JPH063765B2

JPH063765B2 - 超電導コイル

Info

Publication number: JPH063765B2
Application number: JP62222622A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1987-09-06
Filing date: 1987-09-06
Publication date: 1994-01-12
Anticipated expiration: 2009-01-12
Also published as: JPS6465806A

Description

【発明の詳細な説明】「発明の利用分野」本発明は薄膜のセラミック系超電導（超伝導ともいうが
ここでは超電導と記す）材料に関する。

本発明は、気体上に薄膜化して形成された材料を覆って
非超電導材料を設けることにより、超電導材料の多層配
線をせしめ、かかる構成を用いて超電導電子装置好まし
くは超電導コイル（エネルギー蓄積用またはマグネット
用等に用いる）を作らんとするものである。

「従来の技術」従来、超電導材料はNb-Ge(例えばNb₃Ge)の金属材料が用
いられている。この材料は金属であるため延性、展性を
高く有し、超電導マグネット用のコイル巻を行うことが
可能であった。

しかし、これらの金属材料を用いた超電導材料はTc(超
電導臨海温度を以下単にTcという）が小さく23Kまたは
それ以下しかない。これに対し、工業上の応用を考える
ならば、このTcが77K好ましくは室温またはそれ以上で
あるとさらに有効である。

「従来の問題点」このため、Tcの高い材料として金属ではなくセラミック
系材料、特に酸化物セラミック系材料が注目されてい
る。しかしこの注目されているセラミック系超電導材料
はTcが高いにもかかわらず、曲げ性、延性、展性にとぼ
しく、少し曲げてもわれてしまう。いわんや0.1〜30μ
ｍといった厚さの薄膜を円筒状または円板状の基体上に
形成し、この薄膜の一部または全部を選択的に除去する
ことはまったく不可能であるとされていた。特にこれに
半導体集積回路と同様のフォトソングラフィ技術を用い
多層配線を行ったり、この薄膜超電導を用いて新しい電
子ディバイスを作ることはまったく不可能であった。

さらに多層配線、特にコイル等を設けようとした場合、
その集合した全体を同一主成分とすることにより、熱膨
張係数を合わせることがクラック等を防止させるために
重要である。このため、基体それ自体を酸化物超電導材
料と異種材料とし、長期使用条件下において実使用する
ことは、信頼性上大問題を内在させてしまっていた。

「問題を解決すべき手段」本発明はかかる酸化物超電導材料の薄膜と、それを挟む
同一主成分の酸化物非超電導材料の層間分離膜とを用い
て電子ディバイス好ましくは超電導コイルを作らんとし
たものである。

本発明は予め所望の形状を有する母体、例えば円筒状ま
たは円板状の母体の被形成面上に酸化物超電導材料と同
一主成分材料の非超電導材料を形成する。この材料を基
体とする。またこの形成後もとの母体を除去してしまう
ことにより、非超電導材料のみを気体として用い得る。
本発明はかかる酸化物非超電導材料の被形成面を有する
基体上に、酸化物超電導材料または酸化雰囲気でアニー
ル後、超電導特性を有する出発材料（これらを合わせて
以下酸化物超電導材料または単に超電導材料という）の
膜をスパッタ法、印刷法例えばスクリーン印刷法、スプ
レー法、プラズマスプレー法、電子ビーム蒸着法、プラ
ズマCVD法、その他の方法により形成する。

例えばマグネトロンスパッタ法で基板温度650゜C、Ar
（酸素を20％混入）雰囲気で形成する。この時被形成面
上に酸化物超電導材料のab面(c面即ちｃ軸に垂直な面）
が平行になるように形成する。

このため、基体上に被膜を形成する際、この被形成面
(円筒状にあってはその円の接線方向の面）に垂直方向
に磁界を加える。すると本発明に用いる変形ペルブスカ
イト構造の酸化物超電導材料は電流の特に流れやすいab
面に平行な面が被形成面に平行に構成される。この磁界
はスパッタ法で形成された膜を酸素中で850゜C,8時間、
４゜C／分の速度で徐冷中、400゜C,2時間のアニールの間
も加える。

本発明はかかる酸化物超電導材料が昇華性を有し、エキ
シマレーザまたはYAGレーザによりスクライブ加工（切
断）が容易に行い得る材料であることを実験的に発見し
た。このため本発明はかかる形成された超電導薄膜に対
し、焼成前または焼成後に選択的にレーザ光を照射、さ
らに必要に応じ走査（スキャン）を加え、一定の領域、
例えば一定の巾を有する帯状にこの酸化物超電導材料を
除去する。するとこのレーザ照射により開溝が作られた
以外の部分のみ一定のTcを有する超電導薄膜の帯とする
ことができる。

スパッタ法等で形成される膜は、ターゲットを調整し、
形成後の酸化物超電導材料が例えば、(A_1-xBx)yCuzOw但
しｘ＝0.1〜１好ましくは0.6〜0.7,y＝2.0〜4.0好まし
くは2.5〜3.5,ｚ＝0.1〜4.0好ましくは1.5〜3.5,ｗ＝4.
0〜10.0好ましくは６〜８であって、Ａは元素周期表III
ａ族特にイットリウム(Y)またはランタノイドより選ば
れた１種類または複数種類の元素、Ｂは元素周期表IIａ
族のBa(バリウム),Sr(ストロンチウム)またはCa(カルシ
ウム)より選ばれた１種類または複数種類の元素、例え
ばバリウム(Ba)となるようにする。

さらに層間絶縁膜は、（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝０〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.
0を有し、A′はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Yb
(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm
(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム）および
その他のランタノイドより選ばれた１種または複数種の
元素よりなり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウ
ム),Ca(カルシウム）より選ばれた元素を有するととも
に、Ａ″，Ｂ″，ＸはMg(マグネシウム),Be(ベリリウ
ム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co（コバルト),Ni(ニッ
ケル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジルコ
ニウム）より選ばれた１つまたは複数種類の元素よりな
る酸化物超電導材料を用いた。このとき、この非超電導
材料とするための添加物は１〜20体積%(p,ｑまたはｒの
値としては0.99〜0.80)を加えた。特に酸化物絶縁物と
なる程度が大きいMg,Alはその添加量が１〜5%と少なく
てすみ、好都合であった。

尚、本明細書における元素周期表は理化学辞典（岩波書
店1963年４月１日発行）によるものである。

絶縁領域を作るために、エキシマレーザを用いたレーザ
スクライブを行う場合は、パルス巾が20ｎ秒と小さいた
め、除去する領域の深さ方向の制御がより容易となる。
本発明はエキシマレーザを光学系でしぼることにより円
（直径10〜100μm)のレーザビームを作ることができ、
このレーザビームを酸化物超電導膜に照射しつつ基体ま
たは基体とレーザビーム光とを移動する。そして所望の
位置の酸化物超電導薄膜を昇華または飛翔化して除去す
る。

この除去されるべき領域に対し、本発明で用いるMg(マ
グネシウム),Be(ベリリウム),Al(アルミニウム)、Fe
(鉄),Co(コバルト),Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チタ
ン),Mn(マンガン）より選ばれた１種または複数種をイ
オン注入法等により選択的に注入して絶縁化してもよ
い。かくすると、この絶縁領域と超電導領域との上表面
を互いに滑らかな平坦にできる特長を有するが、注入量
が多く、生産性の上で十分でない。

本発明はかくの如く、酸化物超電導材料と同一主成分の
酸化物非超電導材料とを基体またはその上部および層間
絶縁物として用いることにより、酸化物超電導材料と概
略同一の熱膨張係数を有する酸化物非超電導材料を電気
的分離用の層間膜とする。そしてさらにこの後、第２の
酸化物超電導材料を積層し、再び第１の酸化物超電導材
料と同様に選択的に不要物をレーザスクライブ法等によ
り除去した。これを繰り返して多層に捲かれたコイルを
構成せしめた。

本発明において、基体材料としてその後も残存させる場
合は、アルミナ、YSZ(イットリア・スタビライズド・ジ
ルコン）、酸化マグネシウム(MgO),ジルコニア、イット
リア、チタン酸ストロンチウム(SrTiO₃)、ガラスまたは
酸化物超電導材料と同一主成分材料の非超電導材料を用
いた。また金属等の基体上に酸化物非超電導薄膜を形成
して複合基体を用いてもよい。

母体上に基体を設け、基体を構成後除去する場合は有機
溶剤でとける有機樹脂を用いた。

「作用」従来、金属の超電導材料を用いる場合、その工程として
まず線材とする。これを所定の基体にまいてゆくことに
よりコイルを構成せしめた。

しかし、本発明の酸化物超電導体を用いるコイルに関し
ては、最終形状を有する基体、例えば円板または円筒状
(ボビン）構造を用いる。この基体上に帯状に超電導を
熱処理の後、超電導を呈すべき酸化物超電導材料を膜状
に形成する。そしてこの膜に対し選択的に第１のパター
ニングを行うことにより他部の残存した領域により帯状
のコイルを構成せしめる。さらにその上面に酸化物超電
導材料と同一主成分材料を酸化物非超電導材料を形成す
る。すると同一主成分であるため、クラック等が発生し
にくく、高信頼性を得ることができる。さらにこの酸化
物非超電導材料の連結部にて連結しつつ、第２の酸化物
超電導薄膜を形成する。この薄膜に対し、第２のパター
ニングを行う。酸化物超電導材料および非超電導材料の
熱アニールまたは酸化処理はこれをすべての工程を行っ
た後に行っても、またそれぞれの工程毎に行ってもよ
い。

以下に実施例に従って本発明を説明する。

「実施例１」第１図は本発明の実施例を示す第１図(A)において、母体(1)は後から除去できる材料、
例えば超電導材料が溶解せず、かつ母体が溶去できる材
料を用いればよい。さらにその上に材料(1)上に（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝0.1〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜1
0.0を有し、A′はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Y
b(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),
Dy(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),T
m(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム）および
その他のランタノイドより選ばれた１種または複数種の
元素よりなり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウ
ム),Ca(カルシウム）より選ばれた元素を有するととも
に、Ａ″，Ｂ″またはＸはMg(マグネシウム),Be(ベリリ
ウム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバルト),Ni(ニッ
ケル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジルコ
ニウム）より選ばれた１つまたは複数種類の元素を１〜
20体積％含む酸化物非超電導膜(1′）を約10〜5000μｍ
例えば20μｍの厚さに形成したものを用いた。すると、
その上面には酸化物超電導薄膜と同程度(±50%以内）の
熱膨張係数の差を作ることができる。この差が大きすぎ
るとアニール後応力歪を有し、超電導を呈する温度が小
さく、また膜に生ずるクラックにより超電導が観察され
なくなってしまう。この実施例では円板状を有する基体
(1)上に、スパッタ法または印刷法例えばスクリーン印
刷法により0.1〜50μｍ例えば20μｍの厚さに酸化物超
電導薄膜(2)を形成した。

それを酸素雰囲気で加熱処理を行った。500〜1000゜C例
えば900゜Cで15時間行った。その後、200゜C／分以下の降
温例えば10゜C／分で徐冷し、さらに450゜C,1時間保存し
て酸化処理を行った。かくして酸化物超電導膜を形成さ
せた。この後、エキシマレーザ(254nm)(4)をレーザスク
ライブを行うために照射した。このレーザ光を第１図で
は左端より中央部に走査(11)し、かつ円板状基体を回転
(12)した。かくして開溝(3)を作製した。レーザ光はピ
ーク出力は10⁶〜10⁸W／秒であった。これを強くしすぎ
ると基体(1),(1)′をも損傷させてしまうため注意を要
する。

第１図(B)は、第１図(A)の１層配線の後、これらの全面
に（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝０〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.
0を有し、A′はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Yb
(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm
(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム）および
その他のランタノイドより選ばれた１種または複数種の
元素よりなり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウ
ム),Ca(カルシウム）より選ばれた元素を有するととも
に、Ａ″，Ｂ″またはＸはMg(マグネシウム),Be(ベリリ
ウム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバルト),Ni(ニッ
ケル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジルコ
ニウム）より選ばれた１つまたは複数種類の元素を１〜
20体積％含有する酸化物非超電導膜(6)を形成し、さら
に第２の(A_1-xBx)yCuzOw ｘ＝０〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,
ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.0を有し、ＡはY(イットリウ
ム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウム),Eu(ユーロ
ピウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホル
ミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウ
ム),Sc（スカンジウム）およびその他のランタノイドよ
り選ばれた１種または複数種の元素よりなり、ＢはBa
(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウム）より
選ばれた１種または複数種の元素酸化物超電導薄膜(7)
を積層した。第１図(A)のA-A′の断面に対応する。

図面より明らかな如く、第１の酸化物超電導薄膜は帯状
に(5-1),(5-2)・・・として残存してコイルを構成す
る。そして連結部(8)にて第２の酸化物超電導薄膜をレ
ーザスクライブしたコイル(7-1),(7-2)・・・に連結し
ている。

