JPH0637244A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0637244A JPH0637244A JP4215624A JP21562492A JPH0637244A JP H0637244 A JPH0637244 A JP H0637244A JP 4215624 A JP4215624 A JP 4215624A JP 21562492 A JP21562492 A JP 21562492A JP H0637244 A JPH0637244 A JP H0637244A
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- semiconductor device
- die pad
- resin
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インナーリードの先端部分の変形が無く、ワ
イヤボンド歩留まりがよく，信頼性の高い半導体装置を
得る。 【構成】 インナーリード７の先端部分をダイパッド３
に対しサポートテープ１２で固定し、樹脂封止を行う。 【効果】 樹脂封止時における樹脂の流れ等によるイン
ナーリード７先端部分の変形を防ぐことができ、隣接す
るインナーリードが接触したり、ワイヤがインナーリー
ドから外れる等の問題が発生しない。
イヤボンド歩留まりがよく，信頼性の高い半導体装置を
得る。 【構成】 インナーリード７の先端部分をダイパッド３
に対しサポートテープ１２で固定し、樹脂封止を行う。 【効果】 樹脂封止時における樹脂の流れ等によるイン
ナーリード７先端部分の変形を防ぐことができ、隣接す
るインナーリードが接触したり、ワイヤがインナーリー
ドから外れる等の問題が発生しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に関し、特
に樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレーム
の構造に関するものである。
に樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレーム
の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、従来の樹脂封止型の半導体装
置のリードフレームの構造を示す平面図であり、図１２
は図１１に示すＦ−Ｆ′線での断面図である。図におい
て、１はシリコンチップ、２はシリコンチップ１上に形
成されたボンディングパッド、３はシリコンチップ１が
のっているダイパッドであり、シリコンチップ１はロウ
材４によりダイパッド３上に固定され、ダイパッド３は
宙吊りリード５により支持されている。６は半導体装置
を樹脂封止により形成する樹脂、７は上記樹脂６内に位
置するインナーリード、８は封止樹脂６の外部に位置す
るリード端子、９は樹脂６の注入口であるゲート、１０
はリード端子８と上記宙吊りリード５を支持しているフ
レーム枠である。１１はインナーリード７とボンディン
グパッド２とを接続するワイヤである。１２はインナー
リード７の変形を防ぐための枠状のサポートテープであ
る。
置のリードフレームの構造を示す平面図であり、図１２
は図１１に示すＦ−Ｆ′線での断面図である。図におい
て、１はシリコンチップ、２はシリコンチップ１上に形
成されたボンディングパッド、３はシリコンチップ１が
のっているダイパッドであり、シリコンチップ１はロウ
材４によりダイパッド３上に固定され、ダイパッド３は
宙吊りリード５により支持されている。６は半導体装置
を樹脂封止により形成する樹脂、７は上記樹脂６内に位
置するインナーリード、８は封止樹脂６の外部に位置す
るリード端子、９は樹脂６の注入口であるゲート、１０
はリード端子８と上記宙吊りリード５を支持しているフ
レーム枠である。１１はインナーリード７とボンディン
グパッド２とを接続するワイヤである。１２はインナー
リード７の変形を防ぐための枠状のサポートテープであ
る。
【０００３】半導体装置を組み立てる場合、ダイパッド
３にロウ材４をのせて溶融させ、その状態でシリコンチ
ップ１を溶融したロウ材４の上にのせ、シリコンチップ
１とダイパッド３とを密着させる。次に、シリコンチッ
プ１上のボンディングパッド２とインナーリード７とを
ワイヤ１１によりワイヤボンディングする。更に、ゲー
ト９より樹脂６を注入して樹脂封止し、外部リード端子
８をメッキ処理した後、フレーム枠１０から外部のリー
ド端子８及び宙吊りリード５を切離し，外部リード端子
８を整形すると、半導体装置が完成される。
３にロウ材４をのせて溶融させ、その状態でシリコンチ
ップ１を溶融したロウ材４の上にのせ、シリコンチップ
１とダイパッド３とを密着させる。次に、シリコンチッ
プ１上のボンディングパッド２とインナーリード７とを
ワイヤ１１によりワイヤボンディングする。更に、ゲー
ト９より樹脂６を注入して樹脂封止し、外部リード端子
８をメッキ処理した後、フレーム枠１０から外部のリー
ド端子８及び宙吊りリード５を切離し，外部リード端子
８を整形すると、半導体装置が完成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成，製作されており、インナーリード７の
先端部分が固定されていないため、樹脂封止工程におい
て、図１３に示すように、ゲート９から注入される樹脂
の流れ等により、該ゲート９の近傍にあるインナーリー
ド７の先端部分が変形し、このため隣接するインナーリ
ード間が接触したり、該インナーリードに接続されてい
るワイヤが外れる等の問題があった。
上のように構成，製作されており、インナーリード７の
先端部分が固定されていないため、樹脂封止工程におい
て、図１３に示すように、ゲート９から注入される樹脂
の流れ等により、該ゲート９の近傍にあるインナーリー
ド７の先端部分が変形し、このため隣接するインナーリ
ード間が接触したり、該インナーリードに接続されてい
るワイヤが外れる等の問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ワイヤボンド歩留まりがよく、
かつ信頼性の高い半導体装置を得ることを目的としてい
る。
ためになされたもので、ワイヤボンド歩留まりがよく、
かつ信頼性の高い半導体装置を得ることを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、インナーリードの先端部分とダイパッドとをサポ
ートテープで固定するようにしたものである。
置は、インナーリードの先端部分とダイパッドとをサポ
ートテープで固定するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置は、インナーリー
ドの先端部分とダイパッドとをサポートテープで固定す
るようにしたため、樹脂の流れ等によるインナーリード
先端部分の変形を防ぐことができ、隣接するインナーリ
ード間が接触したり、該インナーリードに接続されてい
るワイヤが外れる等の問題を回避できる。
ドの先端部分とダイパッドとをサポートテープで固定す
るようにしたため、樹脂の流れ等によるインナーリード
先端部分の変形を防ぐことができ、隣接するインナーリ
ード間が接触したり、該インナーリードに接続されてい
るワイヤが外れる等の問題を回避できる。
【０００８】
【実施例】実施例１ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
はこの発明の一実施例による半導体装置のリードフレー
ムの構造を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ′での断面
図である。図において、１はシリコンチップ、２はシリ
コンチップ１上に形成されたボンディングパッド、３は
上記シリコンチップ１がのっているダイパッドであり、
上記シリコンチップ１はロウ材４によりダイパッド３上
に固定され、ダイパッド３は宙吊りリード５により支持
されている。６は半導体装置を樹脂封止により形成する
樹脂、７は樹脂６内に位置するインナーリード、８は樹
脂６の外部に位置するリード端子、９は樹脂６の注入口
であるゲート、１０はリード端子８と宙吊りリード５を
支持しているフレーム枠である。１１はインナーリード
７とボンディングパッド２とを接続するワイヤである。
１２はインナーリード７の先端部分の下面とダイパッド
３の下面とにわたって貼り付けられたサポートテープで
ある。
はこの発明の一実施例による半導体装置のリードフレー
ムの構造を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ′での断面
図である。図において、１はシリコンチップ、２はシリ
コンチップ１上に形成されたボンディングパッド、３は
上記シリコンチップ１がのっているダイパッドであり、
上記シリコンチップ１はロウ材４によりダイパッド３上
に固定され、ダイパッド３は宙吊りリード５により支持
されている。６は半導体装置を樹脂封止により形成する
樹脂、７は樹脂６内に位置するインナーリード、８は樹
脂６の外部に位置するリード端子、９は樹脂６の注入口
であるゲート、１０はリード端子８と宙吊りリード５を
支持しているフレーム枠である。１１はインナーリード
７とボンディングパッド２とを接続するワイヤである。
１２はインナーリード７の先端部分の下面とダイパッド
３の下面とにわたって貼り付けられたサポートテープで
ある。
【０００９】図１，図２に示す半導体装置を組み立てる
場合、従来と同様にダイパッド３にロウ材４をのせて溶
融させ、その状態で、シリコンチップ１を溶融したロウ
材４の上にのせ、シリコンチップ１とダイパッド３とを
密着させる。次に、シリコンチップ１上のボンディング
パッド２とインナーリード７の先端部分上面とをワイヤ
１１によりワイヤボンディングする。また、ダイパッド
３の下面と、インナーリード７の先端部分の下面とにわ
たって矩形状のサポートテープ１２を貼りつける。更
に、ゲート９より樹脂６を注入して樹脂封止し、外部リ
ード端子８をメッキ処理した後、フレーム枠１０から外
部のリード端子８、及び宙吊りリード５を切離し、外部
リード端子８を整形すると、半導体装置が完成される。
場合、従来と同様にダイパッド３にロウ材４をのせて溶
融させ、その状態で、シリコンチップ１を溶融したロウ
材４の上にのせ、シリコンチップ１とダイパッド３とを
密着させる。次に、シリコンチップ１上のボンディング
パッド２とインナーリード７の先端部分上面とをワイヤ
１１によりワイヤボンディングする。また、ダイパッド
３の下面と、インナーリード７の先端部分の下面とにわ
たって矩形状のサポートテープ１２を貼りつける。更
に、ゲート９より樹脂６を注入して樹脂封止し、外部リ
ード端子８をメッキ処理した後、フレーム枠１０から外
部のリード端子８、及び宙吊りリード５を切離し、外部
リード端子８を整形すると、半導体装置が完成される。
【００１０】このように、本実施例では、インナーリー
ド７の先端部分の下面とダイパッド３の下面とに、矩形
状のサポートテープ１２を貼り付けたので、樹脂封止工
程においてゲート９から流入する樹脂の流れに対し一番
近い所にある，並列配置されたインナーリード７のうち
端に位置するインナーリード７についてもその先端部分
は上記矩形状のサポートテープ１２により固定されてい
るため、これが変形することはない。従って、隣接する
インナーリード間が接触したり、該インナーリードに接
続されているワイヤが外れる等の問題を回避できる。
ド７の先端部分の下面とダイパッド３の下面とに、矩形
状のサポートテープ１２を貼り付けたので、樹脂封止工
程においてゲート９から流入する樹脂の流れに対し一番
近い所にある，並列配置されたインナーリード７のうち
端に位置するインナーリード７についてもその先端部分
は上記矩形状のサポートテープ１２により固定されてい
るため、これが変形することはない。従って、隣接する
インナーリード間が接触したり、該インナーリードに接
続されているワイヤが外れる等の問題を回避できる。
【００１１】実施例２ なお、上記実施例１ではインナーリード７の先端部分の
下面とダイパッド３の下面とに矩形状のサポートテープ
１２を貼り付けたものを示したが、本実施例２は、図
３，図４に示すように、上記矩形状のサポートテープに
代えて、中抜きのサポートテープ１２を貼り付けたもの
であり、本実施例２においても、上記実施例１と同様の
効果が得られる。
下面とダイパッド３の下面とに矩形状のサポートテープ
１２を貼り付けたものを示したが、本実施例２は、図
３，図４に示すように、上記矩形状のサポートテープに
代えて、中抜きのサポートテープ１２を貼り付けたもの
であり、本実施例２においても、上記実施例１と同様の
効果が得られる。
【００１２】実施例３ なお、上記実施例１，２ではインナーリード７の先端部
分の下面とダイパッド３の下面とに、矩形状，中抜き状
のサポートテープを貼り付けたものを示したが、本実施
例３は、図５，図６に示すようにインナーリード７の先
端部分の上面とダイパッド３の上面とに、中抜き状のサ
ポートテープ１２を貼り付けたものであり、本実施例３
においても、上記実施例１，２と同様の効果が得られ
る。
分の下面とダイパッド３の下面とに、矩形状，中抜き状
のサポートテープを貼り付けたものを示したが、本実施
例３は、図５，図６に示すようにインナーリード７の先
端部分の上面とダイパッド３の上面とに、中抜き状のサ
ポートテープ１２を貼り付けたものであり、本実施例３
においても、上記実施例１，２と同様の効果が得られ
る。
【００１３】実施例４ また、本実施例４は、図７，図８に示すように、インナ
ーリード７の先端部分の下面とダイパッド３の下面と
に、中抜き状ののサポートテープ１２ａを貼り付けると
ともに、インナーリード７の先端部分の上面とダイパッ
ド３の上面とに、中抜き状のサポートテープ１２ｂを貼
り付けたものであり、本実施例４においても、上記実施
例１，２，３と同様の効果が得られる。あるいは、上下
両面にサポートテープを設けていることによって、上記
実施例１，２，３に比し、インナーリード７をより強固
に固定し、その変形をより一層防止できるという効果が
得られる。
ーリード７の先端部分の下面とダイパッド３の下面と
に、中抜き状ののサポートテープ１２ａを貼り付けると
ともに、インナーリード７の先端部分の上面とダイパッ
ド３の上面とに、中抜き状のサポートテープ１２ｂを貼
り付けたものであり、本実施例４においても、上記実施
例１，２，３と同様の効果が得られる。あるいは、上下
両面にサポートテープを設けていることによって、上記
実施例１，２，３に比し、インナーリード７をより強固
に固定し、その変形をより一層防止できるという効果が
得られる。
【００１４】実施例５ また、本実施例５は、図９，図１０に示すように、イン
ナーリード７の先端部分の下面とダイパッド３の下面と
に、矩形状のサポートテープ１２ａを貼り付けるととも
に、インナーリード７の先端部分の上面とダイパッド３
の上面とに、中抜き状のサポートテープ１２ｂを貼り付
けたものであり、本実施例５においても、上記実施例
１，２，３と同様の効果、あるいは、上下両面にサポー
トテープを設けていることによって、上記実施例１，
２，３に比し、インナーリード７をより強固に固定し、
その変形をより一層防止できるという効果が得られる。
ナーリード７の先端部分の下面とダイパッド３の下面と
に、矩形状のサポートテープ１２ａを貼り付けるととも
に、インナーリード７の先端部分の上面とダイパッド３
の上面とに、中抜き状のサポートテープ１２ｂを貼り付
けたものであり、本実施例５においても、上記実施例
１，２，３と同様の効果、あるいは、上下両面にサポー
トテープを設けていることによって、上記実施例１，
２，３に比し、インナーリード７をより強固に固定し、
その変形をより一層防止できるという効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、樹脂
封止型の半導体装置において、インナーリードの先端部
分の下面，あるいは上面と、ダイパッドの下面，あるい
は上面とにサポートテープを貼り付けるようにしたの
で、樹脂注入時の樹脂の流れによるインナーリードの変
形を防ぐことができ、この変形により隣接するインナー
リード間が接触したり、該インナーリードに接続されて
いるワイヤが外れたりするという問題を回避でき、この
ため、ワイヤボンド歩留まりが良く、信頼性の高い半導
体装置を得ることができる効果がある。
封止型の半導体装置において、インナーリードの先端部
分の下面，あるいは上面と、ダイパッドの下面，あるい
は上面とにサポートテープを貼り付けるようにしたの
で、樹脂注入時の樹脂の流れによるインナーリードの変
形を防ぐことができ、この変形により隣接するインナー
リード間が接触したり、該インナーリードに接続されて
いるワイヤが外れたりするという問題を回避でき、この
ため、ワイヤボンド歩留まりが良く、信頼性の高い半導
体装置を得ることができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置のリード
フレーム面の平面図。
フレーム面の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ′での断面図。
【図３】この発明の実施例２による半導体装置のリード
フレーム面の平面図。
フレーム面の平面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ′での断面図。
【図５】この発明の実施例３による半導体装置のリード
フレーム面の平面図。
フレーム面の平面図。
【図６】図５のＣ−Ｃ′での断面図。
【図７】この発明の実施例４による半導体装置のリード
フレーム面の平面図。
フレーム面の平面図。
【図８】図７のＤ−Ｄ′での断面図。
【図９】この発明の実施例５による半導体装置のリード
フレーム面の平面図。
フレーム面の平面図。
【図１０】図９のＥ−Ｅ′での断面図。
【図１１】従来の半導体装置のリードフレーム面の平面
図。
図。
【図１２】図１０のＦ−Ｆ′での断面図。
【図１３】従来例のインナーリードが変形した半導体装
置のリードフレーム面の平面図。
置のリードフレーム面の平面図。
１ シリコンチップ ２ ボンディングパッド ３ ダイパッド ４ ロウ材 ５ 宙吊りリード ６ 樹脂 ７ インナーリード ８ リード端子 ９ ゲート １０ フレーム枠 １１ ワイヤ １２ サポートテープ １２ａ サポートテープ １２ｂ サポートテープ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】図１，図２に示す半導体装置を組み立てる
場合、まず、ダイパッド３の下面と、インナーリード７
の先端部分の下面とにわたって矩形状のサポートテープ
１２を貼りつける。次に、従来と同様にダイパッド３に
ロウ材４をのせて溶融させ、その状態で、シリコンチッ
プ１を溶融したロウ材４の上にのせ、シリコンチップ１
とダイパッド３とを密着させる。次に、シリコンチップ
１上のボンディングパッド２とインナーリード７の先端
部分上面とをワイヤ１１によりワイヤボンディングす
る。更に、ゲート９より樹脂６を注入して樹脂封止し、
外部リード端子８をメッキ処理した後、フレーム枠１０
から外部のリード端子８、及び宙吊りリード５を切離
し、外部リード端子８を整形すると、半導体装置が完成
される。
場合、まず、ダイパッド３の下面と、インナーリード７
の先端部分の下面とにわたって矩形状のサポートテープ
１２を貼りつける。次に、従来と同様にダイパッド３に
ロウ材４をのせて溶融させ、その状態で、シリコンチッ
プ１を溶融したロウ材４の上にのせ、シリコンチップ１
とダイパッド３とを密着させる。次に、シリコンチップ
１上のボンディングパッド２とインナーリード７の先端
部分上面とをワイヤ１１によりワイヤボンディングす
る。更に、ゲート９より樹脂６を注入して樹脂封止し、
外部リード端子８をメッキ処理した後、フレーム枠１０
から外部のリード端子８、及び宙吊りリード５を切離
し、外部リード端子８を整形すると、半導体装置が完成
される。
Claims (6)
- 【請求項１】 チップをダイパッド上に固定し、 インナーリードの先端部分と上記ダイパッドとをサポー
トテープにより固定し、 上記チップ上のボンディングパッドと上記インナーリー
ドとをワイヤにより接続し、 樹脂封止してなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 上記サポートテープは、インナーリードの先端部分の下
面と、上記インナーリード下面と同一平面上にある上記
ダイパッドの下面とを固定する，矩形状のものであるこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、 上記サポートテープは、インナーリードの先端部分の下
面と、上記インナーリード下面と同一平面上にある上記
ダイパッドの下面とを固定する，中抜き状のものである
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、 上記サポートテープは、インナーリードの先端部分の上
面と、上記インナーリード上面と同一平面上にある上記
ダイパッドの上面とを固定する，中抜き状のものである
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置において、 上記サポートテープとして、インナーリードの先端部分
の下面と、上記インナーリード下面と同一平面上にある
上記ダイパッドの下面とを固定する，中抜き状のもの
と、インナーリードの先端部分の下面と、上記インナー
リード下面と同一平面上にある上記ダイパッドの下面と
を固定する，中抜き状のものとを備えたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置において、 上記サポートテープとして、インナーリードの先端部分
の下面と、上記インナーリード下面と同一平面上にある
上記ダイパッドの下面とを固定する，矩形状のものと、
インナーリードの先端部分の下面と、上記インナーリー
ド下面と同一平面上にある上記ダイパッドの下面とを固
定する，矩形状のものとを備えたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215624A JPH0637244A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215624A JPH0637244A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637244A true JPH0637244A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16675488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215624A Pending JPH0637244A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872394A (en) * | 1996-03-06 | 1999-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP4215624A patent/JPH0637244A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872394A (en) * | 1996-03-06 | 1999-02-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame |
| USRE38043E1 (en) * | 1996-03-06 | 2003-03-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame |
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