JPH0645616B2 - チオフエノン誘導体およびその製造法 - Google Patents
チオフエノン誘導体およびその製造法Info
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- JPH0645616B2 JPH0645616B2 JP61112434A JP11243486A JPH0645616B2 JP H0645616 B2 JPH0645616 B2 JP H0645616B2 JP 61112434 A JP61112434 A JP 61112434A JP 11243486 A JP11243486 A JP 11243486A JP H0645616 B2 JPH0645616 B2 JP H0645616B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
- C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D333/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom
- C07D333/26—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D333/30—Hetero atoms other than halogen
- C07D333/32—Oxygen atoms
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、簡単にチオテトロン酸に変換することのでき
る、新しいチオフェノン誘導体に関する。
る、新しいチオフェノン誘導体に関する。
チオテトロン酸自体は、広範囲な作用スペクトルを有す
る抗生物質である（±）チオラクトマイシン製造の中間
生成物として、有意義な使用可能性を見出すことができ
る〔テトラヘドロン・レターズ（Tetrahedron Letter
s）２５巻、４６号、５２４３〜５２４６頁（１９８４
年）〕。Ｅ．ベナリー（Benary）のヒェミッシェス・ベ
リヒテ（Chem.Berichte）４６巻、２１０３頁（１９１
３年）により、アセチルチオグリコイルクロライドから
出発して、ナトリウムマロン酸エステルとの反応ならび
にこれに続く閉環および水処理により、チオテトロン酸
を製造する方法が知られている。
る抗生物質である（±）チオラクトマイシン製造の中間
生成物として、有意義な使用可能性を見出すことができ
る〔テトラヘドロン・レターズ（Tetrahedron Letter
s）２５巻、４６号、５２４３〜５２４６頁（１９８４
年）〕。Ｅ．ベナリー（Benary）のヒェミッシェス・ベ
リヒテ（Chem.Berichte）４６巻、２１０３頁（１９１
３年）により、アセチルチオグリコイルクロライドから
出発して、ナトリウムマロン酸エステルとの反応ならび
にこれに続く閉環および水処理により、チオテトロン酸
を製造する方法が知られている。
Ｄ．Ｂ．マシーレヴィッチ（Macierewicz）のロック．
ケム（Rocz.Chem.）４７巻、１７３５頁（１９７３年）
は、Ｅ．ベナリーの方法を追試して、使用したアセチル
チオグリコイルクロライドに基づいて３０．３％の収率
で、チオテトロン酸を得ている。
ケム（Rocz.Chem.）４７巻、１７３５頁（１９７３年）
は、Ｅ．ベナリーの方法を追試して、使用したアセチル
チオグリコイルクロライドに基づいて３０．３％の収率
で、チオテトロン酸を得ている。
Ｊ．Ｚ．モルテンセン（Mortensen）等のテトラヘドロ
ン（Tetrahedron）２７巻、３８３９頁（１９７１年）
は、他の可能性を示している。
ン（Tetrahedron）２７巻、３８３９頁（１９７１年）
は、他の可能性を示している。
彼は２，４−ジブロモチオフェンを出発物質として用
い、ブチルリチウムおよびｔ−ブチルパーベンゾエート
との反応により、３工程を経て、４６．２％の収率でチ
オテトロン酸を得ている。
い、ブチルリチウムおよびｔ−ブチルパーベンゾエート
との反応により、３工程を経て、４６．２％の収率でチ
オテトロン酸を得ている。
このような従来の合成法では、収率が低過ぎるばかりで
なく、使用する原料化合物および反応試薬からいって
も、効率のよい工業的方法を考えることができない。
なく、使用する原料化合物および反応試薬からいって
も、効率のよい工業的方法を考えることができない。
他の問題は、質的に価値の高い生成物を製造することに
ある。チオテトロン酸は、再結晶の際にも、また水溶液
中においても、容易に水を分離して、二量体の縮合生成
物を形成するからである。
ある。チオテトロン酸は、再結晶の際にも、また水溶液
中においても、容易に水を分離して、二量体の縮合生成
物を形成するからである。
それゆえ、本発明の課題は、技術的に簡単に製造するこ
とができ、反応混合物から単離可能であって、高純度で
生成し、簡単にチオテトロン酸に変換可能であるチオテ
トロン酸前駆体を見出すことである。
とができ、反応混合物から単離可能であって、高純度で
生成し、簡単にチオテトロン酸に変換可能であるチオテ
トロン酸前駆体を見出すことである。
この課題は、次の一般式 〔式中、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシカルボニル基、置
換または非置換ベンジルオキシカルボニル基、またはｐ
−トルエンスルホニル基を意味する。〕 を有する新しいチオフェノン誘導体を用いて、塩基の存
在下で４−クロロ−４−クロロメチルオキセタン−２−
オンに硫化水素を反応させ、中間で生成するチオテトロ
ン酸にクロロギ酸エステルまたはｐ−トルエンスルホニ
ルクロライドを作用させて目的生成物を得るという、新
しい化合物の製造方法によって解決される。
換または非置換ベンジルオキシカルボニル基、またはｐ
−トルエンスルホニル基を意味する。〕 を有する新しいチオフェノン誘導体を用いて、塩基の存
在下で４−クロロ−４−クロロメチルオキセタン−２−
オンに硫化水素を反応させ、中間で生成するチオテトロ
ン酸にクロロギ酸エステルまたはｐ−トルエンスルホニ
ルクロライドを作用させて目的生成物を得るという、新
しい化合物の製造方法によって解決される。
４−クロロ−４−クロロメチルオキセタン−２−オン
は、ヨーロッパ特許出願明細書第６０８０８号に従って
簡単に製造することができ、フラッシュ蒸留を行なった
後に、本発明による反応に使用することができる。
は、ヨーロッパ特許出願明細書第６０８０８号に従って
簡単に製造することができ、フラッシュ蒸留を行なった
後に、本発明による反応に使用することができる。
硫化水素は、ガス状で用いるのが適切である。
適切なアミンとしては、第一アミン、第二アミン、第三
アミン、アンモニアまたはグアニジンを用いることが有
利である。たとえばトリエチルアミンのような第三アミ
ンは、とくに有利と考えられる。クロロギ酸のＣ１〜Ｃ
８アルキルエステルか、またはクロロギ酸の置換または
非置換ベンジルエステルを使用するのが適切である。と
くに好ましいチオフェノン誘導体を得るためには、クロ
ロギ酸のＣ１〜Ｃ２アルキルエステルを使用する。
アミン、アンモニアまたはグアニジンを用いることが有
利である。たとえばトリエチルアミンのような第三アミ
ンは、とくに有利と考えられる。クロロギ酸のＣ１〜Ｃ
８アルキルエステルか、またはクロロギ酸の置換または
非置換ベンジルエステルを使用するのが適切である。と
くに好ましいチオフェノン誘導体を得るためには、クロ
ロギ酸のＣ１〜Ｃ２アルキルエステルを使用する。
さらに、反応を溶剤中で実施することが好ましい。反応
性化合物に対しては、ハロゲン化炭化水素、エーテルま
たはカルボン酸エステルなどの不活性溶剤を用いる。た
とえば塩化メチレン、クロロホルム、エーテル系溶媒
（例：テトラヒドロフラン）を用いることができる。と
くにテトラヒドロフランまたは酢酸エチルを用いるのが
好ましい。
性化合物に対しては、ハロゲン化炭化水素、エーテルま
たはカルボン酸エステルなどの不活性溶剤を用いる。た
とえば塩化メチレン、クロロホルム、エーテル系溶媒
（例：テトラヒドロフラン）を用いることができる。と
くにテトラヒドロフランまたは酢酸エチルを用いるのが
好ましい。
各反応剤は、４−クロロ−４−クロロメチルオキセタン
−２−オン：硫化水素：アミン：クロロギ酸エステルま
たはＤ−トルエンスルホン酸クロライドのモル比を、
１：１：２．８：０．８〜１：３：４：１、好ましくは
１：２：２．８：０．８〜１：３：３：１の割合で使用
するのが適当である。
−２−オン：硫化水素：アミン：クロロギ酸エステルま
たはＤ−トルエンスルホン酸クロライドのモル比を、
１：１：２．８：０．８〜１：３：４：１、好ましくは
１：２：２．８：０．８〜１：３：３：１の割合で使用
するのが適当である。
反応は、−４０℃〜＋２０℃の温度において、とくに好
ましくは−２０℃〜−１０℃の温度において実施するの
が望ましい。
ましくは−２０℃〜−１０℃の温度において実施するの
が望ましい。
４−クロロ−４−クロロメチルオキセタン−２−オンを
不活性溶剤に溶解し、硫化水素を飽和させ、次に３０〜
１２０分間にわたってアミンを供給するように行なうの
が適切である。アミンを添加した後に、中間で生成する
チオテトロン酸を分離する必要はなく、溶液中で直接ク
ロロギ酸エステルまたはｐ−トルエンスルホン酸クロラ
イドを反応させて、本発明のチオフェノン誘導体を得る
ことができる。
不活性溶剤に溶解し、硫化水素を飽和させ、次に３０〜
１２０分間にわたってアミンを供給するように行なうの
が適切である。アミンを添加した後に、中間で生成する
チオテトロン酸を分離する必要はなく、溶液中で直接ク
ロロギ酸エステルまたはｐ−トルエンスルホン酸クロラ
イドを反応させて、本発明のチオフェノン誘導体を得る
ことができる。
使用するオキセタン１モルにつき、２倍量の、もしくは
１．６〜２モルのクロロギ酸エステルを使用させて、次
式 〔式中、Ｒは上記の意味を有する。〕 を有する二置換チオフェン誘導体を容易に得ることがで
きる。
１．６〜２モルのクロロギ酸エステルを使用させて、次
式 〔式中、Ｒは上記の意味を有する。〕 を有する二置換チオフェン誘導体を容易に得ることがで
きる。
チオフェノン誘導体またはチオフェン誘導体の単離は、
抽出または再結晶によって簡単に実施できる。
抽出または再結晶によって簡単に実施できる。
このようにして、７０％を超える収率と、常に９０％を
超える純度（場合によっては９９％を超える純度）とを
達成することができる。
超える純度（場合によっては９９％を超える純度）とを
達成することができる。
チオフェノン誘導体およびチオフェン誘導体のチオテト
ロン酸への置換は、アルカリ性で、好ましくは脂肪族ア
ミンまたはＮＨ３の存在下に実施するのが適切である。
ロン酸への置換は、アルカリ性で、好ましくは脂肪族ア
ミンまたはＮＨ３の存在下に実施するのが適切である。
適切に製造することによって、９５％を超える純度を有
する、質的に価値の高いチオテトロン酸を得ることがで
きる。
する、質的に価値の高いチオテトロン酸を得ることがで
きる。
最初に挙げた利点を高度に満たすとくに好ましい化合物
は、４−（エトキシカルボニルオキシ）−チオフェン−
２（５Ｈ）−オンおよび４−（メトキシカルボニルオキ
シ）−チオフェン−２（５Ｈ）−オンである。
は、４−（エトキシカルボニルオキシ）−チオフェン−
２（５Ｈ）−オンおよび４−（メトキシカルボニルオキ
シ）−チオフェン−２（５Ｈ）−オンである。
実施例１ テトラヒドロフラン３００ｍに４−クロロ−４−クロ
ロメチルオキセタン−２−オン１５．９ｇ（０．１モ
ル）を溶かした溶液を−２０℃に冷却し、これにガス状
硫化水素を飽和させた。次に、トリエチルアミン２０．
４ｇ（０．２モル）を激しく撹拌しながら１時間以内に
滴下した。反応溶液を室温まで加熱し、さらに１時間加
熱して、生成する塩を濾別し、回転蒸発器で溶剤を1/2
になるまで蒸発させた。この溶液にクロロギ酸エチル
９．８ｇ（０．０９モル）を加え、０℃に冷却し、トリ
エチルアミン９．１ｇ（０．０９モル）を滴下した。生
成する塩を濾別し、反応溶液を回転蒸発器で濃縮した。
残渣に石油エーテル４００ｍを加えて沸とうさせ、溶
液をデカンテーションした後、−２０℃に冷却した。析
出する結晶を濾過した。このようにして、融点５２〜５
４℃、純度９９．２％（ＧＣ）の淡褐色結晶状の４−
（エトキシカルボニルオキシ）−チオフェン−２（５
Ｈ）−オン１５．０ｇが得られた。これは純度１００％
の生成物１４．９ｇ、すなわち使用したオキセタノンに
基づいて７９．１％の収率に相当した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝６．４２（ｔ，Ｊ３．５＝１．３Hz，ＩＨ） ４．２９（ｑ，Ｊ＝７．１Hz，２Ｈ） ４．０２（ｄ，Ｊ３．５＝１．３Hz，２Ｈ） １．３３（ｔ，Ｊ＝７．１Hz，３Ｈ） 実施例２ クロロギ酸エチルの代りにクロロギ酸メチル８．５０ｇ
（０．０９モル）を用いる点以外に実施例１と同様にし
て、使用したオキセタノンに基づいて７９．２％の収
率、１３．８ｇの収量で、４−（メトキシカルボニルオ
キシ）−４チオフェン−２（５Ｈ）−オンが得られた。
ロメチルオキセタン−２−オン１５．９ｇ（０．１モ
ル）を溶かした溶液を−２０℃に冷却し、これにガス状
硫化水素を飽和させた。次に、トリエチルアミン２０．
４ｇ（０．２モル）を激しく撹拌しながら１時間以内に
滴下した。反応溶液を室温まで加熱し、さらに１時間加
熱して、生成する塩を濾別し、回転蒸発器で溶剤を1/2
になるまで蒸発させた。この溶液にクロロギ酸エチル
９．８ｇ（０．０９モル）を加え、０℃に冷却し、トリ
エチルアミン９．１ｇ（０．０９モル）を滴下した。生
成する塩を濾別し、反応溶液を回転蒸発器で濃縮した。
残渣に石油エーテル４００ｍを加えて沸とうさせ、溶
液をデカンテーションした後、−２０℃に冷却した。析
出する結晶を濾過した。このようにして、融点５２〜５
４℃、純度９９．２％（ＧＣ）の淡褐色結晶状の４−
（エトキシカルボニルオキシ）−チオフェン−２（５
Ｈ）−オン１５．０ｇが得られた。これは純度１００％
の生成物１４．９ｇ、すなわち使用したオキセタノンに
基づいて７９．１％の収率に相当した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝６．４２（ｔ，Ｊ３．５＝１．３Hz，ＩＨ） ４．２９（ｑ，Ｊ＝７．１Hz，２Ｈ） ４．０２（ｄ，Ｊ３．５＝１．３Hz，２Ｈ） １．３３（ｔ，Ｊ＝７．１Hz，３Ｈ） 実施例２ クロロギ酸エチルの代りにクロロギ酸メチル８．５０ｇ
（０．０９モル）を用いる点以外に実施例１と同様にし
て、使用したオキセタノンに基づいて７９．２％の収
率、１３．８ｇの収量で、４−（メトキシカルボニルオ
キシ）−４チオフェン−２（５Ｈ）−オンが得られた。
淡褐色の生成物は６４〜６６℃の融点範囲と、ＧＣによ
る純度９２．１％を示した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝６．４９（ｔ，Ｊ３．５＝１．３Hz，ＩＨ） ４．０５（ｄ，Ｊ３．５＝１．３Hz，２Ｈ） ３．９６（ｓ，３Ｈ） 実施例３ テトラヒドロフラン３００ｍ中に４−クロロ−４−ク
ロロメチルオキセタン−２−オン１６．３ｇ（０．１モ
ル）を溶かした溶液を−２０℃に冷却し、ガス状硫化水
素を飽和させた、次に、激しく撹拌しながらトリエチル
アミン２０．４ｇ（０．２モル）を１時間以内に滴下し
た。反応溶液を室温まで加熱し、さらに１時間撹拌し、
生成する塩を濾別し、回転蒸発器で溶剤を1/2になるま
で蒸発させた。この溶液にｐ−トルエンスルホン酸クロ
ライド１９．１ｇ（０．１モル）を加え、０℃まで冷却
し、トリエチルアミン１０．２ｇ（０．１モル）を滴下
した。生成した塩を濾別し、回転蒸発器で反応溶液を濃
縮した。残渣をメタノール５０ｍで洗浄した。融点１
３９〜１４０℃のガスクロ的に純粋な生成物として、４
−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−チオフェノン−
２（５Ｈ）−オン１９．８ｇが得られた。
る純度９２．１％を示した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝６．４９（ｔ，Ｊ３．５＝１．３Hz，ＩＨ） ４．０５（ｄ，Ｊ３．５＝１．３Hz，２Ｈ） ３．９６（ｓ，３Ｈ） 実施例３ テトラヒドロフラン３００ｍ中に４−クロロ−４−ク
ロロメチルオキセタン−２−オン１６．３ｇ（０．１モ
ル）を溶かした溶液を−２０℃に冷却し、ガス状硫化水
素を飽和させた、次に、激しく撹拌しながらトリエチル
アミン２０．４ｇ（０．２モル）を１時間以内に滴下し
た。反応溶液を室温まで加熱し、さらに１時間撹拌し、
生成する塩を濾別し、回転蒸発器で溶剤を1/2になるま
で蒸発させた。この溶液にｐ−トルエンスルホン酸クロ
ライド１９．１ｇ（０．１モル）を加え、０℃まで冷却
し、トリエチルアミン１０．２ｇ（０．１モル）を滴下
した。生成した塩を濾別し、回転蒸発器で反応溶液を濃
縮した。残渣をメタノール５０ｍで洗浄した。融点１
３９〜１４０℃のガスクロ的に純粋な生成物として、４
−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−チオフェノン−
２（５Ｈ）−オン１９．８ｇが得られた。
これは使用したオキセタノンに基づいて、７３．３％の
収率に相当した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝７．８６（ｄ，Ｊ＝８．８Hz，２Ｈ） ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Hz，２Ｈ） ６．１３（ｔ，Ｊ＝１．２Hz，ＩＨ） ３．９６（ｄ，Ｊ＝１．２Hz，ＩＨ） ２．５０（ｓ，３Ｈ） 実施例４ クロロギ酸エチルの代りにクロロギ酸メチル１２．３ｇ
（０．０９モル）を用いる点以外は実施例１と同様にし
て、使用したオキセタンに基づいて７５．７％の収率
で、融点２８〜２９℃の淡褐色結晶状の４−（ｎ−ブチ
ルオキシカルボニルオキシ）−チオフェン−２（５Ｈ）
−オンを得た。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝６．４８（ｔ，Ｊ３．５＝１．２Hz，１Ｈ） ４．３０（ｔ，Ｊ＝６．９Hz，２Ｈ） ４．０９（ｄ，Ｊ３．５＝１．２Hz，１Ｈ） １．７３（ｍ，２Ｈ） １．４４（ｍ，２Ｈ） ０．９８（ｔ，Ｊ＝７．２Hz，３Ｈ） 実施例５ クロロギ酸エチルの代りにクロロギ酸ベンジル１５．３
ｇ（０．０９モル）を用いる点以外は実施例１と同様に
して、使用したオキセタノンに基づいて７４．１％の収
率で、融点８２〜８３℃の淡褐色結晶状の４−（ベンジ
ルオキシカルボニルオキシ）−チオフェン−２（５Ｈ）
−オンを得た。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝７．４１（ｓ，５Ｈ） ６．４９（ｔ，Ｊ３，５＝１．２Hz，ＩＨ） ５．２８（ｓ，２Ｈ） ４．０７（ｄ，Ｊ３，５＝１．２Hz，２Ｈ） 実施例６ クロロギ酸エチル０．０９モルの代りにクロロギ酸エチ
ル０．１８モルとトリエチルアミン０．１８モルとを用
いた点以外は実施例１と同様にして、使用したオキセタ
ノンに基づいて７２．７％の収率、２０．１ｇの収量
で、２，４−ビス−（エトキシカルボニルオキシ）−チ
オフェンを得た。褐色の生成物は５〜８℃の融点と９
７．６％の純度を示した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（DMSO-d6,300MHz） δ＝６．９７（ｄ，Ｊ３，５＝２．５Hz，ＩＨ） ６．８４（ｄ，Ｊ３，５＝２．５Hz，ＩＨ） ４．３０（ｑ，Ｊ＝７．０Hz，２Ｈ） ４．２５（ｑ，Ｊ＝７．０Hz，２Ｈ） １．３０（ｔ，Ｊ＝７．０Hz，３Ｈ） １．２８（ｔ，Ｊ＝７．０Hz，３Ｈ） 実施例７ テトラヒドロフラン２５ｍ中に４−（エトキシカルボ
ニルオキシ）−チオフェン−２（５Ｈ）−オン３．８ｇ
（０．２モル）を溶かし、−１０℃に冷却した。これに
テトラヒドロフラン３５ｍ中ジエチルアミン２．９ｇ
（０．０４モル）の溶液を加えた。生成する固体物質
（チオテトロン酸のジエチルアンモニウム塩）を濾別
し、これを水２０ｍ中に溶かした。濃塩酸を加えて撹
拌しながらpH１〜２に酸性化した。
収率に相当した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝７．８６（ｄ，Ｊ＝８．８Hz，２Ｈ） ７．４３（ｄ，Ｊ＝８．８Hz，２Ｈ） ６．１３（ｔ，Ｊ＝１．２Hz，ＩＨ） ３．９６（ｄ，Ｊ＝１．２Hz，ＩＨ） ２．５０（ｓ，３Ｈ） 実施例４ クロロギ酸エチルの代りにクロロギ酸メチル１２．３ｇ
（０．０９モル）を用いる点以外は実施例１と同様にし
て、使用したオキセタンに基づいて７５．７％の収率
で、融点２８〜２９℃の淡褐色結晶状の４−（ｎ−ブチ
ルオキシカルボニルオキシ）−チオフェン−２（５Ｈ）
−オンを得た。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝６．４８（ｔ，Ｊ３．５＝１．２Hz，１Ｈ） ４．３０（ｔ，Ｊ＝６．９Hz，２Ｈ） ４．０９（ｄ，Ｊ３．５＝１．２Hz，１Ｈ） １．７３（ｍ，２Ｈ） １．４４（ｍ，２Ｈ） ０．９８（ｔ，Ｊ＝７．２Hz，３Ｈ） 実施例５ クロロギ酸エチルの代りにクロロギ酸ベンジル１５．３
ｇ（０．０９モル）を用いる点以外は実施例１と同様に
して、使用したオキセタノンに基づいて７４．１％の収
率で、融点８２〜８３℃の淡褐色結晶状の４−（ベンジ
ルオキシカルボニルオキシ）−チオフェン−２（５Ｈ）
−オンを得た。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ３，３００MHz） δ＝７．４１（ｓ，５Ｈ） ６．４９（ｔ，Ｊ３，５＝１．２Hz，ＩＨ） ５．２８（ｓ，２Ｈ） ４．０７（ｄ，Ｊ３，５＝１．２Hz，２Ｈ） 実施例６ クロロギ酸エチル０．０９モルの代りにクロロギ酸エチ
ル０．１８モルとトリエチルアミン０．１８モルとを用
いた点以外は実施例１と同様にして、使用したオキセタ
ノンに基づいて７２．７％の収率、２０．１ｇの収量
で、２，４−ビス−（エトキシカルボニルオキシ）−チ
オフェンを得た。褐色の生成物は５〜８℃の融点と９
７．６％の純度を示した。１ Ｈ−ＮＭＲスペクトル（DMSO-d6,300MHz） δ＝６．９７（ｄ，Ｊ３，５＝２．５Hz，ＩＨ） ６．８４（ｄ，Ｊ３，５＝２．５Hz，ＩＨ） ４．３０（ｑ，Ｊ＝７．０Hz，２Ｈ） ４．２５（ｑ，Ｊ＝７．０Hz，２Ｈ） １．３０（ｔ，Ｊ＝７．０Hz，３Ｈ） １．２８（ｔ，Ｊ＝７．０Hz，３Ｈ） 実施例７ テトラヒドロフラン２５ｍ中に４−（エトキシカルボ
ニルオキシ）−チオフェン−２（５Ｈ）−オン３．８ｇ
（０．２モル）を溶かし、−１０℃に冷却した。これに
テトラヒドロフラン３５ｍ中ジエチルアミン２．９ｇ
（０．０４モル）の溶液を加えた。生成する固体物質
（チオテトロン酸のジエチルアンモニウム塩）を濾別
し、これを水２０ｍ中に溶かした。濃塩酸を加えて撹
拌しながらpH１〜２に酸性化した。
生成したチオテトロン酸を酢酸エチル１００ｍによっ
て抽出した。有機相をＮａ２ＳＯ４上で乾燥させ、次に
溶剤を回転蒸発器で蒸発させた。残渣を高真空下で乾燥
させた。
て抽出した。有機相をＮａ２ＳＯ４上で乾燥させ、次に
溶剤を回転蒸発器で蒸発させた。残渣を高真空下で乾燥
させた。
純度９６．９％（ＮａＯＨ滴定）、融点１２０〜１２２
℃を有する、ほぼ白色の微細結晶生成物として、チオテ
トロン酸２．０ｇを得た。
℃を有する、ほぼ白色の微細結晶生成物として、チオテ
トロン酸２．０ｇを得た。
これは純度１００％の生成物１．９ｇ、すなわち使用し
た４−（エトキシカルボニルオキシ）チオフェン−２
（５Ｈ）−オンに基づいて８３．６％の収率に相当し
た。
た４−（エトキシカルボニルオキシ）チオフェン−２
（５Ｈ）−オンに基づいて８３．６％の収率に相当し
た。
Claims (11)
- 【請求項１】一般式 〔式中、ＲはＣ１〜Ｃ８アルコキシカルボニル基、置換
または非置換ベンジルオキシカルボニル基、またはｐ−
トルエンスルホニル基を意味する。〕 によってあらわされるチオフェノン誘導体。 - 【請求項２】式 によってあらわされる４−（エトキシカルボニルオキ
シ）−チオフェン−２（５Ｈ）−オン。 - 【請求項３】式 によってあらわされる４−（メトキシカルボニルオキ
シ）−チオフェン−２（５Ｈ）−オン。 - 【請求項４】４−クロロ−４−クロロメチルオキセタン
−２−オンを塩基の存在下で硫化水素によって中間生成
物チオテトロン酸に変え、さらにクロロギ酸エステルま
たはｐ−トルエンスルホン酸クロライドを作用させて、
一般式 〔式中、ＲはＣ１〜Ｃ８アルコキシカルボニル基、置換
または非置換ベンジルオキシカルボニル基、またはｐ−
トルエンスルホニル基を意味する。〕 によってあらわされるチオフェノン誘導体に変えること
を特徴とするチオフェノン誘導体の製造方法。 - 【請求項５】塩基として、第一、第二または第三アミ
ン、アンモニアまたはグアニジンを用いることを特徴と
する特許請求の範囲第４項に記載の方法。 - 【請求項６】塩基として第三アミンを用いることを特徴
とする特許請求の範囲第４項または第５項に記載の方
法。 - 【請求項７】不活性溶剤中で反応を実施することを特徴
とする特許請求の範囲第４項ないし第６項のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項８】クロロギ酸エステルとしてＣ１〜Ｃ８アル
キルエステルまたは置換または非置換ベンジルエステル
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第４項ないし
第７項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項９】クロロギ酸エステルまたはｐ−トルエンス
ルホニルクロライド：アミン：４−クロロ−４−クロロ
メチルオキセタン−２−オンのモル比を０．８：２．
８：１．０〜１．０：４．０：１．０の範囲として実施
することを特徴とする特許請求の範囲第４項ないし第８
項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１０】硫化水素：４−クロロ−４−クロロメチ
ルオキセタン−２−オンのモル比が１：１から１：３で
あることを特徴とする特許請求の範囲第４項ないし第９
項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１１】−４０℃〜＋２０℃の温度範囲で実施す
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項ないし第８項
のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH2158/85-8 | 1985-05-21 | ||
| CH2158/85A CH668071A5 (de) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | Thiophenonderivate sowie verfahren zur deren herstellung. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61271285A JPS61271285A (ja) | 1986-12-01 |
| JPH0645616B2 true JPH0645616B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=4227236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61112434A Expired - Lifetime JPH0645616B2 (ja) | 1985-05-21 | 1986-05-16 | チオフエノン誘導体およびその製造法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0203495B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0645616B2 (ja) |
| AT (1) | ATE40998T1 (ja) |
| CA (1) | CA1266274A (ja) |
| CH (1) | CH668071A5 (ja) |
| DE (1) | DE3662195D1 (ja) |
| DK (1) | DK162641C (ja) |
