JPH0646302B2 - 耐熱感光性重合体組成物 - Google Patents
耐熱感光性重合体組成物Info
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- JPH0646302B2 JPH0646302B2 JP62154757A JP15475787A JPH0646302B2 JP H0646302 B2 JPH0646302 B2 JP H0646302B2 JP 62154757 A JP62154757 A JP 62154757A JP 15475787 A JP15475787 A JP 15475787A JP H0646302 B2 JPH0646302 B2 JP H0646302B2
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- JP
- Japan
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- group
- heat
- polymer composition
- composition according
- photosensitive polymer
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子、多層配線基板、マイクロエレク
トロニクス素子等に用いられる耐熱感光性重合体組成物
に係るもので、露光部分が硬化するネガ型感光性材料に
関する。
トロニクス素子等に用いられる耐熱感光性重合体組成物
に係るもので、露光部分が硬化するネガ型感光性材料に
関する。
従来、耐熱性高分子となる耐熱性感光材料としては(イ)
特公昭59-52822号において、全芳香族ポリアミド酸と、
化学線により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結
合及びアミノ基を含む化合物と、必要に応じて加える増
感剤とから成るもの、(ロ)特開昭56-110728号において、
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとか
ら合成されるポリアミド酸で、芳香族ジアミン成分に感
光基を導入した感光性重合体が知られている。
特公昭59-52822号において、全芳香族ポリアミド酸と、
化学線により二量化または重合可能な炭素−炭素二重結
合及びアミノ基を含む化合物と、必要に応じて加える増
感剤とから成るもの、(ロ)特開昭56-110728号において、
芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとか
ら合成されるポリアミド酸で、芳香族ジアミン成分に感
光基を導入した感光性重合体が知られている。
しかしながら上記(イ),(ロ)の材料は、厚膜に形成した場
合解像性が低下するため、最終硬化膜厚で２〜５μｍ程
度の膜厚があればよい半導体素子の層間絶縁膜や保護膜
への適用には対処できるが、１０〜２０μｍ以上の膜厚
を必要とするメモリ素子のα線しゃへい膜、薄膜多層基
板の層間絶縁膜等の用途には適用できなかった。
合解像性が低下するため、最終硬化膜厚で２〜５μｍ程
度の膜厚があればよい半導体素子の層間絶縁膜や保護膜
への適用には対処できるが、１０〜２０μｍ以上の膜厚
を必要とするメモリ素子のα線しゃへい膜、薄膜多層基
板の層間絶縁膜等の用途には適用できなかった。
上記(イ)の材料を厚膜とした場合に解像性が低下するの
は、ポリマ主鎖に直接感光基が結合していないために露
光部の硬化性が低い一方で、未露光部分の溶解性が悪い
ためと考えられる。このため、未露光部分を完全に溶解
しようとして現像温度を上げたり、現像時間を長くする
と露光部分まで溶解したり、径の異ったパターンではマ
スク寸法に対するずれ幅が著しく異ることが生ずる。
は、ポリマ主鎖に直接感光基が結合していないために露
光部の硬化性が低い一方で、未露光部分の溶解性が悪い
ためと考えられる。このため、未露光部分を完全に溶解
しようとして現像温度を上げたり、現像時間を長くする
と露光部分まで溶解したり、径の異ったパターンではマ
スク寸法に対するずれ幅が著しく異ることが生ずる。
上記(n)の材料の場合には、露光部の硬化性は充分では
あるが、未露光部の溶解性が低いため、微細なパターン
の解像性が悪くなる。
あるが、未露光部の溶解性が低いため、微細なパターン
の解像性が悪くなる。
解像性低下の原因としては、現像液に係る要因が主因と
考えられる。すなわち、上記(イ),(ロ)の材料の未露光部
分を海洋するための現像液としては、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、N,N−ジチメルアセトアミド等の非プロト
ン性極性溶媒を主成分とせざるを得ないが、これらはい
ずれも液粘性が比較的高いために未露光部分の溶解拡散
が抑制される。溶解力が強いため光硬化度の不十分な材
料では露光部も溶解される等の問題がある。このため、
解像性が低下するものと考えられる。
考えられる。すなわち、上記(イ),(ロ)の材料の未露光部
分を海洋するための現像液としては、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、N,N−ジチメルアセトアミド等の非プロト
ン性極性溶媒を主成分とせざるを得ないが、これらはい
ずれも液粘性が比較的高いために未露光部分の溶解拡散
が抑制される。溶解力が強いため光硬化度の不十分な材
料では露光部も溶解される等の問題がある。このため、
解像性が低下するものと考えられる。
本発明の目的は、厚膜に形成した場合の解像性を向上さ
せるために、液粘性が低く、溶解力の低い弱極性溶媒を
現像液として用いた場合にもパターン形成が可能な耐熱
感光性重合体組成物を提供することにある。
せるために、液粘性が低く、溶解力の低い弱極性溶媒を
現像液として用いた場合にもパターン形成が可能な耐熱
感光性重合体組成物を提供することにある。
本発明は、主成分であるポリマの構造を以下のようする
ことにより、上記目的を達成できるとの基本的着想に基
づいてなされたものである。すなわち、上記(イ),(ロ)の
材料がＮ−メチル−２−ピロリドン等の非プロトン性極
性溶剤を主成分とする溶剤にした溶けない理由は、ポリ
アミド酸には極性の高いカルボキシル基が結合している
ためであると考えられている。したがって、基本的に
は、これを極性のより低いカルボン酸エステルにするこ
とが考えられる。
ことにより、上記目的を達成できるとの基本的着想に基
づいてなされたものである。すなわち、上記(イ),(ロ)の
材料がＮ−メチル−２−ピロリドン等の非プロトン性極
性溶剤を主成分とする溶剤にした溶けない理由は、ポリ
アミド酸には極性の高いカルボキシル基が結合している
ためであると考えられている。したがって、基本的に
