JPH065235A - 蛍光表示管 - Google Patents
蛍光表示管Info
- Publication number
- JPH065235A JPH065235A JP15660592A JP15660592A JPH065235A JP H065235 A JPH065235 A JP H065235A JP 15660592 A JP15660592 A JP 15660592A JP 15660592 A JP15660592 A JP 15660592A JP H065235 A JPH065235 A JP H065235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- common electrode
- segment
- anode substrate
- varistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】陽極基板上のセグメント電極上に帯電した静電
気を半導体素子の内部を通さずにＧＮＤに放電させ、半
導体素子の劣化・破壊を防止する。 【構成】蛍光表示パネルの陽極基板上で全セグメント電
極を、バリスタまたは高抵抗素子で共通電極に接続し、
共通電極を通して帯電した静電気を放電する。共通電極
は蛍光体電着用の延長線上に厚膜プリント方法で形成
し、半導体駆動素子のＧＮＤに接続する構成となってい
る。
気を半導体素子の内部を通さずにＧＮＤに放電させ、半
導体素子の劣化・破壊を防止する。 【構成】蛍光表示パネルの陽極基板上で全セグメント電
極を、バリスタまたは高抵抗素子で共通電極に接続し、
共通電極を通して帯電した静電気を放電する。共通電極
は蛍光体電着用の延長線上に厚膜プリント方法で形成
し、半導体駆動素子のＧＮＤに接続する構成となってい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光表示管に関し、特
に蛍光表示パネルの陽極基板の電極の構成に関する。
に蛍光表示パネルの陽極基板の電極の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、駆動用半導体素子を真空外囲器内
に内蔵したチップイングラス（Ｃｈｉｐ Ｉｎ Ｇｌａ
ｓｓ）形蛍光表示パネル（以下ＣＩＧ−ＦＩＰと略記
す）の生産が増大している。このＣＩＧ−ＦＩＰの陽極
基板は、次のような構造となっている。すなわち、図５
及びそのＡＡ線断面図である図２に示すようにガラス基
板１上にスパッタリング法及びフォトエッチング法によ
り所定のアルミパターンで電源入力信号線２ａ、出力線
２ｂ、セグメント電極２ｃ、電着用延長線２ｄ、および
電着用端子２ｅがあり、その上を所定の部分を残した絶
縁体層８で覆い、絶縁体層に設けられたスルーホール部
に、グラファイト層３を厚膜プリント法で形成し、この
グラファイト層３上に、蛍光体層４が電着法により形成
され、これがセグメント電極となっている。電着用端子
２ｅは蛍光体層４が電着された後、基板切断部５で切り
離される。駆動用の半導体素子は、所定の場所にダイボ
ンデングされた後、ワイヤーボンデングでその出力とセ
グメント電極が接続されて完成される。この陽極基板６
は、カバーガラスと組み合わされ、封入、排気の工程を
経て、ＣＩＧ−ＦＩＰとして完成されている。
に内蔵したチップイングラス（Ｃｈｉｐ Ｉｎ Ｇｌａ
ｓｓ）形蛍光表示パネル（以下ＣＩＧ−ＦＩＰと略記
す）の生産が増大している。このＣＩＧ−ＦＩＰの陽極
基板は、次のような構造となっている。すなわち、図５
及びそのＡＡ線断面図である図２に示すようにガラス基
板１上にスパッタリング法及びフォトエッチング法によ
り所定のアルミパターンで電源入力信号線２ａ、出力線
２ｂ、セグメント電極２ｃ、電着用延長線２ｄ、および
電着用端子２ｅがあり、その上を所定の部分を残した絶
縁体層８で覆い、絶縁体層に設けられたスルーホール部
に、グラファイト層３を厚膜プリント法で形成し、この
グラファイト層３上に、蛍光体層４が電着法により形成
され、これがセグメント電極となっている。電着用端子
２ｅは蛍光体層４が電着された後、基板切断部５で切り
離される。駆動用の半導体素子は、所定の場所にダイボ
ンデングされた後、ワイヤーボンデングでその出力とセ
グメント電極が接続されて完成される。この陽極基板６
は、カバーガラスと組み合わされ、封入、排気の工程を
経て、ＣＩＧ−ＦＩＰとして完成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＣＩＧ−ＦＩＰの大型
化に伴いセグメントの静電容量が増大し、３００ｐＦに
も達するものが作られるようになってきた。このセグメ
ント電極は、ガラスという絶縁物の上に形成されている
上に、駆動用半導体素子の出力端子に接続されているの
みである。このため外部から帯電物質の接近等で一度静
電気が帯電すると、放電せずずっと帯電したままとな
る。この帯電した静電気は、駆動用半導体素子を働かせ
ると、駆動用半導体素子の内部を通って一気に放電す
る。半導体素子はＭＯＳトランジスタで構成されている
ため、この放電でゲート酸化膜が破壊されたり、特性が
劣化したりすることがある。
化に伴いセグメントの静電容量が増大し、３００ｐＦに
も達するものが作られるようになってきた。このセグメ
ント電極は、ガラスという絶縁物の上に形成されている
上に、駆動用半導体素子の出力端子に接続されているの
みである。このため外部から帯電物質の接近等で一度静
電気が帯電すると、放電せずずっと帯電したままとな
る。この帯電した静電気は、駆動用半導体素子を働かせ
ると、駆動用半導体素子の内部を通って一気に放電す
る。半導体素子はＭＯＳトランジスタで構成されている
ため、この放電でゲート酸化膜が破壊されたり、特性が
劣化したりすることがある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、蛍光表示パネ
ルの全セグメント電極を陽極基板上で、バリスタ、また
は高抵抗素子で共通電極に接続し、共通電極を通して帯
電した静電気を放電することにより、駆動用の半導体素
子の動作にはほとんど影響を及ぼさずに、半導体素子の
破壊・劣化を防止する共通電極を有することを特徴とし
ている。
ルの全セグメント電極を陽極基板上で、バリスタ、また
は高抵抗素子で共通電極に接続し、共通電極を通して帯
電した静電気を放電することにより、駆動用の半導体素
子の動作にはほとんど影響を及ぼさずに、半導体素子の
破壊・劣化を防止する共通電極を有することを特徴とし
ている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。
図２はセグメント部分（図１のＡ−Ａ）の断面図であ
る。ガラス基板からなる陽極基板６上に、スパッタリン
グ法およびフォトエッチング法によりアルミパターンの
電源・入力信号線２ａ、出力線２ｂ、セグメント電極２
ｃ、電着用延長線２ｄ、および電着用端子２ｅを形成す
る。次に、所定の部位を残してアルミパターンおよびガ
ラス基板上に絶縁体層８を厚膜プリント法により形成す
る。更に、蛍光体層を形成すべき部分にグラファイト層
３をこれも厚膜プリント法にて形成する。このグラファ
イト層３の上に、電着法で蛍光体層４を形成してある。
る。図１は本発明の第１の実施例を示す平面図である。
図２はセグメント部分（図１のＡ−Ａ）の断面図であ
る。ガラス基板からなる陽極基板６上に、スパッタリン
グ法およびフォトエッチング法によりアルミパターンの
電源・入力信号線２ａ、出力線２ｂ、セグメント電極２
ｃ、電着用延長線２ｄ、および電着用端子２ｅを形成す
る。次に、所定の部位を残してアルミパターンおよびガ
ラス基板上に絶縁体層８を厚膜プリント法により形成す
る。更に、蛍光体層を形成すべき部分にグラファイト層
３をこれも厚膜プリント法にて形成する。このグラファ
イト層３の上に、電着法で蛍光体層４を形成してある。
【０００６】図３は本発明の電着用延長線２ｄ上に形成
された、セグメント電極と共通電極の部分のＢ−Ｂ断面
図（図１参照）である。図２と同様に陽極基板６上に形
成された電着用延長線２ｄのアルミパターンがあり、そ
の上にアルミパターンと直交する方向に、ＺｎＯ粉末に
Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 を小量添加し低融点ガラスと混
合したペーストにより、厚膜プリントで厚さ３０ミクロ
ン、幅２ｍｍで形成し、約６５０℃で焼成してバリスタ
層７を形成する。次に、バリスタ層７の上を銀ペースト
でこれも厚膜プリント法で配線焼成し、共通電極９とし
て、半導体素子のＧＮＤ電極に電気的に接続する。この
ように構成することによってセグメント電極に誘起され
る静電気を容易に放電させることができる。
された、セグメント電極と共通電極の部分のＢ−Ｂ断面
図（図１参照）である。図２と同様に陽極基板６上に形
成された電着用延長線２ｄのアルミパターンがあり、そ
の上にアルミパターンと直交する方向に、ＺｎＯ粉末に
Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 を小量添加し低融点ガラスと混
合したペーストにより、厚膜プリントで厚さ３０ミクロ
ン、幅２ｍｍで形成し、約６５０℃で焼成してバリスタ
層７を形成する。次に、バリスタ層７の上を銀ペースト
でこれも厚膜プリント法で配線焼成し、共通電極９とし
て、半導体素子のＧＮＤ電極に電気的に接続する。この
ように構成することによってセグメント電極に誘起され
る静電気を容易に放電させることができる。
【０００７】図４は本発明の第２の実施例で図３と同じ
ように電着用延長線２ｄ上に形成されたセグメント電極
と共通電極の部分のＢ−Ｂ断面図である。図２と同様に
陽極基板６上に形成された電着用延長線２ｄのアルミパ
ターンがあり、その上にＲｕＯ2 を主成分とする抵抗ペ
ーストをこれも厚膜プリント法で厚さ５０ミクロンで選
択的に形成し約６５０℃で焼成して抵抗層１０を形成す
る。次に、抵抗層１０の上を銀ペーストでこれも厚膜プ
リント法で配線焼成し共通電極９として、半導体素子の
ＧＮＤ電極に電気的に接続する。ここで形成される抵抗
層１０の抵抗値は、１セグメント電極当り１ＭΩ以上と
なるように材料、面積が選択される。製造の手順として
は、共通電極９を形成後、蛍光体層を形成すべき領域以
外をゴムシートでマスキングし、電着用端子２ｅから負
の電圧を印加し、蛍光体を電着液中で電着し、前述の蛍
光体層４を形成する。続いて、切断部５でガラス基板を
切断して、最後に半導体素子を所定の部位にダイボンデ
ィングし、電極をワイヤーボンディングして陽極基板が
完成する。この陽極基板に、その他の電極部品及びカバ
ーガラスと組み合わせて封入排気してＣＩＧ−ＦＩＰが
完成する。
ように電着用延長線２ｄ上に形成されたセグメント電極
と共通電極の部分のＢ−Ｂ断面図である。図２と同様に
陽極基板６上に形成された電着用延長線２ｄのアルミパ
ターンがあり、その上にＲｕＯ2 を主成分とする抵抗ペ
ーストをこれも厚膜プリント法で厚さ５０ミクロンで選
択的に形成し約６５０℃で焼成して抵抗層１０を形成す
る。次に、抵抗層１０の上を銀ペーストでこれも厚膜プ
リント法で配線焼成し共通電極９として、半導体素子の
ＧＮＤ電極に電気的に接続する。ここで形成される抵抗
層１０の抵抗値は、１セグメント電極当り１ＭΩ以上と
なるように材料、面積が選択される。製造の手順として
は、共通電極９を形成後、蛍光体層を形成すべき領域以
外をゴムシートでマスキングし、電着用端子２ｅから負
の電圧を印加し、蛍光体を電着液中で電着し、前述の蛍
光体層４を形成する。続いて、切断部５でガラス基板を
切断して、最後に半導体素子を所定の部位にダイボンデ
ィングし、電極をワイヤーボンディングして陽極基板が
完成する。この陽極基板に、その他の電極部品及びカバ
ーガラスと組み合わせて封入排気してＣＩＧ−ＦＩＰが
完成する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、陽極基板
内で全セグメントがバリスタ素子または高抵抗素子で共
通電極に接続されるように構成されているため、共通電
極を駆動用半導体素子のＧＮＤ電位に接続しておくこと
により、セグメント電極に誘起する静電気を放電させ、
半導体素子の劣化・破壊を防止することができる。
内で全セグメントがバリスタ素子または高抵抗素子で共
通電極に接続されるように構成されているため、共通電
極を駆動用半導体素子のＧＮＤ電位に接続しておくこと
により、セグメント電極に誘起する静電気を放電させ、
半導体素子の劣化・破壊を防止することができる。
【０００９】真空外囲器内に半導体駆動素子を持たない
従来タイプの蛍光表示管でも、これらの共通電極を外部
に引き出し駆動回路のＧＮＤ電位に接続することにより
同様の効果を得ることができる。
従来タイプの蛍光表示管でも、これらの共通電極を外部
に引き出し駆動回路のＧＮＤ電位に接続することにより
同様の効果を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における主要部の位置関
係を示す平面図である。
係を示す平面図である。
【図２】図１及び図５のＡＡ線断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例における図１のＢ−Ｂ断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の第２の実施例における図１のＢ−Ｂ断
面図である。
面図である。
【図５】従来例における主要部の位置関係を示す平面図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ａ 電源入力信号線 ２ｂ 出力線 ２ｃ セグメント電極 ２ｄ 電着用延長線 ２ｅ 電着用端子 ３ グラファイト層 ４ 蛍光体層 ５ 基板切断部 ６ 陽極基板 ７ バリスタ層 ８ 絶縁体層 ９ 共通電極 １０ 抵抗層
Claims (3)
- 【請求項１】 駆動用半導体素子を真空外囲器内に内蔵
する蛍光表示パネルに於て、蛍光体を形成するセグメン
ト電極の全てが、陽極基板上でバリスタを介して共通電
極に接続されていることを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項２】 駆動用半導体素子を真空外囲器内に内蔵
する蛍光表示パネルに於て、蛍光体を形成するセグメン
ト電極の全てが、陽極基板上で高抵抗素子を介して共通
電極に接続されていることを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項３】 駆動用半導体素子を真空外囲器内に内蔵
しない蛍光表示パネルに於て、蛍光体を形成するセグメ
ント電極の全てが、陽極基板上でバリスタまたは高抵抗
素子を介して共通電極に接続されていることを特徴とす
る蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15660592A JPH065235A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 蛍光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15660592A JPH065235A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 蛍光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065235A true JPH065235A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15631395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15660592A Withdrawn JPH065235A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 蛍光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065235A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001175194A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Ise Electronics Corp | 蛍光表示管および電子部品 |
| WO2004043116A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Display device with varistor layer |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP15660592A patent/JPH065235A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001175194A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Ise Electronics Corp | 蛍光表示管および電子部品 |
| WO2004043116A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Display device with varistor layer |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |