JPH0645511A - Ｉｇｂｔモジュール - Google Patents
ＩｇｂｔモジュールInfo
- Publication number
- JPH0645511A JPH0645511A JP4195709A JP19570992A JPH0645511A JP H0645511 A JPH0645511 A JP H0645511A JP 4195709 A JP4195709 A JP 4195709A JP 19570992 A JP19570992 A JP 19570992A JP H0645511 A JPH0645511 A JP H0645511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- igbt
- igbt element
- voltage
- collector
- elements
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】各種電気機器に使用されるＩＧＢＴ素子のラッ
チアップによる破壊をなくし、外部スナバコンデンサの
小型化による機器本体の小型化を図る。 【構成】ＩＧＢＴ素子１２，１３に並列に接続されるフ
ライホイールダイオード１４，１５の耐圧をＩＧＢＴ素
子１２，１３より低い値に設定する。この構成によっ
て、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電圧が高く
なってもフライホイールダイオードがブレイクダウン
し、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電圧はフラ
イホイールダイオードの耐圧の電圧以上にはならない。
したがって、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電
圧はＩＧＢＴ素子の破壊するレベルに達してしまうこと
はなく、ＩＧＢＴ素子を保護することが可能になる。
チアップによる破壊をなくし、外部スナバコンデンサの
小型化による機器本体の小型化を図る。 【構成】ＩＧＢＴ素子１２，１３に並列に接続されるフ
ライホイールダイオード１４，１５の耐圧をＩＧＢＴ素
子１２，１３より低い値に設定する。この構成によっ
て、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電圧が高く
なってもフライホイールダイオードがブレイクダウン
し、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電圧はフラ
イホイールダイオードの耐圧の電圧以上にはならない。
したがって、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電
圧はＩＧＢＴ素子の破壊するレベルに達してしまうこと
はなく、ＩＧＢＴ素子を保護することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電気機器に用いら
れるＩＧＢＴモジュールに関するものである。
れるＩＧＢＴモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電器機器において、機器の小
型化、あるいは応答性の向上などの理由から高周波化が
進められており、高周波化のためにスイッチングデバイ
スとして高速スイッチングの可能なＩＧＢＴ素子が盛ん
に用いられるようになってきている。
型化、あるいは応答性の向上などの理由から高周波化が
進められており、高周波化のためにスイッチングデバイ
スとして高速スイッチングの可能なＩＧＢＴ素子が盛ん
に用いられるようになってきている。
【０００３】以下に従来のＩＧＢＴモジュールについて
説明する。図２に示すように、ＩＧＢＴモジュール２１
は、直列に接続されたＩＧＢＴ素子２２，２３とフライ
ホイールダイオード２４，２５とからなり、このフライ
ホイールダイオード２４，２５はそれぞれＩＧＢＴ素子
２２，２３と並列、すなわちＩＧＢＴ素子２２，２３の
コレクターエミッタ間に接続され、フライホイールダイ
オード２４，２５はＩＧＢＴ素子２２，２３と同等の耐
圧のものが用いられている。また、外部にスナバコンデ
ンサ２６が並列接続され、さらに電源２８がスナバコン
デンサ２６に並列に接続されている。またＩＧＢＴ素子
２２，２３は駆動回路２７により駆動される。
説明する。図２に示すように、ＩＧＢＴモジュール２１
は、直列に接続されたＩＧＢＴ素子２２，２３とフライ
ホイールダイオード２４，２５とからなり、このフライ
ホイールダイオード２４，２５はそれぞれＩＧＢＴ素子
２２，２３と並列、すなわちＩＧＢＴ素子２２，２３の
コレクターエミッタ間に接続され、フライホイールダイ
オード２４，２５はＩＧＢＴ素子２２，２３と同等の耐
圧のものが用いられている。また、外部にスナバコンデ
ンサ２６が並列接続され、さらに電源２８がスナバコン
デンサ２６に並列に接続されている。またＩＧＢＴ素子
２２，２３は駆動回路２７により駆動される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、ＩＧＢＴ素子のラッチアップによる破壊
の保護のためにスナバ回路に大きなコンデンサが必要に
なるという問題点を有していた。
来の構成では、ＩＧＢＴ素子のラッチアップによる破壊
の保護のためにスナバ回路に大きなコンデンサが必要に
なるという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ＩＧＢＴ素子のラッチアップによる破壊を、ＩＧＢ
Ｔ素子に並列に接続されたフライホイールダイオードの
耐圧をＩＧＢＴ素子に対して低く選択し配置することに
より、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電圧を制
限しＩＧＢＴ素子をラッチアップから保護することを可
能としたＩＧＢＴモジュールを提供することを目的とす
る。
で、ＩＧＢＴ素子のラッチアップによる破壊を、ＩＧＢ
Ｔ素子に並列に接続されたフライホイールダイオードの
耐圧をＩＧＢＴ素子に対して低く選択し配置することに
より、ＩＧＢＴ素子のコレクターエミッタ間の電圧を制
限しＩＧＢＴ素子をラッチアップから保護することを可
能としたＩＧＢＴモジュールを提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のＩＧＢＴモジュールは、ＩＧＢＴ素子と並列
に接続されるフライホイールダイオードの耐圧をＩＧＢ
Ｔ素子より低い値に設定した構成を有している。
に本発明のＩＧＢＴモジュールは、ＩＧＢＴ素子と並列
に接続されるフライホイールダイオードの耐圧をＩＧＢ
Ｔ素子より低い値に設定した構成を有している。
【０００７】
【作用】この構成によって、ＩＧＢＴ素子のコレクター
エミッタ間の電圧が高くなってもフライホイールダイオ
ードがブレイクダウンし、ＩＧＢＴ素子のコレクターエ
ミッタ間の電圧はフライホイールダイオードの耐圧の電
圧以上にはならない。したがって、ＩＧＢＴ素子のコレ
クターエミッタ間の電圧はＩＧＢＴ素子の破壊するレベ
ルに達してしまうことはなく、ＩＧＢＴ素子を保護する
ことが可能になる。
エミッタ間の電圧が高くなってもフライホイールダイオ
ードがブレイクダウンし、ＩＧＢＴ素子のコレクターエ
ミッタ間の電圧はフライホイールダイオードの耐圧の電
圧以上にはならない。したがって、ＩＧＢＴ素子のコレ
クターエミッタ間の電圧はＩＧＢＴ素子の破壊するレベ
ルに達してしまうことはなく、ＩＧＢＴ素子を保護する
ことが可能になる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図１を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例のＩＧＢＴ
モジュールの構成図である。図１に示すように、ＩＧＢ
Ｔモジュール１１は、直列に接続されたＩＧＢＴ素子１
２，１３とフライホイールダイオード１４，１５とから
なり、このフライホイールダイオード１４，１５はＩＧ
ＢＴ素子と並列すなわちＩＧＢＴ素子１２，１３のコレ
クターエミッタ間に接続され、このフライホイールダイ
オード１４，１５はＩＧＢＴ素子１２，１３に比べて低
い耐圧に設定されている。また、外部にスナバコンデン
サ１６が並列接続され、さらに電源１８がスナバコンデ
ンサ１６に並列に接続されている。またＩＧＢＴ素子１
２，１３は駆動回路１７により駆動される。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例のＩＧＢＴ
モジュールの構成図である。図１に示すように、ＩＧＢ
Ｔモジュール１１は、直列に接続されたＩＧＢＴ素子１
２，１３とフライホイールダイオード１４，１５とから
なり、このフライホイールダイオード１４，１５はＩＧ
ＢＴ素子と並列すなわちＩＧＢＴ素子１２，１３のコレ
クターエミッタ間に接続され、このフライホイールダイ
オード１４，１５はＩＧＢＴ素子１２，１３に比べて低
い耐圧に設定されている。また、外部にスナバコンデン
サ１６が並列接続され、さらに電源１８がスナバコンデ
ンサ１６に並列に接続されている。またＩＧＢＴ素子１
２，１３は駆動回路１７により駆動される。
【０００９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＩＧＢＴ
素子に並列に接続されるフライホイールダイオードの耐
圧をＩＧＢＴ素子の耐圧より低く設定することによりＩ
ＧＢＴ素子のラッチアップ現象からＩＧＢＴ素子を保護
し、信頼性に優れたＩＧＢＴモジュールを実現できる。
また、従来から用いられているフライホイールダイオー
ドを利用することから部品を追加することなくＩＧＢＴ
素子を保護することができる。さらに従来に比べてＩＧ
ＢＴ素子の保護のために用いるスナバ回路が簡素化、あ
るいは小型化できるために、このＩＧＢＴモジュールを
用いた電気機器本体を小型化することが可能になる。
素子に並列に接続されるフライホイールダイオードの耐
圧をＩＧＢＴ素子の耐圧より低く設定することによりＩ
ＧＢＴ素子のラッチアップ現象からＩＧＢＴ素子を保護
し、信頼性に優れたＩＧＢＴモジュールを実現できる。
また、従来から用いられているフライホイールダイオー
ドを利用することから部品を追加することなくＩＧＢＴ
素子を保護することができる。さらに従来に比べてＩＧ
ＢＴ素子の保護のために用いるスナバ回路が簡素化、あ
るいは小型化できるために、このＩＧＢＴモジュールを
用いた電気機器本体を小型化することが可能になる。
【図１】本発明の一実施例のＩＧＢＴモジュールの構成
図
図
【図２】従来のＩＧＢＴモジュールの構成図
１１ ＩＧＢＴモジュール １２，１３ ＩＧＢＴ素子 １４，１５ ＩＧＢＴ素子より耐圧の低いフライホイー
ルダイオード １６ スナバコンデンサ １７ 駆動回路 １８ 電源
ルダイオード １６ スナバコンデンサ １７ 駆動回路 １８ 電源
Claims (1)
- 【請求項１】 １個あるいは複数個のＩＧＢＴ素子と、
これらＩＧＢＴ素子に対して耐圧の低いダイオード素子
を前記ＩＧＢＴ素子に並列に接続してなるＩＧＢＴモジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195709A JPH0645511A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｉｇｂｔモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4195709A JPH0645511A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｉｇｂｔモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645511A true JPH0645511A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16345674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4195709A Pending JPH0645511A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｉｇｂｔモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645511A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007099664A1 (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路 |
| WO2007099672A1 (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路 |
| US20220375903A1 (en) * | 2019-12-25 | 2022-11-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP4195709A patent/JPH0645511A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007099664A1 (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路 |
| WO2007099672A1 (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路 |
| JP2007234983A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2007234973A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
| US7989964B2 (en) | 2006-03-02 | 2011-08-02 | Panasonic Corporation | Semiconductor integrated circuit |
| US20220375903A1 (en) * | 2019-12-25 | 2022-11-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
| US12616061B2 (en) * | 2019-12-25 | 2026-04-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor module |
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