JPH0643419B2 - Nf―1616―904物質の製造法 - Google Patents

Nf―1616―904物質の製造法

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JPH0643419B2
JPH0643419B2 JP2021937A JP2193790A JPH0643419B2 JP H0643419 B2 JPH0643419 B2 JP H0643419B2 JP 2021937 A JP2021937 A JP 2021937A JP 2193790 A JP2193790 A JP 2193790A JP H0643419 B2 JPH0643419 B2 JP H0643419B2
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周司 赤井
弘道 藤岡
恭光 田村
斉 利根
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はNF−1616−904物質の製造法、更に詳
しくは、式 で表わされるNF−1616−904物質の製造法に関
する。
従来の技術及びその問題点 上記式(1)で表わされるNF−1616−904物質
は、公知化合物(EP第0303250号、1989/
2/15公開)であり、従来沖繩県西表島の土壌中より
分離したシーラビア マイナー OFR−1561(Th
ielavia minorOFR−1561)、〔通商産業省工業
技術院微生物工業技術研究所、受託番号「微工研条寄第
1908号」(FERM BP−1980)〕より単離
された物質を中間体として、それを加水分解することに
より製造していた。この方法によると、微生物を用いる
ため、その培養条件を恒常に保つ必要があり、大量に製
造するためには、特殊で高値な装置が必要であり、ま
た、微生物の中より、NF−1616−904の合成中
間体を好収率、高純度に単離し難いという欠点を有して
いた。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、上記式(1)の
NF−1616−904物質を微生物を用いず、しかも
煩雑な分離手段を用いず、工業的規模にて、好収率、高
純度で得る方法を見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
即ち本発明は、一般式 〔式中Rは水素原子、低級アルコキシカルボニル基、
低級アルカノイル基又はベンゾイル基を示す。〕 で表わされるインドール誘導体を環化して一般式 〔式中Rは前記に同じ。〕 で表わされるインドール誘導体を得、次いで該誘導体の
オキソ基を保護した後、メチル化し、更にメチル化され
たインドール誘導体中の保護基を除去することを特徴と
する式 で表わされるNF−1616−904物質の製造法に係
る。
上記式(1)で表わされるNF−1616−904物質
は、例えばモルモットマクロファージから刺激によって
放出されるスーパーオキサイド(O )に対する阻害
結果、馬杉腎炎に対する抗蛋白尿作用等を有しており、
上記スーパーオキサイドラジカルの関与する例えばリチ
ウム等の自己免疫疾患、動脈硬化症、虚血性心疾患、虚
血性脳障害、肝不全、腎不全等に対する予防及び治療剤
として、また腎炎の予防及び治療剤として各種臨床分野
で有用である。
本明細書において示される各基は、より具体的には、夫
々次の通りである。
低級アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イ
ソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、tert−
ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキ
シルオキシカルボニル基等の炭素数1〜6の直鎖又は分
枝鎖状アルコキシカルボニル基を例示できる。
低級アルカノイル基としては、ホルミル、アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、
tert−ブチルカルボニル、ヘキサノイル基等の炭素数1
〜6の直鎖又は分枝鎖状アルカノイル基を例示できる。
本発明において、出発原料として用いられる一般式
(2)のインドール誘導体は、下記に示す方法に従い容
易に製造される。
[反応式−1] 〔式中R′は低級アルコキシカルボニル基、低級アル
カノイル基又はベンゾイル基を示す。Xはハロゲン原子
を示す。Rは低級アルキル基又はフェニル環上に置換
基としてハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ニトロ基及びシアノ基なる群より選ばれた基を有
することのあるフェニル低級アルキル基を示す。R
水酸基、フェニル環上に置換基としてハロゲン原子、低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基及びアミノ
基なる群より選ばれた基を有することのあるフェニル低
級アルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、低級
アルキル基及びフェニル基なる群より選ばれた基を1〜
3個有するシリルオキシ基又は低級アルコキシ低級アル
コキシ基を示す。〕 ここでハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、沃
素原子、弗素原子等を例示できる。
低級アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキ
シル基等の炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルキル基
を例示できる。
フェニル環上に置換基としてハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ニトロ基及びアミノ基なる群
より選ばれた基を有することのあるフェニル低級アルコ
キシ基としては、ベンジルオキシ、、2−フェニルエト
キシ、1−フェニルエトキシ、3−フェニルプロポキ
シ、4−フェニルブトキシ、1,1−ジメチル−2−フ
ェニルエトキシ、5−フェニルペンチルオキシ、6−フ
ェニルヘキシルオキシ、2−メチル−3−フェニルプロ
ポキシ、2−クロロベンジルオキシ、2−(3−クロロ
フェニル)エトキシ、1−(4−クロロフェニル)エト
キシ、3−(2−フルオロフェニル)プロポキシ、4−
(3−フルオロフェニル)ブトキシ、1,1−ジメチル
−2−(4−フルオロフェニル)エトキシ、5−(2−
ブロモフェニル)ペンチルオキシ、6−(3−ブロモフ
ェニル)ヘキシルオキシ、2−メチル−3−(4−ブロ
モフェニル)プロポキシ、3−ヨードベンジルオキシ、
2−(4−ヨードフェニル)エトキシ、1−(3,5−
ジクロロフェニル)エトキシ、2−(3,4−ジクロロ
フェニル)エトキシ、3−(2,6−ジクロロフェニ
ル)プロポキシ、4−(3,4−ジクロロフェニル)ブ
トキシ、1,1−ジメチル−2−(3,4−ジフルオロ
フェニル)エトキシ、5−(3,5−ジブロムフェニ
ル)ペンチルオキシ、6−(3,4,5−トリクロルフ
ェニル)ヘキシルオキシ、4−メチルベンジルオキシ、
2−(2−メチルフェニル)エトキシ、1−(3−メチ
ルフェニル)エトキシ、3−(3−エチルフェニル)プ
ロポキシ、4−(2−エチルフェニル)ブトキシ、5−
(4−エチルフェニル)ペンチルオキシ、6−(3−イ
ソプロピルフェニル)ヘキシルオキシ、2−メチル−3
−(4−ヘキシルフェニル)プロポキシ、2−(3,4
−ジメチルフェニル)エトキシ、2−(2,5−ジメチ
ルフェニル)エトキシ、2−(3,4,5−トリメチル
フェニル)エトキシ、4−メトキシベンジルオキシ、
3,4−ジメトキシベンジルオキシ、3,4,5−トリ
メトキシベンジルオキシ、1−(3−メトキシフェニ
ル)エトキシ、2−(2−メトキフェニル)エトキシ、
3−(2−エトキシフェニル)プロポキシ、4−(4−
エトキシフェニル)ブトキシ、5−(3−エトキシフェ
ニル)ペンチルオキシ、6−(4−イソプロポキシフェ
ニル)ヘキシルオキシ、1,1−ジメチル−2−(4−
ヘキシルオキシフェニル)エトキシ、2−メチル−3−
(3,4−ジメトキシフェニル)プロポキシ、2−
(3,4−ジメトキシフェニル)エトキシ、2−(3,
4−ジエトキシフェニル)エトキシ、2−(3,4,5
−トリメトキシフェニル)エトキシ、1−(2,5−ジ
メトキシフェニル)エトキシ、(2−クロロ−4−メト
キシ)ベンジルオキシ、2−アミノベンジルオキシ、1
−(3−アミノフェニル)エトキシ、1−(4−アミノ
フェニル)プロポキシ、1−(2,3−ジアミノフェニ
ル)ブトキシ、1−(2,3,4−トリアミノフェニ
ル)ペンチルオキシ、1−(2,4−ジアミノフェニ
ル)ヘキシルオキシ、2−ニトロベンジルオキシ、1−
(3−ニトロフェニル)エトキシ、1−(4−ニトロフ
ェニル)プロポキシ、1−(2,4−ジニトロフェニ
ル)ブトキシ、1−(2,4,6−トリニトロフェニ
ル)ペンチルオキシ、1−(2−クロロ−4−ニトロフ
ェニル)ヘキシルオキシ、(3−メチル−4−アミノ)
ベンジルオキシ、トリチルオキシ、ジフェニルメトキシ
基等のフェニル環上に置換基としてハロゲン原子、炭素
数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルキル基、ニトロ基、ア
ミノ基及び炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルコキシ
基なる群より選ばれた基を1〜3個有することのあるア
ルコキシ部分の炭素数が1〜6の直鎖又は分枝鎖状アル
コキシ基であり、該フェニル基が1〜3個置換したフェ
ニルアルコキシ基を例示できる。この中で特にベンジル
オキシ、1−フェニルエトキシ、1−(4−クロロフェ
ニル)エトキシ、1−(3,5−ジクロロフェニル)エ
トキシ、1−(3−メチルフェニル)エトキシ、1−
(3−メトキシフェニル)エトキシ、1−(2,5−ジ
メトキシフェニル)エトキシ、トリチルオキシ、ジフェ
ニルメトキシ基等のアルキル部分の1位に上記置換又は
未置換のフェニル基が1〜3個置換したフェニル低級ア
ルコキシ基が好ましい。
低級アルキル基及びフェニル基なる群より選ばれた基を
1〜3個有するシリルオキシ基としては、トリメチルシ
リルオキシ、トリエチルシリルオキシ、トリプロピルシ
リルオキシ、トリブチルシリルオキシ、tert−ブチルジ
メチルシリルオキシ、tert−ブチルジフェニルシリルオ
キシ、トリペンチルシリルオキシ、トリヘキシルシリル
オキシ、ジメチルエチルシリルオキシ基等のアルキル部
分が炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルキル基である
トリアルキルシリルオキシ基を例示できる。
低級アルコキシ低級アルコキシ基としては、例えばメト
キシメトキシ、2−メトキシエトキシ、1−エトキシエ
トキシ、3−プロポキシプロポキシ、4−ブトキシブト
キシ、5−ペンチルオキシペンチルオキシ、6−ヘキシ
ルオキシヘキシルオキシ、1,1−ジメチル−2−メト
キシエトキシ、2−メチル−3−メトキシプロポキシ基
等のアルコキシ部分が炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状
アルコキシ基であるアルコキシアルコキシ基を例示でき
る。この中で特にメトキシメトキシ、1−エトキシエト
キシ基等の1−低級アルコキシ低級アルコキシ基が好ま
しい。
フェニル環上に置換基としてハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ニトロ基及びシアノ基なる群
より選ばれた基を有することのあるフェニル低級アルキ
ル基としては、ベンジル、2−フェニルエチル、1−フ
ェニルエチル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブ
チル、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル、5−フ
ェニルペンチル、6−フェニルヘキシル、2−メチル−
3−フェニルプロピル、2−クロロベンジル、2−(3
−クロロフェニル)エチル、1−(4−クロロフェニ
ル)エチル、3−(2−フルオロフェニル)プロピル、
4−(3−フルオロフェニル)ブチル、1,1−ジメチ
ル−2−(4−フルオロフェニル)エチル、5−(2−
ブロモフェニル)ペンチル、6−(3−ブロモフェニ
ル)ヘキシル、2−メチル−3−(4−ブロモフェニ
ル)プロピル、3−ヨードベンジル、2−(4−ヨード
フェニル)エチル、1−(3,5−ジクロロフェニル)
エチル、2−(3,4−ジクロロフェニル)エチル、3
−(2,6−ジクロロフェニル)プロピル、4−(3,
4−ジクロロフェニル)ブチル、1,1−ジメチル−2
−(3,4−ジフルオロフェニル)エチル、5−(3,
5−ジブロムフェニル)ペンチル、6−(3,4,5−
トリクロルフェニル)ヘキシル、4−メチルベンジル、
2−(2−メチルフェニル)エチル、1−(3−メチル
フェニル)エチル、3−(3−エチルフェニル)プロピ
ル、4−(2−エチルフェニル)ブチル、5−(4−エ
チルフェニル)ペンチル、6−(3−イソプロピルフェ
ニル)ヘキシル、2−メチル−3−(4−ヘキシルフェ
ニル)プロピル、2−(3,4−ジメチルフェニル)エ
チル、2−(2,5−ジメチルフェニル)エチル、2−
(3,4,5−トリメチルフェニル)エチル、4−メト
キシベンジル、3,4−ジメトキシベンジル、3,4,
5−トリメトキシベンジル、1−(3−メトキシフェニ
ル)エチル、2−(2−メトキシフェニル)エチル、3
−(2−エトキシフェニル)プロピル、4−(4−エト
キシフェニル)ブチル、5−(3−エトキシフェニル)
ペンチル、6−(4−イソプロポキシフェニル)ヘキシ
ル、1,1−ジメチル−2−(4−ヘキシルオキシフェ
ニル)エチル、2−メチル−3−(3,4−ジメトキシ
フェニル)プロピル、2−(3,4−ジメトキシフェニ
ル)エチル、2−(3,4−ジエトキシフェニル)エチ
ル、2−(3,4,5−トリメトキシフェニル)エチ
ル、1−(2,5−ジメトキシフェニル)エチル、(2
−クロロ−4−メトキシフェニル)ベンジル、2−アミ
ノベンジル、1−(3−シアノフェニル)エチル、1−
(4−アミノフェニル)プロピル、1−(2,3−ジシ
アノフェニル)ブチル、1−(2,3,4−トリシアノ
フェニル)ペンチル、1−(2,4−ジシアノフェニ
ル)ヘキシル、2−ニトロベンジル、1−(3−ニトロ
フェニル)エチル、1−(4−ニトロフェニル)プロピ
ル、1−(2,4−ジニトロフェニル)ブチル、1−
(2,4,6−トリニトロフェニル)ペンチル、1−
(2−クロロ−4−ニトロフェニル)ヘキシル、(3−
メチル−4−シアノ)ベンジル、トリチル、ジフェニル
メチル基等のフェニル環上に置換基としてハロゲン原
子、炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルキル基、ニト
ロ基、シアノ基及び炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状ア
ルコキシ基なる群より選ばれた基を1〜3個有すること
のあるアルキル部分の炭素数が1〜6の直鎖又は分枝鎖
状アルキル基であり、該フェニル基が1〜3個置換した
フェニルアルキル基を例示できる。この中で特にベンジ
ル、1−フェニルエチル、1−(4−クロロフェニル)
エチル、1−(3,5−ジクロロフェニル)エチル、1
−(3−メトキシフェニル)エチル、1−(3−メトキ
シフェニル)エチル、1−(2,5−ジメトキシフェニ
ル)エチル、トリチル、ジフェニルメチル基等のアルキ
ル部分の1位に上記置換又は未置換のフェニル基が1〜
3個置換したフェニル低級アルキル基が好ましい。
化合物(4)と化合物(5)の反応は、通常のアミド結
合生成反応に従って実施される。アミド結合生成反応は
公知の各種方法例えば(イ)混合酸無水物法、例えばカ
ルボン酸(5)にハロカルボン酸アルキルエステルを反
応させて混合酸無水物とし、これにアミン(4)を反応
させる方法;(ロ)活性エステル法、例えばカルボン酸
(5)をp−ニトロフェニルエステル、N−ヒドロキシ
コハク酸イミドエステル、1−ヒドロキシベンゾトリア
ゾールエステル等の活性エステルとし、これにアシン
(4)を反応させる方法;(ハ)カルボジイミド法、即
ちカルボン酸(5)にアミン(4)をジシクロヘキシル
カルボジイミド、カルボニルジイミダゾール等の活性化
剤の存在下に縮合させる方法;(ニ)その他の方法、例
えばカルボン酸(5)を無水酢酸等の脱水剤により、カ
ルボン酸無水物とし、これにアミン(4)を反応させる
方法、カルボン酸(5)と低級アルコールとのエステル
にアミン(4)を高圧高温下に反応させる方法、カルボ
ン酸(5)の酸ハロゲン化物即ちカルボン酸ハライドに
アミン(4)を反応させる方法等により実施することが
できる。またカルボン酸(5)をトリフェニルホスフィ
ンやジエチルクロロホスファート等のリン化合物で活性
化し、これにアミン(4)を反応させる方法、さらにカ
ルボン酸(5)をホスゲン又はクロロ蟻酸トリクロロメ
チルエステル等によりN−カルボキシアミノ酸無水物と
した後アミン(4)と反応させる方法等によることもで
きる。また更にカルボン酸(5)をトリメチルシリルエ
トキシアセチレン等のアセチレン化合物で活性化し、こ
れにアミン(4)を反応させる方法等によることもでき
る。
上記(イ)に示す混合酸無水物法において、使用される
混合酸無水物は通常のショッテン−バウマン反応により
得られ、これを通常単離することなくアミン(4)と反
応させることにより一般式(6)の化合物が製造され
る。ショッテン−バウマン反応は塩基性化合物の存在下
に行なわれる。用いられる塩基性化合物としては、ショ
ッテン−バウンマン反応に慣用の化合物が用いられ、例
えばトリエチルアミン、トリメチルアミン、ピチジン、
ジメチルアニリン、N−メチルモルホリン、4−ジメチ
ルアミノピリジン、1,5−ジアザビシクロ〔4,3,
0〕ノネン−5(DBN)、1,8−ジアザビシクロ
〔5,4,0〕ウンデセン−7(DBU)、1,4−ジ
アザビシクロ〔2,2,2〕オクタン(DABCO)等
の有機塩基、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素
カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基等を例示で
きる。該反応は、約−20〜100℃、好ましくは0〜
50℃において約5分〜10時間、好ましくは5分〜2
時間程度で行なわれる。得られた混合酸無水物とアミン
(4)との反応は、約−20〜150℃、好ましくは、
10〜50℃において約5分〜10時間、好ましくは約
5分〜5時間程度を要して行なわれる。また上記混合酸
無水物は一般にこの種混合酸、無水物法に慣用の溶媒、
具体的には塩化メチレン、クロロホルム、ジクロルエタ
ン等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオ
キサン、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトキシエタン等のエーテル類、酢酸メチル、酢
酸エチル等のエステル類、1,1,3,3−テトラメチ
ルウレア、N,N−ジメチルホルムアシド、ジメチルス
ルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非プロ
トン性極性溶媒等の適当な溶媒若しくは混合溶媒中又は
非存在下で行なわれる。尚上記混合酸無水物の製造にお
いて使用されるハロカルボン酸アルキルエステルとして
はクロロ蟻酸メチル、ブロモ蟻酸メチル、クロロ蟻酸エ
チル、ブロモ蟻酸エチル、クロロ蟻酸イソブチル等を例
示できる。ハロカルボン酸アルキルエステルは通常アミ
ン(4)に対し少なくとも等モル量、好ましくは約1〜
1.5倍モル量用いられる。またカルボン酸(5)の使
用量は、通常アミン(4)に対して少なくとも等モル
量、好ましくは約1〜1.5倍モルとするのが好まし
い。
上記(ロ)に示す活性エステル法は、例えばN−ヒオロ
キシコハク酸イミドエステルを用いる場合を例にとれ
ば、反応に影響を与えない適当な溶媒中塩基性化合物の
存在下又は非存在下に行なわれる。また該反応の反応系
内にはジシクロヘキシルカルボジイミド、カルボニルジ
イミダゾール等の縮合剤を添加してもよい。ここで塩基
性化合物としては、前記ショッテン−バウマン反応に用
いられる塩基性化合物をいずれも使用可能である。また
溶媒としては、具体的には塩化メチレン、クロロホル
ム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチ
ルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等
のエステル類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等の非
プロトン性極性溶媒等又はこれらの混合溶媒等が挙げら
れる。反応は、0〜150℃、好ましくは10〜100
℃で、5〜30時間で終了する。アミン(4)とN−ヒ
ドロキシコハク酸イミドエステルとの使用割合は、化合
物(5)に対して通常少なくとも等モル、好ましくは等
モル〜2倍モルとするのが望ましい。
またアミン(4)とカルボン酸(5)とを、トリフェニ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン−2,2′−ジ
ピリジルジスルフィド、ジエチルクロロホスファート、
ジフェニルホスフィニルクロリド、フェニル、N−フェ
ニルホスホラミドクロリデート、シアノリン酸ジエチ
ル、ビス(2−オキソ−3−オキサゾリジニル)ホスフ
ィニッククロリド等のリン化合物の縮合剤の存在下に反
応させることによっても、化合物(6)を得ることがで
きる。
ここで使用される塩基性化合物としては、公知のものを
広く使用でき、例えば前記ショッテン−バウマン反応に
用いられる塩基性化合物の他に水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム等を挙げることができる。溶媒としては、前
記混合酸無水物法に用いられる溶媒の他、例えばピリジ
ン、アセトン、アセトニトリル等又は上記溶媒の二種以
上の混合溶媒等を挙げることができる。
該反応は、通常−20〜150℃程度、好ましくは0〜
100℃付近にて行なわれ、一般に5分〜30時間程度
にて反応は終了する。縮合剤及びカルボン酸(5)の使
用量は、アミン(4)に対して、それぞれ、少なくとも
等モル程度、好ましくは等モル〜2倍モル程度とするの
がよい。
またアミン(4)とカルボン酸(5)とを縮合剤の存在
下に反応させることによっても化合物(6)を得ること
ができる。該反応は、適当な溶媒中、触媒の存在下又は
非存在下に行なわれる。ここで使用される溶媒として
は、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、
四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド等を例示できる。使用される
触媒としては、ジメチルアミノピリジン、4−ピペリジ
ノピリジン等の有機塩基、ピリジニウムトシラート等の
塩、カンファースルホン酸、酸化水銀等を例示できる。
縮合剤としては、例えばトリメチルシリルエトキシアセ
チレン等のアセチレン化合物が挙げられる。縮合剤は、
アミン(4)に対して通常等モル〜10倍モル量、好ま
しくは2〜6倍モル量用いるのがよい。またカルボン酸
(5)は、アミン(4)に対して通常少なくとも等モル
程度、好ましくは等モル〜2倍モル程度用いるのがよ
い。該反応は、通常0〜150℃程度、好ましくは室温
〜100℃付近にて行なわれ、一般に1〜10時間程度
にて反応は終了する。
化合物(6)と化合物(7a)又は化合物(7b)との
反応は、一般に適当な不活性溶媒中塩基性化合物の存在
下又は非存在下にて行なわれる。用いられる不活性溶媒
としては、例えばジクロロメタン、クロロホルム、四塩
化炭素等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル
等のエーテル類、ジメチルスルホキシド、ジメチルホル
ムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等又はこれら
の混合溶媒を挙げることができる。また塩基性化合物と
しては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
金属水酸化物、カリウム、ナトリウム、ナトリウムアミ
ド、カリウムアミド、ナトリウムメチラート、ナトリウ
ムエチラート、カリウム−tert−ブトキシド等の金属ア
ルコラート、ナトリウムベンジルオキシド等の金属フェ
ニル低級アルコキシド、n−ブチルリチウム、メチルリ
チウム等の低級アルキルリチウム化合物、水素化ナトリ
ウム、リチウムジイソプロピルアミド、ピリジン、エチ
ルジイソプロピルアミン、ジメチルアミノピリジン、ト
リエチルアミン、DBN、DBU、DABCO等の有機
塩基等を挙げることができる。化合物(6)と化合物
(7a)又は化合物(7b)との使用割合としては、特
に限定がなく広い範囲内で適宜選択すればよいが、前者
に対して後者を通常少なくとも等モル量程度、好ましく
は等モル〜5倍モル量用いるのがよい。該反応は、通常
0〜120℃程度、好ましくは0〜100℃にて行なわ
れ、一般に30分〜30時間程度で反応は終了する。ま
た該反応には、テトラn−ブチルアンモニウムブロミ
ド、フェニルトリエチルアンモニウムクロリド等の四級
アンモニウムハライド塩等や18−クラウン−6、ベン
ゾ−18−クラウン−6、ジベンゾ−18−クラウン−
6、ジシクロヘキサノ−18−クラウン−6、12−ク
ラウン−4,15−クラウン−5等のクラウンエーテル
等の相関移動触媒等を添加してもよい。
化合物(8)又は化合物(6)をそれぞれ化合物(9)
又は化合物(10)に導く反応は、Rがフェニル低級
アルコキシ基である場合には、化合物(8)又は化合物
(6)を還元することにより行なわれる。この還元反応
は、例えば適当な溶媒中触媒の存在下、接触水素添加す
るとにより行なうことができる。使用される溶媒として
は、例えば水、酢酸、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキサ
ン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、
ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ
ル等のエーテル類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステ
ル類、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒
又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。また使用される
触媒としては、例えばパラジウム、パラジウム−黒、パ
ラジウム−炭素、白金、酸化白金、亜クロム酸銅、ラネ
ーニッケル等が挙げられる。触媒の使用量は、化合物
(8)又は化合物(6)に対して一般に0.02〜1倍
量程度とするのがよい。反応温度は、通常−20〜10
0℃付近、好ましくは0〜80℃付近、水素圧は通常1
〜10気圧とするのがよく、該反応は一般に0.5〜2
0時間程度で終了する。
またRがテトラヒドロピラニルオキシ基又はトリ低級
アルキルシリルオキシ基である場合、化合物(8)又は
化合物(6)をそれぞれ化合物(9)又は化合物(1
0)に導く反応は、化合物(8)又は化合物(6)を加
水分解することにより行なわれる。この加水分解は、適
当な溶媒中又は無溶媒下で、酸の存在下で行なわれる。
溶媒としては、反応に影響を与えないものをいずれも使
用でき、例えば水、ジクロロメタン、クロロホルム等の
ハロゲン化炭化水素類、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール等の低級アルコール類、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、蟻
酸、酢酸等の脂肪酸、これらの混合溶媒等を挙げること
ができる。酸としては、例えば塩酸、硫酸、臭化水素酸
等の鉱酸、蟻酸、トリフルオロ酢酸、酢酸、芳香族スル
ホン酸等の有機酸等を挙げることができる。酸の使用量
は、特に制限されず広い範囲から適宜選択できるが、通
常化合物(8)又は(6)に対して1〜10モル程度、
好ましくは1〜2モル程度とするのがよい。該反応は、
通常0〜200℃程度、好ましくは室温〜150℃程度
にて好適に進行し、通常0.5〜15時間程度で反応は
終了する。またRがトリ低級アルキルシリルオキシ基
の場合は、テトラ−n−ブチルアンモニウムフルオリ
ド、弗化水素、弗化セシウム等の弗素化合物を用いて、
反応を行なってもよい。
またRが低級アルコキシ低級アルコキシ基である場
合、化合物(8)又は化合物(6)をそれぞれ化合物
(9)又は化合物(10)に導く反応は、化合物(8)
又は化合物(6)を、臭化水素酸、塩酸等の鉱酸又はp
−トルエンスルホン酸等の有機酸と水、メタノール、エ
タノール、イソプロパノール等の溶媒との混合物中で0
〜150℃、好ましくは室温〜120℃の温度条件下で
処理するか、又は加水分解することにより行なわれる。
後者の加水分解は、適当な溶媒中酸の存在下に行なわれ
る。溶媒としては、例えば水、メタノール、エタノー
ル、イソプロパノール等の低級アルコール類、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、アセトニトリル等の極性溶媒、これらの混合溶媒等
を挙げることができる。酸としては、例えば塩酸、硫
酸、臭化水素酸等の鉱酸類、蟻酸、酢酸等の脂肪酸、三
弗化硼酸、塩化アルミニウム、三臭化硼素等のルイス
酸、沃化ナトリウム、沃化カリウム等の沃化物、上記ル
イス酸と沃化物の混合物を挙げることができる。該反応
は、通常0〜150℃、好ましくは室温〜100℃にて
好適に進行し、一般に0.5〜15時間程度で終了す
る。
化合物(9)又は化合物(10)をそれぞれ化合物(2
a)又は化合物(2b)に導く反応は、塩基性化合物の
存在下、化合物(9)又は(10)を加水分解すること
により行なわれる。ここで使用される塩基性化合物とし
ては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化バリウム等を例示できる。
斯かる塩基性化合物は、化合物(9)又は化合物(1
0)に対して通常1〜15モル程度、好ましくは1〜1
0モル程度とするのがよい。また使用される溶媒として
は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等
のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
メトキシエタン等のエーテル類、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルリン酸トリア
ミド等やこれらの混合溶媒等を例示できる。上記反応
は、通常0〜200℃程度、好ましくは室温〜150℃
程度にて好適に進行し、一般に0.5〜15時間程度で
完結する。
化合物(9)又は化合物(10)のRがフェニル低級
アルキル基の場合は、前記化合物(8)又は化合物
(6)をそれぞれ化合物(9)又は(10)に導く還元
反応と同様の条件下に、化合物(9)又は化合物(1
0)を還元することによっても、それぞれ化合物(2
a)、化合物(2b)に導くことができる。
本発明の方法においては、まず上記で得られる化合物
(2)を環化して化合物(3)とする。
この環化反応には、前記反応式−1における化合物
(4)と混合物(5)との反応と同様の反応条件が採用
できる。特にトリフェニルホスフィン−2,2′−ジピ
リジルジスルフィド等のリン化合物又はトリメチルシリ
ルエトキシアセチレン等のアセチレン化合物を用いる方
法が好ましい。
本発明では、次いで化合物(3)のオキソ基を保護す
る。
オキソ基の保護は、化合物(3)に一般式 RX (11) 〔式中Xは前記に同じ。Rは低級アルコキシカルボニ
ル基、低級アルカノイル基、ベンゾイル基又はフェニル
環上に置換基としてハロゲン原子、低級アルコキシ基、
低級アルキル基、ニトロ基及びアミノ基なる群より選ば
れた基を有することのあるフェニル低級アルキル基を示
す。〕 で表わされる化合物又は一般式 (RO (12) 〔式中Rは低級アルコキシカルボニル基、低級アルカ
ノイル基又はベンゾイル基を示す。〕 て表わされる化合物を反応させることにより行なわれ
る。該反応は、前記反応式−1における化合物(6)と
化合物(7a)又は化合物(7b)との反応と同様の反
応条件下に行なわれる。
ここで低級アルカノイル基としては、ホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノ
イル、tert−ブチルカルボニル、ヘキサノイル基等の炭
素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルカノイル基を例示で
きる。
フェニル環上に置換基としてハロゲン原子、低級アルキ
ル基、ニトロ基、アミノ基及び低級アルコキシ基なる群
より選ばれた基を有することのあるフェニル低級アルキ
ル基しては、例えば、ベンジル、2−フェニルエチル、
1−フェニルエチル、3−フェニルプロピル、4−フェ
ニルブチル、1,1−ジメチル−2−フェニルエチル、
5−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル、2−メ
チル−3−フェニルプロピル、2−クロロベンジル、2
−(3−クロロフェニル)エチル、1−(4−クロロフ
ェニル)エチル、3−(2−フルオロフェニル)プロピ
ル、4−(3−フルオロフェニル)ブチル、1,1−ジ
メチル−2−(4−フルオロフェニル)エチル、5−
(2−ブロモフェニル)ペンチル、6−(3−ブロモフ
ェニル)ヘキシル、2−メチル−3−(4−ブロモフェ
ニル)プロピル、3−ヨードベンジル、2−(4−ヨー
ドフェニル)エチル、1−(3,5−ジクロロフェニ
ル)エチル、2−(3,4−ジクロロフェニル)エチ
ル、3−(2,6−ジクロロフェニル)プロピル、4−
(3,4−ジクロロフェニル)ブチル、1,1−ジメチ
ル−2−(3,4−ジフルコロフェニル)エチル、5−
(3,5−ジブロムフェニル)ペンチル、6−(3,
4,5−トリクロルフェニル)ヘキシル、4−メチルベ
ンジル、2−(2−メチルフェニル)エチル、1−(3
−メチルフェニル)エチル、3−(3−エチルフェニ
ル)プロピル、4−(2−エチルフェニル)ブチル、5
−(4−エチルフェニル)ペンチル、6−(3−イソプ
ロピルフェニル)ヘキシル、2−メチル−3−(4−ヘ
キシルフェニル)プロピル、2−(3,4−ジメチルフ
ェニル)エチル、2−(2,5−ジメチルフェニル)エ
チル、2−(3,4,5−トリメチルフェニル)エチ
ル、4−メトキシベンジル、3,4−ジメトキシベンジ
ル、3,4,5−トリメトキシベンジル、1−(3−メ
トキシフェニル)エチル、2−(2−メトキフェニル)
エチル、3−(2−エトキシフェニル)プロピル、4−
(4−エトキシフェニル)ブチル、5−(3−エトキシ
フェニル)ペンチル、6−(4−イソプロポキシフェニ
ル)ヘキシル、1,1−ジメチル−2−(4−ヘキシル
オキシフェニル)エチル、2−メチル−3−(3,4−
ジメトキシフェニル)プロピル、2−(3,4−ジメト
キシフェニル)エチル、2−(3,4−ジエトキシフェ
ニル)エチル、2−(3,4,5−トリメトキシフェニ
ル)エチル、1−(2,5−ジメトキシフェニル)エチ
ル、(2−クロロ−4−メトキシ)ベンジル、2−アミ
ノベンジル、1−(3−アミノフェニル)エチル、1−
(4−アミノフェニル)プロピル、1−(2,3−ジア
ミノフェニル)ブチル、1−(2,3,4−トリアミノ
フェニル)ペンチル、1−(2,4−ジアミノフェニ
ル)ヘキシル、2−トリロベンジル、1−(3−ニトロ
フェニル)エチル、1−(4−ニトロフェニル)プロピ
ル、1−(2,4−ジニトロフェニル)ブチル、1−
(2,4,6−トリニトロフェニル)ペンチル、1−
(2−クロロ−4−ニトロフェニル)ヘキシル、(3−
メチル−4−アミノ)ベンジル、トリチル、ジフェニル
メチル基等のフェニル環上に置換基としてハロゲン原
子、炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状アルキル基、ニト
ロ基、シアノ基及び炭素数1〜6の直鎖又は分枝鎖状ア
ルコキシ基なる群より選ばれた基を1〜3個有すること
のあるアルキル部分の炭素数が1〜6の直鎖又は分枝鎖
状アルキル基であり、該フェニル基が1〜3個置換した
フェニルアルキル基を例示できる。この中で特にベンジ
ル、1−フェニルエチル、1−(4−クロロフェニル)
エチル、1−(3,5−ジクロロフェニル)エチル、1
−(3−メチルフェニル)エチル、1−(3−メトキシ
フェニル)エチル、1−(2,5−ジメトキシフェニ
ル)エチル、トリチル、ジフェニルメチル基等のアルキ
ル部分の1位に上記置換又は未置換のフェニル基が1〜
3個置換したフェニル低級アルキル基が好ましい。
本発明において、引続き行なわれるメチル化反応は、適
当な溶媒中、触媒の存在下又は非存在下、上記で生成す
る化合物とジアゾメタンとを反応させることにより行な
われる。ここで使用される溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、プロパノール等の低級アルコール
類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテ
ル類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等の
ハロゲン化炭化水素類等やこれらの混合溶媒を例示でき
る。また使用される触媒としては、三臭化硼素、三弗化
硼素−ジエチルエーテル等のルイス酸等を例示できる。
ジアゾメタンは、原料化合物に対して通常大過剰量、好
ましくは10〜20倍当量程度とするのがよい。該反応
は、通常−30〜100℃程度、好ましくは−20〜7
0℃付近にて行なわれ、一般に0.5〜20時間程度で
該反応は完結する。
更に本発明では、斯くして得られた化合物中の保護基を
除去する。オキソ基の保護基が低級アルカノイル基もし
くはベンゾイル基又はRが低級アルコキシカルボニル
基、低級アルカノイル基もしくはベンゾイエル基である
場合は、当該化合物を加水分解処理すればい。この加水
分解は、前記化合物(9)又は化合物(10)の加水分
解と同様の反応条件下にて行なわれ得る。またRが低
級アルコキシカルボニル基である場合は、化合物(8)
又は化合物(6)をそれぞれ化合物(9)又は化合物
(10)に導く反応でRがテトラヒドロピラニルオキ
シ基の場合の加水分解の条件と同様の反応条件下にても
行なわれ得る。またオキソ基の保護基がフェニル環上に
置換基としてハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級ア
ルキル基、ニトロ基及びアミノ基なる群より選ばれた基
を有することのあるフェニル低級アルキル基である場合
は、当該化合物を還元処理すればよい。この還元反応
は、Rがフェニル低級アルコキシ基である化合物
(8)又は化合物(6)の還元反応と同様の反応条件下
にて行なわれ得る。
このようにして得られる各々の行程での目的化合物は、
通常の分離手段により容易に単離精製することができ
る。該分離手段としては、例えば溶媒抽出法、希釈法、
再結晶法、カラムクロマトグラフィー、プレパラティブ
薄層クロマトグラフィー等を例示できる。
発明の効果 本発明の方法によれば、目的とする式(1)で表わされ
るNF−1616−904物質を、微生物を用いず簡易
な操作により高純度且つ好収率で得ることができる。
実施例 以下に参考例及び実施例を挙げる。
参考例1 N−(α−ヒドロキシイミノ)−イソカプロイル−L−
トリプロファン メチルエステルの合成 L−トリプトファン メチルエステル6.54g、α−
ヒドロキシイミノ−イソカプロン酸4.35g、N−ヒ
ドロキシコハク酸イミド3.63gを乾ジオキサン22
0mlに溶解し、ジシクロヘキシルカルボジイミド6.1
9gを加えて、室温で24時間撹拌した。不溶物を去
し、液を減圧下、濃縮乾固し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル=
4:1)で精製し、目的物9.83g(95%)を得
た。
無色針状晶 mp109〜110℃(ジエチルエーテル−n−ヘキサ
ンより再結晶) H−NMR(250MHz、CDCl)δ: 0.91(6H,d,J=6.5Hz) 1.94−2.17(1H,m) 2.52(2H,d,J=7.5Hz) 3.32(2H,d,J=5.5Hz) 3.67(3H,s) 4.40−4.49(1H,m) 6.98(1H,d,J=2.5Hz) 7.10(1H,d,J=8Hz) 7.13(1H,d,J=8Hz) 7.19(1H,d,J=8Hz) 7.53(1H,d,J=8Hz) 7.59(1H,brs) 8.06(1H,brs) 参考例2 N−(α−ヒドロキシイミノ)−イソカプロイル−L−
トリプトファンの合成 N−(α−ヒドロキシイミノ)−イソカプロイル−L−
トリプトファン メチルエステル0.68gのエタノー
ル溶液20mlに、1N−水酸化ナトリウム水溶液6mlを
加えて、室温で30分攪拌した。氷冷下、攪拌しながら
1N−塩酸7mlで酸性とした後、酢酸エチルで抽出し、
飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、目的
物0.67gを得た。
無色針状晶 mp 97−98℃(ジクロロメタンより再結晶) H−NMR(250MHz、CDCl)δ: 0.79(3H,d,J=6.5Hz) 0.80(3H,d,J=6.5Hz) 1.80−2.30(1H,m) 2.40(2H,d,J=7.5Hz) 3.20(2H,d,J=5.5Hz) 4.85(1H,dd,J=14Hz,5.5Hz) 5.70−6.90(1H,br) 6.77(1H,d,J=2Hz) 7.00(1H,t,J=7.5Hz) 7.07(1H,t,J=7.5Hz) 7.16(1H,d,J=7.5Hz) 7.44(1H,d,J=7.5Hz) 8.00(1H,brs) 参考例3 N−(α−ベンジルオキシイミノ)イソカプロイル−L
−トリプトファン メチルエステルの合成 L−トリプトファン メチルエステル15.0g、α−
ベンジルオキシイミノ−イソカプロン酸15.4g、N
−ヒドロキシコハク酸イミド7.9gの1,4−ジオキ
サン(200ml)懸濁液に、ジシクロヘキシルカルボジ
イミド14.0gを室温で加え、同温で18時間攪拌し
た。反応液を過した後、過を減圧下留去した。得ら
れた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付
し、酢酸エチル−n−ヘキサン(1:2)の流分より2
7.73gの淡黄色油状物を得た。 H−NMR(250MHz、CDCl)δ: 0.87(6H,d,J=6.5Hz) 1.99(1H,m) 2.49(2H,d,J=7.5Hz) 3.32(2H,m) 3.66(3H,s) 4.91(1H,m) 5.80(2H,s) 6.87(1H,d,J=2.5Hz) 7.05−7.37(8H,m) 7.54(1H,d,J=8Hz) 7.96(1H,brs) 参考例4 α−ベンジルオキシイミノイソカプロン酸の合成 2−オキシ−イソカプロン酸ナトリウム 52.2g及びO−ベンジルヒドロキシアミン塩酸塩6
1.2gをメタノール600ml及びクロロホルム900
mlに懸濁させ、室温で20時間攪拌した。不溶物を去
し、液を減圧下濃縮乾固した残渣に、ジエチルエーテ
ル及び希塩酸を加えて分液した。ジエチルエーテル層を
飽和食塩水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶媒を減圧留去し、目的物63.0gを無色針状晶
として得た。
mp 83〜84℃ 参考例5 N−(α−ベンジルオキシイミノ)イソカプロイル−N
in−tert−ブトキシカルボニル−L−トリプトファン
メチルエステルの合成 N−(α−ベンジルオキシイミノ)イソカプロイル−1
−トリプトファン メチルエステル17.6gの無水ジ
クロロメタン溶液200mlに、トリエチルアミン5.7
ml、4−ジメチルアミノピリジン5.0g及びジ−tert
−ブチルジカルボナート9.3mlを加えて、室温で24
時間攪拌した。飽和硫酸水素カリウム水溶液、飽和食塩
水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留
去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n
−ヘキサン:酢酸エチル=8:1)で精製し、目的物を
淡黄色油状物として21.0g得た。 H−NMR(250MHz、CDCl)δ: 0.86(6H,d,J=6.5Hz) 1.65(9H,s) 1.88−2.07(1H,m) 2.48(2H,d,J=7.5Hz) 3.27(2H,d,J=5.5Hz) 3.69(3H,s) 4.94(1H,dt,J=8Hz,5,5Hz) 5.10(2H,s) 7.20(1H,t,J=7.5Hz) 7.23−7.46(7H,m) 7.42(1H,s) 7.50(1H,d,J=7.5Hz) 8.11(1H,d,J=8Hz) 参考例6 Nin−tert−ブトキシカルボニル−N−(α−ヒドロ
キシイミノ)イソカプロイル−L−トリプトファン メ
チルエステルの合成 N−(α−ベンジルオキシイミノ)イソカプロキル−N
in−tert−ブトキシカルボニル−L−トリプトファン
メチルエステル21.0gをエタノール220mlに溶
解し、10%パラジウム−炭素3.5gを加えて、水素
雰囲気下に40℃で3.5時間攪拌した。触媒を去
し、液を減圧濃縮して得られる残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル=
4:1)で精製し、目的物を淡黄色油状物として12.
6g得た。 H−NMR(200MHz、CDCl)δ: 0.91(6H,d,J=6.5Hz) 1.66(9H,s) 1.93−2.15(1H,m) 2.52(2H,d,J=7.5Hz) 3.25(2H,d,J=5.5Hz) 3.67(3H,s) 4.96(1H,dt,J=8Hz,5,5Hz) 7.20(1H,t,J=7.5Hz) 7.31(1H,t,J=7Hz) 7.40(1H,s) 7.47(1H,d,J=7Hz) 7.78(1H,s) 8.08(1H,d,J=8.5Hz) 参考例7 Nin−tert−ブトキシカルボニル−N−(α−ヒドロ
キシイミノ)イソカプロイル−L−トリプトファンの合
成 Nin−tert−ブトキシカルボニル−N−(α−ヒドロ
キシイミノ)イソカプロイル−L−トリプトファン メ
チルエステル12.6gのメタノール溶液600mlに、
1N−水酸化ナトリウム水溶液284mlを加え、室温で
12時間攪拌した。氷冷下、濃塩酸25mlで酸性とした
後、酢酸エチルで抽出した。飽和食塩水で3回洗浄し、
硫酸マグネシウムにて乾燥した。溶媒を減圧留去して得
られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(塩
化メチレン:メタノール=8:1→4:1)で精製し、
目的物を白色粉末として9.7g得た。 H−NMR(250MHz、CDCl− CDOD=1:1)δ: 0.85(6H,d,J=6.5Hz) 1.66(9H,s) 1.84−2.03(1H,m) 2.41(1H,dd,J=12.5Hz,7.5Hz) 2.47(1H,dd,J=12.5Hz,7.5Hz) 3.18(1H,dd,J=14.5Hz, 7Hz) 3.30−3.44(1H,m) 4.72(1H,dd,J=7Hz5Hz) 7.18(1H,t,J=7.5Hz) 7.26(1H,t,J=7.5Hz) 7.42(1H,s) 7.58(1H,d,J=7Hz) 8.04(1H,d,J=8Hz) 実施例1 5−ヒドロキシ−6−(インドール−3−イル)メチル
−3−イソブチル−1,2−ジヒドロ(1H)−ピラジ
ン−2−オン 4−オキシドの合成 (a)N−(α−ヒドロキシイミノ)−イソカプロイル−
L−トリプトファン メチルエステル2.1g及びトリ
メチルシリルエトキシアセチレン5.3mlをアセトニト
リル180ml中、60℃で7時間攪拌した。反応液をエ
バポレーターで減圧濃縮した後、更に真空ポンプ(0.
3mmHg)で濃縮シタ(40℃、1時間)。得られた黄色
タール状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(ジクロロメタノン:メタノール=20:1→4:1)
で精製し、目的物を淡黄色粉末状の形態で0.30gを
得た。
(b)N−(α−ヒドロキシイミノ)−イソカプロイル−
L−トリプトファン メチルエステル66.2mg、トリ
フェニルホスフィン210mg及び2,2′−ジピリジル
−ジスルフィド170mgの無水THF溶液5mlを、室温
で3時間攪拌した後、メタノール0.5mlを加え、溶媒
を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(塩化メチレン:メタノール=20:1→8:1
→4:1)で分離精製し、目的化合物を淡黄色粉末の形
態で10.8mg得た。
上記(a)及び(b)で得られた上記目的化合物のNMRスペ
クトルは以下の通りである。 H−NMR(200MHz、CDCl− CDOD=1:1)δ: 0.92(6H,d,J=6.5Hz) 2.15−2.39(1H,m) 2.76(2H,d,J=7Hz) 4.13(2H,s) 6.99(1H,t,J=7.5Hz) 7.11(1H,t,J=7.5Hz) 7.14(1H,s) 7.36(1H,d,J=7.5Hz) 7.61(1H,d,J=7.5Hz) 実施例2 3−tert−ブトキシカルボニルオキシ−6−ヒオロキシ
−5−(インドール−3−イル)メチル−2−イソブチ
ルピラジン 1−オキシドの合成 窒素気流中、5−ヒドロキシ−6−(インドール−3−
イル)メチル−3−イソブチル−1,2−ジヒドロ(1
H)−ピラジン−2−オン 4−オキシド247mg及び
無水ジクロロメタン25mlを無水ジメチルホルムアミド
5mlに溶解し、氷冷下にジ−tert−ブチルジカルボナー
ト189mg、4−ジメチルアミノピリジン10mg及びト
リエチルアミン0.12mlを加えて、80分間攪拌し
た。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液10mlを加え
て、有機層を分離した。水層をジクロロメタン10mlで
2度抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で3度洗浄
し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメ
タン:メタノール=20:1→10:1)で精製し、目
的物を153mg得た。
淡褐色固体 H−NMR(500MHz、CDCl)δ: 0.85(6H,d,J=6.5Hz) 1.56(9H,s) 2.10−2.25(1H,m) 2.70(2H,d,J=7Hz) 4.19(2H,s) 6.93−7.18(4H,m) 7.72(1H,d,J=7.5Hz) 8.11(1H,brs) IR νmax(CHCl):1755、 1605、1535、1500、1255、 1155、1130cm-1 実施例3 3−tert−ブトキシカルボニルオキシ−5−(インドー
ル−3−イル)メチル−2−イソブチル−6−メトキシ
ピラジン 1−オキシドの合成 3−tert−ブトキシカルボニルオキシ−6−ヒドロキシ
−5−(インドール−3−イル)メチル−2−イソブチ
ルピラジン 1−オキシド10mgをジクロロメタン−メ
タノール(3:1)0.5mlに溶解し、氷冷下ジアゾメ
タンのジエチルエーテル溶液と0.1M−三臭化硼素
(塩化メチレン溶液)4〜5滴とを順次加え、コルク栓
をして室温で12時間攪拌した。ジクロロメタン5mlで
希釈後、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸ナト
リウムにて乾燥した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカ
ゲル薄層クロマトグラフィー(ジクロロメタン:メタノ
ール=40:1)で精製し、目的物を3.6mg得た。
淡褐色固体 H−NMR(250MHz、CDCl)δ: 0.94(6H,d,J=6.5Hz) 1.55(9H,s) 2.10−2.33(1H,m) 2.71(2H,d,J=7Hz) 3.89(3H,s) 4.23(2H,s) 7.08(1H,d,J=2.5Hz) 7.10−7.23(2H,m) 7.33(1H,d,J=9Hz) 7.73(1H,d,J=7.5Hz) 8.12(1H,brs) IR νmax(CHCl):1770cm-1 実施例4 6−(インドール−3−イル)メチル−3−イソブチル
−5−メトキシ−1,2−ジヒドロ(1H)−ピラジン
−2−オン 4−オキシド(NF−1616−904物
質)の合成 窒素気流下、3−tert−ブトキシカルボニルオキシ−5
−(インドール−3−イル)メチル−2−イソブチル−
6−メトキシピラジン 1−オキシド2.2mgの無水ジ
クロロメタン溶液0.4mlにトリフルオロ酢酸0.1ml
を滴下し、室温で30分間攪拌した。溶媒を室温で減圧
留去し、残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィー(ジ
クロロメタン:メタノール=15:1)で精製し、メタ
ノール−クロロホルムより再結晶して、目的物を1.2
mg得た。
淡黄色プリズム晶 mp 222〜224℃ 実施例5 6−[(1−tert−ブトキシカルボニル)インドール−
3−イル]メチル−5−ヒドロキシ−3−イソブチル−
1,2−ジヒドロ(1H)ピラジン−2−オン 4−オ
キシドの合成 Nin−tert−ブトキシカルボニル−N−(α−ヒドロ
キシイミノ)イソカプロイル−L−トリプトファン1.
87g及びトリメチルシリルエトキシアセチレン4.4
mlをアセトニトリル200ml中、60℃で2時間攪拌し
た。反応液をエバポレーターを用い、続いて真空ポンプ
で減圧濃縮した(40℃、1時間)。得られた黄色ター
ル状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(塩化
メチレン:メタノール=30:1→7:1)で精製し、
目的物0.30gを黄色固体として得た。 H−NMR(500MHz、CDCl− CDOD=10:1)δ: 0.83(6H,d,J=6Hz) 1.65(9H,s) 2.05−2.17(1H,m) 2.70(2H,d,J=7.5Hz) 4.07(2H,s) 7.11(1H,t,J=8Hz) 7.26(1H,t,J=8Hz) 7.51(1H,s) 7.57(1H,d,J=8Hz) 8.06(1H,d,J=8Hz) 実施例6 3−ベンジルオキシ−5−[(1−tert−ブトキシカル
ボニル)インドール−3−イル]メチル−6−ヒドロキ
シ−2−イソブチルピラジン 1−オキシドの合成 窒素気流下、乾燥したナス型コルベンに水素化ナトリウ
ム(60%油状)5.4mgを入れ、無水n−ヘキサン
(1ml×2)で洗浄してオイルを除去した。無水ジメチ
ルホルムアミド0.5mlを加え、氷冷下に6−[(1−
tert−ブトキシカルボニル)インドール−3−イル]メ
チル−5−ヒドロキシ−3−イソブチル−1,2−ジヒ
ドロ(1H)ピラジン−2−オン 4−オキシド13.
7mgの無水ジメチルホルムアミド0.5ml溶液を加え
た。約2分後、臭化ベンジル0.03mlを加え、同条件
下に40分間攪拌した。反応液に飽和塩化アンモニウム
10mlを加えて反応を停止し、ジクロロメタン(10ml
×2)で抽出した。有機層を合わせて飽和食塩水10ml
で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮した。更
に真空ポンプ(0.3mmHg)で一部残留していたジメチ
ルホルムアミドを減圧留去(50℃、15分間)した。
残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィー(ジクロロメ
タン:メタノール=30:1)で精製し、目的物を12
mg得た。
淡黄色固体 H−NMR(500MHz、CDCl)δ: 0.89(6H,d,J=6Hz) 1.64(9H,s) 2.15−2.26(1H,m) 2.82(2H,d,J=7Hz) 4.24(2H,s) 6.92(1H,brs) 5.19(2H,s) 7.15−7.40(7H,m) 7.71(1H,d,J=7Hz) 8.06(1H,d,J=8Hz) IR νmax(CHCl):1720cm-1 実施例7 3−ベンジルオキシ−5−[(1−tert−ブトキシカル
ボニル)インドール−3−イル]メチル−2−イソブチ
ル−6−メトキシピラジン 1−オキシドの合成 氷冷下、3−ベンジルオキシ−5[(1−tert−ブトキ
シカルボニル)インドール−3−イル]メチル−6−ヒ
ドロキシ−2−イソブチルピラジン 1−オキシド8.
5mgのジクロロメタン−メタノール(3:1、0.5m
l)溶液にジアゾメタンのジエチルエーテル溶液(10
〜20当量)及び三臭化硼素(0.1Mジクロロメタン
溶液、0.015ml)を順次加え、コルク栓をして室温
で攪拌した。3時間後、ジアゾメタンのジエチルエーテ
ル溶液及び三臭化硼素(0.1Mジクロロメタン溶液)
を上記と同量追加し、終夜攪拌した。反応液を加温しな
がら窒素ガスをバブリングして溶媒を留去した。残渣を
シリカゲル薄層クロマトグラフィー(ジクロロエタン:
メタノール=40:1)で精製し、目的物を3.0mg得
た。
淡褐色固体 H−NMR(500MHz、CDCl)δ: 0.92(6H,d,J=6.5Hz) 1.66(9H,s) 2.17−2.27(1H,m) 2.79(2H,d,J=7.5Hz) 3.99(3H,s) 4.10(2H,s) 5.31(2H,s) 7.21(1H,d,J=8Hz) 7.26−7.52(6H,m) 7.48(1H,s) 7.66(1H,d,J=8Hz) 8.10(1H,d,J=8Hz) IR νmax(CHCl):1725cm-1 実施例8 3−ベンジルオキシ−5−[(1−メトキシカルボニ
ル)インドール−3−イル]メチル−2−イソブチル−
6−メトキシピラジン 1−オキシドの合成 窒素気流下、3−ベンジルオキシ−5−[(1−tert−
ブトキシカルボニル)インドール−3−イル]メチル−
6−ヒドロキシ−2−イソブチルピラジン 1−オキシ
ド7mgの無水ジクロロメタン溶液に−40℃で三臭化硼
素のジクロロメタン溶液(0.1M、0.17ml)を加
えた。同条件下に20分間攪拌後、氷水5mlを加え、ジ
クロロメタン(5ml×3)で抽出した。有機層を合わせ
て飽和食塩水5mlで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を減圧留去し、黄色固体を6.6mg得た。
上記粗生成物6.6mgをジクロロメタン−メタノール
(3:1、0.5ml)に溶解し、氷冷下ジアゾメタンの
ジエチルエーテル溶液(10〜20当量)を加えた。室
温で3時間攪拌後、反応液を加温しながら窒素ガスをバ
ブリングして溶媒を留去し、目的物6.5mgを得た。 H−NMR(500MHz、CDCl)δ: 0.92(6H,d,J=7Hz) 1.56(9H,s) 2.15−2.27(1H,m) 2.79(2H,d,J=7.5Hz) 3.98(3H,s) 4.03(3H,s) 4.10(2H,s) 5.32(2H,s) 7.23(1H,t,J=8Hz) 7.32(5H,s) 7.33(1H,t,J=8Hz) 7.46(1H,s) 7.66(1H,d,J=8Hz) 8.16(1H,d,J=8Hz) IR νmax(CHCl):1730cm-1 実施例9 3−ベンジルオキシ−5−(インドール−3−イル)メ
チル−2−イソブチル−6−メトキシピラジン 1−オ
キシドの合成 (a)窒素気流下、3−ベンジルオキシ−5−[(1−ter
t−ブトキシカルボニル)インドール−3−イル]メチ
ル−2−イソブチル−6−メトキシピラジン 1−オキ
シド2.3mgの無水ジクロロメタン0.4ml溶液にトリ
フルオロ酢酸0.1mlを加え、室温で1.5時間攪拌し
た。反応液を室温で減圧濃縮した。残渣をシリカゲル薄
層クロマトグラフィー(ジクロロメタン:メタノール=
25:1)で精製し、目的物を1.0mg得た。
白色固体 mp 140〜142℃ (b)3−ベンジルオキシ−5−[(1−メトキシカルボ
ニル)インドール−3−イル]メチル−2−イソブチル
−6−メトキシピラジン 1−オキシド6.5mgをメタ
ノール−テトラヒドロフラン(3:1、0.4ml)に溶
解し、1N水酸化カリウム水溶液0.1mlを加えた。3
0℃で1時間攪拌後、室温で溶媒を減圧濃縮した。残渣
に塩化メチレン5ml及び0.1N塩酸2mlを加え、有機
層を分離した。水層からジクロロメタン(5ml×2)で
抽出し、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄した。硫酸
ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮し、残渣をシリカゲル薄
層クロマトグラフィー(ジクロロメタン:メタノール=
50: ー1)で精製し、目的物を1.3mg得た。
白色固体 mp 140〜142℃ 上記(a)及び(b)で得られた上記目的物のNMRスペクト
ル及びマススペクトルは、それぞれ以下の通りである。 H−NMR(250MHz、CDCl)δ: 0.92(6H,d,J=6.5Hz) 2.12−2.32(1H,m) 2.78(2H,d,J=7Hz) 3.93(3H,s) 4.18(2H,s) 5.37(2H,s) 7.05(1H,d,J=2Hz) 7.13(1H,t,J=8Hz) 7.19(1H,t,J=8Hz) 7.35(5H,s) 7.36(1H,d,J=8Hz) 7.76(1H,d,J=8Hz) 8.06(1H,brs) MSスペクトル; m/s:418(13%)、417(M,31%)、
401(22%)、400(51%)、358(10
%)、193(100%) 実施例10 6−(インドール−3−イル)メチル−3−イソブチル
−5−メトキシ−1,2−ジヒドロ(1H)ピラジン−
2−オン 4−オキシド(NF−1616−904物
質)の合成 3−ベンジルオキシ−5−(インドール−3−イル)メ
チル−2−イソブチル−6−メトキシピラジン 1−オ
キシ2.69gをメタノール140mlに溶解し、これに
10%パラジウム−炭素0.54gを加えて、水素雰囲
気下に室温で1時間攪拌した。ジクロロメタン150ml
を加えて20分間攪拌シタ後、触媒を去し、メタノー
ル−クロロホルムから再結晶して、上記目的物を1.9
4g得た。
淡黄色プリズム晶 mp 222〜224℃

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 〔式中Rは水素原子、低級アルコキシカルボニル基、
    低級アルカノイル基又はベンゾイル基を示す。〕 で表わされるインドール誘導体を環化して一般式 〔式中Rは前記に同じ。〕 で表わされるインドール誘導体を得、次いで該誘導体の
    オキソ基を保護した後、メチル化し、更にメチル化され
    たインドール誘導体中の保護基を除去することを特徴と
    する式 で表わされるNF−1616−904物質の製造法。
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