JPH0644099Y2 - 半導体素子用樹脂封止装置 - Google Patents
半導体素子用樹脂封止装置Info
- Publication number
- JPH0644099Y2 JPH0644099Y2 JP8322988U JP8322988U JPH0644099Y2 JP H0644099 Y2 JPH0644099 Y2 JP H0644099Y2 JP 8322988 U JP8322988 U JP 8322988U JP 8322988 U JP8322988 U JP 8322988U JP H0644099 Y2 JPH0644099 Y2 JP H0644099Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- mold
- target temperature
- pid control
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Temperature (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、リードフレーム上に半導体素子を樹脂封止
する半導体素子用樹脂封止装置に係わり、特にその金型
温度制御部の構造に関するものである。
する半導体素子用樹脂封止装置に係わり、特にその金型
温度制御部の構造に関するものである。
一般に半導体素子用樹脂封止装置は、上金型を保持する
上プラテン，基台となる下部プラテン及び下金型を保持
する移動プラテンを有し、移動プラテンを上昇させて上
記上金型と下金型とを型締めし、この上，下金型間に載
置されたリードフレーム及び半導体素子を樹脂封止する
ものである。このような樹脂封止装置においては、樹脂
として熱硬化性樹脂が用いられ、したがつて金型表面温
度を約200℃程度に制御する必要があることから、金型
温度制御部が必要不可欠となつている。
上プラテン，基台となる下部プラテン及び下金型を保持
する移動プラテンを有し、移動プラテンを上昇させて上
記上金型と下金型とを型締めし、この上，下金型間に載
置されたリードフレーム及び半導体素子を樹脂封止する
ものである。このような樹脂封止装置においては、樹脂
として熱硬化性樹脂が用いられ、したがつて金型表面温
度を約200℃程度に制御する必要があることから、金型
温度制御部が必要不可欠となつている。
第３図に従来の半導体素子用樹脂封止装置の金型温度制
御部の構成を示すブロツク図である。同図において、１
は金型、１（2a,2b）は金型１の温度を検出する温度セ
ンサ、３（3a,3b）はそれぞれ温度センサ２（2a,2b）と
対で金型１内に設けられたヒータ、11は温度センサ２の
測温結果に基いて金型１の温度制御を行なうヒータコン
トローラ、12はこのヒータコントローラ11の出力を受け
てヒータ３に電力を供給するヒータドライブ回路であ
る。また、上記ヒータコントローラ11において４は温度
センサ２の出力を補償するためのアンプ、５はA/D変換
回路、６は目標温度に補正値を加算することにより目標
温度の補正を行なう目標温度補正手段、７は補正後の目
標温度と測温結果との偏差を検出する偏差検出器、８は
偏差検出器７の出力に比例定数を掛けたものとこの比例
定数を掛けたものをさらに積分したもの及び微分したも
のを加算するPID制御部、９は上記PID制御部８の出力を
ある期間の通電率に変換する通電率変換手段、10は出力
トランジスタ部である。
御部の構成を示すブロツク図である。同図において、１
は金型、１（2a,2b）は金型１の温度を検出する温度セ
ンサ、３（3a,3b）はそれぞれ温度センサ２（2a,2b）と
対で金型１内に設けられたヒータ、11は温度センサ２の
測温結果に基いて金型１の温度制御を行なうヒータコン
トローラ、12はこのヒータコントローラ11の出力を受け
てヒータ３に電力を供給するヒータドライブ回路であ
る。また、上記ヒータコントローラ11において４は温度
センサ２の出力を補償するためのアンプ、５はA/D変換
回路、６は目標温度に補正値を加算することにより目標
温度の補正を行なう目標温度補正手段、７は補正後の目
標温度と測温結果との偏差を検出する偏差検出器、８は
偏差検出器７の出力に比例定数を掛けたものとこの比例
定数を掛けたものをさらに積分したもの及び微分したも
のを加算するPID制御部、９は上記PID制御部８の出力を
ある期間の通電率に変換する通電率変換手段、10は出力
トランジスタ部である。
次に動作について説明する。金型１の温度は、温度セン
サ２によつて検出され、その検出出力はアンプ４及びA/
D変換回路５を介して偏差検出器７に入力される。設定
されている目標温度は目標温度補正手段６により設定さ
れている補正値が加算され、偏差検出器７に入力され
る。その偏差に対してPID制御部８でPID制御が行なわれ
る。そして、このPID制御出力は所定期間における通電
率に変換され、トランジスタ部10が駆動制御される。こ
れによりヒータドライブ回路12がヒータ３に通電を行な
う。
サ２によつて検出され、その検出出力はアンプ４及びA/
D変換回路５を介して偏差検出器７に入力される。設定
されている目標温度は目標温度補正手段６により設定さ
れている補正値が加算され、偏差検出器７に入力され
る。その偏差に対してPID制御部８でPID制御が行なわれ
る。そして、このPID制御出力は所定期間における通電
率に変換され、トランジスタ部10が駆動制御される。こ
れによりヒータドライブ回路12がヒータ３に通電を行な
う。
従来の金型温度制御部は、以上のように構成されている
ので、金型表面温度を、設定された目標温度に制御する
ためには、金型１内に設けられた温度センサ２の温度と
金型表面温度の温度差を目標温度の補正値として入力す
ることになる。しかし、この温度差は金型１の温度変化
に対し一定ではないため、上記金型表面温度の調整で
は、温度飽和，温度測定，補正値変更をくり返し行なわ
なければならず、温度調整に時間がかかるなどの問題が
あつた。また、目標温度を変更するごとに補正値を調整
する必要があつた。
ので、金型表面温度を、設定された目標温度に制御する
ためには、金型１内に設けられた温度センサ２の温度と
金型表面温度の温度差を目標温度の補正値として入力す
ることになる。しかし、この温度差は金型１の温度変化
に対し一定ではないため、上記金型表面温度の調整で
は、温度飽和，温度測定，補正値変更をくり返し行なわ
なければならず、温度調整に時間がかかるなどの問題が
あつた。また、目標温度を変更するごとに補正値を調整
する必要があつた。
この考案は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、金型表面温度の調整を簡略化するとともに
目標温度を変更するときにおいても調整が不要な温度制
御を可能とした半導体素子用樹脂封止装置を提供するこ
とを目的としている。
れたもので、金型表面温度の調整を簡略化するとともに
目標温度を変更するときにおいても調整が不要な温度制
御を可能とした半導体素子用樹脂封止装置を提供するこ
とを目的としている。
この考案に係る金型温度制御部は、偏差検出の基準とな
る目標温度を、ゲイン定数の積算及びオフセツト定数の
加算で補正するとともに温度センサの温度と金型表面温
度との関係をゲイン定数，オフセツト定数で入力可能と
したものである。
る目標温度を、ゲイン定数の積算及びオフセツト定数の
加算で補正するとともに温度センサの温度と金型表面温
度との関係をゲイン定数，オフセツト定数で入力可能と
したものである。
この考案における金型温度制御部は、目標温度がゲイン
定数，オフセツト定数により補正され、この補正された
目標温度と検出温度との偏差により、PID制御が行なわ
れる。その制御出力が所定期間における通電率に変換さ
れ、この変換出力がヒータを通電する。
定数，オフセツト定数により補正され、この補正された
目標温度と検出温度との偏差により、PID制御が行なわ
れる。その制御出力が所定期間における通電率に変換さ
れ、この変換出力がヒータを通電する。
以下、この考案の実施例を図について説明する。
第１図は本考案の半導体素子用樹脂封止装置の金型温度
制御部の構成を示すブロツク図であり、前述の図と同一
部分には同一符号を付してある。同図において、13は目
標温度にゲイン定数の積算及びオフセツト定数の加算を
行ない目標温度の補正を行なう目標温度補正回路であ
る。
制御部の構成を示すブロツク図であり、前述の図と同一
部分には同一符号を付してある。同図において、13は目
標温度にゲイン定数の積算及びオフセツト定数の加算を
行ない目標温度の補正を行なう目標温度補正回路であ
る。
次に動作について説明する。金型１の温度は温度センサ
２によつて検出され、その検出出力はアンプ４及びA/D
変換回路５を介して偏差検出器７に入力される。設定さ
れている目標温度は目標温度補正回路13で設定されてい
るゲイン定数が積算され、さらにオフセツト定数が加算
されて偏差検出器７に入力される。その偏差に対してPI
D制御部８でPID制御が行なわれる。そして、このPID制
御部８の出力は所定期間における通電率に変換され、出
力トランジスタ部10が駆動制御される。これによりヒー
タドライブ回路12がヒータ３に通電を行なう。
２によつて検出され、その検出出力はアンプ４及びA/D
変換回路５を介して偏差検出器７に入力される。設定さ
れている目標温度は目標温度補正回路13で設定されてい
るゲイン定数が積算され、さらにオフセツト定数が加算
されて偏差検出器７に入力される。その偏差に対してPI
D制御部８でPID制御が行なわれる。そして、このPID制
御部８の出力は所定期間における通電率に変換され、出
力トランジスタ部10が駆動制御される。これによりヒー
タドライブ回路12がヒータ３に通電を行なう。
次に目標温度を補正するゲイン定数とオフセツト定数に
ついて第２図を用いて説明する。ゲイン定数1,オフセツ
ト定数０とし、異なる目標温度での金型表面温度を測定
し第２図に示すように目標温度−金型表面温度のグラフ
を作成し回帰式を求める。目標温度は温度センサ２の温
度と同等である。
ついて第２図を用いて説明する。ゲイン定数1,オフセツ
ト定数０とし、異なる目標温度での金型表面温度を測定
し第２図に示すように目標温度−金型表面温度のグラフ
を作成し回帰式を求める。目標温度は温度センサ２の温
度と同等である。
Ｙ＝aX＋ｂ ・・・・（１） 目標温度のゲイン定数，オフセツト定数をそれぞれG,θ
とすると、 Ｙ＝ａ（Ｇ・Ｘ＋θ）＋ｂ ・・・・（２） 関係式が（３）式となるG,θを求めると、 Ｙ＝Ｘ ・・・・（３） （２）式，（３）式の恒等式より Ｇ＝1/a,θ＝−b/a 上記のように求めたゲイン定数，オフセツト定数で目標
温度を補正すると、金型表面温度が目標温度に制御され
ることになる。この制御を行なうことにより、異なる温
度での２回の温度飽和，表面温度測定を行なえば、温度
調整は完了し、目標温度を任意の温度に設定できる。
とすると、 Ｙ＝ａ（Ｇ・Ｘ＋θ）＋ｂ ・・・・（２） 関係式が（３）式となるG,θを求めると、 Ｙ＝Ｘ ・・・・（３） （２）式，（３）式の恒等式より Ｇ＝1/a,θ＝−b/a 上記のように求めたゲイン定数，オフセツト定数で目標
温度を補正すると、金型表面温度が目標温度に制御され
ることになる。この制御を行なうことにより、異なる温
度での２回の温度飽和，表面温度測定を行なえば、温度
調整は完了し、目標温度を任意の温度に設定できる。
以上説明したようにこの考案によれば、温度センサの温
度と金型表面温度との関係より、偏差検出の基準である
目標温度のゲイン定数，オフセツト定数を求め、目標温
度を補正するように制御したので、温度調整が簡略化で
き、また目標温度の変更後も調整が不要となるなどの極
めて優れた効果が得られる。
度と金型表面温度との関係より、偏差検出の基準である
目標温度のゲイン定数，オフセツト定数を求め、目標温
度を補正するように制御したので、温度調整が簡略化で
き、また目標温度の変更後も調整が不要となるなどの極
めて優れた効果が得られる。
第１図はこの考案の一実施例による半導体素子用樹脂封
止装置の金型温度制御部の構成を示すブロツク図、第２
図はゲイン＝1,オフセツト＝０での目標温度と金型表面
温度との関係を示す図、第３図は従来の半導体素子用樹
脂封止装置の金型温度制御部の構成を示すブロツク図で
ある。 １……金型、２（2a,2b）……温度センサ、３（3a,3b）
……ヒータ、４……アンプ、５……A/D変換回路、７…
…偏差検出器、８……PID制御部、９……通電率変換手
段、10……出力トランジスタ部、11……ヒータコントロ
ーラ、12……ヒータドライブ回路、13……目標温度補正
回路。
止装置の金型温度制御部の構成を示すブロツク図、第２
図はゲイン＝1,オフセツト＝０での目標温度と金型表面
温度との関係を示す図、第３図は従来の半導体素子用樹
脂封止装置の金型温度制御部の構成を示すブロツク図で
ある。 １……金型、２（2a,2b）……温度センサ、３（3a,3b）
……ヒータ、４……アンプ、５……A/D変換回路、７…
…偏差検出器、８……PID制御部、９……通電率変換手
段、10……出力トランジスタ部、11……ヒータコントロ
ーラ、12……ヒータドライブ回路、13……目標温度補正
回路。
フロントページの続き (72)考案者 松尾 光高 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 三菱電機エンジニアリング株式会社ＬＳＩ 設計センター福岡支所内 (72)考案者 入口 伸貴 福岡県福岡市西区今宿東１丁目１番１号 三菱電機エンジニアリング株式会社ＬＳＩ 設計センター福岡支所内 (56)参考文献 特開 昭62−78834（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレーム上に形成された半導体素子
を樹脂封止する上，下金型と、各金型内の各個所に分散
して設けられたヒータと、上記ヒータと対で設けられた
温度センサと、上記温度センサの温度と金型表面温度と
の温度差の補正を、目標温度を変数とする一次式で表さ
れる補正量により行なう目標温度補正手段と、上記金型
温度測定結果と補正された目標金型温度との偏差により
PID制御を行なうPID制御部と、PID制御出力を所定期間
における通電率に変換する通電率変換手段とを備えたこ
とを特徴とする半導体素子用樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8322988U JPH0644099Y2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体素子用樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8322988U JPH0644099Y2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体素子用樹脂封止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024242U JPH024242U (ja) | 1990-01-11 |
| JPH0644099Y2 true JPH0644099Y2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=31307955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8322988U Expired - Lifetime JPH0644099Y2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体素子用樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644099Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2537200Y2 (ja) * | 1990-11-28 | 1997-05-28 | エスエムシー 株式会社 | ラックピニオン形揺動アクチュエータ |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP8322988U patent/JPH0644099Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024242U (ja) | 1990-01-11 |
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