JPH0644551B2 - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPH0644551B2 JPH0644551B2 JP60177961A JP17796185A JPH0644551B2 JP H0644551 B2 JPH0644551 B2 JP H0644551B2 JP 60177961 A JP60177961 A JP 60177961A JP 17796185 A JP17796185 A JP 17796185A JP H0644551 B2 JPH0644551 B2 JP H0644551B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- pattern
- resist
- formation method
- pattern formation
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超微細なレジストパターン形成方法に関するも
のである。
のである。
従来の技術 半導体素子の微細化要請につれて、微細パターンを形成
するフォトリソグラフィ技術が重要となっている。フォ
トリソグラフィ技術には、光露光，電子ビーム露光，Ｘ
線露光などがある。この中で、光露光は、光による回折
の影響があるために、普通では、0.5μｍ以下の微細パ
ターンを形成することができない。一方、電子ビーム露
光，Ｘ線露光は、0.5μｍ以下の微細パターンを形成す
ることが可能であるが、装置価格が高く、しかもスルー
プットが低いという欠点を持つ。
するフォトリソグラフィ技術が重要となっている。フォ
トリソグラフィ技術には、光露光，電子ビーム露光，Ｘ
線露光などがある。この中で、光露光は、光による回折
の影響があるために、普通では、0.5μｍ以下の微細パ
ターンを形成することができない。一方、電子ビーム露
光，Ｘ線露光は、0.5μｍ以下の微細パターンを形成す
ることが可能であるが、装置価格が高く、しかもスルー
プットが低いという欠点を持つ。
発明が解決しようとする問題点 以上に述べたように、0.5μｍ以下の微細パターンを形
成する場合、高価で、スループットの低い、電子ビーム
露光装置やＸ線露光装置を用いなければならなかった。
成する場合、高価で、スループットの低い、電子ビーム
露光装置やＸ線露光装置を用いなければならなかった。
本発明は上記の問題点を解決し、光露光を用いて0.5μ
ｍ以下の微細なパターンを形成する方法を提供するもの
である。
ｍ以下の微細なパターンを形成する方法を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段 本発明は、基板上に所定形状のレジストパターンを形成
し、同レジストパターンにＦまたはＣｌを含むプラズマ
を等方的に照射することにより、前記レジストパターン
の表面と側面を硬化させる工程、そののち、Ｏ2ガスを
用いた反応性イオンエッチングによって前記レジストを
異方的に所定の厚みにエッチングし、その後、有機溶剤
中に浸して、前記プラズマ照射で硬化されないレジスト
部分を除去し、前記レジストパターンの硬化部分を残存
させる工程をそなえたことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。
し、同レジストパターンにＦまたはＣｌを含むプラズマ
を等方的に照射することにより、前記レジストパターン
の表面と側面を硬化させる工程、そののち、Ｏ2ガスを
用いた反応性イオンエッチングによって前記レジストを
異方的に所定の厚みにエッチングし、その後、有機溶剤
中に浸して、前記プラズマ照射で硬化されないレジスト
部分を除去し、前記レジストパターンの硬化部分を残存
させる工程をそなえたことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。
作用 本発明によると、レジストパターンの表面層が、Ｆまた
はＣｌを含むプラズマの照射によって等方性をもって硬
化変質し、その後、反応性イオンエッチングにより、同
表面層を異方性エッチして、前記レジストパターンの側
面の硬化変質部のみを残すことができ、かくして、光露
光により形成したレジストパターンを用いて、上記硬化
変質部の厚み相当の幅、つまり、実質的に0.5μｍ以下
の超微細なパターンを形成することができる。
はＣｌを含むプラズマの照射によって等方性をもって硬
化変質し、その後、反応性イオンエッチングにより、同
表面層を異方性エッチして、前記レジストパターンの側
面の硬化変質部のみを残すことができ、かくして、光露
光により形成したレジストパターンを用いて、上記硬化
変質部の厚み相当の幅、つまり、実質的に0.5μｍ以下
の超微細なパターンを形成することができる。
実施例 以下に、図面を参照して、本発明の実施例について説明
する。始めに、半導体基板１にレジストパターン２を形
成する。レジストパターン２は、たとえば、以下のよう
な工程で形成することができる。基板上に東京応化製ホ
トレジストＯＦＰＲ８００を1.2μｍの厚さに塗布し、
８５℃２０分間のプリベークを行う。次に、縮小投影露
光手段、いわゆる、ステッパーを用いて１００mj/cm2で
露光を行い、東京応化製の専用現像液商品名ＮＭＤ−３
を用いて１分間現像することにより、レジストパターン
２を形成することができる。このレジストパターン２
に、第１図ａに示すように、円筒形プラズマエッチング
装置を用いて、C2HCl3／５％O2のガスを用いて、0.4Tor
rで、プラズマ発生用電力１５Ｗで１分間プラズマ照射
を行う。このプラズマ照射はレジストの表面と側面を硬
化変質させる目的で行っている。次に、第２図ｂに示す
ように、異方性の反応性イオンエッチング装置を用い
て、O2ガスによりエッチングを行い、レジストパターン
２の表面のみを0.1μｍ以上除去する。この過程とし
て、圧力１５ｍTorr，ＲＦ電力１７５Ｗ，O2ガス流量４
０sccmの条件で１分間エッチングを行った。最後に、酢
酸イソアミルに１０秒間浸漬することにより、第１図ｃ
に示すパターン幅が0.1μｍの硬化変質された部分のみ
の微細レジストパターン４を形成することができる。
する。始めに、半導体基板１にレジストパターン２を形
成する。レジストパターン２は、たとえば、以下のよう
な工程で形成することができる。基板上に東京応化製ホ
トレジストＯＦＰＲ８００を1.2μｍの厚さに塗布し、
８５℃２０分間のプリベークを行う。次に、縮小投影露
光手段、いわゆる、ステッパーを用いて１００mj/cm2で
露光を行い、東京応化製の専用現像液商品名ＮＭＤ−３
を用いて１分間現像することにより、レジストパターン
２を形成することができる。このレジストパターン２
に、第１図ａに示すように、円筒形プラズマエッチング
装置を用いて、C2HCl3／５％O2のガスを用いて、0.4Tor
rで、プラズマ発生用電力１５Ｗで１分間プラズマ照射
を行う。このプラズマ照射はレジストの表面と側面を硬
化変質させる目的で行っている。次に、第２図ｂに示す
ように、異方性の反応性イオンエッチング装置を用い
て、O2ガスによりエッチングを行い、レジストパターン
２の表面のみを0.1μｍ以上除去する。この過程とし
て、圧力１５ｍTorr，ＲＦ電力１７５Ｗ，O2ガス流量４
０sccmの条件で１分間エッチングを行った。最後に、酢
酸イソアミルに１０秒間浸漬することにより、第１図ｃ
に示すパターン幅が0.1μｍの硬化変質された部分のみ
の微細レジストパターン４を形成することができる。
なお、以上の実施例では、東京応化社製商品名ＯＦＰＲ
８００として周知のジアゾ系ノボラック樹脂からなるポ
ジ形ホトレジストについて説明を行ったが、他のレジス
トについても同じようにしてパターンを形成できる。ま
た、C2HCl3／O2にかえて、CF4／５％O2を用いても同じ
効果がえられる。
８００として周知のジアゾ系ノボラック樹脂からなるポ
ジ形ホトレジストについて説明を行ったが、他のレジス
トについても同じようにしてパターンを形成できる。ま
た、C2HCl3／O2にかえて、CF4／５％O2を用いても同じ
効果がえられる。
発明の効果 以上に詳述したように、本発明を用いることにより、光
露光と簡単なプラズマプロセスを用いて、たとえば、0.
5μｍ以下の線幅という超微細なレジストパターンをも
容易に形成することができる。
露光と簡単なプラズマプロセスを用いて、たとえば、0.
5μｍ以下の線幅という超微細なレジストパターンをも
容易に形成することができる。
第１図は本発明によるパターン形成方法の工程を説明す
るための断面図である。 １……基板、２……レジストパターン、３……C2HCl3／
O2プラズマ、４……O2ＲＩＥ、５……微細レジストパタ
ーン。
るための断面図である。 １……基板、２……レジストパターン、３……C2HCl3／
O2プラズマ、４……O2ＲＩＥ、５……微細レジストパタ
ーン。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に所定形状レジストパターンを形成
し、同レジストパターンにＦまたはＣＩを含むプラズマ
を等方的に照射することにより、前記レジストパターン
の表面と側面を硬化させる工程、そののち、Ｏ2ガスを
用いた反応性イオンエッチングによって前記レジストを
異方的に所定の厚みにエッチングし、その後、有機溶剤
中に浸して、前記プラズマ照射で硬化されない部分を除
去し、前記レジストパターンの硬化部分を残存させる工
程をそなえたことを特徴とするレジストパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177961A JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177961A JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237932A JPS6237932A (ja) | 1987-02-18 |
| JPH0644551B2 true JPH0644551B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16040104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177961A Expired - Lifetime JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644551B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000214575A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Sharp Corp | クロムマスクの形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897831A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60177961A patent/JPH0644551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237932A (ja) | 1987-02-18 |
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