かくして円板状に帯状線を配線し、かつその多層まきが
可能となった。

第１、第２の帯状の超電導薄膜の上または下に銀等の金
属を設けた多層膜としてもよい。

「実施例２」第２図は本発明の他の実施例を示す。

図面において基体(1)は円筒状（ボビン形状）を有す
る。ここに実施例１と同様に膜状に酸化物超電導材料
(2)を形成する。

この作製はスプレー法でこの円筒の母体(50)上に
（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝0.1〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜1
0.0を有し、A′はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Y
b(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),
Dy(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),T
m(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム）および
その他のランタノイドより選ばれた１種または複数種の
元素よりなり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウ
ム),Ca(カルシウム）より選ばれた元素を有するととも
に、Ａ″，Ｂ″，ＸはMg(マグネシウム),Be(ベリリウ
ム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバルト),Ni(ニッケ
ル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジルコニ
ウム）より選ばれた１種または複数種の元素よりなる酸
化物非超電導材料を作製して基体とした。この後この母
体(50)を除去し、円筒状の基体とした。さらにこの基体
(1)を矢印(12)に示す如くに回転しつつディポジッショ
ンすればよい。

このスプレー法では超電導材料を構成する元素の硝酸
塩、臭酸塩または塩酸塩を水で十分混合し、アンモニア
で中和した極微粒子を構成させる。これらを被塗布面に
コートし、乾燥させた後焼成する。

この焼成をオゾン中で行うことにより、より低温化する
ことは有効である。さらにこのスプレー作業を磁場を加
えたオゾンまたは活性酸素中で被塗布面に形成して膜を
構成させればよい。

次にこれら膜を熱アニールさせた後、この膜にYAGレー
ザ(3)ビーム(径50μｍ）を照射しつつ、このレーザ光を
(11)の方向に徐々に移す。同時に円筒状基体(1)を矢印
(12)の方向に回転させる。するとこの円筒状基体に対し
一本の連続した帯状のスクライブライン(3)を構成させ
ることができる。この開溝によりそれぞれの酸化物超電
導材料が帯状に(5-1),(5-2)として形成され、それぞれ
は電気的に分離されて、超電導領域を構成させ得る。こ
こではこの超電導領域はコイル状を有し、実質的に超電
導マグネットコイルを構成させることができた。

この実施例はかかる工程の後これら全体を酸素中で焼成
し、(A_1-xBx)yCuzOw ｘ＝0.1〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,ｚ＝
1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.0を有し、ＡはY(イットリウム),
Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウム),Eu(ユーロピウ
ム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホルミウ
ム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc
(スカンジウム)およびその他のランタノイドより選ばれ
た１種または複数種の元素よりなり、ＢはBa(バリウ
ム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウム）より選ばれた
１種類または複数種類の元素よりなる酸化物超電導材料
に変成した。そして超電導マグネットとさせることがで
きた。このコイルの始点と終点とを超電導線で連結する
ことにより、エネルギ蓄積装置とすることが可能であ
る。

第２図(B)は第２図(A)のA-A′の断面図に対応する。第
２図(A)は図面の複雑化を避けるため１層目のみを示し
た。本発明はこれを多層化せしめたものである。第２図
(B)において、（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝０〜1.0,ｙ＝2.0〜4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.
0を有し、A′はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Yb
(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm
(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム）および
その他のランタノイドより選ばれた１種または複数種の
元素よりなり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウ
ム),Ca(カルシウム）より選ばれた元素を有するととも
に、Ａ″，Ｂ″，ＸはMg(マグネシウム),Be(ベリリウ
ム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバルト),Ni(ニッケ
ル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr(ジルコニ
ウム）より選ばれた１つまたは複数種類の元素よりなる
酸化物非超電導薄膜(1)′を有する基体(1)上に、第２図
(A)に示した如くにして酸化物超電導材料を帯状に形成
する。さらにこれら全体を同一元素を有する酸化物非超
電導薄膜を同様の方法のスプレー法で形成する。連結部
(8)で開穴を行った後、これら全体に第２の酸化物超電
導薄膜を形成する。さらに第１の超電導薄膜と同様にレ
ーザスクライブをして帯状に(7-1),(7-2)・・・を作
る。さらに第２の酸化物超電導薄膜(6′)を形成し、さ
らに第３の酸化物超電導材料(8′）にて連結し、帯状に
形成した。外部取り出しは(10),(11)で行っている。こ
れを繰り返し行うことにより、３層だけではなく任意の
多層とすることができる。

その他は実施例１と同様である。

「効果」本発明によりこれまでまったく不可能とされていた酸化
物超電導材料を実質的にコイル状に基体上に選択的に残
存させることが可能となった。

かくして、曲げるとすぐわれてしまうセラミックス超電
導材料をして導線、電極または超電導素子を構成させる
ためのアイソレイションをして膜状または帯状に作るこ
とができた。

本発明をマイクロエレクトロニクス分野に応用し、超電
導薄膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を
用い、所定のパターニンイグをして超電導素子または超
電導配線としてもよい。しかしこの工程中で用いる液体
により劣化しやすいため、本発明の方法が優れている。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の酸化物超電導材料を用いた超
電導コイルの実施例を示す。１・・・基板２・・・酸化物超電導材料３・・・開溝４・・・レーザ光５・・・超電導を呈する領域６，９・層間分離膜７・・・第２の酸化物超電導材料

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に(A_1-XBx)yCUzOwｘ＝0.1〜1.0,ｙ
＝2.0〜4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.0を有し、ＡはY
(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウ
ム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシ
ウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),L
u(ルテチウム),Sc(スカンジウム）及びその他のランタ
ノイドより選ばれた１種または複数種の元素よりなり、
ＢはBa(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウ
ム）より選ばれた１種または複数種の元素を有する酸化
物超電導材料を帯状に設け、該酸化物超電導材料上に（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝０〜1.0,y＝2.0〜
4.0,ｚ＝1.0〜4.0,ｗ＝4.0〜10.0を有し、A′はY(イッ
トリウム),Gd(ガドリニウム),Yb(イッテルビウム),Eu
(ユーロピウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),H
o(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテ
チウム),Sc(スカンジウム）およびその他のランタノイ
ドより選ばれた１種または複数種より選ばれた元素より
なり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウム),Ca(カル
シウム）より選ばれた１種または複数種の元素を有する
とともに、Ａ″，Ｂ″またはＸはMg(マグネシウム),Be
(ベリリウム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバルト),
Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガン),Zr
(ジルコニウム）より選ばれた１種または複数種の元素
が添加された非超電導特性を有する材料を積層して設
け、該材料上に前記酸化物超電導材料の一端部に連結し
て、第２の(A_1-xBx)yCuzOw ｘ＝0.1〜1.0,ｙ＝2.0〜4.
0,ｚ＝1.0〜4.0,Ｗ＝4.0〜10.0を有し、ＡはY(イットリ
ウム),(ガドリニウム)Yb(イッテルビウム),Eu(ユーロピ
ウム),Tb(テリビウム),Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミ
ウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム),Lu(ルテチウム),S
c(スカンジウム）およびその他のランタノイドより選ば
れた１種または複数種の元素よりなり、ＢはBa(バリウ
ム),Sr(ストロンチウム),Ca(カルシウム）より選ばれた
１種類または複数種類の元素を有する酸化物超電導材料
を帯状に設けたことを特徴とする超電導コイル。
【請求項２】特許請求の範囲第１項において、基体は（（Ａ′ｐＡ″_１−Ｐ）_１−ｘ（Ｂ′ｑＢ″_１−ｑ）
ｘ）ｙ（ＣｕｒＸ_１−ｒ）ｚＯｗｘ＝０〜1.0,y＝2.0〜4.0,Ｚ＝1.0〜4.0,Ｗ＝4.0〜10.0
を有し、A′はY(イットリウム),Gd(ガドリニウム),Yb
(イッテルビウム),Eu(ユーロピウム),Tb(テルビウム),D
y(ジスプロシウム),Ho(ホルミウム),Er(エルビウム),Tm
(ツリウム),Lu(ルテチウム),Sc(スカンジウム）及びそ
の他のランタノイドより選ばれた１種または複数種の元
素よりなり、B′はBa(バリウム),Sr(ストロンチウム),C
a(カルシウム）より選ばれた１種または複数種の元素を
有するとともに、Ａ″，Ｂ″またはＸはMg(マグネシウ
ム),Be(ベリリウム),Al(アルミニウム),Fe(鉄),Co(コバ
ルト),Ni(ニッケル),Cr(クロム),Ti(チタン),Mn(マンガ
ン),Zr(ジルコニウム）より選ばれた１つまたは複数種
類の元素を含むことを特徴とする超電導コイル。