JPH0645733A - 基板への流体供給装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板への流体供給装置及び基板処理方法Info
- Publication number
- JPH0645733A JPH0645733A JP5089710A JP8971093A JPH0645733A JP H0645733 A JPH0645733 A JP H0645733A JP 5089710 A JP5089710 A JP 5089710A JP 8971093 A JP8971093 A JP 8971093A JP H0645733 A JPH0645733 A JP H0645733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- substrate
- channel
- velocity
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
- B05C3/18—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material only one side of the work coming into contact with the liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
- B05C3/02—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material
- B05C3/12—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material for treating work of indefinite length
- B05C3/125—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material for treating work of indefinite length the work being a web, band, strip or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 流体処理デバイスの技術を高めると共に、基
板の所望される処理に応じて、異なる流体を基板に供給
すること。 【構成】 間に基板を通過させるように、固定的に位置
決めされた第1部分15と第2部分17を有するヘッド
部材を有するデバイス10であって、この基板11の対
向する表面を処理する場合は、各部分15及び17が、
両部分に隣接する基板11のそれぞれの表面から第1の
設定距離D1に位置する第1のチャネル31を含む。第
1のチャネル31は、好ましくは、流体33が第1の速
度で移動しながら、基板11の隣接表面と当たるため
に、チャネル内に流体33を受容するように設計され
る。それぞれの部分15及び17は、基板11の隣接す
るそれぞれの表面から第2の設定距離D2に位置し、且
つ当該ウェアーを超えて流体37を通過させるために用
いられるウェアー35をさらに有している。ウェアー3
5は、その上を通過する流体37が、第1のチャネル3
1内の流体33の速度よりももっと速い速度で移動する
ことができる。
板の所望される処理に応じて、異なる流体を基板に供給
すること。 【構成】 間に基板を通過させるように、固定的に位置
決めされた第1部分15と第2部分17を有するヘッド
部材を有するデバイス10であって、この基板11の対
向する表面を処理する場合は、各部分15及び17が、
両部分に隣接する基板11のそれぞれの表面から第1の
設定距離D1に位置する第1のチャネル31を含む。第
1のチャネル31は、好ましくは、流体33が第1の速
度で移動しながら、基板11の隣接表面と当たるため
に、チャネル内に流体33を受容するように設計され
る。それぞれの部分15及び17は、基板11の隣接す
るそれぞれの表面から第2の設定距離D2に位置し、且
つ当該ウェアーを超えて流体37を通過させるために用
いられるウェアー35をさらに有している。ウェアー3
5は、その上を通過する流体37が、第1のチャネル3
1内の流体33の速度よりももっと速い速度で移動する
ことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、流体処理装置に係り、
特に、例えば種々の情報処理システム(コンピュータ)
アプリケーションに用いられ得る処理基板などを処理す
るための装置に関する。
特に、例えば種々の情報処理システム(コンピュータ)
アプリケーションに用いられ得る処理基板などを処理す
るための装置に関する。
【0002】
【従来の技術】基板や同様の製品処理のために設計され
た種々の装置は、米国特許番号第 2,381,652号、第 3,1
96,832号、第 3,524,457号、第 4,137,988号、第 4,49
5,024号、第 4,557,785号、第 5,007,445号、及び最近
では第 5,063,951号において図示されかつ記述されてい
る例によって公知である。これらの特許に図示されかつ
記述されている装置は、例えば、コーティング、洗浄、
及び化学反応(エッチング)などを含む処理対象となる
製品(例えば、基板)に対して様々な異なるタイプの処
理を提供することができる。従って、本発明の可能性を
記述するために本明細書中に使用される「処理」という
用語は、上記の機能(例えば、コーティング、洗浄、及
び化学反応)だけでなく、本明細書中の教示から認識で
きる他の機能(例えば、メッキ)を含むことを意味す
る。さらに、本明細書中で用いられる「流体」という用
語は、液体(例えば、エッチング液、水など)と気体
(例えば、空気)の両方を含むことが示されている。本
発明は、以下に詳細に定義されているように、情報プロ
セッサのような情報処理システム(コンピュータ)構造
における電気回路素子の部品として使用される基板の処
理のために特に用いられる。特に、この種の基板は、こ
のようなプロセッサの種々のパッケージングの例におい
て使用される、技術上は、薄膜の、フレキシブル回路化
基板と呼ばれるものを形成し得る。しかしながら、本発
明は、ほぼ全体が金属などから成る構造体を含む、いく
つかの他の異なる種類の構造体を処理するために簡単に
用いられ得る点で、この種の基板の処理に限定されるも
のではない。
た種々の装置は、米国特許番号第 2,381,652号、第 3,1
96,832号、第 3,524,457号、第 4,137,988号、第 4,49
5,024号、第 4,557,785号、第 5,007,445号、及び最近
では第 5,063,951号において図示されかつ記述されてい
る例によって公知である。これらの特許に図示されかつ
記述されている装置は、例えば、コーティング、洗浄、
及び化学反応(エッチング)などを含む処理対象となる
製品(例えば、基板)に対して様々な異なるタイプの処
理を提供することができる。従って、本発明の可能性を
記述するために本明細書中に使用される「処理」という
用語は、上記の機能(例えば、コーティング、洗浄、及
び化学反応)だけでなく、本明細書中の教示から認識で
きる他の機能(例えば、メッキ)を含むことを意味す
る。さらに、本明細書中で用いられる「流体」という用
語は、液体(例えば、エッチング液、水など)と気体
(例えば、空気)の両方を含むことが示されている。本
発明は、以下に詳細に定義されているように、情報プロ
セッサのような情報処理システム(コンピュータ)構造
における電気回路素子の部品として使用される基板の処
理のために特に用いられる。特に、この種の基板は、こ
のようなプロセッサの種々のパッケージングの例におい
て使用される、技術上は、薄膜の、フレキシブル回路化
基板と呼ばれるものを形成し得る。しかしながら、本発
明は、ほぼ全体が金属などから成る構造体を含む、いく
つかの他の異なる種類の構造体を処理するために簡単に
用いられ得る点で、この種の基板の処理に限定されるも
のではない。
【0003】本明細書において特に定義されるように、
本発明の装置は、異なる速度で、かつ異なる時間で、種
々の流体を、装置内に位置する基板の少なくとも一つの
表面に供給する為に用いられることができる。本発明
は、この目的のために少なくとも二つの流体(又は二度
以上供給される一つの流体)を使用するが、本明細書に
定義されているように、実行される処理のタイプに応じ
ていくつかの追加の流体を用いるのに簡単に適用でき
る。明確であるように、本発明は比較的単純な方式で動
作し、さらに製造及び使用経費が比較的安い。特にまさ
っているのは、本明細書中に定義されているように、本
発明が、大量生産環境での使用に簡単に適用することが
でき、これによって種々の利点を得ることができる。
本発明の装置は、異なる速度で、かつ異なる時間で、種
々の流体を、装置内に位置する基板の少なくとも一つの
表面に供給する為に用いられることができる。本発明
は、この目的のために少なくとも二つの流体(又は二度
以上供給される一つの流体)を使用するが、本明細書に
定義されているように、実行される処理のタイプに応じ
ていくつかの追加の流体を用いるのに簡単に適用でき
る。明確であるように、本発明は比較的単純な方式で動
作し、さらに製造及び使用経費が比較的安い。特にまさ
っているのは、本明細書中に定義されているように、本
発明が、大量生産環境での使用に簡単に適用することが
でき、これによって種々の利点を得ることができる。
【0004】本明細書中に記述され、或いは以下に提供
される教示から認識できる、すぐれた特性を有する流体
処理装置が、技術上重要な進歩を提供することが確信さ
れる。
される教示から認識できる、すぐれた特性を有する流体
処理装置が、技術上重要な進歩を提供することが確信さ
れる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、流体処理装置の技術を高めることにある。
目的は、流体処理装置の技術を高めることにある。
【0006】本発明の他の目的は、基板の所望される処
理を実行するために、異なる速度、異なる時間で、異な
る流体を基板に供給することができる流体処理装置を提
供することにある。
理を実行するために、異なる速度、異なる時間で、異な
る流体を基板に供給することができる流体処理装置を提
供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、移動可能な基板を処
理するために、かつ定義されているように、本発明の装
置を通過する間は、基板の種々の動作(例えば、横方向
へ)を許容するために、簡単に適応できる装置を提供す
ることにある。
理するために、かつ定義されているように、本発明の装
置を通過する間は、基板の種々の動作(例えば、横方向
へ)を許容するために、簡単に適応できる装置を提供す
ることにある。
【0008】本発明の他の目的は、各流体の量を、特定
の速度で、かつ所定の時間で、第1と第2の各流体を基
板へ供給することによって移動する基板を処理する方法
を提供することにある。
の速度で、かつ所定の時間で、第1と第2の各流体を基
板へ供給することによって移動する基板を処理する方法
を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの態様は、
間を基板が通過するように、互いに対して固定的に位置
するように用いられる第1部分と第2部分を有するヘッ
ド部材を含み、前記ヘッド部材の少なくとも前記第1の
部分は、前記基板が前記開口内に位置された時に、前記
基板から第1の設定距離を置いて、前記第1の部分に位
置し、かつ内に第1の速度で移動しながら前記基板の第
1の表面と当たるための第1の量の流体を受容する第1
チャネルを有し、かつ前記第1の部分は、前記基板が前
記開口内に位置された時に、前記基板から第2の設定距
離を置いて配置されるウェアーを前記第1の部分にさら
に有しており、かつ第2の量の流体が前記第1の速度よ
