JPH0643148B2 - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
- Publication number
- JPH0643148B2 JPH0643148B2 JP60171941A JP17194185A JPH0643148B2 JP H0643148 B2 JPH0643148 B2 JP H0643148B2 JP 60171941 A JP60171941 A JP 60171941A JP 17194185 A JP17194185 A JP 17194185A JP H0643148 B2 JPH0643148 B2 JP H0643148B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- recording medium
- liquid crystal
- optical recording
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 48
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 19
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- -1 4-cyanphenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004801 4-cyanophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(C#N)=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004965 chloroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005388 cross polarization Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/25—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing liquid crystals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/38—Polymers
- C09K19/3833—Polymers with mesogenic groups in the side chain
- C09K19/3842—Polyvinyl derivatives
- C09K19/3852—Poly(meth)acrylate derivatives
- C09K19/3861—Poly(meth)acrylate derivatives containing condensed ring systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
- C09K19/406—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals containing silicon
- C09K19/408—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、担体層と染料含有重合体層からなる光学的記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
光データ記憶装置または光メモリは公知である。特定の
波長の光、特にレーザー光線によるか又は他の適当な高
エネルギー放射線により、ガラス又は適当な合成樹脂か
ら成る感光性塗膜を有する担体の反射挙動は、所々変化
する。この場合、読み取り過程においては、記載された
個所と記載されない個所が認識され、それから初めの信
号が再生される。この現在のシステムに関する概説は、
例えばブラディ（H.Brody ）によりレーザー・フォーカ
ス（Laser Focus ）１９８１年８月号４７頁以降に示さ
れ、そこには他の文献も見られる。
波長の光、特にレーザー光線によるか又は他の適当な高
エネルギー放射線により、ガラス又は適当な合成樹脂か
ら成る感光性塗膜を有する担体の反射挙動は、所々変化
する。この場合、読み取り過程においては、記載された
個所と記載されない個所が認識され、それから初めの信
号が再生される。この現在のシステムに関する概説は、
例えばブラディ（H.Brody ）によりレーザー・フォーカ
ス（Laser Focus ）１９８１年８月号４７頁以降に示さ
れ、そこには他の文献も見られる。
光メモリにおいて光吸収のために染料を使用することは
公知である。例えば米国特許４０９７８９５号明細書に
は、ガラスから成る円板状基板と染料層により被覆され
た光反射性アルミニウム層から成る記録担体が記載され
ている。レーザー光線は、吸収性染料層を分離し、それ
を蒸発させ又は溶融し、そして光反射層を露呈する。こ
のようにして記録された情報は、再びレーザーにより、
読み取ることができる。
公知である。例えば米国特許４０９７８９５号明細書に
は、ガラスから成る円板状基板と染料層により被覆され
た光反射性アルミニウム層から成る記録担体が記載され
ている。レーザー光線は、吸収性染料層を分離し、それ
を蒸発させ又は溶融し、そして光反射層を露呈する。こ
のようにして記録された情報は、再びレーザーにより、
読み取ることができる。
米国特許４３８０７６９号明細書からは、光吸収層とし
て重合体結合剤中にアゾ染料を含有する記録担体が知ら
れている。さらに、吸収性化合物として、オキサジン
（特開昭５８−１３２２３１号）、シアニン染料（特開
昭５８−１１２７９０号及び同５８−１２５２４６
号）、フタロシアニン化合物（欧州公開特許第８４７２
９号、米国特許４２４１３５５号明細書、特開昭５８−
５６８９２号）及びナフトキノン−１，４−化合物（欧
州公開特許第９７９２９号）を使用する光メモリ系が既
知である。
て重合体結合剤中にアゾ染料を含有する記録担体が知ら
れている。さらに、吸収性化合物として、オキサジン
（特開昭５８−１３２２３１号）、シアニン染料（特開
昭５８−１１２７９０号及び同５８−１２５２４６
号）、フタロシアニン化合物（欧州公開特許第８４７２
９号、米国特許４２４１３５５号明細書、特開昭５８−
５６８９２号）及びナフトキノン−１，４−化合物（欧
州公開特許第９７９２９号）を使用する光メモリ系が既
知である。
情報記憶のために染料のホトクロミズムを利用する、消
去可能な記録担体も知られている。西独特許出願公開第
３００７２９６号明細書には、重合体に結合するホトク
ロミックのインジゴイド染料が使用され、同３２２０２
５７号明細書には、光メモリ用の放射線感光性材料とし
て、ホトクロミックのスピロ化合物が記載されている。
去可能な記録担体も知られている。西独特許出願公開第
３００７２９６号明細書には、重合体に結合するホトク
ロミックのインジゴイド染料が使用され、同３２２０２
５７号明細書には、光メモリ用の放射線感光性材料とし
て、ホトクロミックのスピロ化合物が記載されている。
低分子の液晶材料は光電表示装置における光変調器とし
て使用され、液晶層の光学挙動は通常は印加された電場
により変化する（たとえば H.Kelker 及びR.Hatz著 Han
dbook of Liquid Crystals １９８０年第６０３頁以下
又は B.Bahadur 著 Mol. Cryst. Liq Crist.，１９８３
年第９９巻第３４５〜３７４頁）。
て使用され、液晶層の光学挙動は通常は印加された電場
により変化する（たとえば H.Kelker 及びR.Hatz著 Han
dbook of Liquid Crystals １９８０年第６０３頁以下
又は B.Bahadur 著 Mol. Cryst. Liq Crist.，１９８３
年第９９巻第３４５〜３７４頁）。
高解像性の図式的表示をするためレーザー光線で薄い液
晶層を駆動することも同様に公知であり、たとえばカー
ン（Kahn）により Appl. Phys. Lett. 第２２巻１９７
３年第１１１頁以下に高解像性グラフィックディスプレ
イ製造に関し、記載されている。この場合。入射したレ
ーザーエネルギー（１．０６μｍ）が、Ｉｎ２−ｘＳｎ
ｘＯ３−ｙ電極に吸収される。ビレッキ、（H.Birecki
）、ナバルイ（S.Naberhuis ）及びカーン（F.J.Kah
n）が、オプティカル・ストーレイジ・メディア（Optic
al Storage Media ）編集者アラン、ベル（Alan E.Bell
）及びアルバートジャムベルディーノ（Albert A.Jamb
erdino が Proc. SPIE 420 、１９８３年第１９４〜１
９９頁に報告したように、消去可能な光メモリの製造も
同じ原理により可能である。
晶層を駆動することも同様に公知であり、たとえばカー
ン（Kahn）により Appl. Phys. Lett. 第２２巻１９７
３年第１１１頁以下に高解像性グラフィックディスプレ
イ製造に関し、記載されている。この場合。入射したレ
ーザーエネルギー（１．０６μｍ）が、Ｉｎ２−ｘＳｎ
ｘＯ３−ｙ電極に吸収される。ビレッキ、（H.Birecki
）、ナバルイ（S.Naberhuis ）及びカーン（F.J.Kah
n）が、オプティカル・ストーレイジ・メディア（Optic
al Storage Media ）編集者アラン、ベル（Alan E.Bell
）及びアルバートジャムベルディーノ（Albert A.Jamb
erdino が Proc. SPIE 420 、１９８３年第１９４〜１
９９頁に報告したように、消去可能な光メモリの製造も
同じ原理により可能である。
浦辺、新井及び大越（J.Appl. Phys.，第５４巻（３
号）第１５５２〜第１５５８頁（１９８３年））は、ス
メクチック液晶中で入射されたエネルギー（ヘリウム−
ネオンレーザー）を吸収するために、二色性染料を用い
ている。
号）第１５５２〜第１５５８頁（１９８３年））は、ス
メクチック液晶中で入射されたエネルギー（ヘリウム−
ネオンレーザー）を吸収するために、二色性染料を用い
ている。
ドイツ国特許出願公開第２６１８０２３号明細書には、
レーザーエネルギーが染料含有層により吸収される、砒
化ガリウムレザーによりアドレッシング可能な液晶セル
が記載されている。ドイツ国特許出願公開第３３３７３
１６号明細書に示されるように、液晶セルも電子線で駆
動することができる。
レーザーエネルギーが染料含有層により吸収される、砒
化ガリウムレザーによりアドレッシング可能な液晶セル
が記載されている。ドイツ国特許出願公開第３３３７３
１６号明細書に示されるように、液晶セルも電子線で駆
動することができる。
主鎖又は側鎖にメソゲン基を有する液晶相形成性重合体
は公知であって、これら化合物部類に関する概説は、た
とえばポリマー・リキッド・クリスタルズ（Polymer Li
quid Crystals, A.Ciferri, W.R.KrigbaumおよびR.B.Me
ryer, Academic 出版ニューヨーク、１９８２年）に記
載されている。
は公知であって、これら化合物部類に関する概説は、た
とえばポリマー・リキッド・クリスタルズ（Polymer Li
quid Crystals, A.Ciferri, W.R.KrigbaumおよびR.B.Me
ryer, Academic 出版ニューヨーク、１９８２年）に記
載されている。
液晶相形成重合体を自己補強性合成樹脂に使用すること
は、例えばウエンドルフ（Wendorff）によりクンストシ
ュトッフェ（Kunststoffe ）第７３巻、１９８３年、９
号第５２４〜５２８頁に報告されている。
は、例えばウエンドルフ（Wendorff）によりクンストシ
ュトッフェ（Kunststoffe ）第７３巻、１９８３年、９
号第５２４〜５２８頁に報告されている。
液晶重合体は原則として、低分子の液晶と同様の挙動を
示し、例えば電場内で配向できる（H. Ringsdorf及びR.
Zentel, Makromol.Chew.,第１８３巻、１９８２年、第
１２４５〜１２５６頁、H.Pranoto及びW.Haase, Mol. C
ryst. Liq. Cryst.,第９８巻、１９８３年、第２９９〜
３０８頁）。液晶ポリアクリレートの熱による駆動は、
シバエフ（V.P.Shibaev ）ら（Polym. Commun,第２４
巻、第３６４〜３６５頁（１９８３年）により初めて実
現された。
示し、例えば電場内で配向できる（H. Ringsdorf及びR.
Zentel, Makromol.Chew.,第１８３巻、１９８２年、第
１２４５〜１２５６頁、H.Pranoto及びW.Haase, Mol. C
ryst. Liq. Cryst.,第９８巻、１９８３年、第２９９〜
３０８頁）。液晶ポリアクリレートの熱による駆動は、
シバエフ（V.P.Shibaev ）ら（Polym. Commun,第２４
巻、第３６４〜３６５頁（１９８３年）により初めて実
現された。
本発明の課題は、書き込まれた情報が長期間にわたり安
定に記憶され、場合により局所的に又は全面的に消去可
能な光学的記録媒体を提供することであった。さらに、
この記録媒体はレーザーにより書き込み、読み取り及び
場合により消去することができるべきである。
定に記憶され、場合により局所的に又は全面的に消去可
能な光学的記録媒体を提供することであった。さらに、
この記録媒体はレーザーにより書き込み、読み取り及び
場合により消去することができるべきである。
本発明者らは、少なくとも１つの染料を化学的に結合し
て含有する重合体層が、液晶相形成重合体であるとき、
担体層と染料含有重合体層からなるきわめて好適な光学
的記録媒体が得られることを見出した。
て含有する重合体層が、液晶相形成重合体であるとき、
担体層と染料含有重合体層からなるきわめて好適な光学
的記録媒体が得られることを見出した。
重合体層は、それぞれその内側に透明な電極を備えるこ
とができる、２枚のガラス製の又は合成樹脂製の担体の
間に位置しうる。透明な導電性層としては、例えば錫を
ドーピングした公知の酸化インジウム層（ＩＴＯ）を使
用できる。透明電極と反射電極を用いることもできる。
好ましい光反射材料は、例えばアルミニウム、ロジウ
ム、金及び銅である。
とができる、２枚のガラス製の又は合成樹脂製の担体の
間に位置しうる。透明な導電性層としては、例えば錫を
ドーピングした公知の酸化インジウム層（ＩＴＯ）を使
用できる。透明電極と反射電極を用いることもできる。
好ましい光反射材料は、例えばアルミニウム、ロジウ
ム、金及び銅である。
液晶重合体の単一な組織を得るために、電極表面を場合
により処理せねば成らない。単一で均質な又はホメオト
ロープに配向された液晶層を形成する方法は、例えばケ
ルカー（H.Kelker）及びハッツ（R.Hatz）著ハンドブッ
ク・オブ・リキッド・クリスタルズ（Handbook of Liqu
id Crystals ）１９８０年５１１頁以降に記載されてい
る。
により処理せねば成らない。単一で均質な又はホメオト
ロープに配向された液晶層を形成する方法は、例えばケ
ルカー（H.Kelker）及びハッツ（R.Hatz）著ハンドブッ
ク・オブ・リキッド・クリスタルズ（Handbook of Liqu
id Crystals ）１９８０年５１１頁以降に記載されてい
る。
情報は例えばレーザーにより、単一に配向された液晶重
合体層に書き込まれる。その際、この重合体は、例えば
局所的に相転移温度（例えばスメクチック→ネオマチッ
ク）以上ないしは透明点（例えばネマチック→等方性）
以上に加熱される。冷却すると、書き込まれた箇所に光
散乱、光学活性、複屈折又は吸収の変化が起き、ガラス
状態の重合体中に安定に凍結することができる。書き込
まれた情報は、場合により電場の印加及び／又は同時の
局所又は全面の加温により、再び消去することができ
る。
合体層に書き込まれる。その際、この重合体は、例えば
局所的に相転移温度（例えばスメクチック→ネオマチッ
ク）以上ないしは透明点（例えばネマチック→等方性）
以上に加熱される。冷却すると、書き込まれた箇所に光
散乱、光学活性、複屈折又は吸収の変化が起き、ガラス
状態の重合体中に安定に凍結することができる。書き込
まれた情報は、場合により電場の印加及び／又は同時の
局所又は全面の加温により、再び消去することができ
る。
本発明による記録材料は、書き込まれた情報を大きいコ
ントラストでの記憶することが可能である。該記録材料
は、高感度、良好な解像性を有しかつ重合層の結晶化が
不可能であるので、優れた長期安定性を有する。
ントラストでの記憶することが可能である。該記録材料
は、高感度、良好な解像性を有しかつ重合層の結晶化が
不可能であるので、優れた長期安定性を有する。
担体層と染料含有重合体層からる光学的記録媒体は、本
発明によれば、少なくとも１つの染料を化学的に結合し
て含有する重合体層が、次の式（Ｉ）及び（II） で示される単位から構成されている液晶相形成重合体
（III）であることを特徴とする。
発明によれば、少なくとも１つの染料を化学的に結合し
て含有する重合体層が、次の式（Ｉ）及び（II） で示される単位から構成されている液晶相形成重合体
（III）であることを特徴とする。
上記式中、Ｒ1は水素又はメチル基を表わし、Ｒは−
（−ＣＨ２−）ｎ−又は−（−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−）
ｍ−ＣＨ２−ＣＨ２−を表わし、ｎ＝２〜５であり、ｍ
＝０〜２であり、Ｒ2は次式の基 を表わし、Ｒ4はシアン基、塩素、臭素、ニトロ基、ア
ルキル基、アルコキシ基を表わすか又は４−位がシアン
基、クロルアルキル基又はアルコキシ基に置換されたフ
エニル基を表わし、Ｒ5はアルキル基を表わし、Ｒ6はシ
アン基、４−シアンフエニル基又はアルコキシ基を表わ
し、Ｒ7はアルキル基又はアルコキ基を表わし、Ｒ8はシ
アン基、アルキル基、アルコキシ基、シクロヘキシル
基、４−アルキルシクロヘキシル基、４−シアンフエニ
ル基、４−アルキルフエニル基又は４−アルコキシフエ
ニル基を表わしかつＲ9はシアン基、アルキル基、アル
コキシ基、４−シアンフエニル基又は４−アルコキシフ
エニル基を表わし、アルキル基及びアルコキシ基は１〜
２５個のＣ原子を含有し、Ｒ及びＲ２は同じか又は異っ
ていてもよく、Ｒ10はＯ，Ｓ又はＮを介してＲに結合し
ておりかつ使用したレーザーの波長に応じて選択される
多色性染料の残基を表わす。
（−ＣＨ２−）ｎ−又は−（−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−）
ｍ−ＣＨ２−ＣＨ２−を表わし、ｎ＝２〜５であり、ｍ
＝０〜２であり、Ｒ2は次式の基 を表わし、Ｒ4はシアン基、塩素、臭素、ニトロ基、ア
ルキル基、アルコキシ基を表わすか又は４−位がシアン
基、クロルアルキル基又はアルコキシ基に置換されたフ
エニル基を表わし、Ｒ5はアルキル基を表わし、Ｒ6はシ
アン基、４−シアンフエニル基又はアルコキシ基を表わ
し、Ｒ7はアルキル基又はアルコキ基を表わし、Ｒ8はシ
アン基、アルキル基、アルコキシ基、シクロヘキシル
基、４−アルキルシクロヘキシル基、４−シアンフエニ
ル基、４−アルキルフエニル基又は４−アルコキシフエ
ニル基を表わしかつＲ9はシアン基、アルキル基、アル
コキシ基、４−シアンフエニル基又は４−アルコキシフ
エニル基を表わし、アルキル基及びアルコキシ基は１〜
２５個のＣ原子を含有し、Ｒ及びＲ２は同じか又は異っ
ていてもよく、Ｒ10はＯ，Ｓ又はＮを介してＲに結合し
ておりかつ使用したレーザーの波長に応じて選択される
多色性染料の残基を表わす。
これらの記載された液晶共重合体（III）は、ネマチッ
ク、スメクチック又はネマチック及びスメチックの相
を、あるいは欧州特許出願７５７４号明細書中に記載さ
れているようにコレステリックの相を形成する。
ク、スメクチック又はネマチック及びスメチックの相
を、あるいは欧州特許出願７５７４号明細書中に記載さ
れているようにコレステリックの相を形成する。
染料残基Ｒ10は例えば下記のものである。
特にその重合体連鎖が式（Ｉａ）及び（IIａ）（重合体
IV）の単位から、あるいは式（Ｉａ）及び（IIｂ）（重
合体Ｖ）の単位から構成されている共重合体が優れてい
る。この共重合体の合成及び分析は、ドイツ国特許出願
公開第３２１１４００号明細書に記載されている。
IV）の単位から、あるいは式（Ｉａ）及び（IIｂ）（重
合体Ｖ）の単位から構成されている共重合体が優れてい
る。この共重合体の合成及び分析は、ドイツ国特許出願
公開第３２１１４００号明細書に記載されている。
第１表に、示差熱分析及び偏光顕微鏡観察により測定さ
れた、重合体IV１）ないしIV７）及びＶ１）ないしＶ
３）の相転移、ならびに重合体IV１）、IV４）、IV７）
及びＶ１）ないし３）に対する等級Ｓを一括して示す。
等級の測定は、均質に配向された試料について（層厚：
１０μｍ、周縁配向：ポリイミド）室温で行った。
れた、重合体IV１）ないしIV７）及びＶ１）ないしＶ
３）の相転移、ならびに重合体IV１）、IV４）、IV７）
及びＶ１）ないし３）に対する等級Ｓを一括して示す。
等級の測定は、均質に配向された試料について（層厚：
１０μｍ、周縁配向：ポリイミド）室温で行った。
等級Ｓは公知の次式 により決定される。二色性比率ＣＲは、吸光度Ｅ″（ネ
マチック相の優先方向に対して平行な偏光による測定）
とＥ⊥（ネマチック相の優先方向に対し垂直な偏光によ
る測定）を測定することにより、次の関係式により求め
られる。
マチック相の優先方向に対して平行な偏光による測定）
とＥ⊥（ネマチック相の優先方向に対し垂直な偏光によ
る測定）を測定することにより、次の関係式により求め
られる。
さらに重合体連鎖が次式の単位を含有するディスコチッ
ク重合体又は共重合体が優れている。
ク重合体又は共重合体が優れている。
この式中Ｒ10は を表わし、ｎ＝４〜２４であり、Ｒ11は次式の基 を表わし、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、 を表わし、Ｒ12はＣ１〜Ｃ12−アルキル基を表わし、重
合体は同じか又は異なるＲ11を含有しうる。
合体は同じか又は異なるＲ11を含有しうる。
(VI)を含有する重合体をレーザー駆動するために必要な
染料は、重合体又は共重合体に溶解され、使用されるレ
ーザーの波長に応じて選択される。
染料は、重合体又は共重合体に溶解され、使用されるレ
ーザーの波長に応じて選択される。
そのために適する染料は、例えばドイツ国特許出願公開
第３１４８２０６号明細書及びジャーナル・オブ・ザ・
アメリカン・ケミカル・ソサエティ、（J. Amer. Chem.
Soc., ）第１０４巻（１９８２年）第５２４５頁から
公知である。
第３１４８２０６号明細書及びジャーナル・オブ・ザ・
アメリカン・ケミカル・ソサエティ、（J. Amer. Chem.
Soc., ）第１０４巻（１９８２年）第５２４５頁から
公知である。
個々には例えば次の染料があげられる。
さらに、本発明の光学的記録媒体のためには、重合体連
鎖が次式 の単位から構成され、又は重合体連鎖が式(VII)の単位
を含有する有色のディスコチック重合体又は共重合体が
特に好適である。式(VII)においてＲ10及びＲ12は前記
の意味を有し、そしてＭは２個の水素原子又は１個の金
属イオン、例えばＣｕ(II)である。
鎖が次式 の単位から構成され、又は重合体連鎖が式(VII)の単位
を含有する有色のディスコチック重合体又は共重合体が
特に好適である。式(VII)においてＲ10及びＲ12は前記
の意味を有し、そしてＭは２個の水素原子又は１個の金
属イオン、例えばＣｕ(II)である。
記録媒体の構成は公知であるか又は自体公知であり、後
記の実施例に詳細に記載されている。
記の実施例に詳細に記載されている。
記憶担体のレーザー駆動及び記憶情報の読み取りは、常
法により行なわれ、例えばブレッキ（H.Birecki ）、ナ
ーベルイ（S. Naberhuis ）及びカーン（F.J. Kahn ）
により、オプティカル・ストーレイジ・メディア（Opti
cal Strage Media）・プロシーディングＳＰＩＥ４２０
（１９８３年）第１９４〜１９９頁に記載されている。
法により行なわれ、例えばブレッキ（H.Birecki ）、ナ
ーベルイ（S. Naberhuis ）及びカーン（F.J. Kahn ）
により、オプティカル・ストーレイジ・メディア（Opti
cal Strage Media）・プロシーディングＳＰＩＥ４２０
（１９８３年）第１９４〜１９９頁に記載されている。
Ｉ．記録媒体の構成 その構成は図面に示されている。染料含有液晶重合体
（ｃ）は、２枚のガラス担体又はポリメチルメタクリレ
ート担体（ａ）の間に存在し、下方の担体は場合により
反射層（例えばアルミニウム）を有する。重合体の均質
平面組織は、傾斜蒸着された酸化珪素層又は研摩したポ
リイミド層（ｂ）により得られる。重合体のホメオトロ
ピック組織は、担体（ａ）上のシラン層（ｂ）により達
成される。
（ｃ）は、２枚のガラス担体又はポリメチルメタクリレ
ート担体（ａ）の間に存在し、下方の担体は場合により
反射層（例えばアルミニウム）を有する。重合体の均質
平面組織は、傾斜蒸着された酸化珪素層又は研摩したポ
リイミド層（ｂ）により得られる。重合体のホメオトロ
ピック組織は、担体（ａ）上のシラン層（ｂ）により達
成される。
配向は、磁場内又は電場内での熱処理により、いっそう
均一にすることができる。層の厚さは、例えばマイラー
フィルム（Mylarfolie；デュポン社のポリエレングリコ
ールテレフタレートフィルム又はガラス繊維から成るス
ペーサ（ｄ）により定められる。
均一にすることができる。層の厚さは、例えばマイラー
フィルム（Mylarfolie；デュポン社のポリエレングリコ
ールテレフタレートフィルム又はガラス繊維から成るス
ペーサ（ｄ）により定められる。
II．実施例 実施例１ 記録媒体の構成は上記Ｉ項に記載されている。重合体層
（ｃ）の厚さは８μｍであった。重合体としては重合体
IV．７を使用した。担体は内側にポリイミド層を備えて
いた。１１６〜１１７℃（透明温度より若干低い）での
数時間の熱処理により、重合体（ｃ）が均質平面状に配
向された。
（ｃ）の厚さは８μｍであった。重合体としては重合体
IV．７を使用した。担体は内側にポリイミド層を備えて
いた。１１６〜１１７℃（透明温度より若干低い）での
数時間の熱処理により、重合体（ｃ）が均質平面状に配
向された。
媒体は室温でＨｅ−Ｎｅレーザーにより書き込んだ（焦
点距離：５μｍ、出力：４ｍｗ）。
点距離：５μｍ、出力：４ｍｗ）。
書き込まれた情報は、交差偏光フィルターを有する顕微
鏡下で確認し、可視化することができる。１１６〜１１
７℃での熱処理によって、その記録を消去することがで
きる。
鏡下で確認し、可視化することができる。１１６〜１１
７℃での熱処理によって、その記録を消去することがで
きる。
実施例２ 記録媒体の構成は上記Ｉ項に記載されている。重合体層
（ｃ）の厚さは３μｍであった。重合体IV．４を使用し
た。担体（ａ）は内側に傾斜蒸着された二酸化珪素層を
有していた。重合体層（ｃ）は、１２６〜１２７℃での
数時間熱処理することにより均質平面状に配向された。
（ｃ）の厚さは３μｍであった。重合体IV．４を使用し
た。担体（ａ）は内側に傾斜蒸着された二酸化珪素層を
有していた。重合体層（ｃ）は、１２６〜１２７℃での
数時間熱処理することにより均質平面状に配向された。
媒体は、実施例１と同様にＮｅ−Ｈｅレーザーにより書
き込んだ（焦点距離：３μｍ、出力：４ｍｗ）。
き込んだ（焦点距離：３μｍ、出力：４ｍｗ）。
この記録は、１２６〜１２７℃での熱処理により消去す
ることができた。
ることができた。
実施例３ 記録媒体の構成は上記Ｉ項に記載されている。担体
（ａ）は、その内側がシランにより塗被されていた。重
合体IV．７を使用した。
（ａ）は、その内側がシランにより塗被されていた。重
合体IV．７を使用した。
１１６〜１１７℃での熱処理により、液晶重合体のホメ
オトロピック組織が得られた。
オトロピック組織が得られた。
媒体はＨｅ−Ｎｅレーザーで書き込むことができる。そ
の記録は１１７℃での熱処理により消去される。
の記録は１１７℃での熱処理により消去される。
実施例４ 記録媒体の構成と駆動は、実施例３に記載したように行
なったが、重合体として重合体IV．２を使用した。透明
で導電性に塗被された担体（ａ）を使用する。ホメオト
ロピックの出発組織は、電場の印加及び付加的シラ塗膜
により達成することができる。書き込まれた情報は、熱
処理と同時的電場の印加により、再び消去することがで
きる。その際、消去過程が実施例３の媒体におけるより
も迅速に行われる。
なったが、重合体として重合体IV．２を使用した。透明
で導電性に塗被された担体（ａ）を使用する。ホメオト
ロピックの出発組織は、電場の印加及び付加的シラ塗膜
により達成することができる。書き込まれた情報は、熱
処理と同時的電場の印加により、再び消去することがで
きる。その際、消去過程が実施例３の媒体におけるより
も迅速に行われる。
実施例５ 記録媒体の構成と制御は、実施例４に記載したように行
なった。しかし上方の担体は透明で導電性の被覆層（Ｉ
ＴＯ）を有し、下方の担体は反射導電性の被覆層、例え
ばアルミニウムを有していた。
なった。しかし上方の担体は透明で導電性の被覆層（Ｉ
ＴＯ）を有し、下方の担体は反射導電性の被覆層、例え
ばアルミニウムを有していた。
実施例６ 記録媒体の構成と制御は実施例４又は５におけるように
行なったが、傾斜蒸着した二酸化珪素層により、重合体
IV．２の均質な周縁配向が達成され、電場の印加により
ほとんどホメオトロピックの出発組織が達成された。
行なったが、傾斜蒸着した二酸化珪素層により、重合体
IV．２の均質な周縁配向が達成され、電場の印加により
ほとんどホメオトロピックの出発組織が達成された。
実施例７ 記録媒体の構成は実施例２と同じであった。付加的に、
担体はその内側に透明な導電性層を有する。（ｃ）とし
ては共重合体IV．４を使用した。１０Ｖ／５０Ｈｚ電場
の印加において情報をレーザーにより書き込む。レーザ
ーが液晶重合体を局所的にスイッチング可能状態とし、
印加された電場が、その重合体を書き込まれた箇所で再
配向する。この実施態様においては、それにより生じた
層の吸収の変化が、書き込まれた箇所で読み取られる。
この情報は熱処理により再び消去することができる。
担体はその内側に透明な導電性層を有する。（ｃ）とし
ては共重合体IV．４を使用した。１０Ｖ／５０Ｈｚ電場
の印加において情報をレーザーにより書き込む。レーザ
ーが液晶重合体を局所的にスイッチング可能状態とし、
印加された電場が、その重合体を書き込まれた箇所で再
配向する。この実施態様においては、それにより生じた
層の吸収の変化が、書き込まれた箇所で読み取られる。
この情報は熱処理により再び消去することができる。
上方の担体が透明で導電性の層を有し、下方の担体が反
射電動性の層を有するときにも同じく良好な結果が得ら
れる。
射電動性の層を有するときにも同じく良好な結果が得ら
れる。
実施例８ 記録媒体の構成は実施例４と同じである。重合体とし
て、重合体IV．７を使用した。ホメオトロピックの出発
組織が、担体（ａ）のシラン塗膜により達成された。
て、重合体IV．７を使用した。ホメオトロピックの出発
組織が、担体（ａ）のシラン塗膜により達成された。
Ｈｅ−Ｎｅレーザーで情報を書き込む場合、同時に電場
（１０Ｖ／５０Ｈｚ）を印加する。実施例７におけるよ
うに、書き込まれた個所での層の吸収変化が読み取られ
る。
（１０Ｖ／５０Ｈｚ）を印加する。実施例７におけるよ
うに、書き込まれた個所での層の吸収変化が読み取られ
る。
図面は、本発明記録媒体の一実施例態様を説明するため
の縦断面図であって、ａはガラス又はポリメチルメタク
リレートから成る担体、ｂはａに隣接する例えばシラン
又はポリイミドから成る層、ｃは染料を含有する液晶重
合体、ｄは例えばポリエチレングリコールテレフタレー
トのフィルム又はガラス繊維から成るスペーサであり、
矢印はレーザー照射を示す。
の縦断面図であって、ａはガラス又はポリメチルメタク
リレートから成る担体、ｂはａに隣接する例えばシラン
又はポリイミドから成る層、ｃは染料を含有する液晶重
合体、ｄは例えばポリエチレングリコールテレフタレー
トのフィルム又はガラス繊維から成るスペーサであり、
矢印はレーザー照射を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルムート・リングスドルフ ドイツ連邦共和国6500マインツ―ゴンゼン ハイム・ケールウエーク41 (72)発明者 ハンス―ウエルナー・シユミツト ドイツ連邦共和国6500マインツ・ホルツシ ユトラーセ18 (72)発明者 ギユンター・バウル ドイツ連邦共和国7800フライブルク・ワル トホ―フシユトラーセ８デー (72)発明者 フリードリツヒ・ウインドシヤイド ドイツ連邦共和国7800フライブルク・エツ ケルトシユトラーセ４ (72)発明者 ルドルフ・キーフアー ドイツ連邦共和国7801フエルシユテツテ ン・イム・ゴツテスアツケル20 (56)参考文献 特開 昭58−142314（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−94733（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−23451（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−166487（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−168691（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】担体層と染料含有重合体層からなる光学的
記録媒体において、少なくとも１つの染料を化学的に結
合して含有する重合体層が、式（Ｉ）および（II） ［式中Ｒ1は水素又はメチル基を表わし、Ｒは−（−Ｃ
Ｈ２−）ｎ−又は−（−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−）ｍ−Ｃ
Ｈ２−ＣＨ２−を表わし、ｎ＝２〜２５であり、ｍ＝０
〜２であり、Ｒ2は次式の基 を表わし、Ｒ4はシアン基、塩素、臭素、ニトロ基、ア
ルキル基、アルコキシ基を表わすかまたは４位がシアン
基、塩素、アルキル基又はアルコキシ基により置換され
たフエニル基を表わし、Ｒ5はアルキル基を表わし、Ｒ6
はシアン基、４−シアンフエニル基又はアルコキシ基を
表わし、Ｒ7はアルキル基又はアルコキシ基を表わし、
Ｒ8はシアン基、アルキル基、アルコキシ基、シクロヘ
キシル基、４−アルキルシクロヘキシル基、４−シアン
フエニル基、４−アルキルフエニル基又は４−アルコキ
シフエニル基を表わし、Ｒ9はシアン基、アルキル基、
アルコキシ基、４−シアンフエニル基又は４−アルコキ
シフエニル基を表わし、アルキル基およびアルコキシ基
は１〜２５個のＣ原子を含有し、Ｒ及びＲ2は同じか又
は異なっていてもよく、Ｒ10はＯ，Ｓ又はＮを介してＲ
に結合しておりかつ使用したレーザーの波長に応じて選
択される多色性染料の残基を表わす］で示される単位か
ら構成されている液晶相形成重合体（III）であること
を特徴とする光学的記録媒体。 - 【請求項２】液晶相形成重合体がネマチック相を形成す
る、特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体。 - 【請求項３】液晶相形成重合体がネマチック相及びスメ
チック相を形成する、特許請求の範囲第１項記載の光学
的記録媒体。 - 【請求項４】液晶相形成重合体がコレステリック相を形
成する、特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3429438.4 | 1984-08-10 | ||
| DE3429438A DE3429438A1 (de) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | Optisches aufzeichnungsmedium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164493A JPS6164493A (ja) | 1986-04-02 |
| JPH0643148B2 true JPH0643148B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=6242751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171941A Expired - Fee Related JPH0643148B2 (ja) | 1984-08-10 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4702945A (ja) |
| EP (1) | EP0171045B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0643148B2 (ja) |
| DE (2) | DE3429438A1 (ja) |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845529A (en) * | 1987-12-18 | 1989-07-04 | Thomas W. Secrest | Storage apparatus comprising a plurality of layers |
| US5099270A (en) * | 1973-03-09 | 1992-03-24 | Thomas W. Secrest | Storage apparatus comprising a plurality of layers |
| US5239338A (en) * | 1973-09-24 | 1993-08-24 | Pearson Robert E | Storage apparatus comprising a plurality of layers |
| DE3334056A1 (de) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Fluessig-kristalline phasen bildende polymere |
| EP0205188B1 (en) * | 1985-06-14 | 1994-09-28 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | An information writing and reading method comprising an optical disc memory with liquid crystal |
| GB8522636D0 (en) * | 1985-09-12 | 1985-10-16 | Secr Defence | Light valve |
| JPS6266990A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-26 | Nippon Oil Co Ltd | 記録媒体の記録方法 |
| DE3603267A1 (de) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen, optischen datenspeicherung (i) |
| DE3603266A1 (de) * | 1986-02-04 | 1987-08-06 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversibeln, optischen datenspeicherung (ii) |
| DE3603268A1 (de) * | 1986-02-04 | 1987-09-24 | Roehm Gmbh | Verfahren zur reversiblen, optischen datenspeicherung (iii) |
| JPS62278530A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Nec Corp | 表示装置 |
| DE3623395A1 (de) * | 1986-07-11 | 1988-01-21 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen, optischen datenspeicherung unter verwendung von polymeren fluessigkristallen |
| DE3631841A1 (de) * | 1986-09-19 | 1988-03-24 | Basf Ag | Fluessigkristallines copolymer |
| JPS63153520A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-25 | Canon Inc | 光学変調方法および光学変調素子 |
| US5319481A (en) * | 1986-12-23 | 1994-06-07 | Raychem Corporation | Encapsulated liquid crystal optical read/write storage medium and system |
| JP2703913B2 (ja) * | 1986-12-26 | 1998-01-26 | キヤノン株式会社 | 記録再生装置及び記録再生方法 |
| DE3704146A1 (de) * | 1987-02-11 | 1988-09-29 | Basf Ag | Laseroptisches schreib- und leseverfahren |
| US5054888A (en) * | 1987-04-24 | 1991-10-08 | The University Of Rochester | Methods of making composite optical devices employing polymer liquid crystal |
| DE3716734A1 (de) * | 1987-05-19 | 1988-12-01 | Basf Ag | Optisches aufzeichnungsmedium, das eine silicium-phthalocyaninderivat enthaltende reflektorschicht aufweist |
| US5910393A (en) * | 1987-06-10 | 1999-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical recording material |
| EP0306925B1 (en) * | 1987-09-08 | 1993-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Recording method and recording apparatus |
| US4925589A (en) * | 1987-12-29 | 1990-05-15 | Hoffmann-La Roche Inc. | Amide side-chain polymers |
| GB8803923D0 (en) * | 1988-02-19 | 1988-03-23 | Gen Electric Co Plc | Optical storage devices |
| US5118586A (en) * | 1988-03-28 | 1992-06-02 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Photo-recording media and photo-recording method |
| DE3810722A1 (de) * | 1988-03-30 | 1989-10-12 | Roehm Gmbh | Vorrichtung zur reversiblen optischen datenspeicherung |
| DE3810956A1 (de) * | 1988-03-31 | 1989-10-12 | Basf Ag | Neue siliciumnaphthalocyanine sowie duenne strahlungsempfindliche beschichtungsfilme, die diese verbindungen enthalten |
| DE3820001A1 (de) * | 1988-06-11 | 1989-12-14 | Basf Ag | Optisches aufzeichnungsmedium |
| DE3829851A1 (de) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Basf Ag | Tetraazaporphyrine sowie strahlungsempfindliche beschichtungsfilme |
| DE3830041A1 (de) * | 1988-09-03 | 1990-03-08 | Basf Ag | Siliciumnaphthalocyanine mit ungesaettigten liganden sowie duenne strahlungsempfindliche beschichtungsfilme |
| US5019476A (en) * | 1988-11-16 | 1991-05-28 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US4973539A (en) * | 1989-02-27 | 1990-11-27 | Xerox Corporation | Toner and developer compositions with crosslinked liquid crystalline resins |
| DE3911829A1 (de) * | 1989-04-11 | 1990-10-18 | Basf Ag | Optisches aufzeichnungsmedium |
| US5187248A (en) * | 1989-05-26 | 1993-02-16 | Basf Aktiengesellschaft | Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on |
| US5187298A (en) * | 1990-05-18 | 1993-02-16 | Basf Aktiengesellschaft | Monomers and their use for the production of a laser-optical recording element which can be repeatedly erased and recorded on |
| JPH0342617A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Canon Inc | 像形成媒体 |
| DE3934329A1 (de) * | 1989-10-13 | 1991-04-18 | Basf Ag | Polymerisierbare perylen-3,4,9,10-tetracarbonsaeurebisimide sowie deren polymerisate |
| DE3934190A1 (de) * | 1989-10-13 | 1991-04-18 | Basf Ag | Malonsaeurefarbstoffe und deren polykondensationsprodukte |
| DE4007636A1 (de) * | 1990-03-10 | 1991-09-12 | Basf Ag | Photochrome monomere und hieraus hergestellte photochrome polymerisate |
| EP0478052B1 (en) * | 1990-09-24 | 1995-01-18 | Akzo Nobel N.V. | Liquid-crystalline and infrared-sensitive liquid-crystalline polyesters suitable for use in optical data storage, processes for the preparation of same, and an apparatus containing an infrared-sensitive liquid-crystalline polyester |
| US5438421A (en) * | 1991-04-24 | 1995-08-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Orientation film of liquid crystal having bilaterally asymmetric ridges separated by grooves |
| US5620781A (en) * | 1991-10-23 | 1997-04-15 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Erasable display medium |
| EP0608924A1 (en) * | 1993-01-26 | 1994-08-03 | Akzo Nobel N.V. | Homeotropically oriented liquid crystalline polymer film comprising dichroic dye |
| US5976638A (en) * | 1993-01-26 | 1999-11-02 | Akzo Nobel Nv | Optical recording medium comprising a homeotropically oriented liquid crystalline polymer film comprising dichroic dye |
| JPH06337416A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-12-06 | Alps Electric Co Ltd | 液晶素子の配向膜及びその製造方法 |
| JP3195172B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2001-08-06 | アルプス電気株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| JPH08183281A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 切符及びその書換処理装置 |
| DE19648937A1 (de) * | 1996-11-26 | 1997-05-15 | Meonic Sys Eng Gmbh | Elektronisches Etikett |
| DE69815076T2 (de) * | 1997-03-21 | 2004-02-19 | Merck Patent Gmbh | Pigmentflocken |
| JP3532415B2 (ja) * | 1998-07-06 | 2004-05-31 | シャープ株式会社 | 情報記録装置 |
| CN108919542B (zh) * | 2018-09-11 | 2024-08-16 | 山东蓝贝思特教装集团股份有限公司 | 一种荧光材料掺杂增亮的液晶复合薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE141512C (ja) * | ||||
| BE759538A (fr) * | 1969-11-28 | 1971-05-27 | Polaroid Corp | Elements optiques |
| DE2831909A1 (de) * | 1978-07-20 | 1980-02-07 | Basf Ag | Fluessig-kristalline polymerphase mit cholesterischer struktur, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| US4402999A (en) * | 1980-05-22 | 1983-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of preparation of substrates for liquid crystal display devices |
| JPS57195219A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal color display panel |
| JPS58121149A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-07-19 | Fujitsu Ltd | 記録媒体 |
| JPS58142314A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光記録用媒体 |
| DE3324770A1 (de) * | 1982-07-10 | 1984-01-12 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokyo | Informationsaufzeichnungsmaterial |
| JPS5994733A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光記録用媒体 |
| JPS6023451A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Yamamoto Kagaku Gosei Kk | ナフタロシアニン化合物 |
| GB8324642D0 (en) * | 1983-09-14 | 1983-10-19 | Univ Manchester | Liquid crystal storage device |
| JPS60166487A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS60168691A (ja) * | 1984-02-11 | 1985-09-02 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1984
- 1984-08-10 DE DE3429438A patent/DE3429438A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-08-02 EP EP85109745A patent/EP0171045B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-02 DE DE8585109745T patent/DE3580536D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-06 JP JP60171941A patent/JPH0643148B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1985-08-09 US US06/764,079 patent/US4702945A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0171045A3 (en) | 1988-06-01 |
| EP0171045B1 (de) | 1990-11-14 |
| JPS6164493A (ja) | 1986-04-02 |
| US4702945A (en) | 1987-10-27 |
| EP0171045A2 (de) | 1986-02-12 |
| DE3429438A1 (de) | 1988-06-23 |
| DE3580536D1 (de) | 1990-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0643148B2 (ja) | 光学的記録媒体 | |
| Hsu | The application of side-chain liquid-crystalline polymers | |
| US4405993A (en) | Liquid crystal disc memory system | |
| EP0306925B1 (en) | Recording method and recording apparatus | |
| US5644416A (en) | Light modulation device and method of light modulation using the same | |
| Zebger et al. | Photoorientation of a liquid crystalline polyester with azobenzene side groups. 1. Effects of irradiation with linearly polarized blue light | |
| EP0302497B1 (en) | Data recording medium | |
| US5097463A (en) | Laser-optical writing and reading process using a thermally alterable reading layer containing liquid-crystalline compound | |
| Schmidt | Dichroic dyes and liquid crystalline side chain polymers | |
| US5272552A (en) | Optical modulation device and method using modulation layer of helical polymer liquid crystal having a helical chiral smectic C phase | |
| JP3047002B2 (ja) | 記録方法 | |
| Shibaev | Electrooptical and photooptical properties of polymer liquid crystals | |
| JP3080454B2 (ja) | カード型光記録媒体およびその製造方法 | |
| US6133390A (en) | Polymeric materials | |
| JP2001100171A (ja) | 側鎖型液晶共重合体を利用する熱書き込み用液晶光学材料 | |
| JPH05241151A (ja) | 液晶配向方法と液晶光学素子 | |
| JPH10504848A (ja) | 液晶ポリエーテル | |
| JPH02280116A (ja) | 情報記憶装置 | |
| JP2000328064A (ja) | 液晶光学素子及びそのスイッチング方法 | |
| JP2810379B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2678219B2 (ja) | 光記録媒体へのデータ固定方法，光記録媒体，及びデータ記録装置 | |
| Eichler et al. | New glassy liquid crystals for optical data-storage applications | |
| Barachevsky | Future improvements in information capacity of recording media | |
| JPH0520712A (ja) | 記録媒体、記録方法及び記録装置 | |
| KR940006131B1 (ko) | 정보 기록 매체로서 액정 고분자를 이용한 가역적 광학적 정보 저장 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |