JPH0637228A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 半導体装置のリード先端部のハンダ量の制御
を可能にして実装性を改善することである。 【構成】 樹脂部２内の半導体装置からのリード３の先
端部４が、基板１上の導体配線５にハンダ付けされる。
この場合、先端部４に予めＩｎ系ハンダ４ａとＰｂ／Ｓ
ｎ系ハンダ４ｂが設けてあり、低い温度から加熱して順
次ハンダ４ａ，４ｂがとけて接合される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は狭ピッチ化されたリード
を有する半導体パッケージに実装するのに好適なように
改善された半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩパッケージの小型化、薄型化、多
ピン化に伴い、リードピッチも０．３mmピッチのＱＦＰ
（Quucl Flat Package）の出現をもたらしている。この
場合、最大の問題は、リード狭ピッチ化に伴うハンダブ
リッジ、リードの浮きなどによる不具合の改善方法にあ
る。現在検討されている方法としては、プリント基板上
へのクリームハンダの印刷法の改良（例えば、ハンダ粉
末の形状最適化、スクリーンマスクの高精度化）を行な
うことにより、ハンダブリッジの原因であるハンダ量の
バラツキをコントロールするものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしいずれの方法で
もコントロール上不十分といえる。また、もう一つの問
題としては、狭ピッチ化に伴ってリード幅も狭くなって
おり、リード曲がりの防止も必要となっていることであ
る。現状では、リード成形以降にもハンダメッキ工程な
どで曲がりを生じる場合も多い。

【０００４】本発明の目的は、リードのハンダ部を改良
することにより、実装時の不具合を改善可能な半導体装
置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、所定融点温度の第１の種類
のハンダを所定の方法で塗布された先端領域と、前記先
端領域と隣接して設けられた、前記所定融点温度より高
い融点温度の第２の種類のハンダが前記所定の方法で塗
布された領域と、から成るリードを有していることを要
旨とする。この場合、前記所定の方法は、クラッド法で
あってもよく、また前記第１の種類のハンダが、Ｉｎ系
とＢｉ系から成るグループから選択されるハンダであ
り、前記第２の種類のハンダがＰｂ／Ｓｎ系のハンダで
あってもよい。更に、より具体的には、Ｉｎ系とＢｉ系
から成るグループから選択されるハンダがクラッド法に
よって塗布されている先端領域と、Ｐｂ／Ｓｎ系のハン
ダがクラッド法によって塗布されている前記先端領域に
隣接している領域と、から成るリードを用いることもで
きる。

【０００６】

【作用】上述した本発明の半導体装置では、ハンダ量の
制御が可能になり、かつ組成の異なるハンダを複数変え
ているので、実装性に優れている。

【０００７】

【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。一般にＰＣ基板上の配線部とＬＳＩパッケージの接
合は、ＬＳＩパッケージのリードに付けられたハンダメ
ッキ層とＰＣ基板上に印刷されたクリーム状ハンダもし
くはＰＣ基板上の配線部にプリコートされたハンダ層を
もって接合が行なわれる。また、ＬＳＩパッケージの位
置ずれ防止のために、パッケージ本体とＰＣ基板との間
に固定用の接着もハンダ付け前に行なわれる。

【０００８】本発明は、リードフレーム材料の素材加工
時において、リードの先端部にのみ、ハンダ帯板を、例
えばクラッド法によって、圧接しておくものである。厚
みの制御が精度よくできるためハンダ量が他の方法に比
べコントロール可能になる。また、必要な部分のみに限
定しておくことも可能である。素材のリードフレーム加
工は周知の方法で行なわれる。本発明はこうした利点を
利用し、異なった組成のハンダを特定の部分に付けてお
くことを特徴としている。

【０００９】図１は本発明の実施例の断面図である。同
図において、ＰＣ基板１に接続する樹脂部２に内蔵され
た半導体装置から導出されたリード３の先端部４は、図
２に示す如く２種類のハンダ組成で導体配線に接続され
る。まず、先端部４の平坦部はＩｎ系もしくはＢｉ系の
低融点ハンダ４ａとし、曲がりの部分は、Ｐｂ／Ｓｎ系
４ｂとする。リフローソルダーリングの温度プロファイ
ルは、急速な加熱による不具合（ツームストーン現象な
ど）を避けるために低い温度から緩やかに昇温させてい
る。

【００１０】そこで本発明では、まず、低い温度域でリ
ード３の平坦部４ａにある低融点ハンダが融けて接合す
るハンダ量は、コントロールされ、かつクリームハンダ
のような余分なはみ出しもないので、位置ずれがおきな
い。次に緩やかに昇温し、高温域で曲がり部分４ｂのＰ
ｂ／Ｓｎ系のハンダが融けて接合する。図３に示すよう
にリード３の接合部の曲がり部分のフィレット形状が強
度を左右するため、強度の強いＰｂ／Ｓｎ系のハンダを
使っている。このように特徴の異なるハンダを製造条件
やリード構造に合わせて用いることにより、高性能な接
続が可能になっている。なお、本発明で使用するハンダ
及びその塗布方法は上記実施例で示したハンダ組成及び
クラッド法に限定するものではない。

【００１１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、多
ピンで狭ピッチ化リードを有する半導体装置の基板への
実装性が格段に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。

【図２】上記実施例におけるハンダクラッド法によるリ
ード先端の断面図である。

【図３】上記実施例におけるリード接合後のリードの断
面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 樹脂部 ３ リード ４ リード先端部 ４ａ 低融点ハンダ ４ｂ 高融点ハンダ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定融点温度の第１の種類のハンダを所
   定の方法で塗布された先端領域と、 前記先端領域と隣接して設けられた、前記所定融点温度
   より高い融点温度の第２の種類のハンダが前記所定の方
   法で塗布された領域と、から成るリードを有しているこ
   とを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記所定の方法は、クラッド法であるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記第１の種類のハンダが、Ｉｎ系とＢ
   ｉ系から成るグループから選択されるハンダであり、前
   記第２の種類のハンダがＰｂ／Ｓｎ系のハンダであるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 Ｉｎ系とＢｉ系から成るグループから選
   択されるハンダがクラッド法によって塗布されている先
   端領域と、 Ｐｂ／Ｓｎ系のハンダがクラッド法によって塗布されて
   いる前記先端領域に隣接している領域と、から成るリー
   ドを有していることを特徴とする半導体装置。