りも速い第2の速度で移動しながら、上を超えて通過さ
せると共に、前記基板の前記第1の表面と当たるために
用いられるウェアーを更に有するヘッド部材と、前記第
1の量及び第2の量の流体をそれぞれ前記第1及び前記
第2の速度で移動させる為に十分な所定の圧力で、前記
第1の量の流体を前記第1のチャネルへ供給し、かつ前
記第2の量の流体を前記ウェアーへ供給する為に、前記
第1のチャネルと前記ウェアーとに作動的に連結される
流体流入手段と、前記第1の量及び第2の量の流体を実
質的に遮断し、これによって、前記流体が、前記第1と
前記第2の速度で移動する時に、前記基板の前記第1の
表面と当たるために、前記第1の部分内の設定レベルで
前記流体を保持するように、前記第1のチャネルと前記
ウェアーに隣接して位置する流体遮断手段と、を備える
基板への流体供給装置である。
間を基板が通過するように、互いに対して固定的に位置
するように用いられる第1部分と第2部分を有するヘッ
ド部材を含み、前記ヘッド部材の少なくとも前記第1の
部分は、前記基板が前記開口内に位置された時に、前記
基板から第1の設定距離を置いて、前記第1の部分に位
置し、かつ内に第1の速度で移動しながら前記基板の第
1の表面と当たるための第1の量の流体を受容する第1
チャネルを有し、かつ前記第1の部分は、前記基板が前
記開口内に位置された時に、前記基板から第2の設定距
離を置いて配置されるウェアーを前記第1の部分にさら
に有しており、かつ第2の量の流体が前記第1の速度よ
りも速い第2の速度で移動しながら、上を超えて通過さ
せると共に、前記基板の前記第1の表面と当たるために
用いられるウェアーを更に有するヘッド部材と、前記第
1の量及び第2の量の流体をそれぞれ前記第1及び前記
第2の速度で移動させる為に十分な所定の圧力で、前記
第1の量の流体を前記第1のチャネルへ供給し、かつ前
記第2の量の流体を前記ウェアーへ供給する為に、前記
第1のチャネルと前記ウェアーとに作動的に連結される
流体流入手段と、前記第1の量及び第2の量の流体を実
質的に遮断し、これによって、前記流体が、前記第1と
前記第2の速度で移動する時に、前記基板の前記第1の
表面と当たるために、前記第1の部分内の設定レベルで
前記流体を保持するように、前記第1のチャネルと前記
ウェアーに隣接して位置する流体遮断手段と、を備える
基板への流体供給装置である。
【0010】本発明の他の態様は、部分として第1の材
料と第2の材料を含む基板の処理方法であって、前記第
1の材料の物理的特性(例えば、硬度)の少なくとも一
つ以上を変更するために、第1の量の流体を、基板の材
料の第1のものの表面に供給すると共に、第1の所定時
間、第1の速度で、この流体を移動するステップと、そ
の後、前記移動基板から前記変更された第1の材料を実
質的に除去するために、前記第1の材料に第2の量の流
体を供給して、前記第1の速度よりも速い第2の速度
で、かつ前記第1の所定時間よりも短い第2の所定の時
間で、前記第2の量の流体を移動するステップを備える
基板処理方法である。
料と第2の材料を含む基板の処理方法であって、前記第
1の材料の物理的特性(例えば、硬度)の少なくとも一
つ以上を変更するために、第1の量の流体を、基板の材
料の第1のものの表面に供給すると共に、第1の所定時
間、第1の速度で、この流体を移動するステップと、そ
の後、前記移動基板から前記変更された第1の材料を実
質的に除去するために、前記第1の材料に第2の量の流
体を供給して、前記第1の速度よりも速い第2の速度
で、かつ前記第1の所定時間よりも短い第2の所定の時
間で、前記第2の量の流体を移動するステップを備える
基板処理方法である。
【0011】
【実施例】図1においては、当該装置を基板が移動する
際に、(仮想線で示されている)基板11に流体を供給
するための装置10が示されている。以下の記述によっ
て、本発明が、基板に対して移動する装置によって、固
定された基板に流体を供給するのに用いられ、或いは、
基板とヘッド部材の両方が固定される場合や、両方が移
動される場合にも、基板に流体を供給するのに用いられ
ることも理解されるであろう。従って、本発明は、移動
する基板の流体処理のみに限定されるものではない。
際に、(仮想線で示されている)基板11に流体を供給
するための装置10が示されている。以下の記述によっ
て、本発明が、基板に対して移動する装置によって、固
定された基板に流体を供給するのに用いられ、或いは、
基板とヘッド部材の両方が固定される場合や、両方が移
動される場合にも、基板に流体を供給するのに用いられ
ることも理解されるであろう。従って、本発明は、移動
する基板の流体処理のみに限定されるものではない。
【0012】装置10は、第1部分15及び第2部分1
7のそれぞれを有するヘッド部材13を含む。図1にお
いては、第1部分15が、二つの部分のうちの下部にあ
り、上部の第2部分17が、第1部分15の上に配置さ
れていることが理解されよう。第1部分15及び第2部
分17は、第1部分15及び第2部分17の間に固定開
口19を定義するために、互いに対して固定的に位置さ
れるように設計されている。図1に示されているよう
に、基板11は、最終的処理のために装置10によって
この開口を通って移動する。これら二つの部分の相対位
置の固定は、幾つかの方法によって達成することができ
るが、下方の第1部分15から突出しているネジ切りポ
スト(柱)(図示されてない)へ螺着される調整ノブ2
1を使用することが好ましい。他の手段も簡単に使用す
ることが可能であり、本発明は、この特別の構造に限定
されるものではない。
7のそれぞれを有するヘッド部材13を含む。図1にお
いては、第1部分15が、二つの部分のうちの下部にあ
り、上部の第2部分17が、第1部分15の上に配置さ
れていることが理解されよう。第1部分15及び第2部
分17は、第1部分15及び第2部分17の間に固定開
口19を定義するために、互いに対して固定的に位置さ
れるように設計されている。図1に示されているよう
に、基板11は、最終的処理のために装置10によって
この開口を通って移動する。これら二つの部分の相対位
置の固定は、幾つかの方法によって達成することができ
るが、下方の第1部分15から突出しているネジ切りポ
スト(柱)(図示されてない)へ螺着される調整ノブ2
1を使用することが好ましい。他の手段も簡単に使用す
ることが可能であり、本発明は、この特別の構造に限定
されるものではない。
【0013】第1部分15及び第2部分17の間を通っ
て基板11が移動する時には、基板11がこれらの向き
合った部分から離間して位置されるように、第1部分1
5と第2部分17が互いに対して固定的に位置されるこ
とは重要である。この実施例は、図3において最も良く
示され、かつ以下により詳細に記述される。装置10に
隣接し、装置10に対してこのように配置されているロ
ーラなどを含む、基板11を移動させるための種々の手
段が使用され得る。この種のローラは、本明細書に記述
されている装置10の一部ではないが、所望されれば、
これらの素子を含むために関連する最小限の変更が装置
に対して行われてもよい。基板が指定された方向(図1
の“A”)へ移動する時には、装置10が基板11の長
手方向移動に適応するために用いられることは有利であ
る。このような動作の間に、基板11が横方向へ変動す
る場合は、装置10がこのような横方向への移動を特別
に適応することができ、これによって基板11の最も有
効な処理を確実とすることができる。基板11のこの種
の移動は、示された方法で、装置のコーナーに位置する
複数のローラ23を使用することによって実現可能とな
る。これらのローラは、向き合った横方向(図1の
“B”)へ、一対の平行レール25(仮想線)上で移動
するために用いられる。方向“B”は、基板11の移動
の長手方向(“A”)に対してほぼ垂直であることが理
解されよう。この特徴は、長さの長い基板を処理する時
や、特に、この種の基板がこの種の処理の間にローラ等
の上方を移動する時には、極めて有利であると考えられ
る。
て基板11が移動する時には、基板11がこれらの向き
合った部分から離間して位置されるように、第1部分1
5と第2部分17が互いに対して固定的に位置されるこ
とは重要である。この実施例は、図3において最も良く
示され、かつ以下により詳細に記述される。装置10に
隣接し、装置10に対してこのように配置されているロ
ーラなどを含む、基板11を移動させるための種々の手
段が使用され得る。この種のローラは、本明細書に記述
されている装置10の一部ではないが、所望されれば、
これらの素子を含むために関連する最小限の変更が装置
に対して行われてもよい。基板が指定された方向(図1
の“A”)へ移動する時には、装置10が基板11の長
手方向移動に適応するために用いられることは有利であ
る。このような動作の間に、基板11が横方向へ変動す
る場合は、装置10がこのような横方向への移動を特別
に適応することができ、これによって基板11の最も有
効な処理を確実とすることができる。基板11のこの種
の移動は、示された方法で、装置のコーナーに位置する
複数のローラ23を使用することによって実現可能とな
る。これらのローラは、向き合った横方向(図1の
“B”)へ、一対の平行レール25(仮想線)上で移動
するために用いられる。方向“B”は、基板11の移動
の長手方向(“A”)に対してほぼ垂直であることが理
解されよう。この特徴は、長さの長い基板を処理する時
や、特に、この種の基板がこの種の処理の間にローラ等
の上方を移動する時には、極めて有利であると考えられ
る。
【0014】図3においては、ヘッド部材13の第1部
分15と第2部分17の拡大部分断面図が示されてい
る。図3がヘッド部材13のこれらの重要なパーツの全
長の一部のみを示していることが理解され、従って、図
2が、上部の第2部分17が取り除かれた状態の装置1
0を示していることが理解されよう。中間基板11の両
側表面を処理する場合は、各部分15及び17が、当該
部分15及び17に隣接する基板11のそれぞれの表面
から第1の設定距離(“D1”)に位置する第1のチャ
ネル31を含むことが好ましい。第1のチャネル31
は、当該流体が第1の速度で移動しながら、基板11の
隣接表面と当たるために、流体33(図3でいくつかの
短い矢印によって示されている)を第1チャネル内に受
容するように設計されることが重要である。さらに重要
なことには、それぞれの部分15又は17が、基板11
の隣接するそれぞれの表面から第2の設定距離(“D
2”)に位置しており、かつ当該せき(ウェアー)を越
えて、(より短い矢印で示される)流体37を通過させ
るために用いられるウェアー35をさらに含んでいる。
本明細書中で使用される「ウェアー」という用語は、流
体が上を通過する所定レベルに到達するように、流体と
当たるために設計される構造を定義することを意味す
る。本明細書中に描かれているウェアーは、(当該ウェ
アーの先端部において)湾曲する外部表面を含むように
図示されているが、本発明は、この種の構造に限定され
るものではなく、他の構造(例:平面)が使用され得る
ことが理解されよう。ウェアー35は、当該ウェアー上
を通過する流体37が、第1のチャネル31内での流体
33の速度よりもっと速い速度で移動するように、上記
の第2の距離(“D2”)に位置するのが好ましい。
(装置10は、装置のヘッド部材の第1と第2の部分が
同一であることに限定されないことが理解されよう。即
ち、本発明のより広範囲な態様においては、本発明は、
これらの第1のと第2の部分を介して通過する基板の片
側表面のみに対して流体処理を提供することが簡単にで
きるので、本明細書中に定義されているように、これら
の部分のうちの一つがチャネル及びウェアー素子(その
他)を含むことのみが必要とされる)。本発明の一つの
実施例においては、第1チャネル31は、それぞれの基
板表面から約 0.250インチ(約 0.635cm)〜約 0.500
インチ(約1.27cm)の距離に位置されたが、ウェアー
35の隣接表面は約 0.001インチ(約 0.00254cm)〜
