JPH0643380B2 - 4−ハロゲノ−1−ナフト−ル誘導体 - Google Patents
4−ハロゲノ−1−ナフト−ル誘導体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C7/00—Multicolour photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents; Photosensitive materials for multicolour processes
- G03C7/30—Colour processes using colour-coupling substances; Materials therefor; Preparing or processing such materials
- G03C7/32—Colour coupling substances
- G03C7/34—Couplers containing phenols
- G03C7/344—Naphtholic couplers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−5−アミ
ノ−2−ナフトエ酸誘導体の製造に有用な鍵中間体であ
る。新規な4−ハロゲノ−1−ナフトール誘導体に関す
るものである。
ノ−2−ナフトエ酸誘導体の製造に有用な鍵中間体であ
る。新規な4−ハロゲノ−1−ナフトール誘導体に関す
るものである。
(従来の技術) 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体
は、工業原料として汎用性の高い化合物であり、また、
4位にヒドロキシ基を有する誘導体はナフトハイドロキ
ノン構造を有し、その還元性は置換基の導入、2、5位
の置換基の変換によつて調整できる。そのため、1−ヒ
ドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体は、種々
の還元剤や酸化防止剤、あるいは生理活性を有する化合
物へ誘導するための合成中間体として重要な位置をしめ
ている。
は、工業原料として汎用性の高い化合物であり、また、
4位にヒドロキシ基を有する誘導体はナフトハイドロキ
ノン構造を有し、その還元性は置換基の導入、2、5位
の置換基の変換によつて調整できる。そのため、1−ヒ
ドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体は、種々
の還元剤や酸化防止剤、あるいは生理活性を有する化合
物へ誘導するための合成中間体として重要な位置をしめ
ている。
さらに、1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸
誘導体は、カラー写真感光材料の分野においてシアン色
素形成カプラーの合成中間体として重要である。
誘導体は、カラー写真感光材料の分野においてシアン色
素形成カプラーの合成中間体として重要である。
特に近年、2−カルバモイル−5−アミドナフトール系
シアン色素形成カプラーが疲労した漂白液または漂白定
着液を用いても発色濃度低下を生じない。言いかえれ
ば、疲労した漂白液あるいは漂白定着液に多量に存在す
るFe2+による退色を受けにくいこと、しかも生成色素の
暗熱堅牢性に優れていることが見い出されており(たと
えば特願昭59−93605、特願昭59−26427
7、特願昭59−268135)、1−ヒドロキシ−5
−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体は、これらのカプラー
の合成中間体として注目されるに至つた。
シアン色素形成カプラーが疲労した漂白液または漂白定
着液を用いても発色濃度低下を生じない。言いかえれ
ば、疲労した漂白液あるいは漂白定着液に多量に存在す
るFe2+による退色を受けにくいこと、しかも生成色素の
暗熱堅牢性に優れていることが見い出されており(たと
えば特願昭59−93605、特願昭59−26427
7、特願昭59−268135)、1−ヒドロキシ−5
−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体は、これらのカプラー
の合成中間体として注目されるに至つた。
ところで、写真用カプラーはその発色色素の色相によつ
て大別され、さらに化学量論から4当量カプラー及び2
当量カプラーの2種に大きく分類される。4当量カプラ
ーはハロゲン化銀4モルの消費によつて色素1モルが生
成するのに対し、2当量カプラーはカプラーのカツプリ
ング位に離脱基を有しており、ハロゲン化銀2モルの消
費によつて色素1モルが生成するため、節銀の立場から
有利なカプラーであることが知られている。例えば、シ
アン色素形成カプラーについていえば、2当量カプラー
はその発色速度が大きいため、写真感度の向上が達成さ
れる(米国特許第3,476,563号、同第3,61
7,291号、同第3,880,661号、同第4,0
52,212号、同第4,147,766号、英国特許
第1,531,927号、同第2,006,755号、
特開昭55−32,071号、同56−1,938号、
同56−27,147号など参照)。
て大別され、さらに化学量論から4当量カプラー及び2
当量カプラーの2種に大きく分類される。4当量カプラ
ーはハロゲン化銀4モルの消費によつて色素1モルが生
成するのに対し、2当量カプラーはカプラーのカツプリ
ング位に離脱基を有しており、ハロゲン化銀2モルの消
費によつて色素1モルが生成するため、節銀の立場から
有利なカプラーであることが知られている。例えば、シ
アン色素形成カプラーについていえば、2当量カプラー
はその発色速度が大きいため、写真感度の向上が達成さ
れる(米国特許第3,476,563号、同第3,61
7,291号、同第3,880,661号、同第4,0
52,212号、同第4,147,766号、英国特許
第1,531,927号、同第2,006,755号、
特開昭55−32,071号、同56−1,938号、
同56−27,147号など参照)。
こうして、近年のカラーネガフイルムの高感化に伴つ
て、カツプリング位に離脱基を導入した高速2当量カプ
ラーが多用されるようになり、4位に種々の置換基を有
する1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導
体及びその合成法の開発が重要な課題になつている。
て、カツプリング位に離脱基を導入した高速2当量カプ
ラーが多用されるようになり、4位に種々の置換基を有
する1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導
体及びその合成法の開発が重要な課題になつている。
このように、工業用原料、還元剤、写真感光材料におけ
るカプラーの合成中間体として重要な、4位にヒドロキ
シ基、脂肪族オキシ基をもつ1−ヒドロキシ−5−アミ
ノ−2−ナフトエ酸誘導体はこれまで全く知られていな
い。
るカプラーの合成中間体として重要な、4位にヒドロキ
