JPH0642933A - 電子部品の外観検査装置 - Google Patents
電子部品の外観検査装置Info
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- JPH0642933A JPH0642933A JP4196768A JP19676892A JPH0642933A JP H0642933 A JPH0642933 A JP H0642933A JP 4196768 A JP4196768 A JP 4196768A JP 19676892 A JP19676892 A JP 19676892A JP H0642933 A JPH0642933 A JP H0642933A
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- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims description 7
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 寸法測定における誤差を低減できる電子部品
の外観検査装置を提供すること。 【構成】 照明器１によって照明しながらカメラ２によ
って電子部品Ｃを撮像して得られた画像データを用い、
データ変換回路３ｃによって二値化画像データを生成
し、判定処理部３ｅによって二値化画像データから電子
部品の概略エッジを検出する。さらに、概略エッジの近
傍の画像データにおける輝度データを比較して真のエッ
ジを検出し、真のエッジに基づいて電子部品の寸法測定
を行う。 【効果】 寸法測定における誤差を低減でき正確な検査
を行うことができると共に、エッジ検索の範囲を削減で
き、処理時間を短縮することができる。これにより、外
観検査の信頼性並びに生産効率の向上を図ることができ
る。
の外観検査装置を提供すること。 【構成】 照明器１によって照明しながらカメラ２によ
って電子部品Ｃを撮像して得られた画像データを用い、
データ変換回路３ｃによって二値化画像データを生成
し、判定処理部３ｅによって二値化画像データから電子
部品の概略エッジを検出する。さらに、概略エッジの近
傍の画像データにおける輝度データを比較して真のエッ
ジを検出し、真のエッジに基づいて電子部品の寸法測定
を行う。 【効果】 寸法測定における誤差を低減でき正確な検査
を行うことができると共に、エッジ検索の範囲を削減で
き、処理時間を短縮することができる。これにより、外
観検査の信頼性並びに生産効率の向上を図ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の外観形状の
検査を画像処理によって行う電子部品の外観検査装置に
関するものである。
検査を画像処理によって行う電子部品の外観検査装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電子部品の外観検査装置
は、検査対象となる電子部品の画像を撮像するカメラ
と、画像データを記憶するメモリと、マイクロコンピュ
ータを使用した画像判定手段とから構成されており、例
えば回転対称形をなす本体の両端部にリードを同軸上に
有するインダクタやコンデンサ、或いは抵抗器等におけ
る外観形状の良否を判定している。
は、検査対象となる電子部品の画像を撮像するカメラ
と、画像データを記憶するメモリと、マイクロコンピュ
ータを使用した画像判定手段とから構成されており、例
えば回転対称形をなす本体の両端部にリードを同軸上に
有するインダクタやコンデンサ、或いは抵抗器等におけ
る外観形状の良否を判定している。
【０００３】ここで、上記画像判定手段における判定方
法について説明する。まず、検査対称となる電子部品の
外観をカメラによって撮像し、各画素の輝度データとし
きい値となる所定の輝度レベルとを比較して、二値化画
像データを生成する。次いで、この二値化画像データか
ら電子部品の外形寸法を測定し、この測定結果を予め記
憶している外形寸法と比較して、その良否を判定してい
る。これにより電子部品の外観検査を自動的に行うこと
ができる。
法について説明する。まず、検査対称となる電子部品の
外観をカメラによって撮像し、各画素の輝度データとし
きい値となる所定の輝度レベルとを比較して、二値化画
像データを生成する。次いで、この二値化画像データか
ら電子部品の外形寸法を測定し、この測定結果を予め記
憶している外形寸法と比較して、その良否を判定してい
る。これにより電子部品の外観検査を自動的に行うこと
ができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の電子部品の外観検査装置においては、電子部品
をカメラで撮像し、これを二値化画像データに変換して
いるので、電子部品のエッジ部分と背景の輝度との詳細
な変化点を求めることができなかった。このため、電子
部品の二値化画像が得られる範囲内での寸法測定となる
ので、少なくとも±１画素以上の誤差が発生する。さら
に、電子部品をライト等によって照明し、電子部品から
の反射光によって撮像する場合には、実際の外観形状に
対して−２画素程度の誤差が発生し、正確な判定を行う
ことができないという問題点があった。
た従来の電子部品の外観検査装置においては、電子部品
をカメラで撮像し、これを二値化画像データに変換して
いるので、電子部品のエッジ部分と背景の輝度との詳細
な変化点を求めることができなかった。このため、電子
部品の二値化画像が得られる範囲内での寸法測定となる
ので、少なくとも±１画素以上の誤差が発生する。さら
に、電子部品をライト等によって照明し、電子部品から
の反射光によって撮像する場合には、実際の外観形状に
対して−２画素程度の誤差が発生し、正確な判定を行う
ことができないという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、寸法
測定における誤差を低減できる電子部品の外観検査装置
を提供することにある。
測定における誤差を低減できる電子部品の外観検査装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、電子部品を撮像し、複数の画素からなる
画像データを出力する撮像器と、前記電子部品の形状デ
ータを記憶する記憶手段と、前記撮像器によって撮像さ
れた画像データと前記形状データに基づいて、前記電子
部品の外観形状の良否を判定する判定手段とを備えた電
子部品の外観検査装置において、前記画像データの輝度
データを所定のしきい値に基づいて二値化し、二値化画
像データを生成するデータ変換手段と、前記二値化画像
データに基づいて、前記電子部品の概略エッジを検出す
る概略エッジ検出手段と、前記概略エッジを含む所定範
囲内の前記輝度データに基づいて、隣接画素の輝度デー
タを比較し、前記電子部品のエッジを検出するエッジ検
出手段と、該エッジ検出手段によって検出された前記電
子部品のエッジと、前記記憶手段に記憶されている形状
データとを比較する比較手段とを設けると共に、前記判
定手段は、前記比較手段の比較結果に基づいて前記電子
部品の外観形状の良否を判定する電子部品の外観検査装
置を提案する。
成するために、電子部品を撮像し、複数の画素からなる
画像データを出力する撮像器と、前記電子部品の形状デ
ータを記憶する記憶手段と、前記撮像器によって撮像さ
れた画像データと前記形状データに基づいて、前記電子
部品の外観形状の良否を判定する判定手段とを備えた電
子部品の外観検査装置において、前記画像データの輝度
データを所定のしきい値に基づいて二値化し、二値化画
像データを生成するデータ変換手段と、前記二値化画像
データに基づいて、前記電子部品の概略エッジを検出す
る概略エッジ検出手段と、前記概略エッジを含む所定範
囲内の前記輝度データに基づいて、隣接画素の輝度デー
タを比較し、前記電子部品のエッジを検出するエッジ検
出手段と、該エッジ検出手段によって検出された前記電
子部品のエッジと、前記記憶手段に記憶されている形状
データとを比較する比較手段とを設けると共に、前記判
定手段は、前記比較手段の比較結果に基づいて前記電子
部品の外観形状の良否を判定する電子部品の外観検査装
置を提案する。
【０００７】
【作用】本発明によれば、データ変換手段によって、撮
像器によって撮像された電子部品の画像データにおける
輝度データが所定のしきい値に基づいて二値化され、二
値化画像データが生成される。この二値化画像データに
基づいて、概略エッジ検出手段により前記電子部品の概
略エッジが検出される。さらに、前記概略エッジを含む
所定範囲内の輝度データに基づいて、エッジ検出手段に
より、隣接画素の輝度データが比較され、例えば輝度差
が所定の基準値以下に安定した画素の位置によって前記
電子部品のエッジが検出される。また、比較手段によっ
て、前記エッジ検出手段によって検出されたエッジと、
記憶手段に記憶されている前記電子部品の形状データと
が比較され、該比較結果に基づいて、判定手段により前
記電子部品の外観形状の良否が判定される。
像器によって撮像された電子部品の画像データにおける
輝度データが所定のしきい値に基づいて二値化され、二
値化画像データが生成される。この二値化画像データに
基づいて、概略エッジ検出手段により前記電子部品の概
略エッジが検出される。さらに、前記概略エッジを含む
所定範囲内の輝度データに基づいて、エッジ検出手段に
より、隣接画素の輝度データが比較され、例えば輝度差
が所定の基準値以下に安定した画素の位置によって前記
電子部品のエッジが検出される。また、比較手段によっ
て、前記エッジ検出手段によって検出されたエッジと、
記憶手段に記憶されている前記電子部品の形状データと
が比較され、該比較結果に基づいて、判定手段により前
記電子部品の外観形状の良否が判定される。
【０００８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す図であ
る。図において、Ｃはインダクタンス、コンデンサ、抵
抗器等の検査対象となるリード付き電子部品、１は電子
部品Ｃを照明する照明器で、カメラ２のレンズの周囲に
装着されている。２はＣＣＤ等からなるカメラで、電子
部品を撮像できるように電子部品に対向した位置に配置
されている。３は画像判定装置で、カメラ２から画像デ
ータを入力すると共に、電子部品の形状データを予め記
憶し、これらに基づいて電子部品の外観形状を判定す
る。４はモニタ用の表示装置で、カメラ２によって撮像
された画像或いは画像判定装置によって生成された二値
化画像を表示する。
明する。図１は本発明の一実施例の構成を示す図であ
る。図において、Ｃはインダクタンス、コンデンサ、抵
抗器等の検査対象となるリード付き電子部品、１は電子
部品Ｃを照明する照明器で、カメラ２のレンズの周囲に
装着されている。２はＣＣＤ等からなるカメラで、電子
部品を撮像できるように電子部品に対向した位置に配置
されている。３は画像判定装置で、カメラ２から画像デ
ータを入力すると共に、電子部品の形状データを予め記
憶し、これらに基づいて電子部品の外観形状を判定す
る。４はモニタ用の表示装置で、カメラ２によって撮像
された画像或いは画像判定装置によって生成された二値
化画像を表示する。
【０００９】画像判定装置３は、カメラ２を通じて得ら
れたエッジ位置検出に必要な輝度データを記憶する画像
メモリ３ａと、電子部品Ｃの形状データを予め記憶する
形状データメモリ３ｂと、画像メモリ３ａに記憶された
輝度データに基づいて電子部品Ｃの二値化画像データを
生成するデータ変換回路３ｃと、データ変換回路３ｃに
よって生成された二値化画像データを記憶する画像メモ
リ３ｄと、判定処理部３ｅとを備えている。
れたエッジ位置検出に必要な輝度データを記憶する画像
メモリ３ａと、電子部品Ｃの形状データを予め記憶する
形状データメモリ３ｂと、画像メモリ３ａに記憶された
輝度データに基づいて電子部品Ｃの二値化画像データを
生成するデータ変換回路３ｃと、データ変換回路３ｃに
よって生成された二値化画像データを記憶する画像メモ
リ３ｄと、判定処理部３ｅとを備えている。
【００１０】カメラ２は、撮像した電子部品の画像を、
例えば各画素が２５６階調の輝度データからなる画像デ
ータを出力する。
例えば各画素が２５６階調の輝度データからなる画像デ
ータを出力する。
【００１１】データ変換回路３ｃは画像メモリ３ａに記
憶された輝度データと所定のしきい値とを比較し、この
輝度データがしきい値以上であるか否かによって得られ
る二値化画像データを生成して出力する。
憶された輝度データと所定のしきい値とを比較し、この
輝度データがしきい値以上であるか否かによって得られ
る二値化画像データを生成して出力する。
【００１２】判定処理部３ｅは、周知のＣＰＵ及びプロ
グラム格納用並びにデータ処理用のメモリ等から構成さ
れ、画像メモリ３ａ，３ｄのそれぞれから画像データを
入力し、二値化画像データから電子部品Ｃの概略エッジ
を検出すると共に、この概略エッジに基づいて、画像メ
モリ３ａ内の画像データにおける概略エッジ近傍の所定
範囲内の各画素の輝度データを比較して真のエッジを検
出する。さらに、この真のエッジから電子部品Ｃの外形
寸法を算出し、これと形状データとを比較して電子部品
Ｃの外観の良否を判定し、判定結果を表示装置４に表示
する。
グラム格納用並びにデータ処理用のメモリ等から構成さ
れ、画像メモリ３ａ，３ｄのそれぞれから画像データを
入力し、二値化画像データから電子部品Ｃの概略エッジ
を検出すると共に、この概略エッジに基づいて、画像メ
モリ３ａ内の画像データにおける概略エッジ近傍の所定
範囲内の各画素の輝度データを比較して真のエッジを検
出する。さらに、この真のエッジから電子部品Ｃの外形
寸法を算出し、これと形状データとを比較して電子部品
Ｃの外観の良否を判定し、判定結果を表示装置４に表示
する。
【００１３】次に、前述の構成よりなる外観検査装置の
動作を図２乃至図６に基づいて説明する。カメラ２によ
って電子部品Ｃが撮像されると、撮像された画像データ
は即座に画像メモリ３ａに記憶されると共に、この画像
データはデータ変換回路３ｃによって二値化画像データ
に変換され画像メモリ３ｄに記憶される。
動作を図２乃至図６に基づいて説明する。カメラ２によ
って電子部品Ｃが撮像されると、撮像された画像データ
は即座に画像メモリ３ａに記憶されると共に、この画像
データはデータ変換回路３ｃによって二値化画像データ
に変換され画像メモリ３ｄに記憶される。
【００１４】ここで、図２に示すように、二値化画像デ
ータにおける電子部品のエッジは、しきい値或いは照明
の状態によって変化し、誤差が生じて実際のものとは異
なったものとなっている。図２において、Ｃは実際の電
子部品で、ＥＧ１が二値化画像データにおけるエッジで
ある。
ータにおける電子部品のエッジは、しきい値或いは照明
の状態によって変化し、誤差が生じて実際のものとは異
なったものとなっている。図２において、Ｃは実際の電
子部品で、ＥＧ１が二値化画像データにおけるエッジで
ある。
【００１５】判定処理部３ｅは、この二値化画像データ
におけるエッジＥＧ１を検出し、エッジＥＧ１の近傍の
画素の輝度データをＸ軸方向、及びＹ軸方向に順次比較
して輝度レベルの変化が少なくなり安定した位置を電子
部品Ｃの真のエッジＥＧ２として検出する。この際、ノ
イズ等の外乱の影響を低減するために隣接する複数の画
素、例えば３画素分の輝度の平均値Ｍを算出し、この平
均値Ｍを比較することによりエッジＥＧ２を検出してい
る。
におけるエッジＥＧ１を検出し、エッジＥＧ１の近傍の
画素の輝度データをＸ軸方向、及びＹ軸方向に順次比較
して輝度レベルの変化が少なくなり安定した位置を電子
部品Ｃの真のエッジＥＧ２として検出する。この際、ノ
イズ等の外乱の影響を低減するために隣接する複数の画
素、例えば３画素分の輝度の平均値Ｍを算出し、この平
均値Ｍを比較することによりエッジＥＧ２を検出してい
る。
【００１６】即ち、図３に示すように、例えばＹ軸方向
にエッジ検索を行い真のエッジＥＧ２を検出する場合に
は、Ｘ軸方向に連なる３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0
），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）の輝度
ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ），ｆ（Ｘ0，Ｙ0 ），ｆ（Ｘ0 ＋
１，Ｙ0 ）の平均値ＭＸ１を算出すると共に、Ｙ座標を
１つずらした３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），Ｐ
（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の輝度
ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），ｆ
（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＸ２を算出する。さ
らに、平均値ＭＸ１と平均値ＭＸ２との差ΔＭＸの値を
算出する。この処理をＹ座標を１づつ更新しながら所定
範囲内でＹ軸方向に順次行い、この差ΔＭＸの値が小さ
くなり所定の基準値Ｍth以下となった位置を真のエッジ
ＥＧ２としている。この際、検索方向は電子部品Ｃの中
央部から外側方向に向かって行われる。これにより、図
４に示すように、エッジＥＧ１近傍では乱反射等のため
輝度の変化が激しいが、真のエッジＥＧ２においては輝
度変化がほとんど無くなり正確なエッジＥＧ２が検出で
きる。
にエッジ検索を行い真のエッジＥＧ２を検出する場合に
は、Ｘ軸方向に連なる３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0
），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）の輝度
ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ），ｆ（Ｘ0，Ｙ0 ），ｆ（Ｘ0 ＋
１，Ｙ0 ）の平均値ＭＸ１を算出すると共に、Ｙ座標を
１つずらした３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），Ｐ
（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の輝度
ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），ｆ
（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＸ２を算出する。さ