約 0.010インチ(約0.0254cm)の距離を置いて配置さ
れた。本発明の基板とチャネルとウェアーの部分の間に
おける上記の距離は、実行されるべきプロセスに依存し
て適用され得る。従って、本発明は、上記又は本明細書
中に引用されているように、特定の距離又はその距離間
の比率に限定されるものではない。
分15と第2部分17の拡大部分断面図が示されてい
る。図3がヘッド部材13のこれらの重要なパーツの全
長の一部のみを示していることが理解され、従って、図
2が、上部の第2部分17が取り除かれた状態の装置1
0を示していることが理解されよう。中間基板11の両
側表面を処理する場合は、各部分15及び17が、当該
部分15及び17に隣接する基板11のそれぞれの表面
から第1の設定距離(“D1”)に位置する第1のチャ
ネル31を含むことが好ましい。第1のチャネル31
は、当該流体が第1の速度で移動しながら、基板11の
隣接表面と当たるために、流体33(図3でいくつかの
短い矢印によって示されている)を第1チャネル内に受
容するように設計されることが重要である。さらに重要
なことには、それぞれの部分15又は17が、基板11
の隣接するそれぞれの表面から第2の設定距離(“D
2”)に位置しており、かつ当該せき(ウェアー)を越
えて、(より短い矢印で示される)流体37を通過させ
るために用いられるウェアー35をさらに含んでいる。
本明細書中で使用される「ウェアー」という用語は、流
体が上を通過する所定レベルに到達するように、流体と
当たるために設計される構造を定義することを意味す
る。本明細書中に描かれているウェアーは、(当該ウェ
アーの先端部において)湾曲する外部表面を含むように
図示されているが、本発明は、この種の構造に限定され
るものではなく、他の構造(例:平面)が使用され得る
ことが理解されよう。ウェアー35は、当該ウェアー上
を通過する流体37が、第1のチャネル31内での流体
33の速度よりもっと速い速度で移動するように、上記
の第2の距離(“D2”)に位置するのが好ましい。
(装置10は、装置のヘッド部材の第1と第2の部分が
同一であることに限定されないことが理解されよう。即
ち、本発明のより広範囲な態様においては、本発明は、
これらの第1のと第2の部分を介して通過する基板の片
側表面のみに対して流体処理を提供することが簡単にで
きるので、本明細書中に定義されているように、これら
の部分のうちの一つがチャネル及びウェアー素子(その
他)を含むことのみが必要とされる)。本発明の一つの
実施例においては、第1チャネル31は、それぞれの基
板表面から約 0.250インチ(約 0.635cm)〜約 0.500
インチ(約1.27cm)の距離に位置されたが、ウェアー
35の隣接表面は約 0.001インチ(約 0.00254cm)〜
約 0.010インチ(約0.0254cm)の距離を置いて配置さ
れた。本発明の基板とチャネルとウェアーの部分の間に
おける上記の距離は、実行されるべきプロセスに依存し
て適用され得る。従って、本発明は、上記又は本明細書
中に引用されているように、特定の距離又はその距離間
の比率に限定されるものではない。
【0015】ポリマー材料(例えば、ポリイミド)とそ
の上の金属(例えば、銅)からなる基板が処理される。
(以下に定義される目的のために)この材料を処理する
ための好ましい流体は水酸化カリウムであり、この材料
は、第1のチャネル31へ連絡する孔41を介して毎分
約 200フィート(約 6,096cm)の速度で供給される。
孔41は本発明の流入手段の一部を示し、それはまた所
望の流体(記述されているように、この場合は水酸化カ
リウムである)を含む好適なソース(図示されていな
い)と作動的に連結される。このような速度で、またこ
の種の流体を使って、基板11は、毎分約0.50フィート
(約15.24 cm)〜約10フィート(約304.8 cm)の範
囲の均一な速度で移動する。さらに、第1のチャネル3
1は、それぞれ、約 0.10 インチ(約0.254 cm)から
大きくて約 6.00 インチ(約15.24cm)までの範囲の
幅(図3のW1)を含み得る。従って、基板11は流体
33に対して露出されると共に、約10秒から30秒の
時間で、チャネル31内で定義された第1の速度で移動
する。このようにして露出された基板は、わずか約1秒
から約2秒の時間で、ウェアー35とそれぞれの基板の
表面との間を通過するもっと高い速度の流体37を受け
る。流体33に対するこのような露出によって、以下に
記述されるような目的のために、基板材料が「ソーキン
グ(浸漬)」されることを実際に可能とすることでき
る。より高速度で流れる流体に浸漬された材料を露出す
ることによって、それぞれのウェアー35を超えてより
迅速に移動する流体によって、所望される方法によって
浸漬された材料の結合を緩くしたり、或いはこの種の材
料に影響を与えるように作用することもある。
の上の金属(例えば、銅)からなる基板が処理される。
(以下に定義される目的のために)この材料を処理する
ための好ましい流体は水酸化カリウムであり、この材料
は、第1のチャネル31へ連絡する孔41を介して毎分
約 200フィート(約 6,096cm)の速度で供給される。
孔41は本発明の流入手段の一部を示し、それはまた所
望の流体(記述されているように、この場合は水酸化カ
リウムである)を含む好適なソース(図示されていな
い)と作動的に連結される。このような速度で、またこ
の種の流体を使って、基板11は、毎分約0.50フィート
(約15.24 cm)〜約10フィート(約304.8 cm)の範
囲の均一な速度で移動する。さらに、第1のチャネル3
1は、それぞれ、約 0.10 インチ(約0.254 cm)から
大きくて約 6.00 インチ(約15.24cm)までの範囲の
幅(図3のW1)を含み得る。従って、基板11は流体
33に対して露出されると共に、約10秒から30秒の
時間で、チャネル31内で定義された第1の速度で移動
する。このようにして露出された基板は、わずか約1秒
から約2秒の時間で、ウェアー35とそれぞれの基板の
表面との間を通過するもっと高い速度の流体37を受け
る。流体33に対するこのような露出によって、以下に
記述されるような目的のために、基板材料が「ソーキン
グ(浸漬)」されることを実際に可能とすることでき
る。より高速度で流れる流体に浸漬された材料を露出す
ることによって、それぞれのウェアー35を超えてより
迅速に移動する流体によって、所望される方法によって
浸漬された材料の結合を緩くしたり、或いはこの種の材
料に影響を与えるように作用することもある。
【0016】本明細書中に定義されている所望の流体速
度を得るためには、これらの複数の流体(或いは、例え
ば、第1のチャネルとウェアーなどの上記の二つの位置
において二つの異なる量で供給される場合には単一流
体)が、所定の圧力で本発明のヘッド部材に供給されな
ければならない。本明細書中に述べられている流体、基
板、構造的配置、及び距離を用いて、これらの流体は、
約1ポンド/平方インチ(約0.453kg/6.45
1cm2 )〜約60ポンド/平方インチ(約27.18
kg/6.451cm2 )にわたる範囲の圧力で供給さ
れた。約0.10ポンド/平方インチ(約0.0453kg
/6.451cm2 )の低圧力で首尾よく使用された。
この種の圧力は、各供給ごとに一定しているのが好まし
く、かつ必要に応じて適用され得る。明確であるよう
に、この種の流体は、以下により詳細に記述される本発
明の流入手段を用いて提供される。
度を得るためには、これらの複数の流体(或いは、例え
ば、第1のチャネルとウェアーなどの上記の二つの位置
において二つの異なる量で供給される場合には単一流
体)が、所定の圧力で本発明のヘッド部材に供給されな
ければならない。本明細書中に述べられている流体、基
板、構造的配置、及び距離を用いて、これらの流体は、
約1ポンド/平方インチ(約0.453kg/6.45
1cm2 )〜約60ポンド/平方インチ(約27.18
kg/6.451cm2 )にわたる範囲の圧力で供給さ
れた。約0.10ポンド/平方インチ(約0.0453kg
/6.451cm2 )の低圧力で首尾よく使用された。
この種の圧力は、各供給ごとに一定しているのが好まし
く、かつ必要に応じて適用され得る。明確であるよう
に、この種の流体は、以下により詳細に記述される本発
明の流入手段を用いて提供される。
【0017】図3に示されている方法で基板を処理する
時に、流体に対して所望される速度を確実とするため
に、装置10は、ヘッド部材15及び17の長手方向の
うちの片側に沿って配置される細長いバー44の形態
で、流体ブロック(遮断)手段43を含む。ブロック手
段43は、この位置で図2及び図4に示されている。ブ
ロック手段の細長いバー44は、ヘッド部材13のそれ
ぞれの部分を形成する細長いチャネル31の横方向に、
流体が流出するのを実質的に阻止する。下方の第1部分
15に関連する細長いチャネル31と隣接するウェアー
35は、図2に最も良く示されている。第1チャネル3
1のそれぞれへ通過する(孔41を介して)流体が横方
向へ逃げようとするのは明確である。この種の流出は、
この流体が隣接するウェアー35を超えて通過しなけれ
ばならないように、比較的平らな細長いバー44を使っ
て、ほぼ阻止される。バー44の全幅に対する第1チャ
ネル31とウェアー35のそれぞれの位置は、図4の断
面図に最も良く示されている。遮断手段43は、これら
の流体が本明細書中に定義されている速度で基板11と
当たるように、設定されたレベル(示されているよう
に)においてヘッド部材13内部でそれぞれの流体を保
持することが理解される。これによって、基板の所望さ
れる処理が行なわれるように、離間されて位置された基
板の一つ以上の表面上へ正確な速度で流体を供給するこ
とを確実とする本発明の重要な態様を構成することが考
えられる。この種の流体は、所望される所定圧力での装
置10への流体供給を確実とするために、好ましくは、
好適な供給手段(例えば、ポンプ)を含む、それぞれの
ソース(例えば、タンク等の供給源)から装置10へ供
給されることが理解されよう。この種のソースと供給手
段は、従来の技術において周知であるので、さらなる説
明は省略される。
時に、流体に対して所望される速度を確実とするため
に、装置10は、ヘッド部材15及び17の長手方向の
うちの片側に沿って配置される細長いバー44の形態
で、流体ブロック(遮断)手段43を含む。ブロック手
段43は、この位置で図2及び図4に示されている。ブ
ロック手段の細長いバー44は、ヘッド部材13のそれ
ぞれの部分を形成する細長いチャネル31の横方向に、
流体が流出するのを実質的に阻止する。下方の第1部分
15に関連する細長いチャネル31と隣接するウェアー
35は、図2に最も良く示されている。第1チャネル3
1のそれぞれへ通過する(孔41を介して)流体が横方
向へ逃げようとするのは明確である。この種の流出は、
この流体が隣接するウェアー35を超えて通過しなけれ
ばならないように、比較的平らな細長いバー44を使っ
て、ほぼ阻止される。バー44の全幅に対する第1チャ
ネル31とウェアー35のそれぞれの位置は、図4の断
面図に最も良く示されている。遮断手段43は、これら
の流体が本明細書中に定義されている速度で基板11と
当たるように、設定されたレベル(示されているよう
に)においてヘッド部材13内部でそれぞれの流体を保
持することが理解される。これによって、基板の所望さ
れる処理が行なわれるように、離間されて位置された基
板の一つ以上の表面上へ正確な速度で流体を供給するこ
とを確実とする本発明の重要な態様を構成することが考
えられる。この種の流体は、所望される所定圧力での装
置10への流体供給を確実とするために、好ましくは、
好適な供給手段(例えば、ポンプ)を含む、それぞれの
ソース(例えば、タンク等の供給源)から装置10へ供
給されることが理解されよう。この種のソースと供給手
段は、従来の技術において周知であるので、さらなる説
明は省略される。
