JPH0640563B2 - 膜抵抗体のレ−ザトリミング方法 - Google Patents
膜抵抗体のレ−ザトリミング方法Info
- Publication number
- JPH0640563B2 JPH0640563B2 JP60049978A JP4997885A JPH0640563B2 JP H0640563 B2 JPH0640563 B2 JP H0640563B2 JP 60049978 A JP60049978 A JP 60049978A JP 4997885 A JP4997885 A JP 4997885A JP H0640563 B2 JPH0640563 B2 JP H0640563B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- insulating film
- film
- resistor
- laser trimming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は膜抵抗体をレーザビームによりトリミングする
方法に係り、特に膜抵抗体の下地絶縁膜に損傷を与えな
いようにしたレーザトリミング方法に関する。
方法に係り、特に膜抵抗体の下地絶縁膜に損傷を与えな
いようにしたレーザトリミング方法に関する。
最近、電子機器は小型・薄型化の傾向がめざましく、そ
れに伴い各種電子部品についても小型化の要求が厳しく
なっている。この要求に応えるため、例えば抵抗体に関
してはアキシャルリードタイプの素子に代わりチップ部
品が広く普及しつつあり、さらに酸化ルテニウム系やカ
ーボン系の厚膜による印刷抵抗も広く使われるようにな
っており、薄型実装に大きく貢献している。
れに伴い各種電子部品についても小型化の要求が厳しく
なっている。この要求に応えるため、例えば抵抗体に関
してはアキシャルリードタイプの素子に代わりチップ部
品が広く普及しつつあり、さらに酸化ルテニウム系やカ
ーボン系の厚膜による印刷抵抗も広く使われるようにな
っており、薄型実装に大きく貢献している。
ところで、これら厚膜印刷抵抗のような膜抵抗体は目標
抵抗値に精度良く形成することが困難であるため通常、
印刷，焼成の後に抵抗体の一部を除去し所定抵抗値に調
整するトリミング工程が必要である。トリミング方法に
は抵抗体のアルミナ粉を吹付け抵抗体を削り取るサンド
ブラスト法と、レーザビームの照射により抵抗体の一部
を除去するレーザトリミング方法がある。後者のレーザ
トリミング方法は、コンピュータ制御が容易であり処理
能力が大きいことから最近特に普及し、アルミナ基材上
に形成した酸化ルテニウム抵抗体に多く適用されてい
る。
抵抗値に精度良く形成することが困難であるため通常、
印刷，焼成の後に抵抗体の一部を除去し所定抵抗値に調
整するトリミング工程が必要である。トリミング方法に
は抵抗体のアルミナ粉を吹付け抵抗体を削り取るサンド
ブラスト法と、レーザビームの照射により抵抗体の一部
を除去するレーザトリミング方法がある。後者のレーザ
トリミング方法は、コンピュータ制御が容易であり処理
能力が大きいことから最近特に普及し、アルミナ基材上
に形成した酸化ルテニウム抵抗体に多く適用されてい
る。
しかしながら、レーザトリミング方法はかなりパワーの
大きいレーザビームを抵抗体に微小スポットとして照射
するため、基材がアルミナのような無機物の場合はほと
んど問題はないが、基材の全体または表面部分に樹脂系
材料を用いた場合には、抵抗体の下部の樹脂にまでレー
ザビームが到達して損傷を与えてしまうという問題があ
る。特に、樹脂系絶縁膜を表面に形成した金属基板を用
いる，高放熱性が要求される金属コア印刷配線板上にお
いては、抵抗体下部の樹脂に損傷を与えることは絶縁膜
の耐電圧を低下させ致命的な欠陥となる。
大きいレーザビームを抵抗体に微小スポットとして照射
するため、基材がアルミナのような無機物の場合はほと
んど問題はないが、基材の全体または表面部分に樹脂系
材料を用いた場合には、抵抗体の下部の樹脂にまでレー
ザビームが到達して損傷を与えてしまうという問題があ
る。特に、樹脂系絶縁膜を表面に形成した金属基板を用
いる，高放熱性が要求される金属コア印刷配線板上にお
いては、抵抗体下部の樹脂に損傷を与えることは絶縁膜
の耐電圧を低下させ致命的な欠陥となる。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、そ
の目的は樹脂系絶縁膜上に形成された膜抵抗体にレーザ
ビームを照射してトリミングを行なうに際して、膜抵抗
体下部の絶縁膜に損傷を与えることのないレーザトリミ
ング方法を提供することにある。
の目的は樹脂系絶縁膜上に形成された膜抵抗体にレーザ
ビームを照射してトリミングを行なうに際して、膜抵抗
体下部の絶縁膜に損傷を与えることのないレーザトリミ
ング方法を提供することにある。
本発明はこの目的を達成するため、膜抵抗体の下層部に
予め白色顔料を含む樹脂系絶縁膜を形成しておき、その
状態で膜抵抗体にレーザビームを照射してトリミングを
行なうことを特徴とする。
予め白色顔料を含む樹脂系絶縁膜を形成しておき、その
状態で膜抵抗体にレーザビームを照射してトリミングを
行なうことを特徴とする。
本発明によれば、膜抵抗体の下層部の樹脂系絶縁膜が白
色顔料を含んでおり、光反射性を有するため、トリミン
グ時に膜抵抗体に照射されたレーザビームは該絶縁膜で
反射される。従って、レーザトリミンによって膜抵抗体
の下部の樹脂系絶縁膜に損傷を与えるおそれがなくな
り、電気的特性の劣化、特に絶縁膜の体電圧低下を防ぐ
ことができる。
色顔料を含んでおり、光反射性を有するため、トリミン
グ時に膜抵抗体に照射されたレーザビームは該絶縁膜で
反射される。従って、レーザトリミンによって膜抵抗体
の下部の樹脂系絶縁膜に損傷を与えるおそれがなくな
り、電気的特性の劣化、特に絶縁膜の体電圧低下を防ぐ
ことができる。
本発明の一実施例を第１図および第２図を参照して説明
する。
する。
まず、第１図（ａ）に示すように基材１上に白色顔料を
含む樹脂系絶縁膜２を下地層として塗布・形成する。基
材１は金属基板であってもよいし、絶縁基板あるいは印
刷配線板等であってもよい。
含む樹脂系絶縁膜２を下地層として塗布・形成する。基
材１は金属基板であってもよいし、絶縁基板あるいは印
刷配線板等であってもよい。
絶縁膜２中のベースとなる樹脂成分としては、例えばポ
リブタジエン樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，フ
ェノキシ樹脂，ビスマリイミド樹脂アクリル樹脂，フェ
ノール樹脂から選択した少なくとも一種を用いることが
できる。なかでも１，２ポリブタジエン樹脂は黄変度が
少なく、レーザビームの照射に対して傷付きにくく、さ
らに回路黄板材料として耐熱性，電気的特性等に優れて
いるため、特に好適である。一方、白色顔料としては酸
化チタン，酸化亜鉛，塩基性炭酸鉛，硫酸バリウム，硫
化亜鉛，塩基性硫酸鉛，酸化アンチモン，シリカ，アル
ミナから選択した少なくとも一種を用いることができ、
これらを上記樹脂に混練調製したものを基材１上に例え
ば５μｍ〜２００μｍ程度の厚さに塗布することによっ
て、樹脂系絶縁膜２が形成される。なお、白色顔料とし
て上に列挙したものの中で、特に酸化チタンはＹＡＧレ
ーザ出力である１．０６μｍ波長の光に対する反射率が
高く、また耐熱性，電気的特性にも優れているため非常
に好適である。
リブタジエン樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，フ
ェノキシ樹脂，ビスマリイミド樹脂アクリル樹脂，フェ
ノール樹脂から選択した少なくとも一種を用いることが
できる。なかでも１，２ポリブタジエン樹脂は黄変度が
少なく、レーザビームの照射に対して傷付きにくく、さ
らに回路黄板材料として耐熱性，電気的特性等に優れて
いるため、特に好適である。一方、白色顔料としては酸
化チタン，酸化亜鉛，塩基性炭酸鉛，硫酸バリウム，硫
化亜鉛，塩基性硫酸鉛，酸化アンチモン，シリカ，アル
ミナから選択した少なくとも一種を用いることができ、
これらを上記樹脂に混練調製したものを基材１上に例え
ば５μｍ〜２００μｍ程度の厚さに塗布することによっ
て、樹脂系絶縁膜２が形成される。なお、白色顔料とし
て上に列挙したものの中で、特に酸化チタンはＹＡＧレ
ーザ出力である１．０６μｍ波長の光に対する反射率が
高く、また耐熱性，電気的特性にも優れているため非常
に好適である。
ここで、樹脂系絶縁膜２中の白色顔料の含有量は、１w
t．％〜６０wt．％が望ましい。これは白色顔料の含有
量が１wt．％未満であると目的達成上ほとんど効果が期
待できず、また６０wt．％を越えると絶縁膜２の誘電率
