JPH0653298A - 半導体ウェーハ試験用乾燥界面熱形チャック温度制御システム - Google Patents

半導体ウェーハ試験用乾燥界面熱形チャック温度制御システム

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JPH0653298A
JPH0653298A JP2405226A JP40522690A JPH0653298A JP H0653298 A JPH0653298 A JP H0653298A JP 2405226 A JP2405226 A JP 2405226A JP 40522690 A JP40522690 A JP 40522690A JP H0653298 A JPH0653298 A JP H0653298A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェーハ試験装置に使用するウェーハ
チャック温度制御システムを提供する。 【構成】 ウェーハチャック１は、試験している上にあ
る未ダイシングのウェーハのチップ位置領域に対応する
複数の温度センサ・冷却素子３,４の領域２に分割され
ている。センサのコンピュータ走査によって、どの領域
が熱源(試験中のチップ)を収容しているものであるかを
決定し、そしてこのものを、閉ループ温度制御フィード
バックサーボへの接続のために選択する。ウェーハをチ
ャックに対して真空着座させたときヘリウムが流れる、
環状溝をチャックの面内に配置することによって、ウェ
ーハとチャックとの間にヘリウム気体界面を導入するた
めの手段も設けてある。真空抑留を保持し且つウェーハ
−チャック界面の熱抵抗を最適化するために、所定のヘ
リウム気体流量を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体ウェーハ
試験装置に、更に詳細には、区域選択温度制御式ウェー
ハチャックを用いた閉ループ温度感知フィードバック・
システムに関係している。
【０００２】
【従来の技術】以前の実施においては、ダイシングして
いない半導体チップデバイス及び回路部を、当時普通の
比較的低いチップワット数レベル(２０ワット範囲の十
分に下方)においてウェーハ試験するときには、約２５
℃の所要チップ接合温度は容易に維持可能であった。し
かしながら、比較的最近、未ダイシングのウェーハ形態
のチップデバイスを２０ワット以上のワット数レベルで
試験することが必要になってきている。そのウェーハ−
チャック界面の熱抵抗を約１．２℃／ワットより下に維
持しなければ、チップ接合温度を約２５℃に維持しなが
ら信頼性のある機能試験結果を得ることは、不可能では
ないけれども、非常に困難になっている。既知の利用可
能なチャック温度制御技法は、未切断ウェーハの個個の
チップの高ワット数試験には向いていない。
【０００３】高ワット数のチップは、ウェーハ最終試験
中に相当に加熱してしまう。このチップの電気的性能
は、それの動作温度又は「接合」温度に依存している。性
能は、接合温度の増大と共に非線形的に劣化するもので
ある。最終試験に合格するためには、どのチップについ
てもある最低減の性能レベルが必要である。このレベル
を確立する際には、接合温度は、試験中、試験仕様書に
規定した値に一定に保たれるものと仮定していた。この
仮定は、過去において、チップの電力レベルが低かった
(５ワット未満)ときには適度に機能した。しかし、それ
より高い電力レベルでは、この仮定は、誤ったものとな
ってしまう。高ワット数チップを試験するときには、そ
の規定試験温度と実際の接合温度との間にはかなりの差
があることになる。例えば、２０ワットのチップ電力に
おいては、そのチップは、チャック(最終試験中ウェー
ハを支持し且つこれの温度を制御するのに使用する装
置)よりも平均５０℃熱くなることがある。しかも更に
悪いことには、この温度上昇の可能性のため電力入力及
びチャック温度が与えられても、実際の接合温度を予測
することが困難である。この例においては、その接合
は、実際上そのサーモチャックより大体２５℃ないし７
５℃熱くなることがある。単に過熱のために良品のチッ
プを不良のチップとして試験判定することがあり得るで
あろうから、製品歩留りは、この不確定性によって直接
影響を受けることになる。
【０００４】理想的な方策は試験しているときのデバイ
スの接合温度を実際に測定し、これをチャック温度制御
システムに対するフィードバック制御信号として使用す
ることである。十分な冷却エネルギーが利用可能である
とするならば、この方法では、接合温度を規定温度を中
心とする狭い範囲内に維持できることになる。不幸に
も、そのような直接的方策はまだ実施可能ではなく、又
近い将来においても実現されそうにない。この温度フィ
ードバックを与えるためには、温度感知性ダイオードを
チップ内に配置しなければならないであろうが、このダ
イオードの出力は容易に利用可能又は測定可能なもので
はないであろう。
【０００５】ウェーハ温度制御における現行技術水準の
ものの動作原理は、閉ループ温度フィードバック制御シ
ステムによって、ウェーハを支持するチャックの温度を
一定に保つことである。そのチャックの温度は、熱電対
によって監視し、そしてその板の下に取り付けたそれぞ
れの熱電素子によって冷却エネルギーを与えるようにな
っている。この制御ユニットは、その熱電対を規定温度
から２℃内に保つのに必要な熱電素子オンオフを行う。
しかしながら、大規模な研究の結果によると、この装置
では、行い得る唯一の有用且つ統計的に妥当な接合温度
予測は、２５ワット未満を消費するチップが、１０℃の
チャック上での試験時に、８５℃未満にとどまるであろ
う、ということである。
【０００６】ＩＢＭ(Ｒ)技術開示速報第３１巻第１号,
１９８８年６月,所載のＧ．フォーチュン及びＪ．Ｈ．
ケラー著「反応性イオン・エッチング中におけるウェー
ハ冷却のための静電的ウェーハ保持器」(ＩＢＭ(Ｒ)Ｔec
hnical Ｄisclosure Ｂulletin,Ｖol．３１,Ｎo．１,
Ｊune １９８８,“Ｅlectrostatic Ｗafer Ｈolderf
or Ｗafer Ｃooling Ｄuring Ｒeactive Ｉon Ｅ
tching" by Ｇ．Ｆortune and Ｊ．Ｈ．Ｋeller)
は、反応性イオン・エッチング適用の際のウェーハ−チ
ャック(ウェーハ−保持器)界面における熱抵抗を低下さ
せるのに有効な一つの技法を開示している。ウェーハは
その保持器に静電的にクランプする一方、保持器におけ
る環状表面溝を通してそのウェーハの裏側にヘリウムガ
スを加えるようになっている。しかしながら、この引用
出版物では、(１つの共通の未ダイシングのウェーハの
面を構成する多くのチップの中で一度にただ一つのチッ
プを試験するということによって引き起こされるよう
な)ウェーハの小さい面だけを一度に加熱する場合、非
一様に加熱したウェーハのある区域部分又は領域だけを
冷却する、ということに関する問題を扱っていない。
【０００７】ヘリウムガスは又、ジョージＬ．コウド他
による１９８７年１２月２３日発行,ブレティン８７／
５２の欧州特許公表０２５００６４(Ｅuropean patent
publication ０２５００６４,published Ｄec．２
３,１９８７,Ｂulletin ８７／５２ by Ｇeorge
Ｌ．Ｃoad et al)に記載されているように、ウェーハ
チャックに取り付けたウェーハの裏面との熱的接触を与
えるために、そのチャックの面上の溝において使用する
ようになっている。このウェーハは、ヘリウムの漏れを
低減すたるために、保持クランプによってチャックにぴ
ったりと固定するようにしてある。やはり、ウェーハ面
に渡って温度が非一様であるウェーハを加熱又は冷却す
ることについての教示はない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一つの目的
は、ウェーハのある区域又は領域の温度がウェーハの残
りの部分とは異なった状態になる場合の、そのある区域
又は領域の温度を制御することである。
【０００９】別の目的は、ウェーハのある選択部分の局
所的温度制御を与えることである。
【００１０】更なる目的は、ウェーハチャック・システ
ムの実効熱抵抗を低減させることである。
【００１１】別の目的は、区域選択可能な温度制御式ウ
ェーハチャックを用いた閉ループ温度フィードバック・
システムによって、未ダイシングのウェーハ上での半導
体チップ試験を容易にすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の採択実施例に従
って、ウェーハ−チャック・システムの熱抵抗は、ウェ
ーハ内のチップ位置において発生した熱をチャックにお
ける対応する位置において測定し制御することによっ
て、低減させる。極限において、ウェーハとチャックと
の間の熱抵抗が零に接近したとすれば、接合温度は、チ
ップのパワーに関係なく任意に狭い範囲内のチャック温
度に接近するであろうが、これは熱が抵抗なしで、従っ
て温度低下なしで接合部からチャックへ流れることにな
るであろうからである。もちろん、この理想化した「超
伝導性」チャックは達成可能ではない。しかしながら、
このモデルにかなりの程度まで接近することは可能であ
る。
【００１３】簡単に言えば、熱抵抗は、ウェーハとこれ
に押圧接触している特別設計のチャックとの間の界面へ
低圧力でヘリウムガスを注入することによって、低減さ
せる。これは、チャックの頂板に、同心的真空溝と交互
になった同心的ヘリウム溝を設けることによって実現で
きる。加圧タンクからのヘリウムは、ヘリウム溝から真
空溝へ漏れ出ることができる。このヘリウムの圧力は、
所与のチャック設計について最適の結果を得るために、
所定の流量を生じるように制御する。予想されることと
は反対に、所与の値より上にヘリウムの流れを任意に増
大すると、ウェーハチャック界面に渡って熱抵抗が増大
する。
【００１４】従来技術のチャック設計の比較的低い熱伝
導率は、頂板自体内に別の温度こう配を発生させた。こ
の温度は試験中のチップの直下で最大であり、チャック
内の冷却素子への近接性に依存してその点からの距離と
共に不規則に減小した。この変化は、やはり板に埋め込
んだフィードバックセンサで読み取る温度に、誤差を導
入した。従って、センサに最も近いチップについての温
度の読みがより遠いものについてのものよりもはるかに
正確であった。そのような誤差は、チャックの実効熱抵
抗を増大させるものである。
【００１５】本発明の態様に従って、前述の近接性の問
題を最小化するための、チャックの頂板に複数(例え
ば、７)のセンサを準備している。これらセンサの配列
は、試験中のチップとセンサとの間の平均距離を最小化
するようにしてある。この配列により、各センサは、チ
ャックの区域の１／７の「領域」を受け持つことになる。
多数のセンサの用いることにより、試験しているチップ
に最も近いセンサを検出してこれをフィードバック入力
として選択することのできる制御アルゴリズムを使用す
る、より複雑な制御システムが必要であった。別の方法
としては、ホストコンピュータからの座標位置情報を用
いて試験中のチップを割り当てることができる。
【００１６】最後に、チャックの頂板の下の熱電冷却素
子は、より滑らかな温度プロフィール及びより高い冷却
容量を与えるために、それの数及び位置がセンサ領域の
数及び位置に一致するように配列している。採択実施例
においては、選択したセンサの下にある素子だけがフィ
ードバック入力を受ける。又は、簡単化した実施例にお
いては、素子の数及び位置は素子のそれらとは異なるよ
うにしてもよい。後者の場合には、素子のすべては、選
択したセンサからのフィードバック入力によって同時に
駆動するようにする。
【００１７】
【実施例】図１の例においては、チャック１は、七つの
領域又は区域２に分割してあり、各領域にはそれぞれの
熱電対センサ３を装備してある。図２を用いて後程更に
詳細に説明するように、チャック１は、三つの隣接した
層からなっており、それの(図１には詳細には示してい
ない)最上部の層には、それぞれ真空又はヘリウムのダ
クトとしての使用のために同心円の円形状で表面溝を彫
ってあり、又この層は、上記のセンサ３を収容してい
る。
【００１８】その中心層は、領域２内の選択した一つに
制御式の冷却を与えるために、それぞれのセンサ３の下
に配置した熱電モジュール４を収容している。チャック
１の底部層(図１には示していない)は、熱シンクとして
作用する水冷却ダクトを収容している。
【００１９】図１には閉ループ温度感知サーボシステム
を設けていて、チャック１のどの領域２が所与の時点に
おいて加熱されていてもそれを所定の温度に冷却するよ
うにする。そのような加熱は、図２の未ダイシングのウ
ェーハ５上に配置してあるチップについて行っている試
験の結果として生ずる。ウェーハ５は、上述の真空ダク
トを用いた真空システムによって、チャック１とぴった
り接触した状態で保持する。
【００２０】本サーボシステムには、温度計６、アナロ
グ−ディジタル(Ａ／Ｄ)変換器７、ＣＰＵ８、Ｄ／Ａ変
換器９、リレー(継電器)マトリクス１０、チャック制御
器１１、パワーマトリクス１２及び熱電モジュール４を
含んでいる。ウェーハ５の諸チップの試験は、通常の試
験実施方法に従って半導体デバイス試験点を圧迫するよ
うに持って来るプローブを用いることにより、ウェーハ
５の面に渡って一度に１チップずつ段階的に行うよう意
図している。従って、ただ一つのチップの位置を、所与
の時点において加熱することになる。本サーボシステム
の最初の仕事は、その一つの位置を確認することであ
る。
【００２１】その加熱位置は、計器６の出力を連続的に
走査して、どれが最高温の領域を表しているかに注目す
る、という技法を用いて決定する。これは、Ａ／Ｄ変換
器７のディジタル化出力を走査して最高値を選択するよ
うにプログラムしたＣＰＵ８の助けによって行う。最高
値を計測している計器６の識別を表すアナログ信号は、
ＣＰＵ８及びＤ／Ａ変換器９によって発生して、そして
パワーマトリクス１２及びリレーマトリクス１０に加え
てそれらを動作させるようにする。作動されたリレーマ
トリクス１０は、最高値の計器出力を選択して、これを
チャック制御器１１の入力に加える。作動されたパワー
マトリクス１２は、センサ３のその選択した一つに対応
する熱電モジュール４を選択して、これにチャック制御
器１１の出力を加える。
【００２２】制御器１１は、通常のフィードバックサー
ボ方式で動作して、マトリクス１０からのその選択した
感知温度信号を所定の値(例えば、２５℃又は周囲温度
値を表す基準信号)と比較し、そしてその適当なモジュ
ール４への印加のための誤差信号又は指令信号を発生す
る。この誤差信号は、熱源(試験しているチップ)に最も
近いチャックを、上記の周囲温度値の方へ復帰させる。
【００２３】ある種の試験利用のためには、制御器１１
からの誤差又は指令信号は、モジュール４のすべてに同
時に加えても十分であろう。これはハードウェアの簡単
化を可能にし、これによってパワーマトリクス１２を除
去でき、またモジュール４をチャック１の中心層内で一
緒に配線できることになる。
【００２４】市販で入手可能な各モジュール４は、電気
的には直列であるが熱的には並列に接続した多数の熱電
冷却対からなっている。そしてその各対は、電子の過剰
(Ｎ形)または不足(Ｐ形)を生成するように重くドープし
た半導体(主としてテルル化ビスマス)の二つの素子から
なっている。この冷接点において吸収した熱は、その回
路を通過するキャリヤ電流及び対の数に比例した率で熱
接点へポンプする。
【００２５】本発明の１つの特徴は、試験中のチップを
段階的に変更するときにウェーハ５に突き当たっている
試験プローブの位置における変化に無関係に、図２のウ
ェーハ５とチャック１の溝付き上方面との間に(乾いた
熱伝導性の界面を与える)ヘリウムの所与の流量を維持
することにある。前に言及したように、所与のチャック
設計に対して最適のヘリウム流量が存在することが判明
している。流量を最適流量の下に下げると、予想される
ように熱抵抗が増大する。やや意外にも、熱抵抗の増大
は又、最適量より高い流量によっても生ずる。そのより
高い流量のために必要となる余分の圧力が、ヘリウムの
濃度の増大による熱抵抗の減小を相殺する以上に、ウェ
ーハとチャックとの間の離隔距離を増大させるので、上
記のことが起こる、と想像される。
【００２６】ヘリウム出口圧力に対する第２の制約は、
真空入口圧力、すなわち正味のウェーハ裏面圧力(真空
マイナスヘリウム)が、ウェーハをチャック上の正しい
位置にしっかりと保持するために十分大きくなければな
らないことである。
【００２７】ヘリウム流量制御はＣＰＵ８,Ｄ／Ａ変換
器１３,ヘリウム源１５,流量計１６及びＡ／Ｄ変換器１
７によって与える。計器１６は、チャック１内の現存す
るヘリウムの流量を表すアナログ信号を、Ａ／Ｄ変換器
１７に供給する。変換器１７は、ＣＰＵ８への印加のた
め、それに対応するディジタル信号を発生する。ＣＰＵ