は、これを極性のより低いカルボン酸エステルにするこ
とが考えられる。
そこで、本発明者らが上記着想に基づいて鋭意検討した
結果、(a)一般式(1) （但し、式中Ｒ１は少なくとも４個以上の炭素を含む４
価の有機基、Ｒ２は芳香族環を含む３又は４価の有機
基、Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ炭素数１０個以下の有機基、
Ｙは感光基、ＸはＲ２と感光基をつなぐ有機基または-0
-または を表わし、ｎは１または２である）で示される繰り返し
単位を主成分とするポリマ１００重量部と (b)光重合開始剤、光架橋剤増感剤0.1〜３０重量部とか
ら成る耐熱感光性重合体組成物が有効であることが判明
した。すなわち、これらの耐熱感光性重合体組成物は、
γ−ブチロラクトン、ジメトキシエタン等、前記した耐
熱感光性材料では用いることのできなかった溶剤を現像
液主成分として用いることができ、さらに、厚膜とした
時の解像性も良好であることを見い出した。
結果、(a)一般式(1) （但し、式中Ｒ１は少なくとも４個以上の炭素を含む４
価の有機基、Ｒ２は芳香族環を含む３又は４価の有機
基、Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ炭素数１０個以下の有機基、
Ｙは感光基、ＸはＲ２と感光基をつなぐ有機基または-0
-または を表わし、ｎは１または２である）で示される繰り返し
単位を主成分とするポリマ１００重量部と (b)光重合開始剤、光架橋剤増感剤0.1〜３０重量部とか
ら成る耐熱感光性重合体組成物が有効であることが判明
した。すなわち、これらの耐熱感光性重合体組成物は、
γ−ブチロラクトン、ジメトキシエタン等、前記した耐
熱感光性材料では用いることのできなかった溶剤を現像
液主成分として用いることができ、さらに、厚膜とした
時の解像性も良好であることを見い出した。
以下、本発明について詳細に説明する。
一般式(1)の繰り返し単位で表わされるポリマのＲ１と
して好ましいものの例としては、 等が挙げられるが、これらに限定されない。
して好ましいものの例としては、 等が挙げられるが、これらに限定されない。
さらに好ましい例としては、 等が挙げられる。
Ｒ２として好ましいものの例としては （但しＺは-0-,-S-,-SO2-,-CO-,CH2-, のなかから選択された基を表わす）等が挙げられるが、
このらに限定されない。
このらに限定されない。
更に好ましい例としては、 等が挙げられる。
Ｒ３，Ｒ４の好しい例としては、炭素数５個以下のアル
キル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基、ア
ルコキシプロピル基、アルキルカルボキシエチル基、フ
ェニルカルボキシエチル基等が挙げられるが、これらに
限定されない。
キル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基、ア
ルコキシプロピル基、アルキルカルボキシエチル基、フ
ェニルカルボキシエチル基等が挙げられるが、これらに
限定されない。
さらに好ましい例としては、メチル基、エチル基、イソ
プロピル基、ブチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、アセトキシエチル基、フェニルカルボキシルエ
チル基等が挙げられる。
プロピル基、ブチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、アセトキシエチル基、フェニルカルボキシルエ
チル基等が挙げられる。
Ｒ３，Ｒ４は同一であってもよいし、異なるものであっ
てもよい。
てもよい。
Ｘの好ましい例としては-0-， -R5-0-（但しＲ５は低級アルキレンを表わす）等が挙げ
られるが、これらに限定されない。
られるが、これらに限定されない。
更に好ましい例としては -CH20-等が挙げられる。
感光基Ｙの好ましい例としては、 （但し、Ｒ６は水素、シアノ基、低級アルキルから選択
された基、Ｒ７は水素、低級アルキル基、アルコキシ基
から選択された基、Ｒ８，Ｒ９，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12は水
素、低級アルキル基、ビニル基、フェニル基から選択さ
れた基を表わす）等が挙げられるが、これらに限定され
ない。
された基、Ｒ７は水素、低級アルキル基、アルコキシ基
から選択された基、Ｒ８，Ｒ９，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12は水
素、低級アルキル基、ビニル基、フェニル基から選択さ
れた基を表わす）等が挙げられるが、これらに限定され
ない。
さらに好ましい例としては、 等が挙げられる。
一般式(1)の繰り返し単位で示されるポリマは、テトラ
カルボン酸ジクロライドジエステルと感光基を有する芳
香族ジアミン化合物の付加重合反応またはテトラカルボ
ン酸ジエステルと感光基を有する芳香族ジアミン化合物
の脱水縮重合反応によって合成される。
カルボン酸ジクロライドジエステルと感光基を有する芳
香族ジアミン化合物の付加重合反応またはテトラカルボ
ン酸ジエステルと感光基を有する芳香族ジアミン化合物
の脱水縮重合反応によって合成される。
本発明による耐熱感光性重合体組成物は実用に供に得る
感光感度を達成するため、光重合開始剤および／または
光架橋剤および／または増感剤の添加が必須である。こ
れらの好ましいものの例としては、ミヒラケトン、ビス
−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェ
ノン、ベンゾインエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、アントロン、1,9−ベンゾアントロン、アクリ
ジン、ニトロピレン、1,8−ジニトロピレン、５−ニト
ロアセナフテン、２−ニトロフルオレン、ピレン−1,6
−キノン、９−フルオレン、1,2−ベンゾアントラキノ
ン、アントアントロン、２−クロロ−1,2−ベンズアン
トラキノン、２−ブロモベンズアントラキノン、２−ク
ロロ−1,8−フタロイルナフタレン、3,5−ジエチルチオ
キサントン、3,5−ジメチルチオキサントン、3,5−ジイ
ソプロピルチオキサントン、ベンジル、2,6−ジ（４′
−アジドベンザル）シクロヘキサノン、2,6−ジ（４′
−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、2,
6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４
−ヒドロキシシクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジ
ドシンナミリデン）シクロヘキサノン、2,6−ジ（４′
−アジドシンナミリデン）−４−メチルシクロヘキサノ
ン、2,6−ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−カ
ルボキシシクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドシ
ンナミリデン）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、１
−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１
−フェニル−５−メルティクス、３−アセチルフェナン
トレン、１−インダノン、７−Ｈ−ベンズ〔de〕アント
ラセン−７−オン、１−ナフトルアルデヒド、チオキサ
ンテン−９−オン、１０−チオキサンテノン、３−アセ
トルインドール等が挙げられるが、これらに限定されな
い。
感光感度を達成するため、光重合開始剤および／または
光架橋剤および／または増感剤の添加が必須である。こ
れらの好ましいものの例としては、ミヒラケトン、ビス
−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェ
ノン、ベンゾインエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、アントロン、1,9−ベンゾアントロン、アクリ
ジン、ニトロピレン、1,8−ジニトロピレン、５−ニト
ロアセナフテン、２−ニトロフルオレン、ピレン−1,6
−キノン、９−フルオレン、1,2−ベンゾアントラキノ
ン、アントアントロン、２−クロロ−1,2−ベンズアン
トラキノン、２−ブロモベンズアントラキノン、２−ク
ロロ−1,8−フタロイルナフタレン、3,5−ジエチルチオ
キサントン、3,5−ジメチルチオキサントン、3,5−ジイ
ソプロピルチオキサントン、ベンジル、2,6−ジ（４′
−アジドベンザル）シクロヘキサノン、2,6−ジ（４′
−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、2,
6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４
−ヒドロキシシクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジ
ドシンナミリデン）シクロヘキサノン、2,6−ジ（４′
−アジドシンナミリデン）−４−メチルシクロヘキサノ
ン、2,6−ジ（４′−アジドシンナミリデン）−４−カ
ルボキシシクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドシ
ンナミリデン）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、１
−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１
−フェニル−５−メルティクス、３−アセチルフェナン
トレン、１−インダノン、７−Ｈ−ベンズ〔de〕アント
ラセン−７−オン、１−ナフトルアルデヒド、チオキサ
ンテン−９−オン、１０−チオキサンテノン、３−アセ
トルインドール等が挙げられるが、これらに限定されな
い。
これらの中でさらに好しいものの例としては、ミヒラケ
トン、ビス−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、
１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、
ベンジル、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソ
プロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサント
ン等が挙げられる。これらは単独または数種混合して用
いられる。
トン、ビス−4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、
１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、
ベンジル、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソ
プロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサント
ン等が挙げられる。これらは単独または数種混合して用
いられる。
本発明に用いられる光重合開始剤、光架橋剤および／ま
たは増感剤の好適な配合割合は、一般式(1)の繰り返し
単位で表されるポリマ１００重量部に対し、0.1〜３０
重量部が好しく、さらに好しく、0.5〜２０重量部の範
囲である。この範囲を逸脱すると現像性に好ましくない
影響を及ぼすこととなる。
たは増感剤の好適な配合割合は、一般式(1)の繰り返し
単位で表されるポリマ１００重量部に対し、0.1〜３０
重量部が好しく、さらに好しく、0.5〜２０重量部の範
囲である。この範囲を逸脱すると現像性に好ましくない
影響を及ぼすこととなる。
本発明において必要に応じて加えられる増感助剤は、光
重合開始剤を用いる際の重合促進剤として用いられるも
のである。好しいものの例としては、４−ジエチルアミ
ノエチルベンゾエート、４−ジエチルアミノイソプロピ
ルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチルベンゾエー
ト、４−ジメチルアミノイソプロピルベンゾエート、４
−ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、エチレング
リコールジチオグリコレート、エチレングリコールジ
（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプ
ロパンチオグリコレート、トリメチロールプロパントリ
（３−メルカプトプロピオレート）、ペンタエリスリト
ールテリラチオグリコレート、ペンタエリスリトールテ
トラ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロー
ルエタントリチオグリコレート、トリメチロールエタン
トリ（３−メルカプトプロピオネート、ジペンタエリス
リトールヘキサ（３−メルカプトプロピオネート）、ジ
ペンタエリスリトールヘキサ（３−メルカプトプロピオ
ネート）、チオグリコール酸、α−メルカプトプロピオ
ン酸等が挙げられる。しかしながら、これらに限定され
ない。
重合開始剤を用いる際の重合促進剤として用いられるも
のである。好しいものの例としては、４−ジエチルアミ
ノエチルベンゾエート、４−ジエチルアミノイソプロピ
ルベンゾエート、４−ジメチルアミノエチルベンゾエー
ト、４−ジメチルアミノイソプロピルベンゾエート、４
−ジメチルアミノイソアミルベンゾエート、エチレング
リコールジチオグリコレート、エチレングリコールジ
（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプ
ロパンチオグリコレート、トリメチロールプロパントリ
（３−メルカプトプロピオレート）、ペンタエリスリト
ールテリラチオグリコレート、ペンタエリスリトールテ
トラ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロー
ルエタントリチオグリコレート、トリメチロールエタン
トリ（３−メルカプトプロピオネート、ジペンタエリス
リトールヘキサ（３−メルカプトプロピオネート）、ジ
ペンタエリスリトールヘキサ（３−メルカプトプロピオ
ネート）、チオグリコール酸、α−メルカプトプロピオ
ン酸等が挙げられる。しかしながら、これらに限定され
ない。
これらの中でさらに好しい例としては、４−ジメチルア
ミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノイソアミ
ルベンゾエート、ペンタエリスリトールテトラチオグリ
コレート、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカプ
トプロピオネート）、トリメチロールプロパンチオグリ
コレート等が挙げられる。これらは単独または数種混合
して用いられる。
ミノエチルベンゾエート、４−ジメチルアミノイソアミ
ルベンゾエート、ペンタエリスリトールテトラチオグリ
コレート、ペンタエリスリトールテトラ（３−メルカプ
トプロピオネート）、トリメチロールプロパンチオグリ
コレート等が挙げられる。これらは単独または数種混合
して用いられる。
本発明において増感助剤を用いる場合の配合割合は、一
般式(1)の繰り返し単位で表わされるポリマ１００重量
部に対し0.1〜３０重量部が好しく、さらに好しくは0.5
〜２０重量部の範囲である。この範囲より少ない配合量
では使用による重合促進効果が得られず、多い場合には
現像性が低下する等の悪影響が生ずる。
般式(1)の繰り返し単位で表わされるポリマ１００重量
部に対し0.1〜３０重量部が好しく、さらに好しくは0.5
〜２０重量部の範囲である。この範囲より少ない配合量
では使用による重合促進効果が得られず、多い場合には
現像性が低下する等の悪影響が生ずる。
本発明による耐熱感光性重合体組成物は、上記構成成分
を適当な有機溶剤に溶解した溶液状態で用いられる。こ
の場合に用いる溶媒としては、溶解性の観点から非プロ
トン性極性溶媒が望しく、具体手にはＮ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−ベン
ジル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホル
トリアミド、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメ
チルイミダゾリジノン、1,2−ジメトキシエタン、１−
アセトキシ−２−メトキシエタン、γ−ブチロラクト
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチ
レングリコールジメチルエーテルなどが好適な例として
挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、混合系と
して用いることも可能である。また、塗布性を改良する
ために、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン等の芳
香族系溶媒をポリマの溶解に悪影響を及ぼさない範囲で
混合してもさしつかえない。
を適当な有機溶剤に溶解した溶液状態で用いられる。こ
の場合に用いる溶媒としては、溶解性の観点から非プロ
トン性極性溶媒が望しく、具体手にはＮ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ−ベン
ジル−２−ピロリドン、Ｎ−ベンジル−２−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホル
トリアミド、Ｎ−アセチル−ε−カプロラクタム、ジメ
チルイミダゾリジノン、1,2−ジメトキシエタン、１−
アセトキシ−２−メトキシエタン、γ−ブチロラクト
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチ
レングリコールジメチルエーテルなどが好適な例として
挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、混合系と
して用いることも可能である。また、塗布性を改良する
ために、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン等の芳
香族系溶媒をポリマの溶解に悪影響を及ぼさない範囲で
混合してもさしつかえない。
本発明による耐熱感光性重合体組成物の塗膜または加熱
硬化後のポリイミド被膜と支持基板の接着性を向上させ
るため、適宜支持基板を接着補助剤で処理することもで
きる。
硬化後のポリイミド被膜と支持基板の接着性を向上させ
るため、適宜支持基板を接着補助剤で処理することもで
きる。
本発明の耐熱感光性重合体組成物は、通常の微細加工技
術でパターン加工が可能である。支持基板への本組成物
の塗布には、スピンナーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧
印刷などの手段が可能であり、適宜選択することができ
る。塗布膜厚は塗布手段、本組成物の固形分濃度等によ
って調節可能である。
術でパターン加工が可能である。支持基板への本組成物
の塗布には、スピンナーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧
印刷などの手段が可能であり、適宜選択することができ
る。塗布膜厚は塗布手段、本組成物の固形分濃度等によ
って調節可能である。
乾燥工程をへて支持基板上で塗膜となった本発明による
組成物に、ホトマスクを介して紫外線を照射し、次いで
未露光部を現像液で溶解除去することにより、所望のレ
リーフ・パターンを得る。
組成物に、ホトマスクを介して紫外線を照射し、次いで
未露光部を現像液で溶解除去することにより、所望のレ
リーフ・パターンを得る。
現像液の主成分としては、γ−ブチロラクトン、1,2−
ジメトキシエタン、１−アセトキシ−２−メトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどの極性
溶媒を用いることができる。しかしながら、目的に応じ
て、より極性が強く溶解性の大きいＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルイミダゾリジノン等の非プロトン性
極溶媒や、極性の低いトルエン、キシレン等の芳香族系
溶媒、一般式(1)の繰り返し単位で表わされるポリマの
非溶媒であるアルコール、水との混合系で用いることも
可能である。また用途によっては溶解性の大きい極性溶
媒とアルコール、水との混合系によっても現像される。
ジメトキシエタン、１−アセトキシ−２−メトキシエタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどの極性
溶媒を用いることができる。しかしながら、目的に応じ
て、より極性が強く溶解性の大きいＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルイミダゾリジノン等の非プロトン性
極溶媒や、極性の低いトルエン、キシレン等の芳香族系
溶媒、一般式(1)の繰り返し単位で表わされるポリマの
非溶媒であるアルコール、水との混合系で用いることも
可能である。また用途によっては溶解性の大きい極性溶
媒とアルコール、水との混合系によっても現像される。
現像によって形成したリレーフ・パターンは、次いでリ
ンス液によって洗浄し、現像溶媒を除去する。
ンス液によって洗浄し、現像溶媒を除去する。
リンス液には、現像液との混和性がよく、一般式(1)の
繰り返し単位で表わされるポリマの非溶媒を用いる。好
適な例としては、メタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、水等が
挙げられる。
繰り返し単位で表わされるポリマの非溶媒を用いる。好
適な例としては、メタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、水等が
挙げられる。
上記の処理によって得られたリーフ・パターンのポリマ
はポリイミドの前駆体であり、１５０゜Cから４５０゜Cま
での範囲から選ばれた加熱温度で処理することにより耐
熱性を有するポリマのパターンが得られる。
はポリイミドの前駆体であり、１５０゜Cから４５０゜Cま
での範囲から選ばれた加熱温度で処理することにより耐
熱性を有するポリマのパターンが得られる。
上記したように、本発明によれば、液粘性が比較的低
く、溶解力の低い弱極性溶媒を現像液として使用して
も、未露光部分の十分な溶解性を確保することができる
とともに、未露光部分の溶解拡散も良好なものとするこ
とができ、その一方で、露光部の溶解を十分抑制するこ
とができる。このため、厚膜の場合であっても、優れた
解像性が得られる。
く、溶解力の低い弱極性溶媒を現像液として使用して
も、未露光部分の十分な溶解性を確保することができる
とともに、未露光部分の溶解拡散も良好なものとするこ
とができ、その一方で、露光部の溶解を十分抑制するこ
とができる。このため、厚膜の場合であっても、優れた
解像性が得られる。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例１ 3,3′−ジ（クロロカルボニル）−4,4′−ジ（メトキシ
カルボニル）ビフェニル、3,3′−ジ（メトキシカルボ
ニル）−4,4′−ジ（クロロカルボニル）ビフェニル、
3,4′−ジ（クロロカルボニル）−4,3′−ジ（メトキシ
カルボニル）ビフェニルの３種の異性体の混合物7.9ｇ
（0.02モル）を窒素気流下に５０ｇの無水N,N−ジメチ
ルアセトアミドに溶解し、ピリジン1.58ｇ（0.02モル）
を加えて酸クロライド溶液を調製した。
カルボニル）ビフェニル、3,3′−ジ（メトキシカルボ
ニル）−4,4′−ジ（クロロカルボニル）ビフェニル、
3,4′−ジ（クロロカルボニル）−4,3′−ジ（メトキシ
カルボニル）ビフェニルの３種の異性体の混合物7.9ｇ
（0.02モル）を窒素気流下に５０ｇの無水N,N−ジメチ
ルアセトアミドに溶解し、ピリジン1.58ｇ（0.02モル）
を加えて酸クロライド溶液を調製した。
この溶液に対し、3,5−ジアミノ（２′−メタクリロイ
ルオキシエチル）ベンゾエート5.28ｇ（0.02モル）を2
8.4ｇの無水N,N−ジメチルアセトアミドに溶解した溶液
を氷浴下に攪拌しながら滴下した。滴下後さらに室温で
３時間反応させた（式１）。反応混液は激しく攪拌して
いる７００mlのメタノール中にゆっくりと注いだ。反応
混液がメタノールに混ざるとすぐにポリマ(Ia)が析出し
て来た。
ルオキシエチル）ベンゾエート5.28ｇ（0.02モル）を2
8.4ｇの無水N,N−ジメチルアセトアミドに溶解した溶液
を氷浴下に攪拌しながら滴下した。滴下後さらに室温で
３時間反応させた（式１）。反応混液は激しく攪拌して
いる７００mlのメタノール中にゆっくりと注いだ。反応
混液がメタノールに混ざるとすぐにポリマ(Ia)が析出し
て来た。
析出したポリマを吸引濾過で集め、さらに200ml３回の
メタノールで洗浄した。さらに減圧乾燥によって最終的
に8.3ｇ（収率７０％）のポリマIaを得た。
メタノールで洗浄した。さらに減圧乾燥によって最終的
に8.3ｇ（収率７０％）のポリマIaを得た。
上記によって得たポリマIa2.5ｇ、2,4−ジエチルチオキ
サントン0.075ｇ、４−ジメチルアミノエチルベンゾエ
ート0.15ｇを7.5ｇのN,N-ジメチルアセトアミドに溶解
し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過して感
光性ワニスを得た。
サントン0.075ｇ、４−ジメチルアミノエチルベンゾエ
ート0.15ｇを7.5ｇのN,N-ジメチルアセトアミドに溶解
し、次いで１μｍ孔のフィルタを用いて加圧濾過して感
光性ワニスを得た。
上記ワニスをスピンナを用いてシリコンウェハ上に回転
塗布し、次いで８５゜C３０分間乾燥して２８μｍの塗膜
を得た。この塗膜を１０μｍきざみの異なった径の矩形
パターンを有するフォトマスクで密着被覆し５００Ｗ高
圧水銀灯を用いて１分間紫外線照射した。受光面での紫
外線強度は３６５nmの波長で５mW/cm2であった。露光
後、γ−ブチロラクトン７容、N,N−ジメチルアセトア
ミド３容から成る現像液で２５゜C，１０分間現像し、次
いでイソプロピルアルコールでリンスして最小３０μｍ
孔が解像されたレリーフ・パターンを得た。次にこれを
２００゜Cに３０分間，３５０゜Cに３０分間加熱して耐熱
性を有する１６μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。
この時パターンのぼやけは見られなかった。
塗布し、次いで８５゜C３０分間乾燥して２８μｍの塗膜
を得た。この塗膜を１０μｍきざみの異なった径の矩形
パターンを有するフォトマスクで密着被覆し５００Ｗ高
圧水銀灯を用いて１分間紫外線照射した。受光面での紫
外線強度は３６５nmの波長で５mW/cm2であった。露光
後、γ−ブチロラクトン７容、N,N−ジメチルアセトア
ミド３容から成る現像液で２５゜C，１０分間現像し、次
いでイソプロピルアルコールでリンスして最小３０μｍ
孔が解像されたレリーフ・パターンを得た。次にこれを
２００゜Cに３０分間，３５０゜Cに３０分間加熱して耐熱
性を有する１６μｍ厚のポリイミドのパターンを得た。
この時パターンのぼやけは見られなかった。
実施例２ 3,3′−ジカルボキシ−4,4′−（メトキシカルボニル）
ビフェニル、3,3′−ジ（メトキシカルボニル）−4,4′
−ジカルボキシビフェニル、3,4′−ジカルボキシ−4,
3′−ジ（メトキシカルボニル）ビフェニルの３種の異
性体混合物8.95ｇ（0.025モル）、3,5−ジアミノ（２′
−メタクリロイルオキシエチル）ベンゾエート5.28ｇ
（0.02モル）を３５０mlを窒素気流下に350mlの無水γ
−ブチロラクトンに溶解し、更に4.55ｇのピリジンを加
えた。この溶液に対し、氷浴下に攪拌しながらジシクロ
ヘキシルカルボジイミド10.3ｇ（0.05モル）を加えた。
加え終えた後さらに２時間反応させ、次に１０mlのメタ
ノールを加えた、反応混液を激しく攪拌しているメタノ
ール中にゆっくりと注ぐと、ポリマ(Ib)が析出して来た
（式２）。
ビフェニル、3,3′−ジ（メトキシカルボニル）−4,4′
−ジカルボキシビフェニル、3,4′−ジカルボキシ−4,
3′−ジ（メトキシカルボニル）ビフェニルの３種の異
性体混合物8.95ｇ（0.025モル）、3,5−ジアミノ（２′
−メタクリロイルオキシエチル）ベンゾエート5.28ｇ
（0.02モル）を３５０mlを窒素気流下に350mlの無水γ
−ブチロラクトンに溶解し、更に4.55ｇのピリジンを加
えた。この溶液に対し、氷浴下に攪拌しながらジシクロ
ヘキシルカルボジイミド10.3ｇ（0.05モル）を加えた。
加え終えた後さらに２時間反応させ、次に１０mlのメタ
ノールを加えた、反応混液を激しく攪拌しているメタノ
ール中にゆっくりと注ぐと、ポリマ(Ib)が析出して来た
（式２）。
析出したポリマは吸引濾過で集め、さらに２００ml×３
回のメタノールで洗浄した。さらに減圧乾燥し、最終的
に１１ｇ（収率７７％）のポリマ(Ib)を得た。
回のメタノールで洗浄した。さらに減圧乾燥し、最終的
に１１ｇ（収率７７％）のポリマ(Ib)を得た。
上記によって得たポリマＩｂ2.5ｇ、ミヒラケトン0.075
ｇ、ペンタエリスリトールチオグリコレート0.2ｇを８
ｇのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解し、次いで１μ
ｍ孔のフィルタを用いて感光性ワニスを得た。
ｇ、ペンタエリスリトールチオグリコレート0.2ｇを８
ｇのN,N−ジメチルアセトアミドに溶解し、次いで１μ
ｍ孔のフィルタを用いて感光性ワニスを得た。
上記ワニスをスピンナを用いてシリコンウェハ上に回転
塗布し、次いで８５゜C３０分間乾燥して３１μｍの塗膜
を得た。この塗膜を１０μｍピッチの異った径の矩形パ
ターンを有するフォトマスクで密着被覆し５００Ｗ高圧
水銀灯を用いて１分間紫外線照射した。受光面での紫外
線強度は３６５nmで５mW/cm2であった。γ−ブチロラク
トンを用いて２５゜C１０分間現像し、次いでメタノール
でリンスして最小３０μｍ孔が解像されたレリーフ・パ
ターンを得た。
塗布し、次いで８５゜C３０分間乾燥して３１μｍの塗膜
を得た。この塗膜を１０μｍピッチの異った径の矩形パ
ターンを有するフォトマスクで密着被覆し５００Ｗ高圧
水銀灯を用いて１分間紫外線照射した。受光面での紫外
線強度は３６５nmで５mW/cm2であった。γ−ブチロラク
トンを用いて２５゜C１０分間現像し、次いでメタノール
でリンスして最小３０μｍ孔が解像されたレリーフ・パ
ターンを得た。
実施例３〜２６ 第１表に示した組成で実施例３〜１８は実施例１と同様
の操作を行ない、実施例１９〜２６は実施例２と同様の
操作を行なった。得られた結果を同表に示す。
の操作を行ない、実施例１９〜２６は実施例２と同様の
操作を行なった。得られた結果を同表に示す。
比較例 ジアミノジフェニルエーテル１１ｇをＮ−メチル−２−
ピロリドン51.8に溶解しアミン溶液を調合した。無水ピ
ロメリット酸１２ｇをアミン溶液に加え、５０゜Cで３時
間反応させてポリアミド酸溶液を得た。
ピロリドン51.8に溶解しアミン溶液を調合した。無水ピ
ロメリット酸１２ｇをアミン溶液に加え、５０゜Cで３時
間反応させてポリアミド酸溶液を得た。
上記のポリアミド酸溶液５０ｇにミヒラケトン1.15ｇを
３０ｇのジメチルアセトアミドに溶解した溶液とジエチ
ルアミノメタクリレート10.2ｇを１０ｇのジメチルアセ
トアミドに溶解した溶液を混合し、１μｍ孔のフィルタ
を用いて加圧濾過した。
３０ｇのジメチルアセトアミドに溶解した溶液とジエチ
ルアミノメタクリレート10.2ｇを１０ｇのジメチルアセ
トアミドに溶解した溶液を混合し、１μｍ孔のフィルタ
を用いて加圧濾過した。
得られた溶液をスピンナーで塗布し、１００゜C，５分間
乾燥して２７μｍの塗膜を得た。実施例１と同じ露光装
置、ホトマスクを用いて１分間露光し、ジメチルホルム
アミド５容、メタノール２容から成る混合液で２５゜C１
０分間現像したが、未露光部分は完全に溶解せず、パタ
ーンは解像されなかった。そこで現像温度を３５゜Cに上
げたが、この場合は露光部分も含めて全体が溶けパター
ンは得られなかった。次に露光時間を５分間とし、３５
゜Cで１５分間現像した。この時、解像されたパターンの
最小寸法は１５０μｍであった。２００゜C，２０分間、
３５０゜C，３０分間加熱して得た最終膜の膜厚は８μｍ
であった。
乾燥して２７μｍの塗膜を得た。実施例１と同じ露光装
置、ホトマスクを用いて１分間露光し、ジメチルホルム
アミド５容、メタノール２容から成る混合液で２５゜C１
０分間現像したが、未露光部分は完全に溶解せず、パタ
ーンは解像されなかった。そこで現像温度を３５゜Cに上
げたが、この場合は露光部分も含めて全体が溶けパター
ンは得られなかった。次に露光時間を５分間とし、３５
゜Cで１５分間現像した。この時、解像されたパターンの
最小寸法は１５０μｍであった。２００゜C，２０分間、
３５０゜C，３０分間加熱して得た最終膜の膜厚は８μｍ
であった。
以上詳述したように、本発明によれば耐熱感光性重合体
組成物の現像特性を大幅に改善することができ、厚膜の
パターン形成が可能となった。これにより、ＬＳＩメモ
リのα線しゃへい膜や薄膜多層基板の層間絶縁膜材とし
ての利用が可能になった。
組成物の現像特性を大幅に改善することができ、厚膜の
パターン形成が可能となった。これにより、ＬＳＩメモ
リのα線しゃへい膜や薄膜多層基板の層間絶縁膜材とし
ての利用が可能になった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/06 6921−4Ｅ (72)発明者 田中 順 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山崎 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 児嶋 充雅 茨城県日立市東町４丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (56)参考文献 特開 昭54−70820（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−89623（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−91218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−9510（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−9538（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−120636（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】(a)一般式(1) （但し、式中Ｒ１は少なくとも４個以上の炭素を含む４
価の有機基、Ｒ２は芳香族環を含む３又は４価の有機
基、Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ炭素数１０個以下の有機基、
Ｙは感光基、ＸはＲ２と感光基をつなぐ有機基または-O
-または を表わし、ｎは１または２である）で示される繰り返し
単位を主成分とするポリマ１００重量部と (b)光重合開始剤、光架橋剤および／または増感剤0.1〜
３０重量部とから成る耐熱感光性重合体組成物。 - 【請求項２】増感助剤0.1〜３０重量部をさらに含む特
許請求の範囲第１項に記載の耐熱感光性重合体組成物。 - 【請求項３】上記一般式(1)において、Ｒ１は である特許請求の範囲第１項に記載の耐熱性重合体組成
物。 - 【請求項４】上記一般式(1)において、Ｒ２は のなかから選択された基を表わす）である特許請求の範
囲第１項に記載の耐熱感光性重合体組成物。 - 【請求項５】上記一般式(1)において、Ｒ３およびＲ４
は、炭素数５個以下のアルキル基、アルコキシメチル
基、アルコキシエチル基、アルコキシプロピル基、アル
キルカルボキシエチル基またはフェニルカルボキシエチ
ル基である特許請求の範囲第１項に記載の耐熱感光性重
合体組成物。 - 【請求項６】上記一般式(1)において、感光基Ｙは、 （但し、Ｒ６は水素、シアノ基、低級アルキル基から選
択された基、Ｒ７は水素、低級アルキル基、アルコキシ
基から選択された基、Ｒ８，Ｒ９，Ｒ10，Ｒ11，Ｒ12は
水素、低級アルキル基、ビニル基、フェニル基から選択
された基を表わす）である特許請求の範囲第１項に記載
の耐熱感光性重合体組成物。 - 【請求項７】上記光重合開始剤、光架橋剤および／また
は増感剤は、ミヒラケトン、ビス−4,4′−ジエチルア
ミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾインエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アントロン、
1,9−ベンゾアントロン、アクリジン、ニトロピレン、
1,8−ジニトロピレン、５−ニトロアセナフテン、２−
ニトロフルオレン、ピレン−1,6−キノン、９−フルオ
レン、1,2−ベンゾアントラキノン、アントアントロ
ン、２−クロロ−1,2−ベンズアントラキノン、２−ブ
ロモベンズアントラキノン、２−クロロ−1,8−フタロ
イルナフタレン、3,5−ジエチルチオキサントン、3,5−
ジメチルチオキサントン、3,5−ジイソプロピルチオキ
サントン、ベンジル、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）シクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドベンザ
ル）−４−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−
アジドベンザル）−４−カルボキシシクロヘキサノン、
2,6−ジ（４′−アジドベンザル）−４−ヒドロキシシ
クロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドシンナミリデ
ン）シクロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドシンナ
ミリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジ
（４′−アジドシンナミリデン）−４−カルボキシシク
ロヘキサノン、2,6−ジ（４′−アジドシンナミリデ
ン）−４−ヒドロキシシクロヘキサノン、１−フェニル
−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル
−５−メルティクス、３−アセチルフェナントレン、１
−インダノン、７−Ｈ−ベンズ〔de〕アントラセン−７
−オン、１−ナフトルアルデヒド、チオキサンテン−９
−オン、１０−チオキサンテノンおよび／または３−ア
セチルインドールである特許請求の範囲第１項に記載の
耐熱感光性重合体組成物。 - 【請求項８】上記増感助剤は、４−ジエチルアミノエチ
ルベンゾエート、４−ジエチルアミノイソプロピルベン
ゾエート、４−ジメチルアミノエチルベンゾエート、４
−ジメチルアミノイソプロピルベンゾエート、４−ジメ
チルアミノイソアミルベンゾエート、エチレングリコー
ルジチオグリコレート、エチレングリコールジ（３−メ
ルカプトプロピオネート）、トリメチロールプロパンチ
オグリコレート、トリメチロールプロパントリ（３−メ
ルカプトプロピオレート）、ペンタエリスリトールテト
ラチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラ（３
−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールエタン
トリチオグリコレート、トリメチロールエタントリ（３
−メルカプトプロピオネート、ジペンタエリスリトール
ヘキサ（３−メルカプトプロピオネート）、ジペンタエ
リスリトールヘキサ（３−メルカプトプロピオネー
ト）、チオグリコール酸および／またはα−メルカプト
プロピオン酸である特許請求の範囲第１項に記載の耐熱
