JPH07105423B2 - 半導体ウエハ試験用チャック温度制御装置 - Google Patents

半導体ウエハ試験用チャック温度制御装置

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JPH07105423B2
JPH07105423B2 JP2405226A JP40522690A JPH07105423B2 JP H07105423 B2 JPH07105423 B2 JP H07105423B2 JP 2405226 A JP2405226 A JP 2405226A JP 40522690 A JP40522690 A JP 40522690A JP H07105423 B2 JPH07105423 B2 JP H07105423B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ試験用チ
ャック温度制御装置に関する。更に具体的に言うなら
ば、本発明は、複数個のチップを有するダイスする前の
半導体ウエハの１つのチップの試験中に、該試験中のチ
ップの温度を制御する半導体ウエハ試験用温度制御装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】以前の実施においては、ダイシングして
いない半導体チップデバイス及び回路部を、当時普通の
比較的低いチップ・ワット・レベル(２０ワット・レン
ジよりも低いレベル)においてウエハ試験するときに
は、約２５℃の所要チップ接合温度は容易に維持可能で
あった。しかしながら、比較的最近、ダイシングしてい
ないウエハ形態のチップデバイスを２０ワット以上のワ
ット・レベルで試験することが必要になってきている。
そのウエハ−チャック界面の熱抵抗を約１．２℃／ワッ
トより下に維持しなければ、チップ接合温度を約２５℃
に維持しながら信頼性のある機能試験結果を得ること
は、不可能ではないけれども、非常に困難になってい
る。既知の利用可能なチャック温度制御技法は、ダイス
する前のウエハの各チップが高ワット・レベルを生じる
場合のテストには向いていない。
【０００３】高ワット・レベルのチップは、ウエハ最終
試験中に相当に加熱してしまう。このチップの電気的性
能は、それの動作温度又は「接合」温度に依存している。
性能は、接合温度の増大と共に非線形的に劣化するもの
である。最終試験に合格するためには、どのチップにつ
いてもある最低減の性能レベルが必要である。このレベ
ルを確立する際には、接合温度は、試験中、試験仕様書
に規定した値に一定に保たれるものと仮定していた。こ
の仮定は、過去において、チップのワット・レベルが低
かった(５ワット未満)ときには適度に機能した。しか
し、それより高いワット・レベルでは、この仮定は、誤
ったものとなってしまう。高ワット・レベルのチップを
試験するときには、その規定試験温度と実際の接合温度
との間にはかなりの差があることになる。例えば、２０
ワットのチップの場合、このチップは、チャック(最終
試験中ウエハを支持し且つこれの温度を制御するのに使
用する装置)よりも平均５０℃熱くなることがある。し
かも更に悪いことには、この温度上昇の可能性のため電
力入力及びチャック温度が与えられても、実際の接合温
度を予測することが困難である。この例においては、そ
の接合は、実際上そのサーモチャックより大体２５℃な
いし７５℃熱くなることがある。単に過熱のために良品
のチップを不良のチップとして試験判定することがあり
得るであろうから、製品歩留りは、この不確定性によっ
て直接影響を受けることになる。
【０００４】理想的な方策は試験しているときのデバイ
スの接合温度を実際に測定し、これをチャック温度制御
システムに対するフィードバック制御信号として使用す
ることである。十分な冷却エネルギーが利用可能である
とするならば、この方法では、接合温度を規定温度を中
心とする狭い範囲内に維持できることになる。不幸に
も、そのような直接的方策はまだ実施可能ではなく、又
近い将来においても実現されそうにない。この温度フィ
ードバックを与えるためには、温度感知性ダイオードを
チップ内に配置しなければならないであろうが、このダ
イオードの出力は容易に利用可能又は測定可能なもので
はないであろう。
【０００５】ウエハ温度制御における現行技術水準のも
のの動作原理は、閉ループ温度フィードバック制御シス
テムによって、ウエハを支持するチャックの温度を一定
に保つことである。そのチャックの温度は、熱電対によ
って監視し、そしてその板の下に取り付けたそれぞれの
熱電素子によって冷却エネルギーを与えるようになって
いる。この制御ユニットは、その熱電対を規定温度から
２℃内に保つのに必要な熱電素子オンオフを行う。しか
しながら、大規模な研究の結果によると、この装置で
は、行い得る唯一の有用且つ統計的に妥当な接合温度予
測は、２５ワット未満を消費するチップが、１０℃のチ
ャック上での試験時に、８５℃未満にとどまるであろ
う、ということである。
【０００６】ＩＢＭ(Ｒ)技術開示速報第３１巻第１号,
１９８８年６月,所載のＧ．フォーチュン及びＪ．Ｈ．
ケラー著「反応性イオン・エッチング中におけるウエハ
冷却のための静電的ウエハ保持器」(ＩＢＭ(Ｒ)Ｔechnic
al Ｄisclosure Ｂulletin,Ｖol．３１,Ｎo．１,Ｊun
e １９８８,“Ｅlectrostatic Ｗafer Ｈolder for
Ｗafer Ｃooling Ｄuring Ｒeactive Ｉon Ｅtc
hing" by Ｇ．Ｆortune and Ｊ．Ｈ．Ｋeller)は、
反応性イオン・エッチング適用の際のウエハ−チャック
(ウエハ−保持器)界面における熱抵抗を低下させるのに
有効な一つの技法を開示している。ウエハはその保持器
に静電的にクランプする一方、保持器における環状表面
溝を通してそのウエハの裏側にヘリウムガスを加えるよ
うになっている。しかしながら、この引用出版物では、
(１つの共通の未ダイシングのウエハの面を構成する多
くのチップの中で一度にただ一つのチップを試験すると
いうことによって引き起こされるような)ウエハの小さ
い面だけを一度に加熱する場合、非一様に加熱したウエ
ハのある区域部分又は領域だけを冷却する、ということ
に関する問題を扱っていない。
【０００７】ヘリウムガスは又、ジョージＬ．コウド他
による１９８７年１２月２３日発行,ブレティン８７／
５２の欧州特許公表０２５００６４(Ｅuropean patent
publication ０２５００６４,published Ｄec．２
３,１９８７,Ｂulletin ８７／５２ by Ｇeorge
Ｌ．Ｃoad et al)に記載されているように、ウエハチ
ャックに取り付けたウエハの裏面との熱的接触を与える
ために、そのチャックの面上の溝において使用するよう
になっている。このウエハは、ヘリウムの漏れを低減す
たるために、保持クランプによってチャックにぴったり
と固定するようにしてある。やはり、ウエハ面に渡って
温度が非一様であるウエハを加熱又は冷却することにつ
いての教示はない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一つの目的
は、ウエハのある区域又は領域の温度がウエハの残りの
部分とは異なった状態になる場合の、そのある区域又は
領域の温度を制御することである。
【０００９】別の目的は、ウエハのある選択部分の局所
的温度制御を与えることである。
【００１０】更なる目的は、ウエハチャック・システム
の実効熱抵抗を低減させることである。
【００１１】別の目的は、区域選択可能な温度制御式ウ
エハチャックを用いた閉ループ温度フィードバック・シ
ステムによって、未ダイシングのウエハ上での半導体チ
ップ試験を容易にすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】複数個のチップを有する
ダイスする前の半導体ウエハの１つのチップの試験中
に、該試験中のチップの温度を制御する本発明の半導体
ウエハ試験用温度制御装置は、上記半導体ウエハと接触
する表面が複数の区域に分割された半導体ウエハ支持チ
ャックと、上記複数の区域にそれぞれに設けられた温度
センサ及び冷却手段と、上記温度センサからの出力に応
答して、該温度センサと同じ区域にある上記冷却手段を
制御する信号を発生する温度制御手段と、上記１つのチ
ップの試験中に、上記複数の区域の温度センサの出力を
受け取り、最高温度の出力を生じている温度センサが置
かれている区域を特定する出力を発生する手段と、上記
複数の区域の各温度センサ及び各冷却手段と上記温度制
御手段との間に接続され、上記区域を特定する出力に応
答して、該特定された区域の温度センサからの出力を温
度制御手段に供給すると共に、該温度制御手段からの制
御信号を上記特定された区域の冷却手段に供給する手段
とを有する。
【００１３】そして、熱伝導性気体を上記半導体ウエハ
及び上記半導体ウエハ支持チャックの表面に供給する気
体供給手段を有する。
【００１４】そして、上記気体供給手段は、上記半導体
ウエハ支持チャックの表面に形成された第１の環状溝を
有し、該環状溝に上記熱伝導性気体を供給する。
【００１５】そして、上記半導体ウエハ支持チャックの
表面には、第２の環状溝が設けられ、該環状溝に真空圧
力を供給する手段が結合されている。
【００１６】本発明の採択実施例に従って、ウエハ−チ
ャック・システムの熱抵抗は、ウエハ内のチップ位置に
おいて発生した熱をチャックにおける対応する位置にお
いて測定し制御することによって、低減させる。極限に
おいて、ウエハとチャックとの間の熱抵抗が零に接近し
たとすれば、接合温度は、チップのパワーに関係なく任
意に狭い範囲内のチャック温度に接近するであろうが、
これは熱が抵抗なしで、従って温度低下なしで接合部か
らチャックへ流れることになるであろうからである。も
ちろん、この理想化した「超伝導性」チャックは達成可能
ではない。しかしながら、このモデルにかなりの程度ま
で接近することは可能である。
【００１７】簡単に言えば、熱抵抗は、ウエハとこれに
押圧接触している特別設計のチャックとの間の界面へ低
圧力でヘリウムガスを注入することによって、低減させ
る。これは、チャックの頂板に、同心的真空溝と交互に
なった同心的ヘリウム溝を設けることによって実現でき
る。加圧タンクからのヘリウムは、ヘリウム溝から真空
溝へ漏れ出ることができる。このヘリウムの圧力は、所
与のチャック設計について最適の結果を得るために、所
定の流量を生じるように制御する。予想されることとは
反対に、所与の値より上にヘリウムの流れを任意に増大
すると、ウエハチャック界面に渡って熱抵抗が増大す
る。
【００１８】従来技術のチャック設計の比較的低い熱伝
導率は、頂板自体内に別の温度こう配を発生させた。こ
の温度は試験中のチップの直下で最大であり、チャック
内の冷却素子への近接性に依存してその点からの距離と
共に不規則に減小した。この変化は、やはり板に埋め込
んだフィードバックセンサで読み取る温度に、誤差を導
入した。従って、センサに最も近いチップについての温
度の読みがより遠いものについてのものよりもはるかに
正確であった。そのような誤差は、チャックの実効熱抵
抗を増大させるものである。
【００１９】本発明の態様に従って、前述の近接性の問
題を最小化するための、チャックの頂板に複数(例え
ば、７)のセンサを準備している。これらセンサの配列
は、試験中のチップとセンサとの間の平均距離を最小化
するようにしてある。この配列により、各センサは、チ
ャックの区域の１／７の「領域」を受け持つことになる。
多数のセンサの用いることにより、試験しているチップ
に最も近いセンサを検出してこれをフィードバック入力
として選択することのできる制御アルゴリズムを使用す
る、より複雑な制御システムが必要であった。別の方法
としては、ホストコンピュータからの座標位置情報を用
いて試験中のチップを割り当てることができる。
【００２０】最後に、チャックの頂板の下の熱電冷却素
子は、より滑らかな温度プロフィール及びより高い冷却
容量を与えるために、それの数及び位置がセンサ領域の
数及び位置に一致するように配列している。採択実施例
においては、選択したセンサの下にある素子だけがフィ
ードバック入力を受ける。又は、簡単化した実施例にお
いては、素子の数及び位置は素子のそれらとは異なるよ
うにしてもよい。後者の場合には、素子のすべては、選
択したセンサからのフィードバック入力によって同時に
駆動するようにする。
【００２１】
【実施例】図１の例においては、チャック１は、七つの
領域又は区域２に分割してあり、各区域にはそれぞれの
熱電対センサ３を装備してある。図２を用いて後程更に
詳細に説明するように、チャック１は、三つの隣接した
層からなっており、それの(図１には詳細には示してい
ない)最上部の層には、それぞれ真空又はヘリウムのダ
クトとしての使用のために同心円の円形状で表面溝を彫
ってあり、又この層は、上記のセンサ３を収容してい
る。
【００２２】その中心層は、複数の区域２のうちの、選
択された１つの区域に対して、制御された冷却効果を与
えるために、それぞれのセンサ３の下に配置した熱電モ
ジュール４を収容している。チャック１の底部層(図１
には示していない)は、熱シンクとして作用する水冷却
ダクトを収容している。
【００２３】図１には、チャック１のどの領域２が所与
の時点において加熱されていても、この区域を検出し
て、これを所定の温度に冷却する閉ループ温度感知サー
ボシステムが示されている。このような区域の温度上昇
は、図２の未ダイシングのウエハ５上に配置してある複
数チップの１つについて行っている試験の結果として生
ずる。ウエハ５は、上述の真空ダクトを用いた真空シス
テムによって、チャック１とぴったり接触した状態で保
持される。
【００２４】本サーボシステムは、温度センサ３、温度
計６、アナログ−ディジタル(Ａ／Ｄ)変換器７、ＣＰＵ
８、Ｄ／Ａ変換器９、リレー(継電器)マトリクス１０、
チャック制御器１１、パワーマトリクス１２及び熱電モ
ジュール４を含んでいる。ウエハ５の複数のチップのそ
れぞれに対する試験即ちテストは、通常の試験実施方法
に従って半導体デバイスのテスト・ポイントプローブを
接触させることにより、ウエハ５の表面を横切るように
して一度に１チップずつ段階的に行う。このテストの
間、テスト中のチップの温度が上昇して、従って、ただ
一つのチップの位置が、ある時刻において加熱されるこ
とになる。本サーボシステムが、最初に行う動作は、こ
の加熱されたチップの位置を検出することである。
【００２５】この加熱されたチップが置かれた区域の位
置は、区域毎に設けられている複数個の温度計６の温度
出力を連続的に走査して、どの温度計６が最高の温度を
示しているかを調べることにより検出される。これは、
各温度計にそれぞれ接続された複数個のＡ／Ｄ変換器７
のディジタル出力を走査して最高値を示しているディジ
タル出力を選択して、区域を特定するようにプログラム
されたＣＰＵ８によって行われる。最高値を計測してい
る温度計６（即ち、これは、テスト中のチップが置かれ
ている区域に対応する）の識別子を表すアナログ信号
が、ＣＰＵ８及びＤ／Ａ変換器９によって発生されて、
そしてパワーマトリクス１２及びリレーマトリクス１０
に印加されてこれらを附勢する。附勢されたリレーマト
リクス１０は、識別子の表すアナログ信号に従って、こ
の識別子の温度計をチャック制御器１１に接続して、最
高値の温度計出力をチャック制御器１１の入力に加え
る。附勢されたパワーマトリクス１２は、センサ３のう
ち最高温度出力を生じている一つのセンサに対応して設
けられた１つの冷却熱電モジュール４を選択して、そし
てこれにチャック制御器１１の出力を供給する。
【００２６】制御器１１は、通常のフィードバックサー
ボ方式で動作して、マトリクス１０から供給された、そ
の選択された感知温度信号を所定の値(例えば、２５℃
又は雰囲気温度値を表す基準信号)と比較して誤差信号
即ち指令信号を発生し、そしてこの信号は、パワーマト
リクス１２を介して、上述のように特定された１つのモ
ジュール４へ印加される。この誤差信号により、冷却熱
電モジュール４が働いて、熱源(試験中のチップ)に最も
近いチャックの区域を、上記の周囲温度値に低下させ
る。
【００２７】ある種の試験利用のためには、制御器１１
からの誤差又は指令信号を、モジュール４のすべてに同
時に印加することが出来る。これはハードウェアの簡単
化を可能にし、これによってパワーマトリクス１２を除
去でき、またモジュール４をチャック１の中心層内で一
緒に配線できることになる。
【００２８】商業的に入手可能な各モジュール４は、電
気的には直列であるが熱的には並列に接続された多数の
熱電冷却対からなっている。そしてその各対は、電子の
過剰(Ｎ形)または不足(Ｐ形)を形成するように、主とし
てテルル化ビスマスで高濃度にドープされた２つの半導
体素子からなっている。コールド接合において吸収され
た熱は、この回路及び冷却対を通過するキャリヤ電流に
比例した割合でホット接合へポンプされる。
【００２９】本発明の１つの特徴は、試験中のチップを
段階的に変更するときのウエハ５に接触する試験プロー
ブの位置の変更と無関係に、図２のウエハ５とチャック
１の溝付き上側表面との間に(乾いた熱伝導性の界面を
与える)ヘリウムの所与の流量を維持することにある。
前に言及したように、所与のチャック設計に対して最適
のヘリウム流量が存在することが判明している。流量を
最適流量よりも下げると、予想されるように熱抵抗が増
大する。やや意外にも、熱抵抗の増大は又、最適量より
高い流量によっても生ずる。そのより高い流量を生じる
ために必要となる余分の圧力が、ヘリウムの濃度の増大
に基づく熱抵抗の減小を相殺する以上に、ウエハとチャ
ックとの間の離隔距離を増大させる故に、上記のことが
起こる、と想像される。
【００３０】ヘリウム出口圧力に対する第２の制約は、
真空入口圧力、すなわち正味のウエハ裏面圧力(真空マ
イナスヘリウム)が、ウエハをチャック上の正しい位置
にしっかりと保持するために十分大きくなければならな
いことである。
【００３１】ヘリウム流量制御は、ＣＰＵ８,Ｄ／Ａ変
換器１３,電磁空気バルブ１４、ヘリウム源１５,流量計
１６及びＡ／Ｄ変換器１７によって行われる。流量計１
６は、チャック１内の現在のヘリウムの流量を表すアナ
ログ信号を、Ａ／Ｄ変換器１７に供給する。変換器１７
は、ＣＰＵ８への印加のため、それに対応するディジタ
ル信号を発生する。ＣＰＵ８は、変換器１７からのその
信号を自蔵のプリセット値と比較し、そしてＤ／Ａ変換
器１３を通して出力信号を供給して、弁１４を補償的に
調整するように、プログラムされている。
【００３２】図２を参照すると、真空源(図示していな
い)が管２９に結合している。管２９は次に、位置２０
において、この埋設管２９から連通する開孔によって、
チャック１の上側表面の溝１８及び１９に接続してい
る。溝１８及び１９に沿って存在する低い圧力は、ウエ
ハ５をチップ試験中チャック１とぴったり接触させて保
持する。ウエハのそり及び表面の凹凸によって生ずるウ
エハとチャックとの間の可変性の空間ギャップは、望ま
しくは銅のチャック１の面を研摩することによって、そ
して、熱伝導界面媒体として作用するヘリウム(図１の
線３０)を埋設管２１に導入することによって、最小化
される。管２１は、位置２５において、溝付き面から明
けた穴により、溝２２,２３及び２４と連通している。
【００３３】図１及び図２の各熱電モジュール４は、図
１のパワーマトリクス１２からのそれぞれの出力を受け
るようになっている。図２に示したチャック１の底部層
２６は、ダクト２７で雰囲気温度の水を受け、そして加
熱した水をダクト２８から熱交換器(図示していない)に
排出する。
【００３４】前述の詳細説明から理解されることである
が、ヘリウムガスは、チャック１の頂面における同心的
供給溝によって、ウエハ５の裏面に渡って一様に且つ調
和して分布される。これは、本発明の実施例の区域単位
の温度フィードバックサーボ動作及びヘリウム流量制御
動作と共に、チップ試験中の、ウエハの表面全域での実
効熱抵抗の低減を一様且つ精密に制御する効果を生じ
る。その結果、試験中のチップの温度は、未ダイシング
のウエハの面上の所与の時点での試験中のチップの位置
の関数として生ずるウエハ−チャック間ギャップ寸法及
び熱経路長の変化にもかかわらず、所定の試験雰囲気温
度に一層厳密に維持されることが出来る。本発明によ
る、各区域毎のセンサによる温度制御は、チャック面の
残りの部分に悪影響を及ぼすことなく、その温度を試験
中のチップの局所化した位置において維持することを可
能にするので、試験時間も又、簡単な単一温度センササ
ーボ制御に比べて低減する。チャック全体を一つの温度
に冷却する前述の簡単化した設計のものは、試験中のチ
ップから離れたチャックの区域に望ましくない温度低下
を生じさせる。このような低下は、一つの試験位置(チ
ップ位置)から、この低い温度の別の位置へ移動したと
きに、チャックが試験周囲温度に上昇できるようにする
のにある試験遅延時間を必要とすることによって、(採
択実施例に比べて)幾分試験処理量に影響を与えること
がある。
【００３５】この開示した半導体ウエハ試験例において
は、熱伝導性ガスとしてヘリウムを採択したけれども、
他のガス、例えば水素も又適当である。本発明は、温度
制御すべき物体における熱流が予測不可能な方法で一時
的に又は空間的に変化する場合に、特に有効である。半
導体ウエハ以外の、また平面又は円形形状以外の物体に
も、適合するようにできる。物体は、熱シンク又は熱源
を収容することができ、熱源収容の場合には、開示した
領域冷却素子の代わりに電気的加熱素子を用いることに
なる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ試験用温度制御装
置は、テストされるべきチップの位置情報が与えられな
くとも、自らこのテスト・チップが置かれる区域を検出
してこの区域の温度を正確に制御することが出来る。
又、この様に選択された比較的小さな面積の区域毎に温
度制御を行えるので、所望温度への移行を短時間内に達
成でき、これによりテストの効率を向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の採択実施例における、チャックに埋設
した領域分割式冷却器を選択して活動化させるための、
且つチャック全体と関連した気体流量を調整するための
制御システム全体の簡単化した構成図である。
【図２】図１の実施例に使用した、試験中の未ダイシン
グのウエハ、及びチャックの三つの主要層の分解図であ
る。
【符号の説明】
１:チャック, ２:領域, ３:熱電対センサ, ４:熱電
モジュール,６:温度計, ７:Ａ／Ｄ変換器, ８:ＣＰ
Ｕ, ９:Ｄ／Ａ変換器,１０:リレーマトリクス, １１:
チャック制御器, １２:パワーマトリクス,１３:Ｄ／Ａ
変換器, １４:電空弁, １５:ヘリウム源, １６:流量
計,１７:Ａ／Ｄ変換器, １８,１９:溝, ２０,２５:位
置(穴), ２１:埋設管,２２,２３,２４:溝, ２６:底部
層, ２７,２８:ダクト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０５Ｄ 23/24 Ｎ (72)発明者 スチュアート・ハワード・バラード アメリカ合衆国ニューヨーク州12569，プ リレザント・ヴァレー，ソルト・ポイン ト・ターン・パイ 267 (72)発明者 サンティアゴ・エルネスト・デル・プエル ト アメリカ合衆国ニューヨーク州12590，ウ ァッピンガーズ・フォールズ，サークル・ ドライブ アールディー・ナンバー １ (72)発明者 ポール・マチュー・ガシュク アメリカ合衆国ニューヨーク州10570，プ リレザントヴィル，ウッドランド・ドライ ブ ５ (72)発明者 マーク・レイモンド・ラフォース アメリカ合衆国ニューヨーク州12569，プ リレザント・ヴァレー，サンセット・ヒ ル・ロード，アールディー・ナンバー ４，ボックス 281 (72)発明者 ポール・ジョセフ・ログマン アメリカ合衆国ニューヨーク州12533，ホ ープウェル・ジャンクション，ヘンロッ ク・ドライブ 42 (72)発明者 コート・フォスター・ロンゲンバック アメリカ合衆国ニューヨーク州10128，ニ ューヨーク，イースト・ナインティース・ ストリート 417 (56)参考文献 特開 昭55−33289（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−71540（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−162747（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−166746（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−34347（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−59450（ＪＰ，Ｕ)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数個のチップを有するダイスする前の半
    導体ウエハの１つのチップの試験中に、該試験中のチッ
    プの温度を制御する半導体ウエハ試験用温度制御装置で
    あって、 上記半導体ウエハと接触する表面が複数の区域に分割さ
    れた半導体ウエハ支持チャックと、 上記複数の区域にそれぞれに設けられた温度センサ及び
    冷却手段と、 上記温度センサからの出力に応答して、該温度センサと
    同じ区域にある上記冷却手段を制御する信号を発生する
    温度制御手段と、 上記１つのチップの試験中に、上記複数の区域の温度セ
    ンサの出力を受け取り、最高温度の出力を生じている温
    度センサが置かれている区域を特定する出力を発生する
    手段と、 上記複数の区域の各温度センサ及び各冷却手段と上記温
    度制御手段との間に接続され、上記区域を特定する出力
    に応答して、該特定された区域の温度センサからの出力
    を温度制御手段に供給すると共に、該温度制御手段から
    の制御信号を上記特定された区域の冷却手段に供給する
    手段とを有する上記半導体ウエハ試験用温度制御装置。
  2. 【請求項２】熱伝導性気体を上記半導体ウエハ及び上記
    半導体ウエハ支持チャックの表面に供給する気体供給手
    段を有することを特徴とする請求項１記載の半導体ウエ
    ハ試験用温度制御装置。
  3. 【請求項３】上記気体供給手段は、上記半導体ウエハ支
    持チャックの表面に形成された第１の環状溝を有し、該
    環状溝に上記熱伝導性気体を供給することを特徴とする
    請求項２記載の半導体ウエハ試験用温度制御装置。
  4. 【請求項４】上記半導体ウエハ支持チャックの表面に
    は、第２の環状溝が設けられ、該環状溝に真空圧力を供
    給する手段が結合されていることを特徴とする請求項２
    記載の半導体ウエハ試験用温度制御装置。
JP2405226A 1990-01-24 1990-12-21 半導体ウエハ試験用チャック温度制御装置 Expired - Lifetime JPH07105423B2 (ja)

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