が増大しすぎる結果、回路的にクロストークノイズ等が
多くなったり、信号遅延が生じる等の不具合が発生する
からである。また、この樹脂系絶縁膜２に、塗布性，作
業性を上げる目的で溶剤，チクソ剤等が添加することは
一向に差支えない。樹脂絶縁膜２の形成に際しての樹脂
の塗布方法は、スクリーン印刷法，スピンナーコート
法，ディップ法等のいずれの方法を用いてもよい。さら
に、樹脂系絶縁膜２は基材１上全面に塗布・形成しても
よいし、膜抵抗体が形成される領域あるいはその近傍に
のみ選択的に形成してもよい。
t．％〜６０wt．％が望ましい。これは白色顔料の含有
量が１wt．％未満であると目的達成上ほとんど効果が期
待できず、また６０wt．％を越えると絶縁膜２の誘電率
が増大しすぎる結果、回路的にクロストークノイズ等が
多くなったり、信号遅延が生じる等の不具合が発生する
からである。また、この樹脂系絶縁膜２に、塗布性，作
業性を上げる目的で溶剤，チクソ剤等が添加することは
一向に差支えない。樹脂絶縁膜２の形成に際しての樹脂
の塗布方法は、スクリーン印刷法，スピンナーコート
法，ディップ法等のいずれの方法を用いてもよい。さら
に、樹脂系絶縁膜２は基材１上全面に塗布・形成しても
よいし、膜抵抗体が形成される領域あるいはその近傍に
のみ選択的に形成してもよい。
次に、第１図（ｂ）に示すように膜抵抗体３および電極
４を形成して、抵抗素子を作製する。膜抵抗体３は厚膜
印刷抵抗体または薄膜抵抗体であり、厚膜印刷抵抗体と
しては例えばカーボン印刷抵抗を用いることができ、ま
た薄膜抵抗体としては例えばＲｕＯ２，ＴａＮ，Ｔａ２
Ｏ３，ＮｉＣｒ等のスパッタ膜抵抗、あるいはＮｉメッ
キ抵抗等を使用することができる。
４を形成して、抵抗素子を作製する。膜抵抗体３は厚膜
印刷抵抗体または薄膜抵抗体であり、厚膜印刷抵抗体と
しては例えばカーボン印刷抵抗を用いることができ、ま
た薄膜抵抗体としては例えばＲｕＯ２，ＴａＮ，Ｔａ２
Ｏ３，ＮｉＣｒ等のスパッタ膜抵抗、あるいはＮｉメッ
キ抵抗等を使用することができる。
次に、第１図（ｃ）に示すようにレーザビーム５を膜抵
抗体３上に照射してレーザトリミングを行なう。レーザ
トリマーには例えばＹＡＧレーザ（波長１．０６μｍ）
を用いることができ、従来よりアルミナセラミック基板
上に直接形成されたＲｕＯ２抵抗体について行なわれて
いるレーザトリミングと同様にして行なえばよい。トリ
ミングの形態はシングルカット，ダブルカット，Ｌカッ
ト，サーペンティンカット等のいずれであってもよい。
抗体３上に照射してレーザトリミングを行なう。レーザ
トリマーには例えばＹＡＧレーザ（波長１．０６μｍ）
を用いることができ、従来よりアルミナセラミック基板
上に直接形成されたＲｕＯ２抵抗体について行なわれて
いるレーザトリミングと同様にして行なえばよい。トリ
ミングの形態はシングルカット，ダブルカット，Ｌカッ
ト，サーペンティンカット等のいずれであってもよい。
第２図はこうしてレーザトリミングがなされた後の膜抵
抗体３を示したものであり、図の例では記号６に示すよ
うにＬカットのレーザトリミングが行なわれている。次
に、本発明のより具体的な実施例と比較例について述べ
る。
抗体３を示したものであり、図の例では記号６に示すよ
うにＬカットのレーザトリミングが行なわれている。次
に、本発明のより具体的な実施例と比較例について述べ
る。
実施例 基材として硬質アルミニウム（ＪＩＳ Ａ−2017）板
（板厚２mm）を用意し、表面をブラスト研磨後、トリク
レン洗浄を行ない、下記の組成の絶縁性樹脂を基材表面
にスクリーン印刷した。
（板厚２mm）を用意し、表面をブラスト研磨後、トリク
レン洗浄を行ない、下記の組成の絶縁性樹脂を基材表面
にスクリーン印刷した。
次いで、１８０℃で１５分間乾燥後、窒素雰囲気中３７
０℃にて１５分間加熱・硬化を行ない、厚さ１４０μｍ
の白色の樹脂系絶縁膜を得た。この絶縁膜上に膜抵抗体
としてカーボン印刷抵抗体をスクリーン印刷により形成
し、１３０℃で１５分間乾燥した後、樹脂系銅ペースト
を用いて電極を印刷・形成し、さらに窒素雰囲気中３７
０℃で１５分間焼成を行ない、膜抵抗基板を得た。この
膜抵抗基板上の電極とアルミニウム基板間について５
［ＫＶ］×１０［sec ］の耐電圧試験を実施し、この試
験にパスした基板についてレーザトリマー（東芝製ＬＡ
Ｙ-711）を使って出力６Ｗ，ビーム径５０μｍ，スキャ
ンスピード３０mm／sec の条件でＬカットトリミングを
行なった。このようにしてレーザトリミングがされた後
の膜抵抗体周囲を顕微鏡で観察したところ、樹脂系絶縁
膜表面には何ら損傷もなく、膜抵抗体のみカットされて
いることが確認された。
０℃にて１５分間加熱・硬化を行ない、厚さ１４０μｍ
の白色の樹脂系絶縁膜を得た。この絶縁膜上に膜抵抗体
としてカーボン印刷抵抗体をスクリーン印刷により形成
し、１３０℃で１５分間乾燥した後、樹脂系銅ペースト
を用いて電極を印刷・形成し、さらに窒素雰囲気中３７
０℃で１５分間焼成を行ない、膜抵抗基板を得た。この
膜抵抗基板上の電極とアルミニウム基板間について５
［ＫＶ］×１０［sec ］の耐電圧試験を実施し、この試
験にパスした基板についてレーザトリマー（東芝製ＬＡ
Ｙ-711）を使って出力６Ｗ，ビーム径５０μｍ，スキャ
ンスピード３０mm／sec の条件でＬカットトリミングを
行なった。このようにしてレーザトリミングがされた後
の膜抵抗体周囲を顕微鏡で観察したところ、樹脂系絶縁
膜表面には何ら損傷もなく、膜抵抗体のみカットされて
いることが確認された。
また、同じ膜抵抗基板について５［ＫＶ］×１０［sec
］の耐電圧試験を行なったところ、５０サンプルにつ
いて試験した結果でも、樹脂系絶縁膜に何ら損傷は認め
られなかった。
］の耐電圧試験を行なったところ、５０サンプルにつ
いて試験した結果でも、樹脂系絶縁膜に何ら損傷は認め
られなかった。
比較例１ 基材として厚さ０．５mmのステンレス板を用い、ポリブ
タジエン樹脂をスピンナーコートした後、窒素雰囲気中
３７０℃にて１０分間加熱・硬化を行ない、膜厚１００
μｍの透明な樹脂系絶縁膜を得た。次いで、この絶縁膜
上にカーボン印刷抵抗と銅ペーストを順次スクリーン印
刷し、窒素雰囲気中３７０℃で５分間焼成を行なった。
そして実施例と同装置，同条件にてＬカットトリミング
を行ない、表面を観察したところ、樹脂系絶縁膜表面に
は傷がないが、基材であるステンレス板の方に溝状の傷
ができ、しかも絶縁膜とステンレス板との境界が多数の
クラックが生じているのが確認された。また、５［Ｋ
Ｖ］×１０［sec ］の耐電圧試験を実施したところ、５
０サンプル中４１サンプルに不良が発生した。
タジエン樹脂をスピンナーコートした後、窒素雰囲気中
３７０℃にて１０分間加熱・硬化を行ない、膜厚１００
μｍの透明な樹脂系絶縁膜を得た。次いで、この絶縁膜
上にカーボン印刷抵抗と銅ペーストを順次スクリーン印
刷し、窒素雰囲気中３７０℃で５分間焼成を行なった。
そして実施例と同装置，同条件にてＬカットトリミング
を行ない、表面を観察したところ、樹脂系絶縁膜表面に
は傷がないが、基材であるステンレス板の方に溝状の傷
ができ、しかも絶縁膜とステンレス板との境界が多数の
クラックが生じているのが確認された。また、５［Ｋ
Ｖ］×１０［sec ］の耐電圧試験を実施したところ、５
０サンプル中４１サンプルに不良が発生した。
比較例２ 基材として実施例と同様のアルミニウム硬質板を用い、
実施例と同様の前処理を行なった後、下記の組成の絶縁
性樹脂を基材表面にスクリーン印刷した。
実施例と同様の前処理を行なった後、下記の組成の絶縁
性樹脂を基材表面にスクリーン印刷した。
次いで、１８０℃で２０分間乾燥後、窒素雰囲気中３７
０℃で５分間加熱して硬化させたところ、茶褐色の樹脂
系絶縁膜が得られた。この絶縁膜上にカーボン印刷抵
抗，銅ペーストを順次スクリーン印刷した後、窒素雰囲
気中３７０℃で５分間加熱して硬化させ、膜抵抗基板を
得た。この膜抵抗基板上の電極とアルミニウム基材間に
５［ＫＶ］×１０［sec ］耐電圧試験を行ない、パスし
た基板について実施例と同装置，同条件でＬカットトリ
ミングを行なった。トリミング後、膜抵抗体周囲を顕微
鏡で観察した結果、樹脂系絶縁膜にもクラックや切り溝
が入っており、レーザトリミングが絶縁膜に著しい損傷
を与えていることが確認された。また、５０サンプルに
ついて同様の耐電圧試験を行なった結果、１３サンプル
について不良発生した。
０℃で５分間加熱して硬化させたところ、茶褐色の樹脂
系絶縁膜が得られた。この絶縁膜上にカーボン印刷抵
抗，銅ペーストを順次スクリーン印刷した後、窒素雰囲
気中３７０℃で５分間加熱して硬化させ、膜抵抗基板を
得た。この膜抵抗基板上の電極とアルミニウム基材間に
５［ＫＶ］×１０［sec ］耐電圧試験を行ない、パスし
た基板について実施例と同装置，同条件でＬカットトリ
ミングを行なった。トリミング後、膜抵抗体周囲を顕微
鏡で観察した結果、樹脂系絶縁膜にもクラックや切り溝
が入っており、レーザトリミングが絶縁膜に著しい損傷
を与えていることが確認された。また、５０サンプルに
ついて同様の耐電圧試験を行なった結果、１３サンプル
について不良発生した。
以上の実施例および比較例から明らかなように、予め膜
抵抗体下層に白色顔料を含んだ樹脂系絶縁膜を形成して
おき、その状態でレーザトリミングを行なう本発明の方
法によれば、該絶縁膜がそれに含まれている白色顔料成
分によりレーザビームを反射させる効果を持つ結果、こ
の絶縁膜さらにはその下の基材に損傷を与えることなく
レーザトリミングを行なうことが可能であり、絶縁膜の
耐電圧特性の向上、および膜抵抗体の歩留り向上に寄与
することができる。
抵抗体下層に白色顔料を含んだ樹脂系絶縁膜を形成して
おき、その状態でレーザトリミングを行なう本発明の方
法によれば、該絶縁膜がそれに含まれている白色顔料成
分によりレーザビームを反射させる効果を持つ結果、こ
の絶縁膜さらにはその下の基材に損傷を与えることなく
レーザトリミングを行なうことが可能であり、絶縁膜の
耐電圧特性の向上、および膜抵抗体の歩留り向上に寄与
することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る膜抵抗体のレーザトリ
ミング方法を説明するための工程図、第２図は同実施例
におけるレーザトリミング工程後の膜抵抗体を示す図で
ある。 １……基材、２……樹脂系絶縁膜、３……膜抵抗体、４
……電極、５……レーザビーム。
ミング方法を説明するための工程図、第２図は同実施例
におけるレーザトリミング工程後の膜抵抗体を示す図で
ある。 １……基材、２……樹脂系絶縁膜、３……膜抵抗体、４
……電極、５……レーザビーム。
Claims (4)
- 【請求項１】膜抵抗体にレーザビームを照射して所定抵
抗値となるように調整するレーザトリミング方法におい
て、前記膜抵抗体の下層部に予め白色顔料を含む樹脂系
絶縁膜を形成しておき、その状態でレーザトリミングを
行なうことを特徴とする膜抵抗体のレーザビーム方法。 - 【請求項２】前記白色顔料として酸化チタン，酸化亜
鉛，塩基性炭酸鉛，硫酸バリウム，硫化亜鉛，塩基性硫
酸鉛，酸化アンチモン，シリカ，アルミナから選択した
少なくとも一種を用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の膜抵抗体のレーザトリミング方法。 - 【請求項３】前記白色顔料を含む樹脂系絶縁膜中の樹脂
成分としてポリブタジエン樹脂，エポキシ樹脂，ポリイ
ミド樹脂，フェノキシ樹脂，ビスマリイミド樹脂アクリ
ル樹脂，フェノール樹脂から選択した少なくとも一種を
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の膜
抵抗体のレーザトリミング方法。 - 【請求項４】前記樹脂系絶縁膜中の前記白色顔料の含有
量が１wt．％〜６０wt．％であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の膜抵抗体のレーザトリミング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049978A JPH0640563B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 膜抵抗体のレ−ザトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049978A JPH0640563B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 膜抵抗体のレ−ザトリミング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208250A JPS61208250A (ja) | 1986-09-16 |
| JPH0640563B2 true JPH0640563B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=12846103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049978A Expired - Lifetime JPH0640563B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 膜抵抗体のレ−ザトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640563B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184861A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | レーザ光によるトリミング方法 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP60049978A patent/JPH0640563B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208250A (ja) | 1986-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7813104B2 (en) | Ceramic element | |
| TWI284013B (en) | An improved method to embed thick film components | |
| KR970008549B1 (ko) | 높은 열 사이클 접착력 및 노화 접착력을 위한 은 풍부 전도체 조성물 | |
| US5510594A (en) | Method of manufacturing thick-film circuit component | |
| EP0194655B1 (en) | Printed circuit board and method of manufacturing the same | |
| US4924205A (en) | Chip resistor and method of manufacturing a chip resistor | |
| US4580030A (en) | Thick film resistor, method of trimming thick film resistor, and printed circuit board having thick film resistor | |
| JPH0640563B2 (ja) | 膜抵抗体のレ−ザトリミング方法 | |
| JPS5846161B2 (ja) | 耐熱性絶縁体基板の導電端子 | |
| JPH0373503A (ja) | 回路形成方法 | |
| JPS63226006A (ja) | 膜抵抗体のレ−ザトリミング方法 | |
| JPH0878278A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2003163135A (ja) | 積層チップ部品 | |
| JPH07297006A (ja) | チップ状電子部品 | |
| JPH08250859A (ja) | セラミック多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP2718178B2 (ja) | 角板型薄膜チップ抵抗器の製造方法 | |
| JP3857219B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPS6119102A (ja) | 厚膜印刷基板の製造方法 | |
| JPS58130590A (ja) | セラミツク配線基板および該セラミツク配線基板を用いた厚膜ハイブリツドｉｃ | |
| JP2927004B2 (ja) | 集積回路におけるトリミング方法 | |
| JPH08124708A (ja) | チップ状電子部品およびその製造方法 | |
| JPH0645108A (ja) | 電子素子及びその製造方法 | |
| JPH0574614A (ja) | セラミツク電子部品の製造方法 | |
| JPH0141275B2 (ja) | ||
| JPH05152726A (ja) | セラミツク配線基板の修理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |