JPH0643143Y2 - 半導体ウエハと薄板を接着する接着剤の接着力制御装置 - Google Patents

半導体ウエハと薄板を接着する接着剤の接着力制御装置

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JPH0643143Y2
JPH0643143Y2 JP1985190304U JP19030485U JPH0643143Y2 JP H0643143 Y2 JPH0643143 Y2 JP H0643143Y2 JP 1985190304 U JP1985190304 U JP 1985190304U JP 19030485 U JP19030485 U JP 19030485U JP H0643143 Y2 JPH0643143 Y2 JP H0643143Y2
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adhesive
container
thin plate
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semiconductor wafer
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栄一 入江
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Lintec Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、合成樹脂フィルム等の薄板に接着したシリコ
ンウエハその他の半導体ウエハを該薄板から取外すため
の接着剤の接着力を減少させるように制御する装置に関
する。
(従来の技術) 従来、半導体ウエハにIC回路を形成するエッチング等の
回路形成処理を終えると、該ウエハに合成樹脂フィルム
その他の薄板を接着剤で貼着してワークとし、該合成樹
脂フィルムを固定することによりウエハを固定し、該ウ
エハをICチップにカットすることが行なわれている。こ
のあと各チップは該薄板から取り外されてパッケージン
グにマウントされるが、この場合、取外された各チップ
の背面に接着剤が残存付着する汚染がないことが好まし
く、そのため特公昭58−50164号公報に見られるように
接着剤に光硬化性のものが使用されている。光硬化性の
接着剤は、ICチップにカット後に光が照射されて硬化
し、接着性能が弱化するのでチップの背面に接着剤が付
着することを防止出来る。尚、半導体ウエハは鏡面に研
磨されているので、接着剤の付着性が悪く、粘着性の接
着剤を使用するのが一般である。
(考案が解決しようとする問題点) 該ワークの光硬化性の接着剤がその接着力を十分に喪失
するまでに要する光の照射時間は、硬化性の迅速な接着
剤を使用した場合であっての10秒以上の時間が必要であ
り、IC製造のための処理時間としては長すぎて好ましく
ない。
本考案は、前記ワークに対する照射時間を短縮するため
の装置を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 本考案では、透光窓及び開閉自在の蓋体を備え、内部に
半導体ウエハを光硬化性の接着剤により透光性の合成樹
脂フィルム等の薄板に接着したワークが収容される密閉
容器と、該容器の透光窓に対向する水銀灯等の光源とを
有し、該容器にその内部の雰囲気から酸素成分を排除す
る脱酸素装置を接続することにより、前記問題点を解決
するようにした。
(作用) 該ワークの半導体ウエハの表面に多数のIC回路を形成す
る工程が終ると、各IC回路毎のチップに該ウエハは分割
され、各チップはパッケージにマウントされるが、該ウ
エハは接着剤により透光性の合成樹脂フィルム等の薄板
に貼着されているので、薄板からチップを取外すに先立
ち該接着剤に光を照射してその接着力を減少させるよう
な処理が施される。
この処理は、該ワークを密閉容器内にその蓋体を開いて
収め、その内部の雰囲気を脱酸素装置からの例えば窒素
ガスの導入等により酸素成分を減少させて脱酸素状態と
し、該容器の透光窓を介して光源からの光線を接着剤に
当てて接着力を弱まらせ、再び該容器内に大気を導入し
たのち蓋体を開いてワークを取出して終了するが、該接
着剤には約1秒間光線を当てるだけで接着力を十分に減
少させることが出来、薄板からプックアップしたチップ
の背面に殆ど接着剤が残存しない。
(実施例) 本考案の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図乃至第4図に於いて符号(1)は接着力を減少さ
せる制御装置の機枠、(2)(2)は該機枠(1)の後
方に左右に水平に横設した案内杆、(3)は該案内杆
(2)に案内されて左右に移動自在の移動板、(4)は
該移動板(3)を移動させる送りねじ、(5)は該送り
ねじ(4)を回転させるモータである。
該移動板(3)には略垂直に前方へ延びる密閉容器
(6)を一体に設け、該容器(6)の下方の機枠(1)
には左右1対の案内杆(7)に沿って昇降自在の光源
(8)が設けられる。該光源(8)の左右には、吸盤
(9)、コンベア(10)、パルスモータ(11)で昇降さ
れるワーク台(12)で構成されるワーク搬送装置(13
a)(13b)を設け、第5図示のようなワーク(14)を収
める棚を多段に備えたカセットケース(15)を該ワーク
台(12)に載置するようにした。
ワーク(14)の詳細は第6図示の如くであり、接着剤
(18)を予め塗布した透明な塩化ビニール、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリプロピレン等の合成樹脂フィル
ムの円形の薄板(16)にシリコンウエハ(17)を接着剤
(18)により接着して構成され、該接着剤(18)として
は例えばアクリル系接着剤10〜90重量部対ウレタンアク
リレート系オリゴマー90〜10重量部の成分を有し、水銀
灯からの紫外線、電子管の電子線等広義の光が照射され
ると光硬化してその接着力が著しく弱化するものが使用
される。(16a)は薄板(16)の周辺に取付けたSUS製の
環状の鍔板である。
図示の例では、光源(8)に80W/cmの水銀灯を使用し、
該光源(8)を囲むケース(19)の上方に形成したスリ
ット(20)を介して移動する密閉容器(6)の底面を照
射するようにしたが、該光源(8)には電子線発生装置
を用いるようにしてもよい。(21)は光源(8)の冷却
ファン、(22)は冷却ダクトを示す。
該密閉容器(6)は、第7図に見られるように、移動板
(3)に設けたシリンダ(23)で昇降されて開閉される
上方の蓋体(24)と光源(8)に対向する底部の透光窓
(25)とを備え、該光源(8)が水銀灯の場合、該透光
窓(25)は紫外線透過ガラスで形成され、該光源(8)
が電子線発生装置の場合にはBeの窓(25)が用いられ
る。該蓋体(24)内には第2図に見られるように脱酸素
装置(26)に接続される回路(27)(28)(29)が形成
され、回路(27)(28)を外部に開き、窒素ボンベ(3
0)から回路(29)を介して窒素ガスを該容器(6)内
に導入すると、該容器(6)内の空気と窒素ガスとが置
換されて酸素成分の排除された雰囲気が生成される。該
容器(6)内の雰囲気から酸素成分を排除する手段とし
て真空ポンプにより容器(6)内を真空化することも考
えられるが、蓋体(24)や透光窓(25)を外気が侵入し
ないようにシール性の良好な構造としなければならない
ので製作価格が高価になり、実施例のように窒素ガスを
送り込んで容器(6)内の酸素成分を排除すれば、容器
(6)の密閉性が多少寛容されるので製作価格は安価に
なる。
該容器(6)内には窒素ガス以外の不活性ガスを注入し
て酸素成分を排除するようにしてもよく、また排気ポン
プ等を用いて積極的に容器(6)内を減圧化したのち不
活性ガス等を注入して酸素成分を排除することも可能で
ある。
該容器(6)内の酸素成分が約1%以下の雰囲気であれ
ば、ワーク(14)の接着剤(18)に薄板(16)を透過し
て光が当ると短時間に接着剤(18)の接着力が弱化する
光硬化を生じさせ得、この光硬化ではウエハ(17)をカ
ットして得られる1つのチップ(17a)をわずかの力で
薄板(16)から剥がすことが出来、該チップ(17a)の
背面には全く接着剤(18)の残存がない。光硬化性の接
着剤(18)がこのような脱酸素雰囲気に於いて光硬化が
早まる理由としては、酸素含有雰囲気に接する部位の該
接着剤中の光硬化性成分が酸素の影響により、光硬化し
にくくなっていたためと考えられる。半導体ウエハ(1
7)が接着剤を伴いカットされ、接着剤面が新たに露出
し、酸素の影響する面積が増大するが、脱酸素雰囲気と
なっているため、光硬化時間が短くなったものと推定さ
れる。
図示の装置の作動は次の通りである。
まず、ダイシング工程でカットが終った多数枚のワーク
(14)を収めたカセットケース(15)を一方のワーク搬
送装置(13a)のワーク台(12)上に載せ、空のカセッ
トケース(15)を他方のワーク搬送装置(13b)のワー
ク台(12)上に載せる。該搬送装置(13b)のコンベア
(10)がカセットケース(15)から一枚ずつワーク(1
4)を引き出し、4個の吸盤(9)がウエハ(17)以外
の環状の鍔板(16a)を吸着して蓋体(24)の開いた容
器(6)内に薄板(16)が下になるようにしてワーク
(14)を運び込む。該蓋体(24)が閉じられ該容器
(6)が密閉されると、脱酸素装置(26)から注入され
る窒素ガスにより酸素成分を排除した雰囲気が該容器
(6)内に形成され、光源(8)上を通って該容器
(6)が移動する際に透光窓(25)から内部のワーク
(14)の接着剤(18)に対して光が照射される。具体的
には、光源(8)のケース(19)のスリット(20)の幅
を50mmとし、該容器(6)を約120mm/sの速度で該光源
(8)の上方を通過させ、ワーク(14)の該ウエハ(1
7)が5インチの直径、光源(8)は80W/cmで容器
(6)の位置では230mW/cm2の光量が得られる条件で実
施された。
ワーク(14)が光源(8)上を通過して光の照射を受け
た後、容器(6)内の窒素ガスを空気に交換し、蓋体
(24)が開かれると他方のワーク搬送装置(13b)の吸
盤(9)が処理済のワーク(14)を容器(6)から取り
出してコンベア(10)に載せ、空のカセットケース(1
5)に収められる。5インチのウエハ(17)が光源
(8)の光を受け終るまでの時間は、実施例では約1.4
秒であり、接着剤(18)の接着力の減少の処理を終えた
ワーク(14)はチップ(17a)を極めて弱い力で薄板(1
6)から取外せ、チップ(17a)の背面には接着剤(18)
の残存する汚染が殆どなく、不良品の発生率が少なくな
る。
(考案の効果) 以上のように本考案によるときは、薄板に接着剤で半導
体ウエハを貼着したワークを、脱酸素装置で酸素成分を
排除され且つ透光窓と蓋体を備えた密閉容器内に収め、
該容器内に於いて該接着剤に光を当てるようにしたの
で、極めて短時間で従来と同種の接着剤の接着力を減少
させる制御を行なうことが出来、半導体製造時間を短縮
して生産性を向上させ得、半導体ウエハに接着剤が残存
する汚染もなく、不良品の発生率も少ない等の効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例の正面図、第2図乃至第4図は
夫々第1図の平面図、右側面図及び左側面図を示し、第
5図はカセットケースの斜視図、第6図はワークの一部
截断斜視図、第7図は要部の拡大断面図である。 (6)…密閉容器、(8)…光源 (14)…ワーク、(16)…薄板 (17)…シリコンウエハ、(18)…接着剤 (24)…蓋体、(25)…透光窓 (26)…脱酸素装置

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】透光窓及び開閉自在の蓋体を備え、内部に
    半導体ウエハを光硬化性の接着剤により透光性の合成樹
    脂フィルム等の薄板に接着したワークが収容される密閉
    容器と、該容器の透光窓に対向する水銀灯等の光源とを
    有し、該容器にその内部の雰囲気から酸素成分を排除す
    る脱酸素装置を接続したことを特徴とする半導体ウエハ
    と薄板を接着する接着剤の接着力制御装置。
JP1985190304U 1985-12-12 1985-12-12 半導体ウエハと薄板を接着する接着剤の接着力制御装置 Expired - Lifetime JPH0643143Y2 (ja)

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JP1985190304U JPH0643143Y2 (ja) 1985-12-12 1985-12-12 半導体ウエハと薄板を接着する接着剤の接着力制御装置
PH34571A PH25206A (en) 1985-12-12 1986-12-09 Control apparatus for reducing adhesive force of adhesive agent adhering between semiconductor wafer and substrate
DE8686117185T DE3686314T2 (de) 1985-12-12 1986-12-10 Vorrichtung zur bestimmung der haftkraefte eines klebstoffes zwischen einem halbleiter und seinem substrat.
EP86117185A EP0226949B1 (en) 1985-12-12 1986-12-10 Control apparatus for adhesive force of adhesive agent adhering between semiconductor wafer and substrate
US06/940,328 US4718967A (en) 1985-12-12 1986-12-11 Control apparatus for reducing adhesive force of adhesive agent adhering between semiconductor wafer and substrate
KR1019860010635A KR900004688B1 (ko) 1985-12-12 1986-12-12 반도체 웨이퍼와 박판을 접착하는 접착제의 접착력 제어장치
SG1063/92A SG106392G (en) 1985-12-12 1992-10-13 Control apparatus for adhesive force of adhesive agent adhering between semiconductor wafer and substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5850164B2 (ja) * 1977-04-01 1983-11-09 日立化成工業株式会社 表面保護方法

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JPS62101835U (ja) 1987-06-29

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