らに、平均値ＭＸ１と平均値ＭＸ２との差ΔＭＸの値を
算出する。この処理をＹ座標を１づつ更新しながら所定
範囲内でＹ軸方向に順次行い、この差ΔＭＸの値が小さ
くなり所定の基準値Ｍth以下となった位置を真のエッジ
ＥＧ２としている。この際、検索方向は電子部品Ｃの中
央部から外側方向に向かって行われる。これにより、図
４に示すように、エッジＥＧ１近傍では乱反射等のため
輝度の変化が激しいが、真のエッジＥＧ２においては輝
度変化がほとんど無くなり正確なエッジＥＧ２が検出で
きる。
【００１７】さらに、判定処理部３ｅは、図５及び図６
のフローチャートに示すように、前述したエッジ検出処
理を概略エッジＥＧ１の全ての位置で行い真のエッジＥ
Ｇ２を検出している。この際、Ｙ軸方向の検索だけでは
全てのエッジＥＧ２を検出できないので、Ｘ軸方向の検
索も併せて行い、外観形状の良否判定を行っている。
のフローチャートに示すように、前述したエッジ検出処
理を概略エッジＥＧ１の全ての位置で行い真のエッジＥ
Ｇ２を検出している。この際、Ｙ軸方向の検索だけでは
全てのエッジＥＧ２を検出できないので、Ｘ軸方向の検
索も併せて行い、外観形状の良否判定を行っている。
【００１８】即ち、判定処理部３ｅは、画像メモリ３ｄ
に記憶されている二値化画像データから概略エッジＥＧ
１を検出した後（Ｓ１）、エッジＥＧ１の各画素のＸ，
Ｙ座標に基づいてＹ軸方向検索の基点（Ｘ0 ，Ｙ0 ）を
設定する（Ｓ２）。次いで、基点の画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0
）を中心にしてＸ軸方向に連なる３つの画素Ｐ（Ｘ0−
１，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）
の輝度ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），ｆ
（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）の平均値ＭＸ１を算出する（Ｓ
３）。
に記憶されている二値化画像データから概略エッジＥＧ
１を検出した後（Ｓ１）、エッジＥＧ１の各画素のＸ，
Ｙ座標に基づいてＹ軸方向検索の基点（Ｘ0 ，Ｙ0 ）を
設定する（Ｓ２）。次いで、基点の画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0
）を中心にしてＸ軸方向に連なる３つの画素Ｐ（Ｘ0−
１，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）
の輝度ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），ｆ
（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）の平均値ＭＸ１を算出する（Ｓ
３）。
【００１９】この後、Ｙ0 の値に１を加算してＹ0 の座
標を更新し（Ｓ４）、３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0
），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）のそれ
ぞれに隣接する３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），
Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），Ｐ（Ｘ0＋１，Ｙ0 ＋１）の輝
度ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），
ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＸ２を算出し（Ｓ
５）、さらに平均値ＭＸ１と平均値ＭＸ２との差ΔＭＸ
の値を算出する（Ｓ６）。
標を更新し（Ｓ４）、３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0
），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ）のそれ
ぞれに隣接する３つの画素Ｐ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），
Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），Ｐ（Ｘ0＋１，Ｙ0 ＋１）の輝
度ｆ（Ｘ0 −１，Ｙ0 ＋１），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１），
ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＸ２を算出し（Ｓ
５）、さらに平均値ＭＸ１と平均値ＭＸ２との差ΔＭＸ
の値を算出する（Ｓ６）。
【００２０】次に、判定処理部３ｅは、平均値ＭＸ１と
平均値ＭＸ２との差ΔＭＸの値が基準値Ｍth以下である
か否かを判定し（Ｓ７）、差ΔＭＸの値が基準値Ｍthよ
りも大きいときは平均値ＭＸ１の値として平均値ＭＸ２
の値を設定し（Ｓ８）、Ｓ４の処理と同様にＹ座標を更
新した後（Ｓ９）、前記Ｓ５の処理に移行する。
平均値ＭＸ２との差ΔＭＸの値が基準値Ｍth以下である
か否かを判定し（Ｓ７）、差ΔＭＸの値が基準値Ｍthよ
りも大きいときは平均値ＭＸ１の値として平均値ＭＸ２
の値を設定し（Ｓ８）、Ｓ４の処理と同様にＹ座標を更
新した後（Ｓ９）、前記Ｓ５の処理に移行する。
【００２１】また、差ΔＭＸの値が基準値Ｍth以下のと
きは画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ）の座標をエッジＥＧ２の位置
としてメモリに記憶する（Ｓ１０）。この後、Ｙ軸方向
のエッジ検索が終了したか否かを判定し（Ｓ１１）、終
了していないときはエッジＥＧ１に基づいて基点（Ｘ0
，Ｙ0 ）の座標を更新した後（Ｓ１２）、前記Ｓ３の
処理に移行する。
きは画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ）の座標をエッジＥＧ２の位置
としてメモリに記憶する（Ｓ１０）。この後、Ｙ軸方向
のエッジ検索が終了したか否かを判定し（Ｓ１１）、終
了していないときはエッジＥＧ１に基づいて基点（Ｘ0
，Ｙ0 ）の座標を更新した後（Ｓ１２）、前記Ｓ３の
処理に移行する。
【００２２】前記Ｓ１１の判定の結果、Ｙ軸方向のエッ
ジ検索が終了したときは、Ｘ方向のエッジ検索を行う。
即ち、判定処理部３ｅは、エッジＥＧ１の各画素のＸ，
Ｙ座標に基づいてＸ軸方向検索の基点（Ｘ0 ，Ｙ0 ）を
設定する（Ｓ１３）。次いで、基点の画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ
0 ）を中心にしてＹ軸方向に連なる３つの画素Ｐ（Ｘ0
，Ｙ0 −１），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋
１）の輝度ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 −１），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），
ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＹ１を算出する（Ｓ１
４）。
ジ検索が終了したときは、Ｘ方向のエッジ検索を行う。
即ち、判定処理部３ｅは、エッジＥＧ１の各画素のＸ，
Ｙ座標に基づいてＸ軸方向検索の基点（Ｘ0 ，Ｙ0 ）を
設定する（Ｓ１３）。次いで、基点の画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ
0 ）を中心にしてＹ軸方向に連なる３つの画素Ｐ（Ｘ0
，Ｙ0 −１），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋
１）の輝度ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 −１），ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），
ｆ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＹ１を算出する（Ｓ１
４）。
【００２３】この後、Ｘ0 の値に１を加算してＸ0 の座
標を更新し（Ｓ１５）、３つの画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 −
１），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１）のそれ
ぞれに隣接する３つの画素Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 −１），
Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の輝
度ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 −１），ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ），
ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＹ２を算出し（Ｓ
１６）、さらに平均値ＭＹ１と平均値ＭＹ２との差ΔＭ
Ｙの値を算出する（Ｓ１７）。
標を更新し（Ｓ１５）、３つの画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 −
１），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ＋１）のそれ
ぞれに隣接する３つの画素Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 −１），
Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ），Ｐ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の輝
度ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 −１），ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ），
ｆ（Ｘ0 ＋１，Ｙ0 ＋１）の平均値ＭＹ２を算出し（Ｓ
１６）、さらに平均値ＭＹ１と平均値ＭＹ２との差ΔＭ
Ｙの値を算出する（Ｓ１７）。
【００２４】次に、判定処理部３ｅは、平均値ＭＹ１と
平均値ＭＹ２との差ΔＭＹの値が基準値Ｍth以下である
か否かを判定し（Ｓ１８）、差ΔＭＹの値が基準値Ｍth
よりも大きいときは平均値ＭＹ１の値として平均値ＭＹ
２の値を設定し（Ｓ１９）、Ｓ４の処理と同様にＹ座標
を更新した後（Ｓ２０）、前記Ｓ５の処理に移行する。
平均値ＭＹ２との差ΔＭＹの値が基準値Ｍth以下である
か否かを判定し（Ｓ１８）、差ΔＭＹの値が基準値Ｍth
よりも大きいときは平均値ＭＹ１の値として平均値ＭＹ
２の値を設定し（Ｓ１９）、Ｓ４の処理と同様にＹ座標
を更新した後（Ｓ２０）、前記Ｓ５の処理に移行する。
【００２５】また、差ΔＭＹの値が基準値Ｍth以下のと
きは画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ）の座標をエッジＥＧ２の位置
としてメモリに記憶する（Ｓ２１）。この後、Ｙ軸方向
のエッジ検索が終了したか否かを判定し（Ｓ２２）、終
了していないときはエッジＥＧ１に基づいて基点（Ｘ0
，Ｙ0 ）の座標を更新した後（Ｓ２３）、前記Ｓ１４
の処理に移行する。
きは画素Ｐ（Ｘ0 ，Ｙ0 ）の座標をエッジＥＧ２の位置
としてメモリに記憶する（Ｓ２１）。この後、Ｙ軸方向
のエッジ検索が終了したか否かを判定し（Ｓ２２）、終
了していないときはエッジＥＧ１に基づいて基点（Ｘ0
，Ｙ0 ）の座標を更新した後（Ｓ２３）、前記Ｓ１４
の処理に移行する。
【００２６】前記Ｓ２２の判定の結果、Ｘ軸方向のエッ
ジ検索が終了したときは、エッジＥＧ２の座標に基づい
て電子部品Ｃの外形寸法を算出し（Ｓ２４）、この外形
寸法と形状データとを比較して電子部品Ｃの外観形状の
良否を判定し（Ｓ２５）、この判定結果を表示装置４に
表示する（Ｓ２６）。
ジ検索が終了したときは、エッジＥＧ２の座標に基づい
て電子部品Ｃの外形寸法を算出し（Ｓ２４）、この外形
寸法と形状データとを比較して電子部品Ｃの外観形状の
良否を判定し（Ｓ２５）、この判定結果を表示装置４に
表示する（Ｓ２６）。
【００２７】前述したように本実施例によれば、二値化
画像データから得られたエッジＥＧ１の近傍における画
素の輝度データを比較して真のエッジＥＧ２を求めてい
るので、寸法測定における誤差を低減でき正確な検査を
行うことができると共に、エッジ検索の範囲を削減で
き、処理時間を短縮することができる。
画像データから得られたエッジＥＧ１の近傍における画
素の輝度データを比較して真のエッジＥＧ２を求めてい
るので、寸法測定における誤差を低減でき正確な検査を
行うことができると共に、エッジ検索の範囲を削減で
き、処理時間を短縮することができる。
【００２８】尚、本実施例における構成は一例でありこ
れに限定されることはない。
れに限定されることはない。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、二
値化画像データから得られた電子部品のエッジ近傍にお
ける画像データの輝度データを比較して真のエッジを求
めているので、寸法測定における誤差を低減でき正確な
検査を行うことができると共に、エッジ検索の範囲を削
減でき、処理時間を短縮することができる。これによ
り、外観検査の信頼性並びに生産効率の向上を図ること
ができるという非常に優れた効果を奏するものである。
値化画像データから得られた電子部品のエッジ近傍にお
ける画像データの輝度データを比較して真のエッジを求
めているので、寸法測定における誤差を低減でき正確な
検査を行うことができると共に、エッジ検索の範囲を削
減でき、処理時間を短縮することができる。これによ
り、外観検査の信頼性並びに生産効率の向上を図ること
ができるという非常に優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す図
【図２】二値化画像データにおけるエッジの一例を示す
図
図
【図３】一実施例におけるエッジ検出方法を説明する図
【図４】一実施例におけるエッジ検出方法を説明する図
【図５】一実施例における判定処理手順を示すフローチ
ャート
ャート
【図６】一実施例における判定処理手順を示すフローチ
ャート
ャート
１…照明器、２…カメラ、３…画像判定装置、３ａ…画
像メモリ、３ｂ…形状データメモリ、３ｃ…データ変換
回路、３ｄ…画像メモリ、３ｅ…判定処理部、、４…表
示装置、Ｃ…電子部品。
像メモリ、３ｂ…形状データメモリ、３ｃ…データ変換
回路、３ｄ…画像メモリ、３ｅ…判定処理部、、４…表
示装置、Ｃ…電子部品。
Claims (1)
- 【請求項１】 電子部品を撮像し、複数の画素からなる
画像データを出力する撮像器と、前記電子部品の形状デ
ータを記憶する記憶手段と、前記撮像器によって撮像さ
れた画像データと前記形状データに基づいて、前記電子
部品の外観形状の良否を判定する判定手段とを備えた電
子部品の外観検査装置において、 前記画像データの輝度データを所定のしきい値に基づい
て二値化し、二値化画像データを生成するデータ変換手
段と、 前記二値化画像データに基づいて、前記電子部品の概略
エッジを検出する概略エッジ検出手段と、 前記概略エッジを含む所定範囲内の前記輝度データに基
づいて、隣接画素の輝度データを比較し、前記電子部品
のエッジを検出するエッジ検出手段と、 該エッジ検出手段によって検出された前記電子部品のエ
ッジと、前記記憶手段に記憶されている形状データとを
比較する比較手段とを設けると共に、 前記判定手段は、前記比較手段の比較結果に基づいて前
記電子部品の外観形状の良否を判定する、 ことを特徴とする電子部品の外観検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196768A JPH0642933A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 電子部品の外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4196768A JPH0642933A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 電子部品の外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0642933A true JPH0642933A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16363305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4196768A Withdrawn JPH0642933A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 電子部品の外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642933A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025516274A (ja) * | 2022-08-31 | 2025-05-27 | エルジー エナジー ソリューション リミテッド | 境界線検出装置及び方法 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP4196768A patent/JPH0642933A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025516274A (ja) * | 2022-08-31 | 2025-05-27 | エルジー エナジー ソリューション リミテッド | 境界線検出装置及び方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |