２】なお、上記において接続用突起を有するリ
ードをフォトリソグラフィー法を用いて製作している
が、プレスにより製作することも勿論可能である。ま
た、これらのリードは、一般的には、ツールを用いたパ
ルスヒート、コンスタントヒート（通常加熱）によって
ギャグボンディングされるが、各リードをワンポイント
ずつボンディングする方法、または、レーザービームに
よって接合する方法、その他、種々の接合方法を採用す
ることが可能である。

【００３３】

【発明の効果】上記にて説明したように、本発明に係る
半導体装置の製造方法においては、導体製リードを補強
する補強部材の接着を行う補強工程に先立って、導体製
リードのメッキを行うメッキ工程を実施するようにして
いる。このため、本例の製造方法により製造された半導
体装置においては、導体製リードのうち補強部材の接着
される箇所においても、他の導体製リードの面と同様の
メッキを施すことが可能である。従って、本例の半導体
装置においては、従来、導体製リードの補強部材が接着
された箇所のメッキ不良により発生する腐食を防止する
ことができる。

【００３４】特に、接続強度が高い反面、リードの位置
精度および強度が必要となる接続突起を備えた導体製リ
ードを用いる半導体装置においては、本発明に係る半導
体装置の製造方法を用いることにより、メッキ不良によ
る断線を防止でき、導体製リードの先端のばらつきも抑
制することが可能である点で、非常に有用である。

【００３５】このように、本例の製造方法により、半導
体チップの電極が微細化するに伴い断面積が小さくなる
傾向にある導体製リードを採用する半導体装置におい
て、導体製リードの腐食により断線するような不具合の
発生を防止でき、信頼性の高い装置を製造することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法
の工程（ａ）〜（ｃ）を示す斜視図である。

【図２】図１に引続き本発明の実施例１に係る半導体装
置の製造方法の工程（ａ）〜（ｂ）を示す斜視図であ
る。

【図３】図１および図２に示す製造方法により製造され
た半導体装置を示す平面図である。

【図４】図３に示す半導体装置の断面を示す断面図であ
る。

【図５】図４に示す半導体装置のリードを拡大して示す
拡大図である。

【図６】リード先端のばたつきを表す説明図である。

【図７】図３に示す半導体装置と異なる補強部材の接着
された半導体装置の平面図である。

【図８】図７に示す半導体装置の断面図である。

【図９】図７に示す半導体装置と異なる補強部材の接着
された半導体装置の平面図である。

【図１０】本発明の実施例２に係る半導体装置のリード
群を製造する工程（ａ）〜（ｆ）を示す断面図である。

【図１１】図１０に示す半導体装置のリード群に補強部
材を接着する工程（ａ）、（ｂ）を示す断面図である。

【図１２】図１１に示すリード群を用いて製造された半
導体装置を示す断面図である。

【図１３】従来の半導体装置の製造方法の工程（ａ）〜
（ｃ）を示す断面図である。

【図１４】図１３に引続き、従来の半導体装置の製造工
程（ａ）〜（ｄ）を示す断面図である。

【図１５】従来の半導体装置のリードを拡大して示す拡
大図である。

【符号の説明】

１ ・・・ キャリヤテープ ２ ・・・ 開口 ３、６、７・・・ 補強部材 ５ ・・・ 半導体装置 ８ ・・・ 接続部分 １０・・・ ポリイミドテープ １１・・・ スプロケットホール １２・・・ ディバイスホール １３・・・ スリット穴 １４・・・ 接着剤 １５・・・ 接着層 １６・・・ 銅箔 １７・・・ 補強部材 １８・・・ 接合部分 １９・・・ 水分の進入路 ２０・・・ リード群 ２１・・・ リード ２２・・・ インナーリード ２３・・・ アウターリード ２４・・・ リードの中間部分 ３０・・・ 半導体チップ ３１・・・ 電極 ３２・・・ モールド材 ３３・・・ 接続面 ３４・・・ 側面 ４１・・・ 金メッキ層 ４２・・・ はんだメッキ層 ５０・・・ キャリアテープ ５１・・・ ポリイミドテープ ５２・・・ 銅箔 ５３・・・ フォトレジスト ５６・・・ 接続用突起 ５７・・・ 保護レジスト

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の導体製リードからなるリード群が
   繰り返し形成されたテープ状のフィルムキャリヤに、半
   導体チップの電極がギャングボンディングされた半導体
   装置の製造方法において、前記ギャングボンディングに
   先立って前記導体製リードにメッキを施すメッキ工程
   と、前記リード群のメッキされた少なくとも２以上の前
   記導体製リードに亘って補強部材を接着する補強工程と
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記フィルムキャリ
   ヤは、薄膜導電体からなる一層テープであることを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記メッキ
   工程は、前記導体製リードの前記半導体チップの電極に
   接するインナー部をメッキする内メッキ金属と、このイ
   ンナー部から前記半導体チップの外側に延びる前記導体
   製リードのアウター部をメッキする外メッキ金属とを独
   立して選択可能な２色メッキ工程であることを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３において、前記内メッキ金属は
   金であり、前記外メッキ金属は、はんだ、錫、金、およ
   び錫と鉛との合金からなる群から選ばれた金属であるこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３において、前記内メッキ金属は
   錫であり、前記外メッキ金属は、錫であることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
   前記導体製リードは、接続突起部を備えた接続突起付リ
   ードであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 複数の導体製リードからなるリード群
   と、この導体製リードにギャングボンディングされた半
   導体チップと、少なくとも２以上の前記導体製リードに
   亘って接着された補強部材とを有する半導体装置におい
   て、前記補強部材は、前記導体製リードに施されたメッ
   キ層の上に接着された防食性補強部材であることを特徴
   とする半導体装置。
8. 【請求項８】 請求項７において、前記導体製リード
   は、接続突起部を備えた接続突起付リードであることを
   特徴とする半導体装置。