シ基、脂肪族オキシ基をもつ1−ヒドロキシ−5−アミ
ノ−2−ナフトエ酸誘導体はこれまで全く知られていな
い。
(発明が解決しようとする問題点) 一般に、電子吸引性基によつて活性化されていない芳香
族化合物に脂肪族オキシ基、芳香族オキシ基を導入する
方法としては、銅塩(CuI、CuCl、CuCl2など)の存在下
に、芳香族ハロゲン化物とアルコキシドを反応する例が
いくつか知られている(たとえば、特開昭55−69,
536、J.Org.Chem.,44、3305(1979)、特
開昭55−94,329、Tetrahedron40、1433
(1984)など)。
族化合物に脂肪族オキシ基、芳香族オキシ基を導入する
方法としては、銅塩(CuI、CuCl、CuCl2など)の存在下
に、芳香族ハロゲン化物とアルコキシドを反応する例が
いくつか知られている(たとえば、特開昭55−69,
536、J.Org.Chem.,44、3305(1979)、特
開昭55−94,329、Tetrahedron40、1433
(1984)など)。
しかし、フエノール誘導体の場合、いずれも2位にハロ
ゲン原子を有するフエノール誘導体を用いており、この
場合に限つて脂肪族オキシ基を高収率で導入できるとい
うものである。4位にハロゲン原子を有するフエノール
誘導体からは目的とする4−脂肪族オキシフエノールは
きわめて低収率で得られるのみで、原料の回収がほとん
どである(J.Org.Chem.,44、3305(1979)参
照)。また、2位に脂肪族オキシ基を導入する場合で
も、基質によつて差はあるもののハロゲン原子が水素原
子におきかわつた還元体がかなりの収率で副生してく
る。
ゲン原子を有するフエノール誘導体を用いており、この
場合に限つて脂肪族オキシ基を高収率で導入できるとい
うものである。4位にハロゲン原子を有するフエノール
誘導体からは目的とする4−脂肪族オキシフエノールは
きわめて低収率で得られるのみで、原料の回収がほとん
どである(J.Org.Chem.,44、3305(1979)参
照)。また、2位に脂肪族オキシ基を導入する場合で
も、基質によつて差はあるもののハロゲン原子が水素原
子におきかわつた還元体がかなりの収率で副生してく
る。
(問題点を解決するための手段) 本発明者らは、1−ヒドロキシ−4−脂肪族オキシ−5
−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体を合成すべく種々の研
究を重ねた結果、5位の置換基が置換反応に大きく影響
し、5位をアセトアミド基、トリフルオロアセトアミド
基、スルホンアミド基、アルコキシカルボンアミド基な
どに変えた化合物としたところ、種々のアルコキシドと
の置換反応が低温(15〜20℃)でスムーズに進行
し、高収率で期待した4−置換体が得られるところを見
い出した。これらの反応においては還元的脱ハロゲン化
もほとんど起こらない。
−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体を合成すべく種々の研
究を重ねた結果、5位の置換基が置換反応に大きく影響
し、5位をアセトアミド基、トリフルオロアセトアミド
基、スルホンアミド基、アルコキシカルボンアミド基な
どに変えた化合物としたところ、種々のアルコキシドと
の置換反応が低温(15〜20℃)でスムーズに進行
し、高収率で期待した4−置換体が得られるところを見
い出した。これらの反応においては還元的脱ハロゲン化
もほとんど起こらない。
さらに、同条件下、5位に置換基のない誘導体、及び5
−アミノ誘導体においては置換反応は全く起こらない。
−アミノ誘導体においては置換反応は全く起こらない。
このようなナフタレン環のペリ位に存在する置換アミノ
基によつて置換反応が加速されたという例はこれまで全
く知られていない。本発明はこの知見に基づきなされる
に至つたものである。
基によつて置換反応が加速されたという例はこれまで全
く知られていない。本発明はこの知見に基づきなされる
に至つたものである。
すなわち、本発明は一般式〔I〕 式中、XはClまたはBrを示し、Yは−CO−または−
SO2−を示し、R1は、Yが−CO−のとき、メチル基、
トリフルオロメチル基、p−ニトロフェニル基、炭素数
1ないし8のアルコキシ基、ジメチルアミノ基を示し、
Yが−SO2−のとき、炭素数1ないし4のアルキル基を
示し、R2は、ヒドロキシ基、フェノキシ基、p−ニト
ロフェノキシ基、炭素数1ないし8のアルキルアミノ
基、シクロヘキシルアミノ基を示す。ただし、前記アル
キルアミノ基は、炭素数10ないし12のアルコキシ基
または2,4−ジ−t−アミルフェノキシ基で置換され
ていてもよい。
SO2−を示し、R1は、Yが−CO−のとき、メチル基、
トリフルオロメチル基、p−ニトロフェニル基、炭素数
1ないし8のアルコキシ基、ジメチルアミノ基を示し、
Yが−SO2−のとき、炭素数1ないし4のアルキル基を
示し、R2は、ヒドロキシ基、フェノキシ基、p−ニト
ロフェノキシ基、炭素数1ないし8のアルキルアミノ
基、シクロヘキシルアミノ基を示す。ただし、前記アル
キルアミノ基は、炭素数10ないし12のアルコキシ基
または2,4−ジ−t−アミルフェノキシ基で置換され
ていてもよい。
以下に本発明の一般式〔I〕で表わされる化合物の具体
例を示すが、本発明の化合物はこれらに限定されるもの
ではない。
例を示すが、本発明の化合物はこれらに限定されるもの
ではない。
前記一般式〔I〕で表わされる本発明の化合物は、下記
のスキーム1に示される合成工程によつて製造される。
のスキーム1に示される合成工程によつて製造される。
スキーム1 次にスキーム1について詳述する。
まず、前記一般式〔I〕で表わされる化合物は、一般式
〔II〕で表わされる化合物から、一般式〔III〕、一般
式〔IV〕で表わされる化合物を経由して合成することが
できる。
〔II〕で表わされる化合物から、一般式〔III〕、一般
式〔IV〕で表わされる化合物を経由して合成することが
できる。
一般式〔II〕で表わされる1−ヒドロキシ−5−アミノ
−2−ナフトエ酸誘導体より、一般式〔III〕で表わさ
れる化合物の合成は、R1−Y−Cl(あるいは場合によ
つては(R1−Y)2O)を反応させることにより達成さ
れる。反応溶媒としては、活性プロトンを有しないもの
であれば、特に制限なく使用できるが、溶解性に富む溶
媒が生産性の点からも好ましく、ジメチルホルムアミド
(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAC)、N,
N−ジメチルイミダゾリン−2−オン(DMI)、アセ
トニトリル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、塩化
メチレンなどが挙げられる。また、反応温度は0〜80
℃の範囲、より好ましくは5〜60℃の範囲が高選択性
を得るのに適している。
−2−ナフトエ酸誘導体より、一般式〔III〕で表わさ
れる化合物の合成は、R1−Y−Cl(あるいは場合によ
つては(R1−Y)2O)を反応させることにより達成さ
れる。反応溶媒としては、活性プロトンを有しないもの
であれば、特に制限なく使用できるが、溶解性に富む溶
媒が生産性の点からも好ましく、ジメチルホルムアミド
(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAC)、N,
N−ジメチルイミダゾリン−2−オン(DMI)、アセ
トニトリル、テトラヒドロフラン、クロロホルム、塩化
メチレンなどが挙げられる。また、反応温度は0〜80
℃の範囲、より好ましくは5〜60℃の範囲が高選択性
を得るのに適している。
塩基の添加は、通常必要としないが、場合によつては弱
い有機塩基の添加が望ましい。弱塩基としては、たとえ
ばピリジンが望ましい。これに対し強塩基(たとえばト
リエチルアミン、1,4−ジアザビシクロオクタン、ジ
アザビシクロウンデセン、ジアザビシクロノネンなど)
を用いると、目的の一般式〔III〕で表わされる化合物
はほとんど得られず、ヒドロキシ基が反応した化合物、
またアミノ基とヒドロキシ基が複数反応した化合物な
ど、複雑な混合物を与える。
い有機塩基の添加が望ましい。弱塩基としては、たとえ
ばピリジンが望ましい。これに対し強塩基(たとえばト
リエチルアミン、1,4−ジアザビシクロオクタン、ジ
アザビシクロウンデセン、ジアザビシクロノネンなど)
を用いると、目的の一般式〔III〕で表わされる化合物
はほとんど得られず、ヒドロキシ基が反応した化合物、
またアミノ基とヒドロキシ基が複数反応した化合物な
ど、複雑な混合物を与える。
前記一般式〔IV〕で表わされる化合物は、一般式〔II
I〕で表わされる化合物とR2Hとの脱水縮合(R2が
アリールオキシ基、アルキルオキシ基、またはアミノ基
の場合)、または〔III〕とR2の金属塩との置換反応
(R2が脂肪族基、芳香族基の場合)で合成される。縮
合剤としてはジシクロヘキシルカルボジイミド(DC
C)、四塩化炭素/トリフエニルホスフイン、塩化チオ
ニル、オキシ塩化リン、塩化チタンなどが用いられる。
またR2がアミノ基の場合、対応するフエノキシカルボ
ニル化合物 とR2Hを無溶媒あるいは非プロトン性溶媒を用いて、
加熱することによつても達成される。反応温度は用いる
R2Hの求核性にもよるが、50℃〜140℃が好まし
い。R2が脂肪族基または芳香族基の場合の金属塩とし
ては、リチウム塩またはマグネシウム塩が好ましく、特
にマグネシウム塩が好ましい。
I〕で表わされる化合物とR2Hとの脱水縮合(R2が
アリールオキシ基、アルキルオキシ基、またはアミノ基
の場合)、または〔III〕とR2の金属塩との置換反応
(R2が脂肪族基、芳香族基の場合)で合成される。縮
合剤としてはジシクロヘキシルカルボジイミド(DC
C)、四塩化炭素/トリフエニルホスフイン、塩化チオ
ニル、オキシ塩化リン、塩化チタンなどが用いられる。
またR2がアミノ基の場合、対応するフエノキシカルボ
ニル化合物 とR2Hを無溶媒あるいは非プロトン性溶媒を用いて、
加熱することによつても達成される。反応温度は用いる
R2Hの求核性にもよるが、50℃〜140℃が好まし
い。R2が脂肪族基または芳香族基の場合の金属塩とし
ては、リチウム塩またはマグネシウム塩が好ましく、特
にマグネシウム塩が好ましい。
一般式〔I〕で表わされる本発明の4−ハロゲノナフト
ール誘導体の合成は、一般式〔IV〕で表わされる化合物
のハロゲン化によつて達成される。R2=−OHの場合
には、一般式〔III〕で表わされる化合物のハロゲン化
によつて達成される。ハロゲン化剤としてはハロゲン原
子がクロル原子の場合、塩素、スルフリルクロリド、N
−クロロスクシンイミドなどが用いられ、ブロム原子の
場合は、臭素、N−ブロモスクシンイミドなどが用いら
れる。反応溶媒としては、好ましくはハロゲン系溶媒
(塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタンな
ど)、アセトニトリル、酢酸などが用いられる。
ール誘導体の合成は、一般式〔IV〕で表わされる化合物
のハロゲン化によつて達成される。R2=−OHの場合
には、一般式〔III〕で表わされる化合物のハロゲン化
によつて達成される。ハロゲン化剤としてはハロゲン原
子がクロル原子の場合、塩素、スルフリルクロリド、N
−クロロスクシンイミドなどが用いられ、ブロム原子の
場合は、臭素、N−ブロモスクシンイミドなどが用いら
れる。反応溶媒としては、好ましくはハロゲン系溶媒
(塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタンな
ど)、アセトニトリル、酢酸などが用いられる。
次に、前記一般式〔I〕で表わされる化合物は、下記ス
キーム2に示される合成工程に従つて、工業的に重要な
合成中間体である、1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−
5−アミド−2−ナフトエ酸誘導体〔V〕もしくは、場
合によつては1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−5−ア
ミノ−2−ナフトエ酸誘導体〔VI〕へと誘導することが
できる。
キーム2に示される合成工程に従つて、工業的に重要な
合成中間体である、1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−
5−アミド−2−ナフトエ酸誘導体〔V〕もしくは、場
合によつては1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−5−ア
ミノ−2−ナフトエ酸誘導体〔VI〕へと誘導することが
できる。
スキーム2 本発明の一般式〔I〕で表わされる化合物を、塩基又は
銅化合物存在下、アルコールと反応させることによつて
4位にアルコキシ基を導入することができる。
銅化合物存在下、アルコールと反応させることによつて
4位にアルコキシ基を導入することができる。
塩基としては、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸セシウム、酸化バリウム等用いること
ができるが、副反応である脱ハロゲン化を低減するため
には水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
を化合物〔I〕に対して4〜10当量用いるのが望まし
い。
酸カリウム、炭酸セシウム、酸化バリウム等用いること
ができるが、副反応である脱ハロゲン化を低減するため
には水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム
を化合物〔I〕に対して4〜10当量用いるのが望まし
い。
銅化合物としては、Cu(O)、Cu(I)、Cu(II)等を用
いることができるが、特にCu(I)(CuCl、CuBr、CuIな
ど)を触媒量(好ましくは、化合物〔I〕に対して0.
05〜1当量)用いるのが望ましい。
いることができるが、特にCu(I)(CuCl、CuBr、CuIな
ど)を触媒量(好ましくは、化合物〔I〕に対して0.
05〜1当量)用いるのが望ましい。
反応溶媒は、非プロトン性で、しかもアルカリ条件で解
離したり分解したりしない溶媒であれば全て使用できる
が、好ましくは芳香族系溶媒(キシレン、トルエン、ア
ニソール、ニトロベンゼン、ベンゼンなど)、エーテル
系溶媒(ジグライム、ジメトキシエタン、ジオキサン、
テトラヒドロフランなど)、アミド系溶媒(ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
イミダゾリン−2−オン、ヘキサメチル燐酸アミド、N
−メチルピロリドンなど)、ピリジン系溶媒(ピリジ
ン、2,6−ルチジン、2,4−ルチジン、2,4,6
−コリジンなど)、イオウ系溶媒(スルホラン、ジメチ
ルスルホキシドなど)、ハロゲン系溶媒(ジクロロエタ
ン、クロロホルムなど)が挙げられる。反応温度は0℃
〜120℃の範囲が好ましく、還元的脱ハロゲン化の低
減を考えると0℃〜60℃の範囲が特に好ましい。
離したり分解したりしない溶媒であれば全て使用できる
が、好ましくは芳香族系溶媒(キシレン、トルエン、ア
ニソール、ニトロベンゼン、ベンゼンなど)、エーテル
系溶媒(ジグライム、ジメトキシエタン、ジオキサン、
テトラヒドロフランなど)、アミド系溶媒(ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
イミダゾリン−2−オン、ヘキサメチル燐酸アミド、N
−メチルピロリドンなど)、ピリジン系溶媒(ピリジ
ン、2,6−ルチジン、2,4−ルチジン、2,4,6
−コリジンなど)、イオウ系溶媒(スルホラン、ジメチ
ルスルホキシドなど)、ハロゲン系溶媒(ジクロロエタ
ン、クロロホルムなど)が挙げられる。反応温度は0℃
〜120℃の範囲が好ましく、還元的脱ハロゲン化の低
減を考えると0℃〜60℃の範囲が特に好ましい。
また、5位に置換基のない誘導体、及び5−アミノ誘導
体は以上述べたような条件下、求核置換を全く受けずに
原料が回収される。
体は以上述べたような条件下、求核置換を全く受けずに
原料が回収される。
これに対し、本発明の化合物〔I〕の場合には、前記の
通りきわめて容易に温和の条件下、高収率で目的とする
求核置換生成物が得られる。
通りきわめて容易に温和の条件下、高収率で目的とする
求核置換生成物が得られる。
これらの結果は、5位のアミノ基を本発明の化合物
〔I〕のように修飾することによつて、求核置換反応を
受けやすくしていると理解され、本発明の化合物〔I〕
の合成中間体としての有用性を示す結果と考えることが
できる。
〔I〕のように修飾することによつて、求核置換反応を
受けやすくしていると理解され、本発明の化合物〔I〕
の合成中間体としての有用性を示す結果と考えることが
できる。
一般式〔I〕で表わされる化合物の求核置換反応によつ
て得られる化合物〔V〕は、それ自身、工業的に有用な
合成中間体であるが、その加水分解などによつて工業的
にさらに汎用性のある合成中間体〔VI〕へ導くことも可
能である。
て得られる化合物〔V〕は、それ自身、工業的に有用な
合成中間体であるが、その加水分解などによつて工業的
にさらに汎用性のある合成中間体〔VI〕へ導くことも可
能である。
(発明の効果) 本発明の4−ハロゲノ−1−ナフトール誘導体は、次の
ような優れた効果を奏する。
ような優れた効果を奏する。
安価に容易に入手できる出発原料を用いて合成でき、
4位に脂肪族オキシ基を導入した1−ヒドロキシ−5−
アミド−2−ナフトエ酸誘導体、及び1−ヒドロキシ−
5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体の製造に有用な鍵中
間体となる。
4位に脂肪族オキシ基を導入した1−ヒドロキシ−5−
アミド−2−ナフトエ酸誘導体、及び1−ヒドロキシ−
5−アミノ−2−ナフトエ酸誘導体の製造に有用な鍵中
間体となる。
これを用いれば、短い工程でしかも高収率で4位に脂
肪族オキシ基を導入した1−ヒドロキシ−5−アミド−
2−ナフトエ酸誘導体を製造できる。
肪族オキシ基を導入した1−ヒドロキシ−5−アミド−
2−ナフトエ酸誘導体を製造できる。
さらに、これ自身、写真用2当量シアンカプラーとし
て発色性に優れた有用な素材である。
て発色性に優れた有用な素材である。
(実施例) 次に本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。
実施例1 例示化合物(2)の合成 −1−ヒドロキシ−5−メトキシカルボンアミド−2−
ナフトエ酸の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸101.
6g(0.5モル)をジメチルアセトアミド600mlに
加熱溶解したのち、水冷下クロル炭酸メチル88.9ml
(1.15モル)を1時間かけて滴下する。滴下終了
後、内温50℃にて1.5時間撹拌し、室温にもどした
のち3.5の水に注ぐ。析出した結晶を濾過し水(2
)にて洗浄し、続いてアセトニトリル(1)にて洗
浄し、標記化合物126.0g(収率92%)を得た。
ナフトエ酸の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸101.
6g(0.5モル)をジメチルアセトアミド600mlに
加熱溶解したのち、水冷下クロル炭酸メチル88.9ml
(1.15モル)を1時間かけて滴下する。滴下終了
後、内温50℃にて1.5時間撹拌し、室温にもどした
のち3.5の水に注ぐ。析出した結晶を濾過し水(2
)にて洗浄し、続いてアセトニトリル(1)にて洗
浄し、標記化合物126.0g(収率92%)を得た。
−2−シクロヘキシルカルバモイル−5−メトキシカル
ボンアミド−1−ナフトールの合成− 上で得た1−ヒドロキシ−5−メトキシカルボンアミド
−2−ナフトエ酸275g(1.0モル)、シクロヘキ
シルアミン99.2g(1.0モル)、ジメチルアミノ
ピリジン6g、ジメチルホルムアミド1を仕込み、窒
素雰囲気下、内温70−80℃に加熱し、これにジシク
ロヘキシルカルボジイミド(DCC)206.3g
(1.0モル)をジメチルホルムアミド500mlに溶か
した溶液を20分かけて滴下した。滴下後さらに3時間
加熱したのち水冷し、析出したジシクロヘキシルウレア
を濾別した。濾液に酢酸エチル2を加え、飽和食塩水
にて2回洗浄し芒硝にて乾燥した。芒硝を除き、酢酸エ
チル溶液に活性炭30gを加え30分間還流した。活性
炭を除去した後、溶媒を減圧留去し、アセトニトリル
2.5を加え、析出した結晶を濾過し標記化合物24
6.9g(収率72%)を得た。
ボンアミド−1−ナフトールの合成− 上で得た1−ヒドロキシ−5−メトキシカルボンアミド
−2−ナフトエ酸275g(1.0モル)、シクロヘキ
シルアミン99.2g(1.0モル)、ジメチルアミノ
ピリジン6g、ジメチルホルムアミド1を仕込み、窒
素雰囲気下、内温70−80℃に加熱し、これにジシク
ロヘキシルカルボジイミド(DCC)206.3g
(1.0モル)をジメチルホルムアミド500mlに溶か
した溶液を20分かけて滴下した。滴下後さらに3時間
加熱したのち水冷し、析出したジシクロヘキシルウレア
を濾別した。濾液に酢酸エチル2を加え、飽和食塩水
にて2回洗浄し芒硝にて乾燥した。芒硝を除き、酢酸エ
チル溶液に活性炭30gを加え30分間還流した。活性
炭を除去した後、溶媒を減圧留去し、アセトニトリル
2.5を加え、析出した結晶を濾過し標記化合物24
6.9g(収率72%)を得た。
−例示化合物(2)の合成− 上で得た2−シクロヘキシルカルバモイル−5−メトキ
シカルボンアミド−1−ナフトール171.2g(0.
5モル)を塩化メチレン1に分散し、氷冷下、臭素8
3.7g(0.525モル)の塩化メチレン250ml溶
液を30分かけて滴下した。さらに30分間撹拌したの
ち2回水洗し、芒硝で乾燥後、溶媒を留去してアセトニ
トリル1.5にて晶析した。析出した結晶を濾過して
例示化合物(2)164.0g(収率78%)を得た。m.
p.185〜191℃(dec.) 実施例2 例示化合物(10)の合成 −1−ヒドロキシ−5−トリフルオロアセトアミド−2
−ナフトエ酸の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸304.
8g(1.5モル)にジメチルアセトアミド600mlを
加え、内温80−90℃に加熱し完溶させた後、水冷
下、無水トリフルオロ酢酸270ml(2.0モル)を2
時間かけて滴下した。その後さらに1時間撹拌した後、
内温80−90℃に加熱し、水3を30分かけて滴下
した。滴下後、水冷し析出した結晶を濾過し、標記化合
物365.0g(収率81%)を得た。
シカルボンアミド−1−ナフトール171.2g(0.
5モル)を塩化メチレン1に分散し、氷冷下、臭素8
3.7g(0.525モル)の塩化メチレン250ml溶
液を30分かけて滴下した。さらに30分間撹拌したの
ち2回水洗し、芒硝で乾燥後、溶媒を留去してアセトニ
トリル1.5にて晶析した。析出した結晶を濾過して
例示化合物(2)164.0g(収率78%)を得た。m.
p.185〜191℃(dec.) 実施例2 例示化合物(10)の合成 −1−ヒドロキシ−5−トリフルオロアセトアミド−2
−ナフトエ酸の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸304.
8g(1.5モル)にジメチルアセトアミド600mlを
加え、内温80−90℃に加熱し完溶させた後、水冷
下、無水トリフルオロ酢酸270ml(2.0モル)を2
時間かけて滴下した。その後さらに1時間撹拌した後、
内温80−90℃に加熱し、水3を30分かけて滴下
した。滴下後、水冷し析出した結晶を濾過し、標記化合
物365.0g(収率81%)を得た。
−例示化合物(10)の合成− 上で得た1−ヒドロキシ−5−トリフルオロアセトアミ
ド−2−ナフトエ酸204.0g(0.68モル)にク
ロロホルム2を加え、加熱還流下、塩化スルフリル1
10ml(1.36モル)を1.5時間かけて滴下した。
滴下後さらに30分還流したのち水冷し、析出した結晶
を濾過し、クロロホルム(1)、アセトニトリル
(1.5)、水(2)、アセトニトリル(1.5
)の順に洗浄して例示化合物(10)150.0g(収率
60%)を得た。m.p.>250℃ 実施例3 例示化合物(11)の合成 −2−フエノキシカルボニル−5−トリフルオロアセト
アミド−1−ナフトールの合成− 実施例2にて得た1−ヒドロキシ−5−トリフルオロア
セトアミド−2−ナフトエ酸367.6g(1.26モ
ル)、フエノール126.0g(1.32モル)をアセ
トニトリル2に分散し、これにジメチルホルムアミド
30mlを加え、加熱還流下、塩化チオニル200mlを1
時間かけて滴下した。さらに1時間還流したのち水6
を30分かけて滴下し、水冷後析出した結晶を濾過し、
標記化合物469.0g(収率91%)を得た。
ド−2−ナフトエ酸204.0g(0.68モル)にク
ロロホルム2を加え、加熱還流下、塩化スルフリル1
10ml(1.36モル)を1.5時間かけて滴下した。
滴下後さらに30分還流したのち水冷し、析出した結晶
を濾過し、クロロホルム(1)、アセトニトリル
(1.5)、水(2)、アセトニトリル(1.5
)の順に洗浄して例示化合物(10)150.0g(収率
60%)を得た。m.p.>250℃ 実施例3 例示化合物(11)の合成 −2−フエノキシカルボニル−5−トリフルオロアセト
アミド−1−ナフトールの合成− 実施例2にて得た1−ヒドロキシ−5−トリフルオロア
セトアミド−2−ナフトエ酸367.6g(1.26モ
ル)、フエノール126.0g(1.32モル)をアセ
トニトリル2に分散し、これにジメチルホルムアミド
30mlを加え、加熱還流下、塩化チオニル200mlを1
時間かけて滴下した。さらに1時間還流したのち水6
を30分かけて滴下し、水冷後析出した結晶を濾過し、
標記化合物469.0g(収率91%)を得た。
−例示化合物(11)の合成− 上で得た2−フエノキシカルボニル−5−トリフルオロ
アセトアミドナフトール469.0g(1.25モル)
を塩化メチレン4に分散し、加熱還流下、塩化スルフ
リル145ml(1.94モル)を1時間かけて滴下し
た。さらに30分間還流したのち水冷下、アセトニトリ
ル4、H2O2を加え析出した結晶を濾過し、例示化
合物(11)321.0g(収率68%)を得た。m.p.18
8−190℃ 実施例4 例示化合物(19)の合成 −1−ヒドロキシ−5−イソブトキシカルボンアミド−
2−ナフトエ酸の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸203.
2g(1.0モル)をジメチルアセトアミド1に溶解
し、クロル炭酸イソブチル140g(1.025モル)
を30分かけて滴下した。滴下後さらに1時間撹拌した
のち、反応溶液を水10に加え、析出した結晶を濾過
して粗結晶を得た。得られた粗結晶にメタノール2、
活性炭15gを加え30分間還流した。活性炭を除去
し、さらに溶媒を留去したのち、アセトニトリル700
mlにて晶析した。結晶を濾過して標記化合物208.5
g(収率69%)を得た。
アセトアミドナフトール469.0g(1.25モル)
を塩化メチレン4に分散し、加熱還流下、塩化スルフ
リル145ml(1.94モル)を1時間かけて滴下し
た。さらに30分間還流したのち水冷下、アセトニトリ
ル4、H2O2を加え析出した結晶を濾過し、例示化
合物(11)321.0g(収率68%)を得た。m.p.18
8−190℃ 実施例4 例示化合物(19)の合成 −1−ヒドロキシ−5−イソブトキシカルボンアミド−
2−ナフトエ酸の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸203.
2g(1.0モル)をジメチルアセトアミド1に溶解
し、クロル炭酸イソブチル140g(1.025モル)
を30分かけて滴下した。滴下後さらに1時間撹拌した
のち、反応溶液を水10に加え、析出した結晶を濾過
して粗結晶を得た。得られた粗結晶にメタノール2、
活性炭15gを加え30分間還流した。活性炭を除去
し、さらに溶媒を留去したのち、アセトニトリル700
mlにて晶析した。結晶を濾過して標記化合物208.5
g(収率69%)を得た。
−2−フエノキシカルボニル−5−イソブトキシカルボ
ンアミド−ナフトールの合成− 上で得た1−ヒドロキシ−5−イソブトキシカルボンア
ミド−2−ナフトエ酸65.5g(0.216モル)、
フエノール21.4g(0.227モル)アセトニトリ
ル300ml、ジメチルホルムアミド5mlを仕込み、加熱
還流下、塩化チオニル28.3g(0.238モル)を
30分かけて滴下した。滴下後さらに30分間還流した
のち水冷し、析出した結晶を過して標記化合物57.
7g(収率70%)を得た。
ンアミド−ナフトールの合成− 上で得た1−ヒドロキシ−5−イソブトキシカルボンア
ミド−2−ナフトエ酸65.5g(0.216モル)、
フエノール21.4g(0.227モル)アセトニトリ
ル300ml、ジメチルホルムアミド5mlを仕込み、加熱
還流下、塩化チオニル28.3g(0.238モル)を
30分かけて滴下した。滴下後さらに30分間還流した
のち水冷し、析出した結晶を過して標記化合物57.
7g(収率70%)を得た。
−2−ドデシルオキシプロピルカルバモイル−5−イソ
ブトキシカルボンアミドナフトールの合成− 上で得た2−フエノキシカルボニル−5−イソブトキシ
カルボンアミドナフトール63.4g(0.167モ
ル)、ドデシルオキシプロピルアミン42.6g(0.
175モル)を仕込み、窒素気流下、内温80−90℃
にて5時間撹拌した。これにアセトニトリル200mlを
加え、室温にもどし析出した結晶を濾過して標記化合物
72.5g(収率82%)を得た。
ブトキシカルボンアミドナフトールの合成− 上で得た2−フエノキシカルボニル−5−イソブトキシ
カルボンアミドナフトール63.4g(0.167モ
ル)、ドデシルオキシプロピルアミン42.6g(0.
175モル)を仕込み、窒素気流下、内温80−90℃
にて5時間撹拌した。これにアセトニトリル200mlを
加え、室温にもどし析出した結晶を濾過して標記化合物
72.5g(収率82%)を得た。
−例示化合物(19)の合成− 上で得た2−ドデシルオキシプロピルカルバモイル−5
−イソブトキシカルボンアミドナフトール52.9g
(0.1モル)、N−クロロスクシンイミド(0.10
5モル)、塩化メチレン500mlを仕込み室温暗所にて
20時間撹拌した。溶液を2回水洗し芒硝にて乾燥した
のち、溶媒を留去して黄色油状物を得た。これをアセト
ニトリル1にて晶析し、析出した結晶を濾過し、例示
化合物(19)42.9(収率76%)を得た。m.p.70.
5−72℃ 実施例5 例示化合物(23)の合成 −2−シクロヘキシルカルバモイル−5−アミノナフト
ール、p−トルエンスルホン酸塩の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸203.
2g(1.0モル)、シクロヘキシルアミン99.2g
(1.0モル)、ジメチルアミノピリジン6g、ジメチ
ルホルムアミド1を仕込み、窒素雰囲気下、内温80
〜90℃に加熱しながらジシクロヘキシルカルボジイミ
ド(DCC)206.3g(1.0モル)をジメチルホ
ルムアミド300mlに溶かした溶液を添加し、3.5時
間撹拌した。水冷後、セライト濾過にてジシクロヘキシ
ルウレアを除去し、濾液に酢酸エチル3を加え飽和食
塩水にて2回洗浄し、有機層をセライト濾過して不溶物
を除去したのち減圧濃縮した。これにアセトニトリル
1.6、p−トルエンスルホン酸209.0g(1.
1モル)を加え、析出した結晶を濾過して標記化合物2
56.4g(収率56%) −2−シクロヘキシルカルバモイル−5−ブタンスルホ
ンアミドナフトールの合成− 上で得た2−シクロヘキシルカルバモイル−5−アミノ
ナフトール、p−トルエンスルホン酸塩182.8g
(0.4モル)をジメチルアセトアミド500mlに溶解
し、窒素雰囲気下、室温にてピリジン83.5g(1.
06モル)を30分かけて滴下し、さらにブタンスルホ
ニルクロリド75.4g(0.48モル)を30分かけ
て滴下した。滴下後さらに6時間室温にて撹拌したの
ち、酢酸エチル1を加え飽和食塩水にて3回洗浄し、
芒硝乾燥した。芒硝を除き溶媒を留去して得られたかつ
色油状物にイソプロパノール1を加え、不溶物を濾別
した後、濾液を濃縮しこれにメタノール1を加え晶析
した。析出した結晶を濾過して標記化合物68.5g
(収率42%)を得た。
−イソブトキシカルボンアミドナフトール52.9g
(0.1モル)、N−クロロスクシンイミド(0.10
5モル)、塩化メチレン500mlを仕込み室温暗所にて
20時間撹拌した。溶液を2回水洗し芒硝にて乾燥した
のち、溶媒を留去して黄色油状物を得た。これをアセト
ニトリル1にて晶析し、析出した結晶を濾過し、例示
化合物(19)42.9(収率76%)を得た。m.p.70.
5−72℃ 実施例5 例示化合物(23)の合成 −2−シクロヘキシルカルバモイル−5−アミノナフト
ール、p−トルエンスルホン酸塩の合成− 1−ヒドロキシ−5−アミノ−2−ナフトエ酸203.
2g(1.0モル)、シクロヘキシルアミン99.2g
(1.0モル)、ジメチルアミノピリジン6g、ジメチ
ルホルムアミド1を仕込み、窒素雰囲気下、内温80
〜90℃に加熱しながらジシクロヘキシルカルボジイミ
ド(DCC)206.3g(1.0モル)をジメチルホ
ルムアミド300mlに溶かした溶液を添加し、3.5時
間撹拌した。水冷後、セライト濾過にてジシクロヘキシ
ルウレアを除去し、濾液に酢酸エチル3を加え飽和食
塩水にて2回洗浄し、有機層をセライト濾過して不溶物
を除去したのち減圧濃縮した。これにアセトニトリル
1.6、p−トルエンスルホン酸209.0g(1.
1モル)を加え、析出した結晶を濾過して標記化合物2
56.4g(収率56%) −2−シクロヘキシルカルバモイル−5−ブタンスルホ
ンアミドナフトールの合成− 上で得た2−シクロヘキシルカルバモイル−5−アミノ
ナフトール、p−トルエンスルホン酸塩182.8g
(0.4モル)をジメチルアセトアミド500mlに溶解
し、窒素雰囲気下、室温にてピリジン83.5g(1.
06モル)を30分かけて滴下し、さらにブタンスルホ
ニルクロリド75.4g(0.48モル)を30分かけ
て滴下した。滴下後さらに6時間室温にて撹拌したの
ち、酢酸エチル1を加え飽和食塩水にて3回洗浄し、
芒硝乾燥した。芒硝を除き溶媒を留去して得られたかつ
色油状物にイソプロパノール1を加え、不溶物を濾別
した後、濾液を濃縮しこれにメタノール1を加え晶析
した。析出した結晶を濾過して標記化合物68.5g
(収率42%)を得た。
−例示化合物(23)の合成− 上で得た2−シクロヘキシルカルバモイル−5−ブタン
スルホンアミドナフトール60.7g(0.15モル)
を塩化メチレン600mlに分散し、これにスルフリルク
ロリド21.3g(0.158モル)を10分で滴下し
た。さらに30分撹拌したのち、塩化メチレンを1.2
加え、水洗2回後、芒硝で乾燥した。芒硝を除き溶媒
を留去して得られた粗結晶にメタノール1.5を加
え、加熱完溶し室温までゆつくり冷却した。さらに水冷
下30分撹拌したのち、結晶を濾過して例示化合物(23)
40.3g(収率61%)を得た。m.p.216〜21
8.5℃ 本発明のその他の化合物は、実施例1〜5の処方に準じ
て合成されるが、代表的化合物について、その融点を第
2表にまとめた。
スルホンアミドナフトール60.7g(0.15モル)
を塩化メチレン600mlに分散し、これにスルフリルク
ロリド21.3g(0.158モル)を10分で滴下し
た。さらに30分撹拌したのち、塩化メチレンを1.2
加え、水洗2回後、芒硝で乾燥した。芒硝を除き溶媒
を留去して得られた粗結晶にメタノール1.5を加
え、加熱完溶し室温までゆつくり冷却した。さらに水冷
下30分撹拌したのち、結晶を濾過して例示化合物(23)
40.3g(収率61%)を得た。m.p.216〜21
8.5℃ 本発明のその他の化合物は、実施例1〜5の処方に準じ
て合成されるが、代表的化合物について、その融点を第
2表にまとめた。
本発明の一般式〔I〕で表わされる4−ハロゲノナフト
ール誘導体が4位にアルコキシ基が導入された1−ヒド
ロキシ−5−アミド(または5−アミノ)ナフトール誘
導体の合成上、きわめて有用な鍵中間体となることを以
下の応用例によつて示す。
ール誘導体が4位にアルコキシ基が導入された1−ヒド
ロキシ−5−アミド(または5−アミノ)ナフトール誘
導体の合成上、きわめて有用な鍵中間体となることを以
下の応用例によつて示す。
応用例1 2−シクロヘキシルカルバモイル−5−エト
キシカルボンアミド−4−(2−ヒドロキシエトキシ)
ナフトールの合成 エチレングリコール500mlに窒素雰囲気下、炭酸カリ
ウム34.6g(0.25モル)を加え、スチームバス
で加熱して均一な溶液にした。その後、水冷下、塩化第
一銅1.0g(0.01モル)を加え10分間撹拌し
た。そののち例示化合物(2)42.1g(0.1モル)
を加え、さらにピリジン500mlを加え、2時間撹拌し
た。反応溶液に酢酸エチル1.5、水1.5を加え
水冷下、塩酸を用いて注意深く水層を酸性化した。抽出
分液後、有機層を飽和食塩水で2回洗浄し芒硝で乾燥し
た。芒硝を除き、溶媒を留去して得られた反応混合物に
アセトニトリル400mlを加え晶析した。析出した結晶
を濾過し、標記化合物33.0g(収率82%)を得
た。m.p.229〜231℃ 応用例2 2−シクロヘキシルカルバモイル−5−トリ
フルオロアセトアミド−4−(3−クロロプロピルオキ
シ)ナフトール及び2−シクロヘキシルカルバモイル−
5−アミノ−4−(3−クロロプロピルオキシ)ナフト
ールの合成 3−クロロプロパノール400mlに窒素雰囲気下、炭酸
カリウム34.6g(0.25モル)を加え加熱して均
一にした。そののち水冷下、塩化第一銅1.0g(0.
01モル)を加え、さらに例示化合物(13)41.5g
(0.1モル)、ピリジン500mlを加え5時間撹拌し
た。その後、応用例1と同様の後処理を行ない、得られ
た反応混合物をn−ヘキサン−トルエンにて晶析し、結
晶を濾過して2−シクロヘキシルカルバモイル−5−ト
リフルオロアセトアミド−4−(3−クロロプロピルオ
キシ)ナフトール32.6g(収率69%)を得た。m.
p.185〜188℃ 得られた結晶23.6g(0.05モル)をメタノール
200mlに溶かした溶液に、窒素雰囲気下、NaOH10.
0g(0.25モル)を水100mlに溶かした溶液を滴
下し、内温40〜50℃にて30分間撹拌した。反応溶
液に水500mlを加え塩酸を用いて中和し、酢酸エチル
500mlを加え抽出分液後、有機層を飽和食塩水にて2
回洗浄し芒硝で乾燥した。芒硝を除き、溶媒を減圧濃縮
し、得られた赤かつ色油状物をカラムクロマトグラフイ
ー(クロロホルム/酢酸エチル=1/1〜1/2)にて
精製し、淡赤色油状物13.8g(収率73%)を得
た。
キシカルボンアミド−4−(2−ヒドロキシエトキシ)
ナフトールの合成 エチレングリコール500mlに窒素雰囲気下、炭酸カリ
ウム34.6g(0.25モル)を加え、スチームバス
で加熱して均一な溶液にした。その後、水冷下、塩化第
一銅1.0g(0.01モル)を加え10分間撹拌し
た。そののち例示化合物(2)42.1g(0.1モル)
を加え、さらにピリジン500mlを加え、2時間撹拌し
た。反応溶液に酢酸エチル1.5、水1.5を加え
水冷下、塩酸を用いて注意深く水層を酸性化した。抽出
分液後、有機層を飽和食塩水で2回洗浄し芒硝で乾燥し
た。芒硝を除き、溶媒を留去して得られた反応混合物に
アセトニトリル400mlを加え晶析した。析出した結晶
を濾過し、標記化合物33.0g(収率82%)を得
た。m.p.229〜231℃ 応用例2 2−シクロヘキシルカルバモイル−5−トリ
フルオロアセトアミド−4−(3−クロロプロピルオキ
シ)ナフトール及び2−シクロヘキシルカルバモイル−
5−アミノ−4−(3−クロロプロピルオキシ)ナフト
ールの合成 3−クロロプロパノール400mlに窒素雰囲気下、炭酸
カリウム34.6g(0.25モル)を加え加熱して均
一にした。そののち水冷下、塩化第一銅1.0g(0.
01モル)を加え、さらに例示化合物(13)41.5g
(0.1モル)、ピリジン500mlを加え5時間撹拌し
た。その後、応用例1と同様の後処理を行ない、得られ
た反応混合物をn−ヘキサン−トルエンにて晶析し、結
晶を濾過して2−シクロヘキシルカルバモイル−5−ト
リフルオロアセトアミド−4−(3−クロロプロピルオ
キシ)ナフトール32.6g(収率69%)を得た。m.
p.185〜188℃ 得られた結晶23.6g(0.05モル)をメタノール
200mlに溶かした溶液に、窒素雰囲気下、NaOH10.
0g(0.25モル)を水100mlに溶かした溶液を滴
下し、内温40〜50℃にて30分間撹拌した。反応溶
液に水500mlを加え塩酸を用いて中和し、酢酸エチル
500mlを加え抽出分液後、有機層を飽和食塩水にて2
回洗浄し芒硝で乾燥した。芒硝を除き、溶媒を減圧濃縮
し、得られた赤かつ色油状物をカラムクロマトグラフイ
ー(クロロホルム/酢酸エチル=1/1〜1/2)にて
精製し、淡赤色油状物13.8g(収率73%)を得
た。
以上に示した如く、本発明の化合物を利用することによ
り、1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−5−アミド−2
−ナフトエ酸誘導体が収率よく合成されるが、その他の
代表的化合物について構造式、収率、融点を第3表に示
す。
り、1−ヒドロキシ−4−アルコキシ−5−アミド−2
−ナフトエ酸誘導体が収率よく合成されるが、その他の
代表的化合物について構造式、収率、融点を第3表に示
す。
次に比較例として本発明化合物〔I〕の類似化合物を用
いた場合の求核置換反応について記述する。
いた場合の求核置換反応について記述する。
比較例1 2−シクロヘキシルカルバモイル−4−クロ
ロナフトールの場合 応用例1と全く同じ条件下、標記化合物を用いて置換反
応を試みたが全くの原料回収であつた。その後、内温6
0−70℃にて3時間撹拌したが、やはり全くの原料回
収であつた。
ロナフトールの場合 応用例1と全く同じ条件下、標記化合物を用いて置換反
応を試みたが全くの原料回収であつた。その後、内温6
0−70℃にて3時間撹拌したが、やはり全くの原料回
収であつた。
比較例2 2−シクロヘキシル−4−クロロ−5−アミ
ノナフトールの場合 応用例1と全く同じ条件下、標記化合物を用いて置換反
応を試みたが全くの原料回収であつた。その後60−7
0℃に加熱すると、目的物は得られずに未変の原料がほ
とんどで、それ以外に還元的脱ハロゲン化物、すなわち
2−シクロヘキシル−5−アミノナフトールと原点に着
色成分がわずかに得られるのみであつた。
ノナフトールの場合 応用例1と全く同じ条件下、標記化合物を用いて置換反
応を試みたが全くの原料回収であつた。その後60−7
0℃に加熱すると、目的物は得られずに未変の原料がほ
とんどで、それ以外に還元的脱ハロゲン化物、すなわち
2−シクロヘキシル−5−アミノナフトールと原点に着
色成分がわずかに得られるのみであつた。
以上の比較例に示したように、5−無置換体及び5−ア
ミノ体からは、目的とするアルコキシ化合物が全く得ら
れず、本発明の化合物の特異性は明らかである。
ミノ体からは、目的とするアルコキシ化合物が全く得ら
れず、本発明の化合物の特異性は明らかである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // G03C 7/34
Claims (1)
- 【請求項1】下記一般式〔I〕で表わされるナフトール
誘導体。 式中、XはClまたはBrを示し、Yは−CO−または−
SO2−を示し、R1は、Yが−CO−のとき、メチル基、
トリフルオロメチル基、p−ニトロフェニル基、炭素数
1ないし8のアルコキシ基、ジメチルアミノ基を示し、
Yが−SO2−のとき、炭素数1ないし4のアルキル基を
示し、R2は、ヒドロキシ基、フェノキシ基、p−ニト
ロフェノキシ基、炭素数1ないし8のアルキルアミノ
基、シクロヘキシルアミノ基を示す。ただし、前記アル
キルアミノ基は、炭素数10ないし12のアルコキシ基
または2,4−ジ−t−アミノフェノキシ基で置換され
ていてもよい。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25975285A JPH0643380B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 4−ハロゲノ−1−ナフト−ル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25975285A JPH0643380B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 4−ハロゲノ−1−ナフト−ル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123157A JPS62123157A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0643380B2 true JPH0643380B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17338459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25975285A Expired - Fee Related JPH0643380B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 4−ハロゲノ−1−ナフト−ル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0643380B2 (ja) |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP25975285A patent/JPH0643380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62123157A (ja) | 1987-06-04 |
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