【0018】図3及び図4に示されているように、部分
15及び部分17はそれぞれ、ウェアー35に隣接して
配置されかつこれらのウェアー上を通過する流体を流入
させるために用いられる少なくとも一つのドレンチャネ
ル51の形態を有する排出手段をさらに含み、これによ
りこの流体は細長いドレン端部に位置する開口53を介
して外部へ流出する。開口53は各ドレンの両端部内に
提供されるのが好ましい。これらの開口53は、ドレン
51と細長いバー44の壁によって画定されるのが好ま
しい。基板11に供給される流体は、これらのドレンを
介して、かつ装置10の横側に沿って位置するそれぞれ
のマニホルド55(図4)の外側へ向かって通過する。
これについては図1も参照されたい。マニホルド55
は、隣接する第1部分15と第2部分17の一体化部分
を形成することもあり、或いは、当該第1部分15と第
2部分17に取り付けられた分離した構造を示すことも
ある。本発明のドレンを介して流出し、かつこれらの各
マニホルド(図4に示されている)へ入り込む流体は、
予め設定されたレベルまでマニホルド内で収容される。
マニホルドは、当該マニホルドの最上部に位置する、即
ち前記流体が第1チャネル31内とウェアー35上のそ
れぞれに位置する時に、上記に定義された第1の量と第
2の量の流体によって得られる最高レベルのほぼ上にあ
る、少なくとも一つの(好ましくはいくつかの)開口5
7を含むことが好ましい。これらの流体の排出開口57
の位置によって、基板11に供給されるように設計され
た流体は、本明細書中に定義されるそれぞれの速度でこ
のように供給されることを確実とするように働く点にお
いて本発明のすぐれた態様を示すことができる。
15及び部分17はそれぞれ、ウェアー35に隣接して
配置されかつこれらのウェアー上を通過する流体を流入
させるために用いられる少なくとも一つのドレンチャネ
ル51の形態を有する排出手段をさらに含み、これによ
りこの流体は細長いドレン端部に位置する開口53を介
して外部へ流出する。開口53は各ドレンの両端部内に
提供されるのが好ましい。これらの開口53は、ドレン
51と細長いバー44の壁によって画定されるのが好ま
しい。基板11に供給される流体は、これらのドレンを
介して、かつ装置10の横側に沿って位置するそれぞれ
のマニホルド55(図4)の外側へ向かって通過する。
これについては図1も参照されたい。マニホルド55
は、隣接する第1部分15と第2部分17の一体化部分
を形成することもあり、或いは、当該第1部分15と第
2部分17に取り付けられた分離した構造を示すことも
ある。本発明のドレンを介して流出し、かつこれらの各
マニホルド(図4に示されている)へ入り込む流体は、
予め設定されたレベルまでマニホルド内で収容される。
マニホルドは、当該マニホルドの最上部に位置する、即
ち前記流体が第1チャネル31内とウェアー35上のそ
れぞれに位置する時に、上記に定義された第1の量と第
2の量の流体によって得られる最高レベルのほぼ上にあ
る、少なくとも一つの(好ましくはいくつかの)開口5
7を含むことが好ましい。これらの流体の排出開口57
の位置によって、基板11に供給されるように設計され
た流体は、本明細書中に定義されるそれぞれの速度でこ
のように供給されることを確実とするように働く点にお
いて本発明のすぐれた態様を示すことができる。
【0019】例えば、図示されているよりも深いドレン
を用意し、かつ同一サイズの遮断バーを用いることによ
って、(ドレン51を介する)流体流出の速度は適用さ
れ得る。或いは、バーの全体的な幅は、同一の深さのド
レンを用いて減少され得る。他の変更も可能である。
を用意し、かつ同一サイズの遮断バーを用いることによ
って、(ドレン51を介する)流体流出の速度は適用さ
れ得る。或いは、バーの全体的な幅は、同一の深さのド
レンを用いて減少され得る。他の変更も可能である。
【0020】図2に示されているように、装置10は、
各々が第1部分15及び第2部分17の両側に位置する
二つのマニホルドを含む。従って、これらのマニホルド
と、本発明の細長い流体遮断手段43とは、基板11の
移動方向(“A”)とほぼ平行に位置する。即ち、これ
らは、上記に定義された細長いチャネル及びウェアー素
子にほぼ垂直に位置する。このような位置関係は、他の
配置方向も首尾よく利用され得る点において、本発明を
限定するものではないと考えられる。図1及び図2に示
されているように、各マニホルド55は、それぞれの開
口57を構成する一対の細長いスロットを有しているの
が好ましい。これらの開口の他の構造配置だけでなく、
より多くの開口を設けることが容易にできる点で、本発
明を限定するものではない。本発明の排出手段(例:マ
ニホルド55)は、好適なコレクション(捕集)リザー
バ(図示されてない)と作動的に連結されているのが好
ましい。さらに、これらの流体の再循環が所望された場
合は、この捕集リザーバが上記ソース(例えばタンク)
と連結され、かつこれらの流体が再循環的方法を用いて
このソースへ供給され得る。好適な濾過手段(図示され
ていない)も、所望されれば、このシステム内に含まれ
得る。この種の追加的な構造は、従来の技術において十
分に明確であり、従って、さらなる説明は省略される。
各々が第1部分15及び第2部分17の両側に位置する
二つのマニホルドを含む。従って、これらのマニホルド
と、本発明の細長い流体遮断手段43とは、基板11の
移動方向(“A”)とほぼ平行に位置する。即ち、これ
らは、上記に定義された細長いチャネル及びウェアー素
子にほぼ垂直に位置する。このような位置関係は、他の
配置方向も首尾よく利用され得る点において、本発明を
限定するものではないと考えられる。図1及び図2に示
されているように、各マニホルド55は、それぞれの開
口57を構成する一対の細長いスロットを有しているの
が好ましい。これらの開口の他の構造配置だけでなく、
より多くの開口を設けることが容易にできる点で、本発
明を限定するものではない。本発明の排出手段(例:マ
ニホルド55)は、好適なコレクション(捕集)リザー
バ(図示されてない)と作動的に連結されているのが好
ましい。さらに、これらの流体の再循環が所望された場
合は、この捕集リザーバが上記ソース(例えばタンク)
と連結され、かつこれらの流体が再循環的方法を用いて
このソースへ供給され得る。好適な濾過手段(図示され
ていない)も、所望されれば、このシステム内に含まれ
得る。この種の追加的な構造は、従来の技術において十
分に明確であり、従って、さらなる説明は省略される。
【0021】図2〜図4に示されるように、部分15及
び部分17は、それぞれの隣接する基板表面から第3の
距離(“D3”)に設定される第2チャネル61をさら
に含み得る。このような配置によって、他の流体63
が、先に定義された速度とは異なる速度で移動すると共
に、基板11に供給されることができる。或いは、反復
が要求されるならば、先に供給された流体と同じ流体を
供給することも可能である。上記のように、一つの実施
例においては、第2の流体の例は、基板を洗浄するため
に水などから構成され得る。第2流体61は、第1チャ
ネル31の距離よりも短い距離に位置しており、従っ
て、この第1チャネルに関する速度よりもわずかに速い
速度で基板11に流体63を供給するために特に設計さ
れる。本発明の一つの実施例において、この流体63
は、それぞれの基板表面から約 0.250インチ(約0.6
35cm)の距離を置いて位置するチャネル61によっ
て、毎分約1フィート(約30.48cm)の速度で移
動しながら、(基板11に)供給される。さらに、各チ
ャネル61は、その両側に沿ってウェアー67を含んで
おり、これによって、それぞれの第2チャネル内の速度
よりも加速された速度(より高速度)で、ウェアー67
を超えて流体63を通過させる。流体63は、好ましく
は、複数の孔71を介してそれぞれの第2チャネルへ提
供される。図4に示されているように、チャネル31と
チャネル61の各々は、内部に離間されて位置する複数
の孔(それぞれ参照番号41と参照番号71)を含む。
び部分17は、それぞれの隣接する基板表面から第3の
距離(“D3”)に設定される第2チャネル61をさら
に含み得る。このような配置によって、他の流体63
が、先に定義された速度とは異なる速度で移動すると共
に、基板11に供給されることができる。或いは、反復
が要求されるならば、先に供給された流体と同じ流体を
供給することも可能である。上記のように、一つの実施
例においては、第2の流体の例は、基板を洗浄するため
に水などから構成され得る。第2流体61は、第1チャ
ネル31の距離よりも短い距離に位置しており、従っ
て、この第1チャネルに関する速度よりもわずかに速い
速度で基板11に流体63を供給するために特に設計さ
れる。本発明の一つの実施例において、この流体63
は、それぞれの基板表面から約 0.250インチ(約0.6
35cm)の距離を置いて位置するチャネル61によっ
て、毎分約1フィート(約30.48cm)の速度で移
動しながら、(基板11に)供給される。さらに、各チ
ャネル61は、その両側に沿ってウェアー67を含んで
おり、これによって、それぞれの第2チャネル内の速度
よりも加速された速度(より高速度)で、ウェアー67
を超えて流体63を通過させる。流体63は、好ましく
は、複数の孔71を介してそれぞれの第2チャネルへ提
供される。図4に示されているように、チャネル31と
チャネル61の各々は、内部に離間されて位置する複数
の孔(それぞれ参照番号41と参照番号71)を含む。
【0022】本発明の一つの実施例においては、上記に
示されているように、第2チャネル61はそれぞれ約1
インチ(約2.54cm)の全幅(“W2”)を有して
いる。これらのチャネルを介して通過すると共に基板1
1に供給される流体は、隣接するドレンチャネル51及
び51’のそれぞれの両端に位置する複数のオリフィス
53を介してそれぞれの部分15及び17から流出する
ことが可能とされ、ここで、これらのオリフィス53は
それぞれのドレンオリフィスと、本発明の流体遮断手段
の対応する細長いバーによって定義される。従って、所
望される結果を出すために必要とされる流体の所望加速
度に流体63を保持するために、本発明の流体遮断手段
が本発明のこの部分で機能することも示されている。
示されているように、第2チャネル61はそれぞれ約1
インチ(約2.54cm)の全幅(“W2”)を有して
いる。これらのチャネルを介して通過すると共に基板1
1に供給される流体は、隣接するドレンチャネル51及
び51’のそれぞれの両端に位置する複数のオリフィス
53を介してそれぞれの部分15及び17から流出する
ことが可能とされ、ここで、これらのオリフィス53は
それぞれのドレンオリフィスと、本発明の流体遮断手段
の対応する細長いバーによって定義される。従って、所
望される結果を出すために必要とされる流体の所望加速
度に流体63を保持するために、本発明の流体遮断手段
が本発明のこの部分で機能することも示されている。
【0023】従って、この構造によって、恐らく、チャ
ネル31とチャネル61のそれぞれから、二つの異なる
流体が、混合されることなく、使用されることができ、
本発明の一例においては、前記流体は、共通のドレンチ
ャネルを介して本発明の装置から排出される。流体の混
合が完全に阻止されるように、これらの流体を固有のド
レンチャネルへ流出させるためには、それぞれ第1チャ
ネルに最も近いウェアー67を超えて通過する流体のた
めに、分離した付加的なドレンチャネルを提供すること
は本発明を逸脱するものではない。この種の混合の防止
のためには、個々の分離した出口開口57を有する分離
した受容チャンバ(図示されてない)へこれらの流出流
体が流出するように、隣接するマニホルドを好適なセグ
メント(区分)をさらに必要とすることは当然である。
本発明に対するこの種の変更は、当業者に明確であるの
で、さらなる定義は行なわれない。
ネル31とチャネル61のそれぞれから、二つの異なる
流体が、混合されることなく、使用されることができ、
本発明の一例においては、前記流体は、共通のドレンチ