８は、変換器１７からのその信号を自蔵のプリセット値
と比較し、そしてＤ／Ａ変換器１３を通して出力信号を
供給して、弁１４を補償的に調整するように、プログラ
ムしてある。
【００２８】図２に言及すると、真空源(図示していな
い)が管２９に結合している。管２９は次に、位置２０
において、溝付き面からその埋設管２９まで明けた穴に
よって、チャック１の上方面の溝１８及び１９に接続し
ている。溝１８及び１９に沿って存在するその低くなっ
た圧力は、ウェーハ５をチップ試験中チャック１とぴっ
たり接触させて保持するようにする。ウェーハのそり及
び表面の凹凸によって生ずるウェーハとチャックとの間
の可変性の空間ギャップは、望ましくは銅のチャック１
の面を研摩することによって、且つ、熱伝導界面媒体と
して作用するように埋設管２１にヘリウム(図１の線３
０)を導入することによって、最小化できる。管２１
は、位置２５において、溝付き面から明けた穴により、
溝２２,２３及び２４と連通している。
【００２９】図１及び図２の個個の熱電モジュール４
は、図１のパワーマトリクス１２からのそれぞれの出力
を受けるようになっている。図２に示したチャック１の
底部層２６は、ダクト２７で周囲温度の水を受け、そし
て加熱した水をダクト２８から熱交換器(図示していな
い)に排出する。
【００３０】前述の詳細説明から理解されることである
が、ヘリウムガスは、チャック１の頂面における同心的
供給溝によって、ウェーハ５の裏面に渡って一様に且つ
調和して分布させる。これは、本発明の採択実施例の領
域準拠式温度フィードバックサーボ及びヘリウム流量制
御特徴と共になって、チップ試験中において、ウェーハ
の表面全域で実効熱抵抗を低減する際のより一様且つ精
密な制御効果に寄与するものである。その結果、試験し
ているチップの温度は、未ダイシングのウェーハの面上
の所与の時点での試験しているチップの位置の関数とし
て生ずるウェーハ−チャック間ギャップ寸法及び熱経路
長における変化にもかかわらず、所定の試験周囲温度に
一層厳密に保つことができる。本発明が与える個個の領
域センサ温度制御は、チャック面の残りの部分に有意に
影響を及ぼすことなく、その温度を試験中のチップの局
所化した位置において維持することを可能にするので、
試験時間も又、簡単な単一温度センササーボ制御に比べ
て低減する。チャック全体を一つの温度に冷却する前述
の簡単化した設計のものは、必然的に試験しているチッ
プから遠いチャックの区域に望ましくない温度低下を生
じさせるものである。このような低下は、一つの試験位
置(チップ位置)から別の位置へ移動したときに、チャッ
クが試験周囲温度に上昇できるようにするのにある試験
遅延時間を必要とすることによって、(採択実施例に比
べて)幾分試験処理量に影響を与えることがある。
【００３１】この開示した半導体ウェーハ試験例におい
ては、熱伝導性ガスとしてヘリウムを採択したけれど
も、他のガス、例えば水素も又適当である。本発明は、
温度制御すべき物体における熱流が予測不可能な方法で
一時的に又は空間的に変化する場合に、特に有効であ
る。半導体ウェーハ以外の、また平面又は円形形状以外
の物体にも、適合するようにできる。物体は、熱シンク
又は熱源を収容することができ、熱源収容の場合には、
開示した領域冷却素子の代わりに電気的加熱素子を用い
ることになる。
【００３２】本発明は、その採択実施例に関連して開示
したが、各請求項によって定義した本発明の精神及び範
囲内に入る他の実施例も存在し得ることは、理解される
べきである。
【００３３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の採択実施例における、チャックに埋設
した領域分割式冷却器を選択して活動化させるための、
且つチャック全体と関連した気体流量を調整するための
制御システム全体の簡単化した構成図である。
【図２】図１の実施例に使用した、試験中の未ダイシン
グのウェーハ、及びチャックの三つの主要層の分解図で
ある。
【符号の説明】
１:チャック, ２:領域, ３:熱電対センサ, ４:熱電
モジュール,６:温度計, ７:Ａ／Ｄ変換器, ８:ＣＰ
Ｕ, ９:Ｄ／Ａ変換器,１０:リレーマトリクス, １１:
チャック制御器, １２:パワーマトリクス,１３:Ｄ／Ａ
変換器, １４:電空弁, １５:ヘリウム源, １６:流量
計,１７:Ａ／Ｄ変換器, １８,１９:溝, ２０,２５:位
置(穴), ２１:埋設管,２２,２３,２４:溝, ２６:底部
層, ２７,２８:ダクト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０５Ｄ 23/24 Ｎ 9132−3Ｈ (72)発明者 スチュアート・ハワード・バラード アメリカ合衆国ニューヨーク州12569，プ リレザント・ヴァレー，ソルト・ポイン ト・ターン・パイ 267 (72)発明者 サンティアゴ・エルネスト・デル・プエル ト アメリカ合衆国ニューヨーク州12590，ウ ァッピンガーズ・フォールズ，サークル・ ドライブ アールディー・ナンバー １ (72)発明者 ポール・マチュー・ガシュク アメリカ合衆国ニューヨーク州10570，プ リレザントヴィル，ウッドランド・ドライ ブ ５ (72)発明者 マーク・レイモンド・ラフォース アメリカ合衆国ニューヨーク州12569，プ リレザント・ヴァレー，サンセット・ヒ ル・ロード，アールディー・ナンバー ４，ボックス 281 (72)発明者 ポール・ジョセフ・ログマン アメリカ合衆国ニューヨーク州12533，ホ ープウェル・ジャンクション，ヘンロッ ク・ドライブ 42 (72)発明者 コート・フォスター・ロンゲンバック アメリカ合衆国ニューヨーク州10128，ニ ューヨーク，イースト・ナインティース・ ストリート 417

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 物体を支持するためのチャック、 前記のチャック内に隔置した複数の温度センサであっ
    て、各センサは、前記の物体のそれぞれの区域に対応す
    る前記のチャックの領域に配置されている、前記のセン
    サ、 前記の物体を前記のチャックと接触させるようにするた
    めの手段、 前記のチャック内に隔置した複数の熱電モジュール、 前記のモジュールの温度を維持するために選択したセン
    サに応答する温度制御手段、及びセンサを選択するため
    の手段、 を備えていて、前記の選択したセンサが、前記の温度制
    御手段によって前記のモジュールに接続される、物体の
    特定の区域の温度を制御するための装置。
  2. 【請求項２】 熱伝導性気体流の源、及び前記の物体を
    前記のチャックと接触させたときに前記の物体と前記の
    チャックとの間に前記の気体流を導入するための手段、 を更に備えている、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記の気体の流れを所定値に維持するた
    めの手段を更に備えている、請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記の物体が、未ダイシングの半導体チ
    ップを収容したウェーハであり、また前記の各モジュー
    ルが、前記のチャック内の冷却素子である、 請求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】 熱伝導性気体流の源、及び前記の物体を
    前記のチャックと接触させたときに前記の物体と前記の
    チャックとの間に前記の気体流を導入するための手段、 を更に備えている、請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記の気体流導入手段が、前記の気体の
    流れを導くための前記のチャックの面における第１の環
    状溝からなっている、請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記の物体を前記のチャックと接触させ
    るための前記手段が、 前記のチャックの面における第
    ２の環状溝、及び前記の第２の溝に真空圧力を維持する
    ための手段、 からなっている、請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記の第１溝を前記の第２溝とインタリ
    ーブさせている、請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 前記の気体の流れを所定値に維持するた
    めの手段を更に備えている、請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 前記のチャックが銅からなっている、
    請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記のセンサ選択手段が、前記のすべ
    てのセンサの出力を標本化するための且つ前記のウェー
    ハの最高の温度区域を表す信号を与える前記センサを選
    択するためのコンピュータを備えている、請求項４に記
    載の装置。
  12. 【請求項１２】 物体を支持するためのチャック、 前記のチャック内に隔置した複数の温度センサであっ
    て、各前記センサが、前記の物体のそれぞれの区域に対
    応する前記のチャックの領域内に配置されている、前記
    のセンサ、 前記の物体を前記のチャックと接触させるための手段、 前記のチャック内に隔置した複数の熱電モジュールであ
    って、各モジュールが、前記のチャックの前記の領域の
    それぞれの一つに配置されている、前記のモジュール、 前記のモジュールの選択した一つの温度を維持するため
    に、選択したセンサに応答する温度制御手段、及び特定
    の区域に対応する１つのセンサ及び前記のモジュールを
    選択するための手段、 を備えていて、 前記の選択したセンサが、前記の温度制御手段によって
    前記の選択したモジュールに接続される、物体の特定の
    区域の温度を制御するための装置。
  13. 【請求項１３】 熱伝導性気体流の源、及び前記の物体
    を前記のチャックと接触させたときに前記の物体と前記
    のチャックとの間に前記の気体流を導入するための手
    段、 を更に備えている、請求項１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記の気体の流れを所定値に維持する
    ための手段を更に備えている、請求項１３に記載の装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記の物体が、未ダイシングの半導体
    チップを収容したウェーハであり、且つ前記の各モジュ
    ールが、それぞれのセンサの下に配置した前記のチャッ
    ク内のそれぞれの冷却素子である、 請求項１２に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 熱伝導性気体流の源、及び前記の物体
    を前記のチャックと接触させたときに前記の物体と前記
    のチャックとの間に前記の気体流を導入するための手
    段、 を更に備えている、請求項１５に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 前記の気体流導入手段が、前記の気体
    の流れを導くための前記のチャックの面における第１の
    環状溝からなっている、請求項１６に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記の物体を前記のチャックと接触さ
    せるための手段が、 前記のチャックの面における第２の環状溝、及び前記の
    第２の溝に真空圧力を維持するための手段、 からなっている、請求項１７に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記の各第１溝が前記の第２溝のそれ
    ぞれの対の間にある、請求項１８に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記の気体の流れを所定値に維持する
    ための手段を更に備えている、請求項１９に記載の装
    置。
  21. 【請求項２１】 前記のセンサ選択手段が、前記のすべ
    てのセンサの出力を標本化するための且つ前記のウェー
    ハの最高の温度区域を表す信号を与えるセンサを選択す
    るためのコンピュータを備えている、請求項１５に記載
    の装置。
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