| IE (1) | IE58781B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0485613B1 (en) * | 1990-05-25 | 1995-12-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for para-methylolating phenolic compound |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI823763B (zh) | 2016-06-24 | 2023-11-21 | 美商克若密斯股份有限公司 | 工程基板結構 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3464610D1 (de) * | 1983-06-21 | 1987-08-13 | Pfizer | 2-alkylthiopenem derivatives |
-
1985
- 1985-05-21 CH CH2158/85A patent/CH668071A5/de not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-04-28 IE IE111586A patent/IE58781B1/en not_active IP Right Cessation
- 1986-05-05 CA CA000508417A patent/CA1266274A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-16 JP JP61112434A patent/JPH0645616B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-20 DE DE8686106821T patent/DE3662195D1/de not_active Expired
- 1986-05-20 DK DK233186A patent/DK162641C/da not_active IP Right Cessation
- 1986-05-20 AT AT86106821T patent/ATE40998T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-05-20 EP EP86106821A patent/EP0203495B1/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0485613B1 (en) * | 1990-05-25 | 1995-12-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for para-methylolating phenolic compound |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0203495B1 (de) | 1989-03-01 |
| EP0203495A1 (de) | 1986-12-03 |
| JPS61271285A (ja) | 1986-12-01 |
| IE861115L (en) | 1986-11-21 |
| DK233186D0 (da) | 1986-05-20 |
| DK233186A (da) | 1986-11-22 |
| DE3662195D1 (en) | 1989-04-06 |
| DK162641B (da) | 1991-11-25 |
| IE58781B1 (en) | 1993-11-17 |
| DK162641C (da) | 1992-05-04 |
| CA1266274A (en) | 1990-02-27 |
| ATE40998T1 (de) | 1989-03-15 |
| CH668071A5 (de) | 1988-11-30 |
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