JPH064862A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH064862A JPH064862A JP4164447A JP16444792A JPH064862A JP H064862 A JPH064862 A JP H064862A JP 4164447 A JP4164447 A JP 4164447A JP 16444792 A JP16444792 A JP 16444792A JP H064862 A JPH064862 A JP H064862A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- oxygen
- forming
- coo
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非磁性ＣｏＯ下地層の上にＣｏ−Ｏを主成分
とする磁性層を有する構成の磁気テープを１工程で形成
できるようにして量産性を高め、同時にドロップアウト
を減少させる。 【構成】 連続真空蒸着法によって長尺の高分子基板上
にＣｏとＯを主成分とする磁性層を形成する際に、Ｃｏ
蒸気の初期入射領域に酸素を導入して非磁性ＣｏＯ下地
層を形成し、引続き終期入射領域にて前記磁性層を形成
する。
とする磁性層を有する構成の磁気テープを１工程で形成
できるようにして量産性を高め、同時にドロップアウト
を減少させる。 【構成】 連続真空蒸着法によって長尺の高分子基板上
にＣｏとＯを主成分とする磁性層を形成する際に、Ｃｏ
蒸気の初期入射領域に酸素を導入して非磁性ＣｏＯ下地
層を形成し、引続き終期入射領域にて前記磁性層を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度記録再生特性に
優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、磁気記録再生装置は小型化、高密
度化の傾向にあり、従来の塗布型媒体の高密度化の限界
を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目されている。
これに関しては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏから成る金属薄膜型媒
体がＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。
度化の傾向にあり、従来の塗布型媒体の高密度化の限界
を越えるものとして金属薄膜型媒体が注目されている。
これに関しては、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏから成る金属薄膜型媒
体がＶＴＲ用の磁気テープとして実用化されている。
【０００３】しかしながら、家庭用ディジタルＶＴＲ、
ハイビジョン用ＶＴＲなど次世代ＶＴＲに対応する磁気
記録媒体には、さらに優れた高密度記録再生特性が要求
されており、その候補としてＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等を主成分とする磁気
記録媒体が検討されている。
ハイビジョン用ＶＴＲなど次世代ＶＴＲに対応する磁気
記録媒体には、さらに優れた高密度記録再生特性が要求
されており、その候補としてＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃｒ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ等を主成分とする磁気
記録媒体が検討されている。
【０００４】そのなかで、非磁性ＣｏＯ下地層を介して
形成したＣｏ−Ｏは、優れた磁気特性と記録再生特性が
得られ、次世代磁気テープとして期待される。
形成したＣｏ−Ｏは、優れた磁気特性と記録再生特性が
得られ、次世代磁気テープとして期待される。
【０００５】（図４）は、磁気記録媒体の製造装置の一
例として円筒状キャン系を用いたウェッブコータ式の連
続蒸着装置を示したものである。この図において１は長
尺の高分子基板であり２、３はそれぞれ高分子基板１の
供給ロールおよび巻き取りロールである。高分子基板１
には円筒状キャン４の周面上を円筒状キャンの走行方向
５に走行する間に蒸発原子が堆積される。この際、蒸発
源８と円筒状キャン４の間に入り側シールド６及び出側
シールド７を設け、それらの位置を調節することで蒸発
原子の高分子基板１への初期入射角Ｒ１及び終期入射角
Ｒ２を制御することができる。Ｃｏ−Ｏ膜をを反応真空
蒸着する場合は酸素導入ノズル９から所望の磁気特性が
得られるだけ酸素を導入する。
例として円筒状キャン系を用いたウェッブコータ式の連
続蒸着装置を示したものである。この図において１は長
尺の高分子基板であり２、３はそれぞれ高分子基板１の
供給ロールおよび巻き取りロールである。高分子基板１
には円筒状キャン４の周面上を円筒状キャンの走行方向
５に走行する間に蒸発原子が堆積される。この際、蒸発
源８と円筒状キャン４の間に入り側シールド６及び出側
シールド７を設け、それらの位置を調節することで蒸発
原子の高分子基板１への初期入射角Ｒ１及び終期入射角
Ｒ２を制御することができる。Ｃｏ−Ｏ膜をを反応真空
蒸着する場合は酸素導入ノズル９から所望の磁気特性が
得られるだけ酸素を導入する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】（図４）に示す装置に
よって非磁性ＣｏＯ下地層及びＣｏ−Ｏ磁性層を順次形
成する場合、２回の蒸着工程が必要であるため量産性に
問題があった。また基板あるいは下地層表面に不純物が
混入したり傷が入ったりしてドロップアウトが多発し、
磁気テープとして完成させる上で問題があった。
よって非磁性ＣｏＯ下地層及びＣｏ−Ｏ磁性層を順次形
成する場合、２回の蒸着工程が必要であるため量産性に
問題があった。また基板あるいは下地層表面に不純物が
混入したり傷が入ったりしてドロップアウトが多発し、
磁気テープとして完成させる上で問題があった。
【０００７】そこで本発明は上記の問題を解消し、ドロ
ップアウトが少ない磁気テープを量産性良く製造するこ
とを目的とする。
ップアウトが少ない磁気テープを量産性良く製造するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】連続真空蒸着法によって
長尺の高分子基板上にＣｏとＯを主成分とする磁性層を
形成する際に、Ｃｏ蒸気の初期入射領域に酸素を導入し
て非磁性ＣｏＯ下地層を形成し、引続き終期入射領域に
て前記磁性層を形成する。
長尺の高分子基板上にＣｏとＯを主成分とする磁性層を
形成する際に、Ｃｏ蒸気の初期入射領域に酸素を導入し
て非磁性ＣｏＯ下地層を形成し、引続き終期入射領域に
て前記磁性層を形成する。
【０００９】
【作用】請求項１に記載の方法によれば、１回の蒸着工
程で非磁性ＣｏＯ下地層とＣｏ−Ｏ磁性層を形成するこ
とが出来るので、量産性が向上する。また、非磁性Ｃｏ
Ｏ下地層形成後その表面は何にも触れることなくＣｏ−
Ｏ磁性層が形成されるので、ＣｏＯ下地層の表面に不純
物が混入したり傷が入ったりすることがなく、ドロップ
アウトが減少する。
程で非磁性ＣｏＯ下地層とＣｏ−Ｏ磁性層を形成するこ
とが出来るので、量産性が向上する。また、非磁性Ｃｏ
Ｏ下地層形成後その表面は何にも触れることなくＣｏ−
Ｏ磁性層が形成されるので、ＣｏＯ下地層の表面に不純
物が混入したり傷が入ったりすることがなく、ドロップ
アウトが減少する。
【００１０】一般に非磁性ＣｏＯ下地層の形成に必要な
酸素の導入量はＣｏ−Ｏ磁性層を形成するのに必要な酸
素の導入量に比べて著しく大きい。従って飽和磁化の大
きいＣｏ−Ｏ磁性層を形成するには非磁性ＣｏＯ層の形
成のための酸素の導入がＣｏ−Ｏ磁性層の形成に及ぼす
影響を減らす必要がある。しかし非磁性ＣｏＯ下地層を
形成するための酸素導入ノズルを、蒸気の入射量域内に
あってかつ高分子基板に近接して配したノズルより、前
記高分子基板の走行の入り側に向けて導入すると酸素が
拡散する以前のところで反応蒸着されるので酸素の導入
量を最小限に抑制することができる。
酸素の導入量はＣｏ−Ｏ磁性層を形成するのに必要な酸
素の導入量に比べて著しく大きい。従って飽和磁化の大
きいＣｏ−Ｏ磁性層を形成するには非磁性ＣｏＯ層の形
成のための酸素の導入がＣｏ−Ｏ磁性層の形成に及ぼす
影響を減らす必要がある。しかし非磁性ＣｏＯ下地層を
形成するための酸素導入ノズルを、蒸気の入射量域内に
あってかつ高分子基板に近接して配したノズルより、前
記高分子基板の走行の入り側に向けて導入すると酸素が
拡散する以前のところで反応蒸着されるので酸素の導入
量を最小限に抑制することができる。
【００１１】次に非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入ノズル
を、蒸気流の密度がそのもっとも高い値の２／３以下と
なる高分子基板の入り側の領域に配して形成した磁気テ
ープと、より出側に配して形成した磁気テープ、そして
比較用に２段階に分けて形成した磁気テープのオージェ
分光分析を行ったところ、非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入
ノズルを蒸気流の密度がそのもっとも高い値の２／３以
下となる前記高分子基板の入り側の領域に配して形成し
た磁気テープの場合、酸素の存在比率の膜厚方向の分布
が、２回に分けて形成した磁気テープと同様に急激に変
化していた。これに対し、より出側に配して形成した磁
気テープの場合は、酸素の分布の変化が緩やかになって
いた。すなわち、前記非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入ノズ
ルを、蒸気流の密度がそのもっとも高い値の２／３以下
となる前記高分子基板の入り側の領域に配して形成する
ことで、２段階に分けて形成した磁気テープと同様の非
磁性層と磁性層の境界が明確な薄膜が得られる。その結
果、従来の２段階に分けた蒸着法で形成した磁気テープ
と同等の優れた磁気特性と記録再生特性が得られること
がわかった。また、この様な結果が得られた要因として
は、前記非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入ノズルを、蒸気流
の密度がそのもっとも高い値の２／３以下となる前記高
分子基板の入り側の領域に配することで、蒸気流が障壁
のような役割を担うことになって、酸素の気流がより出
側の領域へ拡散するのが妨げられるものと推測してい
る。
を、蒸気流の密度がそのもっとも高い値の２／３以下と
なる高分子基板の入り側の領域に配して形成した磁気テ
ープと、より出側に配して形成した磁気テープ、そして
比較用に２段階に分けて形成した磁気テープのオージェ
分光分析を行ったところ、非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入
ノズルを蒸気流の密度がそのもっとも高い値の２／３以
下となる前記高分子基板の入り側の領域に配して形成し
た磁気テープの場合、酸素の存在比率の膜厚方向の分布
が、２回に分けて形成した磁気テープと同様に急激に変
化していた。これに対し、より出側に配して形成した磁
気テープの場合は、酸素の分布の変化が緩やかになって
いた。すなわち、前記非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入ノズ
ルを、蒸気流の密度がそのもっとも高い値の２／３以下
となる前記高分子基板の入り側の領域に配して形成する
ことで、２段階に分けて形成した磁気テープと同様の非
磁性層と磁性層の境界が明確な薄膜が得られる。その結
果、従来の２段階に分けた蒸着法で形成した磁気テープ
と同等の優れた磁気特性と記録再生特性が得られること
がわかった。また、この様な結果が得られた要因として
は、前記非磁性ＣｏＯ形成用酸素導入ノズルを、蒸気流
の密度がそのもっとも高い値の２／３以下となる前記高
分子基板の入り側の領域に配することで、蒸気流が障壁
のような役割を担うことになって、酸素の気流がより出
側の領域へ拡散するのが妨げられるものと推測してい
る。
【００１２】
【実施例】（図１）は本発明の製造方法を実施できる磁
気記録媒体の製造装置の１例の概略図であり、（図４）
の装置のシールドの間に非磁性ＣｏＯ形成用の酸素導入
ノズル１０を配した構造の連続真空蒸着装置である。
（図１）の装置では、円筒状キャン４に沿って高分子基
板１を走行させながら、その上に前記非磁性ＣｏＯ下地
層形成用の１０より入り側の領域で非磁性ＣｏＯ下地層
を形成し、続いてより出側の領域でＣｏ−Ｏ磁性層を形
成する。ここで非磁性ＣｏＯ下地層形成用の酸素導入ノ
ズル１０はキャンにできるだけ近接して配し、（図１）
中に記した酸素導入方向１１のように高分子基板の入り
側に向けて酸素を吹き出す。そうすることによって前述
したように酸素の導入量を必要最小限に抑えることが出
来る。我々の検討では入り側シールド６の上から基板走
行方向に向けて酸素を導入する場合に比べて半分以下の
導入量で済ますことができた。また、蒸着中に酸素の吹
き出し口が堆積物で塞がれないように非磁性ＣｏＯ下地
層形成用の酸素導入ノズル１０と蒸発源８の間にシール
ドを設けてもよい。これに対しＣｏ−Ｏ層形成用の酸素
導入ノズル９の位置は（図１）に示したような出側シー
ルド７付近である必要は無く、例えばキャンから離して
蒸着室全体に酸素を行きわたらせるようにしてもよい。
気記録媒体の製造装置の１例の概略図であり、（図４）
の装置のシールドの間に非磁性ＣｏＯ形成用の酸素導入
ノズル１０を配した構造の連続真空蒸着装置である。
（図１）の装置では、円筒状キャン４に沿って高分子基
板１を走行させながら、その上に前記非磁性ＣｏＯ下地
層形成用の１０より入り側の領域で非磁性ＣｏＯ下地層
を形成し、続いてより出側の領域でＣｏ−Ｏ磁性層を形
成する。ここで非磁性ＣｏＯ下地層形成用の酸素導入ノ
ズル１０はキャンにできるだけ近接して配し、（図１）
中に記した酸素導入方向１１のように高分子基板の入り
側に向けて酸素を吹き出す。そうすることによって前述
したように酸素の導入量を必要最小限に抑えることが出
来る。我々の検討では入り側シールド６の上から基板走
行方向に向けて酸素を導入する場合に比べて半分以下の
導入量で済ますことができた。また、蒸着中に酸素の吹
き出し口が堆積物で塞がれないように非磁性ＣｏＯ下地
層形成用の酸素導入ノズル１０と蒸発源８の間にシール
ドを設けてもよい。これに対しＣｏ−Ｏ層形成用の酸素
導入ノズル９の位置は（図１）に示したような出側シー
ルド７付近である必要は無く、例えばキャンから離して
蒸着室全体に酸素を行きわたらせるようにしてもよい。
【００１３】ＣｏＯ下地層形成用の酸素導入ノズル１０
の位置を変化させたときの磁気特性の変化について述べ
る。入り側シールドと出側シールドの位置は、入射角に
してそれぞれ８０°と４０°に固定した。比較用として
は、出側シールドをＣｏＯ下地層形成用酸素導入ノズル
の位置まで移動してＣｏＯ下地層を形成し、次に出側シ
ールドの位置を戻し、入り側のシールドをＣｏＯ下地層
形成用酸素導入ノズルの位置まで移動してＣｏ−Ｏ層を
形成する２段階に分けた方法で作製した。なお高分子基
板の送り速度とＣｏ−Ｏ層形成用酸素導入ノズルからの
酸素の導入量は、２段階に分けた方法で作製した場合に
Ｃｏ−Ｏ層の膜厚が約２００ｎｍ、飽和磁化が４５０ｅ
ｍｕ／ｃｃとなるようにした。
の位置を変化させたときの磁気特性の変化について述べ
る。入り側シールドと出側シールドの位置は、入射角に
してそれぞれ８０°と４０°に固定した。比較用として
は、出側シールドをＣｏＯ下地層形成用酸素導入ノズル
の位置まで移動してＣｏＯ下地層を形成し、次に出側シ
ールドの位置を戻し、入り側のシールドをＣｏＯ下地層
形成用酸素導入ノズルの位置まで移動してＣｏ−Ｏ層を
形成する２段階に分けた方法で作製した。なお高分子基
板の送り速度とＣｏ−Ｏ層形成用酸素導入ノズルからの
酸素の導入量は、２段階に分けた方法で作製した場合に
Ｃｏ−Ｏ層の膜厚が約２００ｎｍ、飽和磁化が４５０ｅ
ｍｕ／ｃｃとなるようにした。
【００１４】（図２）は、面内角型比を、ＣｏＯ下地層
形成用酸素導入ノズルを同じ位置として２回に分けて作
製した前述の比較用磁気テープの値で規格化した値と、
蒸着時のＣｏＯ下地層形成用酸素導入ノズルの位置の蒸
気流密度をそのもっとも高い値で規格化した値との関係
を示したものである。（図２）より規格化された蒸気流
密度が２／３以下となる入り側の領域では、面内角型比
が４％以内の減衰量におさまっている。しかしながらそ
れより出側の領域では面内角型比の劣下が著しいことが
わかる。この様な面内角型比が劣下した場合にはテープ
全体の飽和磁化が大きく低下しており、ＣｏＯ下地層形
成のための酸素が出側に拡散していることが推定され
た。また、ＣｏＯ下地層形成用酸素導入ノズルの位置が
規格化された蒸気流密度が２／３以下となる入り側の領
域にある場合でも、わずかに飽和磁化が減少していた
が、この場合にはＣｏ−Ｏ磁性層形成用の酸素導入ノズ
ルからの導入量を再調整することで前述の比較用磁気テ
ープと同じ飽和磁化とすることができた。そのとき面内
角形比の値は比較用磁気テープの値を再現した。
形成用酸素導入ノズルを同じ位置として２回に分けて作
製した前述の比較用磁気テープの値で規格化した値と、
蒸着時のＣｏＯ下地層形成用酸素導入ノズルの位置の蒸
気流密度をそのもっとも高い値で規格化した値との関係
を示したものである。（図２）より規格化された蒸気流
密度が２／３以下となる入り側の領域では、面内角型比
が４％以内の減衰量におさまっている。しかしながらそ
れより出側の領域では面内角型比の劣下が著しいことが
わかる。この様な面内角型比が劣下した場合にはテープ
全体の飽和磁化が大きく低下しており、ＣｏＯ下地層形
成のための酸素が出側に拡散していることが推定され
た。また、ＣｏＯ下地層形成用酸素導入ノズルの位置が
規格化された蒸気流密度が２／３以下となる入り側の領
域にある場合でも、わずかに飽和磁化が減少していた
が、この場合にはＣｏ−Ｏ磁性層形成用の酸素導入ノズ
ルからの導入量を再調整することで前述の比較用磁気テ
ープと同じ飽和磁化とすることができた。そのとき面内
角形比の値は比較用磁気テープの値を再現した。
【００１５】（図３）は、上述のようにして磁気特性を
再現した磁気テープの再生出力を前述の比較用磁気テー
プの値で規格化して示したものである。測定にはドラム
テスターを用いた。（図３）の様に再生出力においても
ほぼ再現した。
再現した磁気テープの再生出力を前述の比較用磁気テー
プの値で規格化して示したものである。測定にはドラム
テスターを用いた。（図３）の様に再生出力においても
ほぼ再現した。
【００１６】（表１）は、記録再生特性が再現した磁気
テープを市販のＶＴＲにかけてドロップアウトカウンタ
ーでドロップアウトを測定した結果を示している。ドロ
ップアウトとしては−１６ｄＢ以上の出力低下が１５μ
ｓｅｃ以上つづいたときカウントした。２度に分けて作
製した磁気テープに比べて本発明の方法で１度で作製し
た磁気テープは、ドロップアウトが４０％以上少なくな
っていた。これは工程の簡略化によりテープ表面の傷や
汚れが減少したためである。
テープを市販のＶＴＲにかけてドロップアウトカウンタ
ーでドロップアウトを測定した結果を示している。ドロ
ップアウトとしては−１６ｄＢ以上の出力低下が１５μ
ｓｅｃ以上つづいたときカウントした。２度に分けて作
製した磁気テープに比べて本発明の方法で１度で作製し
た磁気テープは、ドロップアウトが４０％以上少なくな
っていた。これは工程の簡略化によりテープ表面の傷や
汚れが減少したためである。
【００１７】
【表１】
【００１８】なお、この様な結果は入射角が異なる場
合、例えば入射角が垂直に近い場合でも同様に得られ
た。但し入射角が垂直に近い場合には、角型比は垂直方
向の磁化曲線を反磁界補正したもので比較した。
合、例えば入射角が垂直に近い場合でも同様に得られ
た。但し入射角が垂直に近い場合には、角型比は垂直方
向の磁化曲線を反磁界補正したもので比較した。
【００１９】一般に磁性層を蒸着した場合、蒸着原子の
入射角によって磁性層の磁気特性や記録再生特性が変化
するが、（図１）に示したような蒸着装置の場合、磁性
層の初期入射角は、非磁性ＣｏＯ下地層形成用酸素導入
ノズルの位置で規定され、（図１）中の中間入射角Ｒ３
となる。この場合所望の中間入射角Ｒ３を得るためには
以下のような手順で行えばよい。 （１）シールドの間隔を蒸発源の真上を中心として所望
の蒸着範囲より十分に広くとり、高分子基板をキャン上
で停止させた状態で蒸着する。 （２）基板単位面積当りの蒸着物の体積を水平面の単位
面積当りの値に規格化し、それの基板走行方向の分布を
求め、それを蒸気流密度の分布とする。 （３）（２）で求めた蒸気流密度の最も高い値の２／３
以下の高分子基板の入り側の領域にＣｏ−Ｏ層形成の初
期入射位置を定め、ＣｏＯ下地層形成用の酸素導入ノズ
ルを配する。 （４）（３）で所望の初期入射角が得られない場合に
は、蒸発源を移動する。
入射角によって磁性層の磁気特性や記録再生特性が変化
するが、（図１）に示したような蒸着装置の場合、磁性
層の初期入射角は、非磁性ＣｏＯ下地層形成用酸素導入
ノズルの位置で規定され、（図１）中の中間入射角Ｒ３
となる。この場合所望の中間入射角Ｒ３を得るためには
以下のような手順で行えばよい。 （１）シールドの間隔を蒸発源の真上を中心として所望
の蒸着範囲より十分に広くとり、高分子基板をキャン上
で停止させた状態で蒸着する。 （２）基板単位面積当りの蒸着物の体積を水平面の単位
面積当りの値に規格化し、それの基板走行方向の分布を
求め、それを蒸気流密度の分布とする。 （３）（２）で求めた蒸気流密度の最も高い値の２／３
以下の高分子基板の入り側の領域にＣｏ−Ｏ層形成の初
期入射位置を定め、ＣｏＯ下地層形成用の酸素導入ノズ
ルを配する。 （４）（３）で所望の初期入射角が得られない場合に
は、蒸発源を移動する。
【００２０】以上Ｃｏ−Ｏ層形成の所望の初期入射角を
得る方法について述べた。なおＣｏ−Ｏ層形成の終期入
射角は出側のシールドの位置によって決めればよい。
得る方法について述べた。なおＣｏ−Ｏ層形成の終期入
射角は出側のシールドの位置によって決めればよい。
【００２１】また、我々の検討ではＣｏＯ下地層形成時
の入射角は上層のＣｏ−Ｏ層の磁気特性にあまり影響し
なかったので、ＣｏＯ下地層とＣｏ−Ｏ層の膜厚の比が
所望の値となるように出側のシールドとＣｏＯ下地層形
成用酸素導入ノズルとの間隔を調整すればよかった。
の入射角は上層のＣｏ−Ｏ層の磁気特性にあまり影響し
なかったので、ＣｏＯ下地層とＣｏ−Ｏ層の膜厚の比が
所望の値となるように出側のシールドとＣｏＯ下地層形
成用酸素導入ノズルとの間隔を調整すればよかった。
【００２２】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、２度に分け
て作製していた非磁性ＣｏＯ層を下地としＣｏ−Ｏ層を
上層とする構成の磁気テープと同等の磁気特性と記録再
生特性をもち、ドロップアウトの少ない磁気テープを１
回の工程で量産性よく作製することが可能である。
て作製していた非磁性ＣｏＯ層を下地としＣｏ−Ｏ層を
上層とする構成の磁気テープと同等の磁気特性と記録再
生特性をもち、ドロップアウトの少ない磁気テープを１
回の工程で量産性よく作製することが可能である。
【図１】本発明の製造方法を実施できる磁気記録媒体の
製造装置の１例の概略図
製造装置の１例の概略図
【図２】面内角型比と、蒸着時のＣｏＯ下地層形成用酸
素導入ノズルの位置の蒸気流密度との関係を示したグラ
フ
素導入ノズルの位置の蒸気流密度との関係を示したグラ
フ
【図３】本発明の方法で製造した磁気テープの再生出力
の評価結果を示したグラフ
の評価結果を示したグラフ
【図４】従来方法の製造に用いられる磁気記録媒体の製
造装置の概略図
造装置の概略図
１ 高分子基板 ２ 供給ロール ３ 巻取りロール ４ 円筒状キャン ５ 円筒状キャンの回転方向 ６ 入り側シールド ７ 出側シールド ８ 蒸発源 ９、１０ 酸素導入ノズル １１ 酸素導入方向 Ｒ１ 初期入射角 Ｒ２ 終期入射角 Ｒ３ 中間入射角
Claims (3)
- 【請求項１】連続真空蒸着法によって長尺の高分子基板
上にＣｏとＯを主成分とする磁性層を形成する際に、Ｃ
ｏ蒸気の初期入射領域に酸素を導入して非磁性ＣｏＯ下
地層を形成し、引続き終期入射領域に酸素を導入して前
記磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】非磁性ＣｏＯ下地層を形成するための酸素
を、蒸気の入射量域内にあってかつ高分子基板に近接し
て配したノズルより、前記高分子基板の走行の入り側に
向けて導入する請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】非磁性ＣｏＯ下地層を形成するための酸素
導入ノズルを蒸気流密度がそのもっとも高い値の２／３
以下となる領域に配することを特徴とする請求項２に記
載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4164447A JPH064862A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4164447A JPH064862A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH064862A true JPH064862A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15793345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4164447A Pending JPH064862A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
| GB2536252A (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-14 | Bobst Manchester Ltd | Improved vacuum coater |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP4164447A patent/JPH064862A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855416B2 (en) | 2001-10-17 | 2005-02-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin film magnetic recording medium |
| GB2536252A (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-14 | Bobst Manchester Ltd | Improved vacuum coater |
| GB2536252B (en) * | 2015-03-10 | 2018-10-10 | Bobst Manchester Ltd | Method of operating a vacuum coater for coating a web |
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