ャネルを介して本発明の装置から排出される。流体の混
合が完全に阻止されるように、これらの流体を固有のド
レンチャネルへ流出させるためには、それぞれ第1チャ
ネルに最も近いウェアー67を超えて通過する流体のた
めに、分離した付加的なドレンチャネルを提供すること
は本発明を逸脱するものではない。この種の混合の防止
のためには、個々の分離した出口開口57を有する分離
した受容チャンバ(図示されてない)へこれらの流出流
体が流出するように、隣接するマニホルドを好適なセグ
メント(区分)をさらに必要とすることは当然である。
本発明に対するこの種の変更は、当業者に明確であるの
で、さらなる定義は行なわれない。
【0024】図3に示されるように、基板が前の供給の
位置を通過した後に基板11に流体を供給するために、
各部分15及び17は、内部に第3のチャネル81をさ
らに有し得る。第3のチャネル81は、チャネル31と
チャネル61の定義された幅よりも実質的に細い幅
(“W3”)を有する。第3のチャネル81は、第1チ
ャネル31と第2チャネル61とは異なる距離に位置し
得る。従って、これらの第3のチャネル81は、さらに
他の方法で基板を特殊処理するために、上記の二つのチ
ャネルの速度とは異なる速度で移動する流体を供給する
ことができる。第3のチャネル81から供給され得る流
体の一例は硫酸であり、この流体は、毎分約0.50 イン
チ(約15.24cm)〜約1インチ(約30.48c
m)の速度で移動しながら供給される。この第3のチャ
ネルは、約 0.125インチ(約0.3175cm)の距離
(“D4”)で位置し得る。本明細書中に示されるよう
な構成においては、これら第3のチャネルは、約2イン
チ(約5.08cm)の幅を有し得る。各チャネル81
には、本明細書中に定義される他のチャネルに対する供
給手段と同様の方法で好適な流体供給手段に作動的に連
結されたチャネル内の孔83を介して、流体が供給され
る。チャネル81からの流体は、当該チャネルの対向
し、かつ隣接する側に沿って位置するウェアー85を超
えて、それぞれの隣接ドレン51”へ入り、それぞれの
オリフィス53を介して流出する。この場合、オリフィ
スは、本発明の先に述べた素子に対する出口オリフィス
と同様に、それぞれのドレンの壁及び流体遮断バー44
によって定義される。他の流体から流体分離することが
が所望される場合には、好適な個々のチャンバが、先に
定義された方法と同様の方法で、それぞれのマニホルド
55内に提供され得る。さらに、各チャンバは固有の出
口開口部を有しており、これによって、所望されれば、
流体が、分離した捕集リザーバ(及び再循環)へ戻され
得る。
位置を通過した後に基板11に流体を供給するために、
各部分15及び17は、内部に第3のチャネル81をさ
らに有し得る。第3のチャネル81は、チャネル31と
チャネル61の定義された幅よりも実質的に細い幅
(“W3”)を有する。第3のチャネル81は、第1チ
ャネル31と第2チャネル61とは異なる距離に位置し
得る。従って、これらの第3のチャネル81は、さらに
他の方法で基板を特殊処理するために、上記の二つのチ
ャネルの速度とは異なる速度で移動する流体を供給する
ことができる。第3のチャネル81から供給され得る流
体の一例は硫酸であり、この流体は、毎分約0.50 イン
チ(約15.24cm)〜約1インチ(約30.48c
m)の速度で移動しながら供給される。この第3のチャ
ネルは、約 0.125インチ(約0.3175cm)の距離
(“D4”)で位置し得る。本明細書中に示されるよう
な構成においては、これら第3のチャネルは、約2イン
チ(約5.08cm)の幅を有し得る。各チャネル81
には、本明細書中に定義される他のチャネルに対する供
給手段と同様の方法で好適な流体供給手段に作動的に連
結されたチャネル内の孔83を介して、流体が供給され
る。チャネル81からの流体は、当該チャネルの対向
し、かつ隣接する側に沿って位置するウェアー85を超
えて、それぞれの隣接ドレン51”へ入り、それぞれの
オリフィス53を介して流出する。この場合、オリフィ
スは、本発明の先に述べた素子に対する出口オリフィス
と同様に、それぞれのドレンの壁及び流体遮断バー44
によって定義される。他の流体から流体分離することが
が所望される場合には、好適な個々のチャンバが、先に
定義された方法と同様の方法で、それぞれのマニホルド
55内に提供され得る。さらに、各チャンバは固有の出
口開口部を有しており、これによって、所望されれば、
流体が、分離した捕集リザーバ(及び再循環)へ戻され
得る。
【0025】図5においては、装置10の一部として使
用され得るヘッド部材13’の他の実施例が示されてい
る。ヘッド部材13’は、向き合った第1部分15及び
第2部分17をオフセット(変位)した結果、図3にお
けるヘッド部材13とは異なった状態になる。図示され
ているように、一方の部分のそれぞれのドレンチャネル
が対向する他方の部分の流入チャネルとはほぼ反対側に
位置し、逆の場合はその反対に位置するように、わずか
にオフセットされている。この構成は、当該基板に複数
の開口12を含む基板11’を処理する時に特に適して
いる。図3に示されているように、基板の片側(従っ
て、部分15及び部分17のうちの一方から)から供給
された流体は、オフセット関係に基づいて、これらの開
口12を介して簡単に通過することができる。従って、
この構成は、本発明の他の特別な態様と組み合わされ、
これによって、コンピュータプロセッサに使用されるフ
レキシブル回路基板の初期構成素子(例えば、銅板)を
形成する基板などの開口された基板の効果的な処理を確
実とする。以下に詳細に定義される、この種のかなり薄
い構成素子は、これらの開口内に、所望されない物質を
含むこともあり、これに対してこの様な物質の除去が非
常に所望される。図5の実施例は、この種の処理に特に
用いられる。
用され得るヘッド部材13’の他の実施例が示されてい
る。ヘッド部材13’は、向き合った第1部分15及び
第2部分17をオフセット(変位)した結果、図3にお
けるヘッド部材13とは異なった状態になる。図示され
ているように、一方の部分のそれぞれのドレンチャネル
が対向する他方の部分の流入チャネルとはほぼ反対側に
位置し、逆の場合はその反対に位置するように、わずか
にオフセットされている。この構成は、当該基板に複数
の開口12を含む基板11’を処理する時に特に適して
いる。図3に示されているように、基板の片側(従っ
て、部分15及び部分17のうちの一方から)から供給
された流体は、オフセット関係に基づいて、これらの開
口12を介して簡単に通過することができる。従って、
この構成は、本発明の他の特別な態様と組み合わされ、
これによって、コンピュータプロセッサに使用されるフ
レキシブル回路基板の初期構成素子(例えば、銅板)を
形成する基板などの開口された基板の効果的な処理を確
実とする。以下に詳細に定義される、この種のかなり薄
い構成素子は、これらの開口内に、所望されない物質を
含むこともあり、これに対してこの様な物質の除去が非
常に所望される。図5の実施例は、この種の処理に特に
用いられる。
【0026】図6においては、種々の流体チャネル(及
びドレン)の組合せが示されており、基板が当該チャネ
ルの上を移動する時に基板11”を特に処理するための
本発明のヘッド部材(13”)の一つの実施例を形成し
得る。図6に示されている本発明は、基板の正反対の側
(図6では基板の上側)に、或いは、所望されれば、
(図5に示されているように)基板の反対側で、わずか
にオフセットされた方向に配置される、ヘッド部材の、
他の同様の部分と共に使用されるように、本発明が適応
され得ることが理解される。従って、この種のヘッド部
材13”に対する一つだけの部分(15’)の記述が必
要であると考えられる。図6におけるアセンブリは、当
該基板の両側表面上に位置する第2の材料93を有する
金属(例えば、銅)の第1部分91を含む、移動基板1
1”を処理するために特に用いられる。この種の基板1
1”は、図7において部分断面図で示されている。図6
の本発明が、図7に定義される基板のタイプの処理のみ
に限定されるものではなく、このアセンブリによって他
の基板が簡単に処理され得る点にある。従って、図6の
アセンブリは、特定の基板の所望の処理を達成するため
に、本発明によって実現可能な種々の変更のうちの一例
を示すために引用される。図6及び図7に記述されてい
る基板及びアセンブリは、本発明の特別な特徴を図示す
るためにのみに示されている。
びドレン)の組合せが示されており、基板が当該チャネ
ルの上を移動する時に基板11”を特に処理するための
本発明のヘッド部材(13”)の一つの実施例を形成し
得る。図6に示されている本発明は、基板の正反対の側
(図6では基板の上側)に、或いは、所望されれば、
(図5に示されているように)基板の反対側で、わずか
にオフセットされた方向に配置される、ヘッド部材の、
他の同様の部分と共に使用されるように、本発明が適応
され得ることが理解される。従って、この種のヘッド部
材13”に対する一つだけの部分(15’)の記述が必
要であると考えられる。図6におけるアセンブリは、当
該基板の両側表面上に位置する第2の材料93を有する
金属(例えば、銅)の第1部分91を含む、移動基板1
1”を処理するために特に用いられる。この種の基板1
1”は、図7において部分断面図で示されている。図6
の本発明が、図7に定義される基板のタイプの処理のみ
に限定されるものではなく、このアセンブリによって他
の基板が簡単に処理され得る点にある。従って、図6の
アセンブリは、特定の基板の所望の処理を達成するため
に、本発明によって実現可能な種々の変更のうちの一例
を示すために引用される。図6及び図7に記述されてい
る基板及びアセンブリは、本発明の特別な特徴を図示す
るためにのみに示されている。
【0027】図7に示されているように、基板11”は
基板の反対表面上に第2の材料93を有する第1の金属
材料91を含む。基板11”が最終的に薄膜として使用
されるならば、第2の材料93の一例である、本明細書
中に記述されているタイプのフレキシブル回路素子は、
公知の誘電体であるポリイミドである。この種の材料
は、最終的に回路基板の誘電体部分を形成するために硬
化されるのが好ましい。この業界でそのいくつかのタイ
プが公知であるこの材料は、従来の公知の技術(例え
ば、ラミネーション)における金属ベース素子91に供
給されるのが好ましく、従って、これ以上の説明は省か
れる。この種の基板形成の間、いくつかの開口95を基
板内部に設ける(例えば、ドリルによる)することは通
常であり、最終的な構造におけるこれらの開口は、好適
なめっき(銅などの)を有することもあり、それはま
た、この最終的な構造における反対側の回路(例えば、
信号又は接地)平面と電気的接続するための手段として
作用し得る。この種の開口95は、技術的にはメッキさ
れたスルーホール(PTH)と呼ばれ、これらの技術は
周知なのでこれ以上詳細な説明は省かれる。この孔の形
成において、誘電体材料93の種々の部分は、(例え
ば、これらの開口を設けるためのドリリング(孔開け)
などによって)開口95内へ延出し得る。この種の所望
されない材料の部分93が、図7の参照番号97で示さ
れている。
基板の反対表面上に第2の材料93を有する第1の金属
材料91を含む。基板11”が最終的に薄膜として使用
されるならば、第2の材料93の一例である、本明細書
中に記述されているタイプのフレキシブル回路素子は、
公知の誘電体であるポリイミドである。この種の材料
は、最終的に回路基板の誘電体部分を形成するために硬
化されるのが好ましい。この業界でそのいくつかのタイ
プが公知であるこの材料は、従来の公知の技術(例え
ば、ラミネーション)における金属ベース素子91に供
給されるのが好ましく、従って、これ以上の説明は省か
れる。この種の基板形成の間、いくつかの開口95を基
板内部に設ける(例えば、ドリルによる)することは通
常であり、最終的な構造におけるこれらの開口は、好適
なめっき(銅などの)を有することもあり、それはま
た、この最終的な構造における反対側の回路(例えば、
信号又は接地)平面と電気的接続するための手段として
作用し得る。この種の開口95は、技術的にはメッキさ
れたスルーホール(PTH)と呼ばれ、これらの技術は
周知なのでこれ以上詳細な説明は省かれる。この孔の形
成において、誘電体材料93の種々の部分は、(例え
ば、これらの開口を設けるためのドリリング(孔開け)
などによって)開口95内へ延出し得る。この種の所望
されない材料の部分93が、図7の参照番号97で示さ
れている。
【0028】基板11”は、図7に示されている配置構
成とは異なる配置構成を所有し得る。例えば、誘電体層
(例えば、ポリイミド)は、当該中間層の上で向き合う
金属層(例えば、銅、又はクロム−銅−クロム)を有す
る中間層を形成し得る。さらに、一つの誘電体であっ
て、隣接する導電層のみを形成することが可能である。
成とは異なる配置構成を所有し得る。例えば、誘電体層
(例えば、ポリイミド)は、当該中間層の上で向き合う
金属層(例えば、銅、又はクロム−銅−クロム)を有す
る中間層を形成し得る。さらに、一つの誘電体であっ
て、隣接する導電層のみを形成することが可能である。
【0029】図6のアセンブリは、このようにして処理
された基板11”が、高品質のエンドプロダクトを提供
するために、最終的にさらに処理され得る(例えば、上
記のめっきを付け加えることを含む)ように、それぞれ
の開口95からこれらの所望されない物質を除去するた
めに特別に設計されていることが理解される。
された基板11”が、高品質のエンドプロダクトを提供
するために、最終的にさらに処理され得る(例えば、上
記のめっきを付け加えることを含む)ように、それぞれ
の開口95からこれらの所望されない物質を除去するた
めに特別に設計されていることが理解される。
【0030】図6において、基板内部に開口95(図6
で示されてない)を含む基板11”は、部分15’を横
切って、毎分約3フィート(約91.44cm)〜約1
0フィート(約304.8cm)の均一速度で移動す
る。基板への供給の為に、第1の流体(FLUID 1)をチ
ャネル内に通過させるために、少なくとも二つの第1チ
ャネル101を含む。本発明の一実施例において、この
第1の流体は、上記の水酸化カリウムであるのが好まし
い。この第1の流体は、上記の教示によって部分15’
から除去されるのが好ましい。この流体供給の後、基板
11”は、好ましくは、約1分間で第2の流体(FLUID
2)に露出され、この第2の流体は、例えば、基板の洗
浄を実質的な目的とする水であってもよい。基板の開口
内(所望されれば他の部分)に位置する基板のポリイミ
ド材料の部分を攻撃するように作用して、水酸化カリウ
ムである第1の流体は、このポリイミド材料の部分の膨
張(及び軟化)を効果的に生じさせ、これによって第2
の流体の供給が、より高速度で、それぞれの開口からの
不要部分を除去するように作用することができる。本発
明のウェアー上で流体の速度が増すことによって、例え
ば、このような膨張部分をこのような流体の衝突がない
場合に生じるような濃縮化から防止することにより、ポ
リイミドの膨張部分の結合を緩くする動作をさらに支援
することができる。膨張した材料の除去に続いて、基板
11”は、さらに、水酸化カリウムをほぼ中和すること
を目的とする、例えば、硫酸である、第3の流体(FLUI
D 3)に露出され得る。第3の流体は、第1及び第2の
流体の速度(それぞれ毎分約1フィート(約30.48
cm)及び毎分約100フィート(約3048cm))
と比較すると、毎分約1フィート(約30.48cm)
の速度で供給され得る。基板11”は、定義された均一
の移動速度で、約1分間で、第1の流体に露出され、次
いで、約0.5分間で第2の洗浄流体に露出され、次い
で、上記の流体速度で、約1分間で、中和硫酸に露出さ
れるのが好ましい。この三つの流体処理の後には、基板
11”は、基板に残存するいかなる酸性材料も除去する
ことを目的とする水などからなる第4の流体(FLUID
4)へ露出され得る。これら四つの流体の供給に続い
て、基板は、本発明の好ましい実施例では空気である、
第5流体によって乾燥され得る。従って、本発明のヘッ
ド部材の部分は、所望されれば、この種の気体の供給を
さらに含むように十分に適応され得る。
で示されてない)を含む基板11”は、部分15’を横
切って、毎分約3フィート(約91.44cm)〜約1
0フィート(約304.8cm)の均一速度で移動す
る。基板への供給の為に、第1の流体(FLUID 1)をチ
ャネル内に通過させるために、少なくとも二つの第1チ
ャネル101を含む。本発明の一実施例において、この
第1の流体は、上記の水酸化カリウムであるのが好まし
い。この第1の流体は、上記の教示によって部分15’
から除去されるのが好ましい。この流体供給の後、基板
11”は、好ましくは、約1分間で第2の流体(FLUID
2)に露出され、この第2の流体は、例えば、基板の洗
浄を実質的な目的とする水であってもよい。基板の開口
内(所望されれば他の部分)に位置する基板のポリイミ
ド材料の部分を攻撃するように作用して、水酸化カリウ
ムである第1の流体は、このポリイミド材料の部分の膨
張(及び軟化)を効果的に生じさせ、これによって第2
の流体の供給が、より高速度で、それぞれの開口からの
不要部分を除去するように作用することができる。本発
明のウェアー上で流体の速度が増すことによって、例え
ば、このような膨張部分をこのような流体の衝突がない
場合に生じるような濃縮化から防止することにより、ポ
リイミドの膨張部分の結合を緩くする動作をさらに支援
することができる。膨張した材料の除去に続いて、基板
11”は、さらに、水酸化カリウムをほぼ中和すること
を目的とする、例えば、硫酸である、第3の流体(FLUI
D 3)に露出され得る。第3の流体は、第1及び第2の
流体の速度(それぞれ毎分約1フィート(約30.48
cm)及び毎分約100フィート(約3048cm))
と比較すると、毎分約1フィート(約30.48cm)
の速度で供給され得る。基板11”は、定義された均一
の移動速度で、約1分間で、第1の流体に露出され、次
いで、約0.5分間で第2の洗浄流体に露出され、次い
で、上記の流体速度で、約1分間で、中和硫酸に露出さ
れるのが好ましい。この三つの流体処理の後には、基板
11”は、基板に残存するいかなる酸性材料も除去する
ことを目的とする水などからなる第4の流体(FLUID
4)へ露出され得る。これら四つの流体の供給に続い
て、基板は、本発明の好ましい実施例では空気である、
第5流体によって乾燥され得る。従って、本発明のヘッ
ド部材の部分は、所望されれば、この種の気体の供給を
さらに含むように十分に適応され得る。
【0031】所望される基板のための様々な処理を実行
するために、種々の流体チャネルと、隣接するウェアー
は、多数の方法の組合せにおいて使用され得ることが図
6に示されている。上記の実施例においては、第1の流
体(“W4”)のための各チャネルごとに、それぞれの
幅が約6インチ(約15.24cm)(使用されている
四つのチャネルの合計)であるが、第2の流体に対する
幅(“W5”)は約 0.250インチ(約0.635cm)
(使用されている八つのチャネルの合計)であった。FL
UID 3とFLUID 4に付け加えられるチャネルの幅は、そ
れぞれ約0.50インチ(約1.27cm)及び約0.25イン
チ(約0.635cm)(使用された四つと八つのチャ
ネルの幅の合計)であった。流体分離が達成されるよう
に、中間ドレンチャネルによって、流体チャネルの各々
が分離されることが図6に示されている。各チャネル
は、前記流体が、それぞれのチャネルにおける速度より
ずっと高速度で基板に射突するように、当該ウェアーを
超えて流体を通過させるために、チャネルの対向側部に
ウェアーを含んでいる。図6に示されている実施例にお
いて、隣接するウェアーでの流体速度は、当該ウェアー
に隣接して位置するそれぞれの流体のチャネル内の速度
に対して約100%の増速を示した。
するために、種々の流体チャネルと、隣接するウェアー
は、多数の方法の組合せにおいて使用され得ることが図
6に示されている。上記の実施例においては、第1の流
体(“W4”)のための各チャネルごとに、それぞれの
幅が約6インチ(約15.24cm)(使用されている
四つのチャネルの合計)であるが、第2の流体に対する
幅(“W5”)は約 0.250インチ(約0.635cm)
(使用されている八つのチャネルの合計)であった。FL
UID 3とFLUID 4に付け加えられるチャネルの幅は、そ
れぞれ約0.50インチ(約1.27cm)及び約0.25イン
チ(約0.635cm)(使用された四つと八つのチャ
ネルの幅の合計)であった。流体分離が達成されるよう
に、中間ドレンチャネルによって、流体チャネルの各々
が分離されることが図6に示されている。各チャネル
は、前記流体が、それぞれのチャネルにおける速度より
ずっと高速度で基板に射突するように、当該ウェアーを
超えて流体を通過させるために、チャネルの対向側部に
ウェアーを含んでいる。図6に示されている実施例にお
いて、隣接するウェアーでの流体速度は、当該ウェアー
に隣接して位置するそれぞれの流体のチャネル内の速度
に対して約100%の増速を示した。
【0032】図6におけるアセンブリを用いて得られる
様な方法は、この基板の第1材料の少なくとも一部の物
理的特性(例えば、硬度)のうちの一つが変更されるよ
うに、基板への流体供給を提供し、これにより、第1材
料の変更部分を当該基板から効果的に除去するために、
(第1の流体の速度に等しいか又はそれ以上の第2の速
度で、かつ第1の流体よりも短い時間で)第2の流体が
供給される。上記のように、基板の第1の材料のこのよ
うな変更によって、このような除去動作の前に基板の膨
張を生じることになる。従って、この材料は、このよう
な効果的な除去が引き続いて達成され得るように、定義
された所定時間「浸漬」される。
様な方法は、この基板の第1材料の少なくとも一部の物
理的特性(例えば、硬度)のうちの一つが変更されるよ
うに、基板への流体供給を提供し、これにより、第1材
料の変更部分を当該基板から効果的に除去するために、
(第1の流体の速度に等しいか又はそれ以上の第2の速
度で、かつ第1の流体よりも短い時間で)第2の流体が
供給される。上記のように、基板の第1の材料のこのよ
うな変更によって、このような除去動作の前に基板の膨
張を生じることになる。従って、この材料は、このよう
な効果的な除去が引き続いて達成され得るように、定義
された所定時間「浸漬」される。
【0033】このように、装置が、基板の片面のみか、
又は、他の実施例においては、基板の両側表面の処理が
可能な、流体を基板に供給するための装置が図示され、
かつ記述されてきた。特に、この装置は、部分的な材料
の除去などの所望される目的を実行するために異なる流
量で流体を提供することができる。この種の装置は、所
望されれば、洗浄、コーティングなどを含む、いくつか
の追加の機能を達成し得る。従って、本発明は、本明細
書中に教示されている方法での基板の特定処理に限定さ
れるものではない。
又は、他の実施例においては、基板の両側表面の処理が
可能な、流体を基板に供給するための装置が図示され、
かつ記述されてきた。特に、この装置は、部分的な材料
の除去などの所望される目的を実行するために異なる流
量で流体を提供することができる。この種の装置は、所
望されれば、洗浄、コーティングなどを含む、いくつか
の追加の機能を達成し得る。従って、本発明は、本明細
書中に教示されている方法での基板の特定処理に限定さ
れるものではない。
【0034】両方の向き合う部分が用いられるヘッド部
材を定義する(例えば、互いに直接向き合っているか、
又は図5のようにずれているかの状態の)時には、一対
の片割れの構成部分(例えば、部分15内の第1チャネ
ルに対して部分17内の第1のチャネル)が、中間基板
からこの片割れとほぼ同じ距離を置いて配置され得る。
例えば、部分17内の第1チャネルは、部分15内の一
方の要素の第1チャネルとほぼ同じ距離を置いて配置さ
れる。従って、部分15は、第1、第2、第3の距離で
第1チャネル、ウェアー、及び第2チャネルを含んでい
る場合、部分17内のこの片割れの第1チャネルは、第
1の距離とほぼ同じであろう第4の距離に配置される。
同様に、第2部分のウェアーと第2チャネルは、それぞ
れ第5及び第6の距離を置いて配置される。
材を定義する(例えば、互いに直接向き合っているか、
又は図5のようにずれているかの状態の)時には、一対
の片割れの構成部分(例えば、部分15内の第1チャネ
ルに対して部分17内の第1のチャネル)が、中間基板
からこの片割れとほぼ同じ距離を置いて配置され得る。
例えば、部分17内の第1チャネルは、部分15内の一
方の要素の第1チャネルとほぼ同じ距離を置いて配置さ
れる。従って、部分15は、第1、第2、第3の距離で
第1チャネル、ウェアー、及び第2チャネルを含んでい
る場合、部分17内のこの片割れの第1チャネルは、第
1の距離とほぼ同じであろう第4の距離に配置される。
同様に、第2部分のウェアーと第2チャネルは、それぞ
れ第5及び第6の距離を置いて配置される。
【0035】本発明のヘッド部材と、隣接するマニホル
ドは、使用される流体に依存するプラスチック(例え
ば、PVC(塩化ポリビニール)、CPVC(化学塩化
ポリビニール)、又は金属(例えば、チタン))を有し
得る。金属は強力なエッチング動作のために用いられ
る。例えば、図1に示されているような、本発明の他の
部分(例えば、ローラ23)はチタン等の材料であるの
が好ましい。
ドは、使用される流体に依存するプラスチック(例え
ば、PVC(塩化ポリビニール)、CPVC(化学塩化
ポリビニール)、又は金属(例えば、チタン))を有し
得る。金属は強力なエッチング動作のために用いられ
る。例えば、図1に示されているような、本発明の他の
部分(例えば、ローラ23)はチタン等の材料であるの
が好ましい。
【0036】
【発明の効果】本発明は、流体供給装置の技術を向上さ
せることにある。
せることにある。
【図1】本発明の一つの実施例による流体処理装置の斜
視図である。
視図である。
【図2】装置のヘッド部材の上部(又は第2部分)が除
去されたときの図1の流体処理装置の斜視図である。
去されたときの図1の流体処理装置の斜視図である。
【図3】図1及び図2の断面的拡大による部分的側面立
面図であり、本発明のヘッド部材の第1と第2の部分を
示し、特にそのいくつかのヘッド部材のパーツの種々の
配置構成を示す図である。
面図であり、本発明のヘッド部材の第1と第2の部分を
示し、特にそのいくつかのヘッド部材のパーツの種々の
配置構成を示す図である。
【図4】図3の線4−4に沿って、図3よりも大きく拡
大された、図3のヘッド部材の断面における部分的正面
立面図である。
大された、図3のヘッド部材の断面における部分的正面
立面図である。
【図5】本発明の他の実施例による本発明のヘッド部材
の断面における側面立面図である。
の断面における側面立面図である。
【図6】本発明によって実現可能な種々の処理方法のう
ちの一つを示す、本発明のヘッド部材の片方の部分の側
面立面図である。
ちの一つを示す、本発明のヘッド部材の片方の部分の側
面立面図である。
【図7】本発明の教示によって処理され得る基板の内の
一つを示す部分的断面拡大立面図である。
一つを示す部分的断面拡大立面図である。
10 装置 11 基板 13 ヘッド部材 15 第1部分 17 第2部分 21 調整ノブ 23 ローラ 25 レール 55 マニホルド 57 開口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドナルド ジーン マクブライド アメリカ合衆国13903、ニューヨーク州ビ ンガムトン、チェーシャー ロード 2058 (72)発明者 ルイス ジョゼフ コンラド、ザ サード アメリカ合衆国13760、ニューヨーク州エ ンディコット、イースト メイン ストリ ート 2106 (72)発明者 ロナルド ジェイムズ ムーア アメリカ合衆国13905、ニューヨーク州ビ ンガムトン、ベートーベン ストリート 35
Claims (10)
- 【請求項1】 互いに対して固定的に位置するように用
いられる第1部分と第2部分を含み、かつ開口を前記第
1部分と前記第2部分の間に画定し、これによって前記
開口内に基板を位置させるヘッド部材であって、 前記ヘッド部材の少なくとも前記第1の部分は、前記基
板が前記開口内に位置された時に、前記基板から第1の
設定距離を置いて、前記第1の部分に位置し、かつ内に
第1の速度で移動しながら前記基板の第1の表面と当た
るための第1の量の流体を受容する第1チャネルを有
し、かつ前記第1の部分は、前記基板が前記開口内に位
置された時に、前記基板から第2の設定距離を置いて配
置されるウェアーを前記第1の部分にさらに有してお
り、かつ第2の量の流体が前記第1の速度よりも速い第
2の速度で移動しながら、上を超えて通過させると共
に、前記基板の前記第1の表面と当たるために用いられ
るウェアーを更に有するヘッド部材と、 前記第1の量及び第2の量の流体をそれぞれ前記第1及
び前記第2の速度で移動させる為に十分な所定の圧力
で、前記第1の量の流体を前記第1のチャネルへ供給
し、かつ前記第2の量の流体を前記ウェアーへ供給する
為に、前記第1のチャネルと前記ウェアーとに作動的に
連結される流体流入手段と、 前記第1の量及び第2の量の流体を実質的に遮断し、こ
れによって、前記流体が、前記第1と前記第2の速度で
移動する時に、前記基板の前記第1の表面と当たるため
に、前記第1の部分内の設定レベルで前記流体を保持す
るように、前記第1のチャネルと前記ウェアーに隣接し
て位置する流体遮断手段と、 を備える基板への流体供給装置。 - 【請求項2】 流体排出手段であって、前記基板の前記
第1の表面と当たった後に、前記流体排出手段を介し
て、前記第1の量及び第2の量の流体を通過させるため
に、前記第1のチャネルと前記ウェアーに作動的に連結
されている流体排出手段をさらに含む請求項1に記載の
装置。 - 【請求項3】 前記流体遮断手段が細長いバーより成る
請求項1に記載の装置。 - 【請求項4】 前記基板が、第1の方向へ、前記ヘッド
部材内部の前記開口を介して通過するために用いられ、
かつ前記第1のチャネルと前記ウェアーが細長い形状を
有しており、かつ前記基板の移動の前記第1の方向に対
してほぼ垂直である位置を占める請求項1に記載の装
置。 - 【請求項5】 前記流体流入手段が、内部に複数の孔を
有しており、前記第1の量の流体を前記第1のチャネル
を介して通過させるために、前記複数の孔が前記第1の
チャネル内に位置する請求項1に記載の装置。 - 【請求項6】 前記第1の部分が、前記第1のチャネル
にぼぼ隣接して位置する第2のチャネルをさらに含み、
かつ前記ウェアーが、前記第1と前記第2のチャネルの
ほぼ間に位置しており、前記第2のチャネルは、前記基
板が前記開口内に位置された時に、前記基板から第3の
設定距離を置いて位置し、前記第3の量の流体が、前記
第1の速度以上で、かつ前記第2の速度未満の第3の速
度で移動しながら前記基板の前記第1の表面と当たるた
めに、前記第3の量の流体を受容するために用いられる
ことより成る請求項1に記載の装置。 - 【請求項7】 部分として第1の材料と第2の材料を含
む基板の処理方法であって、 前記第1の材料の少なくとも一部の物理的特性の一つ以
上を変更するために、第1の所定時間の第1の速度で前
記基板の前記材料の第1のものの表面に、第1の量の流
体を供給するステップと、 次いで、前記基板から前記第1の材料の前記変更部分を
実質的に除去するために、前記第1の速度よりも速い第
2の速度で、また前記第1の所定時間よりも短い第2の
所定の時間で、前記基板の前記材料の前記第1のものの
表面に、第2の流体を供給するステップと、 を備える基板処理方法。 - 【請求項8】 前記第1の量の流体が、前記基板の前記
第1の材料の前記部分を、前記第2の流体の前記供給を
行なう前に、所定の設定量まで膨張させることより成る
請求項7に記載の基板処理方法。 - 【請求項9】 前記基板の前記第1の材料がポリマーで
あり、前記基板の前記第2の材料が金属であり、前記第
1の材料が前記第2の材料上に位置されており、前記基
板が、前記第1と第2の材料を介して延出する少なくと
も一つの開口を含む請求項7に記載の基板処理方法。 - 【請求項10】 前記基板の前記第1の材料に供給され
る時の前記第1の流体の前記第1の速度が毎分約15.
24cmから毎分約30.48cmの範囲内にあり、前
記第1の流体の後に、前記基板の前記第1の材料に供給
される前記第2の流体の前記第2の速度が、毎分約15
24cmから毎分3048cmの範囲内にあることより
成る請求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/884,818 US5294259A (en) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | Fluid treatment device |
| US884818 | 1992-05-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645733A true JPH0645733A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2502910B2 JP2502910B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=25385462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5089710A Expired - Lifetime JP2502910B2 (ja) | 1992-05-18 | 1993-04-16 | 基板への流体供給装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5294259A (ja) |
| JP (1) | JP2502910B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007517649A (ja) * | 2004-01-16 | 2007-07-05 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | 処理媒体での被処理物処理のためのノズル配列及び方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483984A (en) * | 1992-07-10 | 1996-01-16 | Donlan, Jr.; Fraser P. | Fluid treatment apparatus and method |
| US5746234A (en) * | 1994-11-18 | 1998-05-05 | Advanced Chemill Systems | Method and apparatus for cleaning thin substrates |
| WO1996023605A1 (en) * | 1995-02-01 | 1996-08-08 | Ecolab Inc. | Method of cleaning floors |
| DE19519211B4 (de) * | 1995-05-25 | 2010-05-12 | Höllmüller Maschinenbau GmbH | Verfahren zur Behandlung von Gegenständen, insbesondere von Leiterplatten, sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US5720813A (en) | 1995-06-07 | 1998-02-24 | Eamon P. McDonald | Thin sheet handling system |