感光性重合体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62154757A JPH0646302B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 耐熱感光性重合体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62154757A JPH0646302B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 耐熱感光性重合体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63318549A JPS63318549A (ja) | 1988-12-27 |
| JPH0646302B2 true JPH0646302B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=15591235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62154757A Expired - Lifetime JPH0646302B2 (ja) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | 耐熱感光性重合体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646302B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2693670B2 (ja) * | 1991-11-06 | 1997-12-24 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| EP0718696B1 (en) * | 1992-07-22 | 2002-01-16 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Photosensitive polyimide precursor composition |
| JP3338890B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2002-10-28 | 富士通株式会社 | 感光性耐熱樹脂組成物、その組成物を用いた耐熱絶縁膜のパターン形成方法、及びその方法により得られるパターン化耐熱絶縁膜 |
| KR100427832B1 (ko) | 1999-01-21 | 2004-04-28 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 폴리아미드산 에스테르 |
| EP1261659B1 (en) * | 2000-01-24 | 2004-10-06 | Rolic AG | Photoactive polyimides, polyamide acids or esters with side chain photocrosslinkable groups |
| JP4513191B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2010-07-28 | チッソ株式会社 | ポリアミド酸、ポリイミド、該ポリイミド膜を用いた液晶配向膜、および該配向膜を用いた液晶表示素子 |
| JP4711100B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2011-06-29 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン製造方法及び電子部品 |
| TWI307822B (ja) * | 2001-07-03 | 2009-03-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | |
| JP5486381B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-05-07 | 東洋紡株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを使用したレリーフパターンの製造方法 |
| CN114105943A (zh) * | 2020-09-01 | 2022-03-01 | 深圳有为技术控股集团有限公司 | 3-位取代硫杂蒽酮化合物及其制备方法和光聚合体系应用 |
| TW202424051A (zh) * | 2022-09-30 | 2024-06-16 | 日商富士軟片股份有限公司 | 樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物的製造方法、積層體的製造方法、半導體元件的製造方法及半導體元件 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6023341B2 (ja) * | 1977-12-27 | 1985-06-07 | 旭化成株式会社 | 耐熱性フオトレジスト組成物およびその製造方法 |
| JPS5950050B2 (ja) * | 1977-12-28 | 1984-12-06 | 旭化成株式会社 | 耐熱性フオトレジスト組成物およびその製造法 |
| JPS6054666B2 (ja) * | 1977-11-17 | 1985-11-30 | 旭化成株式会社 | 耐熱性フオトレジスト組成物およびその製造法 |
| JPS559510A (en) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Heat resistant photoresist composition |
| JPS559538A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Heat resistant photoresist composition |
| JPS58120636A (ja) * | 1982-01-04 | 1983-07-18 | イ−・アイ・デユポン・ド・ネモア−ス・アンド・コンパニ− | 放射感受性ポリイミド前駆体組成物およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP62154757A patent/JPH0646302B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63318549A (ja) | 1988-12-27 |
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