JPH0637347B2 - 容器もしくは容器内部材に付着した不要なヒ素の除去法 - Google Patents
容器もしくは容器内部材に付着した不要なヒ素の除去法Info
- Publication number
- JPH0637347B2 JPH0637347B2 JP60131719A JP13171985A JPH0637347B2 JP H0637347 B2 JPH0637347 B2 JP H0637347B2 JP 60131719 A JP60131719 A JP 60131719A JP 13171985 A JP13171985 A JP 13171985A JP H0637347 B2 JPH0637347 B2 JP H0637347B2
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- containers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、容器もしくは容器内部材に付着した不要なヒ
素の除去法に関する。
素の除去法に関する。
容器、例えば分子線結晶成長装置（ＭＢＥ装置）の結晶
を成長させる真空容器（結晶成長室）において、ガリウ
ム及びヒ素の分子線を容器内の基板に照射して基板上に
ガリウムヒ素の結晶を成長させる。このとき、基板に捕
えられなかつた分子線成分のヒ素は容器や容器内の液体
窒素シユラウド，シヤツタなどの部材に付着する。これ
ら付着した不要のヒ素（有害物）は微粒子状であり、熱
的機械的歪を多く含んでいるため、容器内部材の保守時
に容器に大気を導入すると、付着したヒ素が容器に剥離
し粉塵やフレークとなつて飛散する。また、付着したヒ
素は、容器の付属機器、例えば容器内を真空にするため
のポンプの機能を低下させ、熱電対，銅ガスケツトなど
を腐食する。これに対し従来、「分子線エピタキシ技
術」（工業調査会、1984年発行）に記載される如く、
（１）真空容器へ大気を導入する前に容器を十分にベー
クし、窒素ガスで数回パージする、（２）局所排気装置
を設ける、（３）ビニールカーテンで作業場所を隔離す
るなどの方法が採られているが、その作業が容易でなか
つた。
を成長させる真空容器（結晶成長室）において、ガリウ
ム及びヒ素の分子線を容器内の基板に照射して基板上に
ガリウムヒ素の結晶を成長させる。このとき、基板に捕
えられなかつた分子線成分のヒ素は容器や容器内の液体
窒素シユラウド，シヤツタなどの部材に付着する。これ
ら付着した不要のヒ素（有害物）は微粒子状であり、熱
的機械的歪を多く含んでいるため、容器内部材の保守時
に容器に大気を導入すると、付着したヒ素が容器に剥離
し粉塵やフレークとなつて飛散する。また、付着したヒ
素は、容器の付属機器、例えば容器内を真空にするため
のポンプの機能を低下させ、熱電対，銅ガスケツトなど
を腐食する。これに対し従来、「分子線エピタキシ技
術」（工業調査会、1984年発行）に記載される如く、
（１）真空容器へ大気を導入する前に容器を十分にベー
クし、窒素ガスで数回パージする、（２）局所排気装置
を設ける、（３）ビニールカーテンで作業場所を隔離す
るなどの方法が採られているが、その作業が容易でなか
つた。
本発明は上記問題点に鑑み、ヒ素を含む分子線，イオン
ビーム，またはガスを導入することにより容器や容器内
部材に付着した不要のヒ素を容易かつ完全に容器外に取
出すことができる容器もしくは容器内部材に付着した不
要なヒ素の除去法を提供することを目的とする。
ビーム，またはガスを導入することにより容器や容器内
部材に付着した不要のヒ素を容易かつ完全に容器外に取
出すことができる容器もしくは容器内部材に付着した不
要なヒ素の除去法を提供することを目的とする。
本発明は、容器内に電極を設け、ヒ素またはその化合物
と反応し気体状の化合物を生成するガスで容器内を満た
しながら前記電極と容器との間に電圧を印加し、放電を
起こし、活性化した前記ガスの原子，イオンまたはラジ
カルとヒ素またはその化合物を生成させて容器外に取出
すものであるから、容易かつ完全に除去することができ
るものである。
と反応し気体状の化合物を生成するガスで容器内を満た
しながら前記電極と容器との間に電圧を印加し、放電を
起こし、活性化した前記ガスの原子，イオンまたはラジ
カルとヒ素またはその化合物を生成させて容器外に取出
すものであるから、容易かつ完全に除去することができ
るものである。
以下、本発明を分子線結晶成長装置の真空容器内部材に
付着した不要のヒ素を除去する場合の適用例について説
明する。
付着した不要のヒ素を除去する場合の適用例について説
明する。
図面は分子線結晶成長装置の真空容器及び容器内部材の
断面図で、真空容器１内にはモリブデン（Ｍｏ）のよう
な融点の高い耐熱金属から成る基板ホルダー２上にエピ
タキシヤル成長させるガリウムヒ素（GaAs）の基板３を
配し、基板ホルダー２の後部（裏側）に配したタンタル
（Ｔａ）の耐熱金属から成るヒータ４により基板ホルダ
ー２を加熱する。さらにマニプレータ５により基板ホル
ダー２の位置や向きを調整するとともに回転させる。分
子線源セル６からの分子線７を基板３に当ててエピタキ
シヤル成長を行う。このような分子線結晶成長装置にお
いて加熱した分子線源セル６からの輻射による真空容器
１内の加熱や不要のガリウム及びヒ素原子が容器１内及
び容器１内の部材に付着するのを防止するために液体窒
素程度の温度に冷却できるシユラウド８で分子線源セル
６などの部材や容器１の内面を覆つている。基板３に捕
えられなかつた分子線はシユラウド８や基板ホルダー２
に付着し、付着物９となる。容器１内にはタングステン
（Ｗ）の細い丸棒から成る電極１０が外部からフランジ
１１を介して挿入されている。電極１０は高電圧電源１
２に接続され、電極１０はプラスに真空容器１はマイナ
スに印加されるようにしてある。さらに容器１外部から
水素ガス１３を導入するためのリークバルブ１４も設置
されている。
断面図で、真空容器１内にはモリブデン（Ｍｏ）のよう
な融点の高い耐熱金属から成る基板ホルダー２上にエピ
タキシヤル成長させるガリウムヒ素（GaAs）の基板３を
配し、基板ホルダー２の後部（裏側）に配したタンタル
（Ｔａ）の耐熱金属から成るヒータ４により基板ホルダ
ー２を加熱する。さらにマニプレータ５により基板ホル
ダー２の位置や向きを調整するとともに回転させる。分
子線源セル６からの分子線７を基板３に当ててエピタキ
シヤル成長を行う。このような分子線結晶成長装置にお
いて加熱した分子線源セル６からの輻射による真空容器
１内の加熱や不要のガリウム及びヒ素原子が容器１内及
び容器１内の部材に付着するのを防止するために液体窒
素程度の温度に冷却できるシユラウド８で分子線源セル
６などの部材や容器１の内面を覆つている。基板３に捕
えられなかつた分子線はシユラウド８や基板ホルダー２
に付着し、付着物９となる。容器１内にはタングステン
（Ｗ）の細い丸棒から成る電極１０が外部からフランジ
１１を介して挿入されている。電極１０は高電圧電源１
２に接続され、電極１０はプラスに真空容器１はマイナ
スに印加されるようにしてある。さらに容器１外部から
水素ガス１３を導入するためのリークバルブ１４も設置
されている。
上述の如き構成として部品交換または保守等の作業が必
要になつたとき容器１内にリークバルブ１４から水素ガ
ス１３を導入し、圧力を１０-1〜１０-3Torr程度に維持
する。ここで真空容器１側に−２００〜−５００Ｖのバ
イアス電圧を印加し、容器１内にグロー放電を起こす。
放電により水素ガス分子は解離または電離して水素原
子，水素イオン，ラジカル（Ｈ＊）となり、これらで満
たされる。これらの化学的に活性な水素粒子はヒ素の付
着物９と結合し、気体状のヒ素の水素化合物（例えばAs
H3）となり、真空ポンプ（図示せず）で吸引することに
よつて容易に容器外に取出せる。取出した後のヒ素の水
素化合物は公知の処理法（例えば塩化第２鉄溶液中での
酸化）で処理されるが、吸引したガス中にヒ素の水素化
合物が存在しなくなつたら（公知の方法で容易に確認）
容器に大気を導入する。このようにした後は、容器内部
材の保守点検は容易となる。
要になつたとき容器１内にリークバルブ１４から水素ガ
ス１３を導入し、圧力を１０-1〜１０-3Torr程度に維持
する。ここで真空容器１側に−２００〜−５００Ｖのバ
イアス電圧を印加し、容器１内にグロー放電を起こす。
放電により水素ガス分子は解離または電離して水素原
子，水素イオン，ラジカル（Ｈ＊）となり、これらで満
たされる。これらの化学的に活性な水素粒子はヒ素の付
着物９と結合し、気体状のヒ素の水素化合物（例えばAs
H3）となり、真空ポンプ（図示せず）で吸引することに
よつて容易に容器外に取出せる。取出した後のヒ素の水
素化合物は公知の処理法（例えば塩化第２鉄溶液中での
酸化）で処理されるが、吸引したガス中にヒ素の水素化
合物が存在しなくなつたら（公知の方法で容易に確認）
容器に大気を導入する。このようにした後は、容器内部
材の保守点検は容易となる。
また、分子線結晶成長装置においては、結晶成長をさせ
る真空容器内にヒ素の粉塵が浮遊せず、したがつて結晶
品質を損うことがなくなるので高品質の結晶をうること
ができる。
る真空容器内にヒ素の粉塵が浮遊せず、したがつて結晶
品質を損うことがなくなるので高品質の結晶をうること
ができる。
なお、上記実施例においては、ヒ素またはその化合物と
反応し、気体状のヒ素の化合物を生成するガスとして水
素ガスを用いたが、ヒ素またはその化合物と反応し、気
体状のヒ素の化合物を生成するガスであれば水素ガス以
外のガス例えばアンモニアガス（ＮＨ３），メタンガス
（ＣＨ４）を用いてもよい。
反応し、気体状のヒ素の化合物を生成するガスとして水
素ガスを用いたが、ヒ素またはその化合物と反応し、気
体状のヒ素の化合物を生成するガスであれば水素ガス以
外のガス例えばアンモニアガス（ＮＨ３），メタンガス
（ＣＨ４）を用いてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、真空容器もしく
は容器内部材に付着した不要のヒ素を気体状の水素化合
物として取出すので、有毒なヒ素を容器外に容易かつ完
全に除去できるという効果がえられる。
は容器内部材に付着した不要のヒ素を気体状の水素化合
物として取出すので、有毒なヒ素を容器外に容易かつ完
全に除去できるという効果がえられる。
図面は、本発明に係わる真空容器もしくは容器内部材に
付着した不要のヒ素の除去法を適用した分子線結晶成長
装置の真空容器及び容器内部材の断面図である。 １……分子線結晶成長装置における真空容器、２……基
板ホルダー、３……基板、４……ヒータ、５……マニプ
レータ、６……分子線源セル、７……分子線、８……シ
ユラウド、９……ヒ素の付着物、１０……電極、１１…
…フランジ、１２……電圧電源、１３……水素ガス、１
４……リークバルブ。
付着した不要のヒ素の除去法を適用した分子線結晶成長
装置の真空容器及び容器内部材の断面図である。 １……分子線結晶成長装置における真空容器、２……基
板ホルダー、３……基板、４……ヒータ、５……マニプ
レータ、６……分子線源セル、７……分子線、８……シ
ユラウド、９……ヒ素の付着物、１０……電極、１１…
…フランジ、１２……電圧電源、１３……水素ガス、１
４……リークバルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−160423（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−21333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−104489（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34191（ＪＰ，Ａ) 特公 昭59−44770（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】ヒ素を含む分子線，イオンビームまたはガ
スを容器内に導入することによって、ヒ素を含む結晶を
成長させるに際し、容器や容器内部材にもヒ素が付着
し、この容器や容器内部材に付着した不要なヒ素を除去
する方法において、ヒ素またはその化合物と反応し気体
状の化合物を生成するガスで容器内を満たし、前記容器
内に設けた電極と容器との間に電圧を印加して放電を起
こし、この放電によって活性化した前記ガスの原子，イ
オンまたはラジカルとヒ素またはその化合物とを反応さ
せ、気体状のヒ素の化合物を生成させて容器外に取出す
ことを特徴とする容器もしくは容器内部材に付着した不
要なヒ素の除去法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131719A JPH0637347B2 (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 容器もしくは容器内部材に付着した不要なヒ素の除去法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131719A JPH0637347B2 (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 容器もしくは容器内部材に付着した不要なヒ素の除去法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291490A JPS61291490A (ja) | 1986-12-22 |
| JPH0637347B2 true JPH0637347B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15064599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60131719A Expired - Lifetime JPH0637347B2 (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 容器もしくは容器内部材に付着した不要なヒ素の除去法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637347B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55160423A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and device for thin film growth |
| JPS5621333A (en) * | 1979-07-31 | 1981-02-27 | Fujitsu Ltd | Cleaning method of equipment for manufacturing semiconductor element |
| JPS5944770A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-13 | Toshiba Corp | 固体電池 |
| JPS6016417A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体結晶成長法 |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP60131719A patent/JPH0637347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61291490A (ja) | 1986-12-22 |
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