| DE19530989C1 (de) * | 1995-08-23 | 1997-03-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Filmstrippen |
| US6239038B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
| JP3773145B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2006-05-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ウェブ洗浄及び除電装置 |
| DE10020633A1 (de) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Sms Demag Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln der Oberfläche von metallischem Bandgut, insbesondere zum Beizen von Walzgut |
| TWI220060B (en) * | 2001-05-10 | 2004-08-01 | Macronix Int Co Ltd | Cleaning method of semiconductor wafer |
| US12103052B2 (en) * | 2022-06-14 | 2024-10-01 | Tokyo Electron Limited | Method and single wafer processing system for processing of semiconductor wafers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220596A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-09-13 | テレダイン インダストリーズ インコーポレーテッド | プリント回路板の洗浄方法及び装置 |
| JPH0350792A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Canon Inc | プリント基板の微小孔処理方法及びその装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2381652A (en) * | 1941-07-24 | 1945-08-07 | Nat Steel Corp | Continuous strip pickling |
| US2417468A (en) * | 1944-04-20 | 1947-03-18 | Fairchild Camera Instr Co | Method of removing plastic coating from a metal article |
| US3196832A (en) * | 1963-02-20 | 1965-07-27 | Rca Corp | Fluid applicator apparatus |
| US3331718A (en) * | 1964-03-16 | 1967-07-18 | Rogers Corp | Method of removing a selected portion of an aromatic polyamide-imide insulating filmto expose the surface of an electrical conductor |
| US3524457A (en) * | 1967-11-15 | 1970-08-18 | Dow Chemical Co | Etching apparatus |
| FR2355697A1 (fr) * | 1976-06-25 | 1978-01-20 | Bertin & Cie | Procede pour etancher l'intervalle entre une paroi et une surface en regard, dispositifs de mise en oeuvre du procede et applications |
| FR2453927A1 (fr) * | 1979-04-11 | 1980-11-07 | Superba Sa | Machine pour le traitement thermique de fils textiles |
| US4398818A (en) * | 1980-10-03 | 1983-08-16 | Xerox Corporation | Liquid toner fountain for the development of electrostatic images |
| JPS57131370A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-14 | Hitachi Ltd | Treating device for chemical solution |
| NL8103979A (nl) * | 1981-08-26 | 1983-03-16 | Bok Edward | Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat. |
| JPS609129A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | ウエツト処理装置 |
| GB2142257B (en) * | 1983-07-02 | 1986-11-26 | Gen Motors Overseas | Adhesive application apparatus |
| JPS6180826A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 液体処理装置 |
| US4719173A (en) * | 1985-10-07 | 1988-01-12 | Eastman Kodak Company | Process for multistage contacting |
| US5007445A (en) * | 1990-02-26 | 1991-04-16 | Advanced Systems Incorporated | Dynamic flood conveyor with weir |
| US5063951A (en) * | 1990-07-19 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment device |
| JPH06180826A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Hitachi Ltd | 記録再生装置のヘッドクリーニング機構 |
-
1992
- 1992-05-18 US US07/884,818 patent/US5294259A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-16 JP JP5089710A patent/JP2502910B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-05 US US08/179,653 patent/US5427627A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220596A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-09-13 | テレダイン インダストリーズ インコーポレーテッド | プリント回路板の洗浄方法及び装置 |
| JPH0350792A (ja) * | 1989-07-19 | 1991-03-05 | Canon Inc | プリント基板の微小孔処理方法及びその装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007517649A (ja) * | 2004-01-16 | 2007-07-05 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | 処理媒体での被処理物処理のためのノズル配列及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5427627A (en) | 1995-06-27 |
| JP2502910B2 (ja) | 1996-05-29 |
| US5294259A (en) | 1994-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0645733A (ja) | 基板への流体供給装置及び基板処理方法 | |
| EP0954385B1 (en) | Fluid delivery apparatus and method | |
| EP1153665B1 (en) | Device for surface treatment of sheet material | |
| JPH04256461A (ja) | 流体処理装置 | |
| JPH0445996B2 (ja) | ||
| KR880001190A (ko) | 집적회로 패케이지 리이드들의 납땜마무리 방법 및 그 장치 | |
| JP2625639B2 (ja) | 流体処理装置および方法 | |
| JPH0448872Y2 (ja) | ||
| JP2016094645A (ja) | エッチング装置 | |
| EP0838134B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum chemischen und elektrolytischen behandeln von leiterplatten und leiterfolien | |
| JP2519381B2 (ja) | 流体処理装置 | |
| US6240934B1 (en) | Method and device for treating holes or recesses extending into workpieces with liquid treatment media | |
| US3616049A (en) | Etching apparatus | |
| JPH08323106A (ja) | 薬液供給装置及び薬液供給方法 | |
| JPH0448085A (ja) | エッチング並びに現像方法 | |
| EP0801883A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von mit feinsten löchern versehenen plattenförmigen werkstücken | |
| JPH11309401A (ja) | 液体噴射装置 | |
| JP3398345B2 (ja) | 薬液噴射装置 | |
| JP2009206392A (ja) | 表面処理装置、表面処理方法 | |
| TWI374200B (en) | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von ebenem gut in durchlaufanlagen | |
| JPH04107278A (ja) | 湿式エッチング装置 | |
| JP2644848B2 (ja) | 孔内処理用治具 | |
| JP3010487B1 (ja) | 液体噴射装置 | |
| JP4945082B2 (ja) | 薬液処理装置 | |
| JPH02150095A (ja) | プリント基板の孔内処理方法 |