JPH0653379A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0653379A JPH0653379A JP4203343A JP20334392A JPH0653379A JP H0653379 A JPH0653379 A JP H0653379A JP 4203343 A JP4203343 A JP 4203343A JP 20334392 A JP20334392 A JP 20334392A JP H0653379 A JPH0653379 A JP H0653379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- stress
- comb
- heat dissipation
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10409—Screws
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱用のコムをネジ止めする際、半導体素子
に対して加わる応力、ひずみを抑制できる半導体装置を
提供する。 【構成】 放熱用のコム１はネジ止め用穴２と半導体素
子３とを有し、前記ネジ止め用穴２の外側に切り欠き５
が設けられている。この構成によって、ネジ止めが行な
われた際、ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪
さにより、コム１に対して応力が働く。しかしその応力
は切り欠き５があるため、その部分のみが大きくひず
み、応力集中する。このためその応力、ひずみは半導体
素子３側には伝わらず、半導体素子が特性変化を起すこ
とはなくなる。
に対して加わる応力、ひずみを抑制できる半導体装置を
提供する。 【構成】 放熱用のコム１はネジ止め用穴２と半導体素
子３とを有し、前記ネジ止め用穴２の外側に切り欠き５
が設けられている。この構成によって、ネジ止めが行な
われた際、ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪
さにより、コム１に対して応力が働く。しかしその応力
は切り欠き５があるため、その部分のみが大きくひず
み、応力集中する。このためその応力、ひずみは半導体
素子３側には伝わらず、半導体素子が特性変化を起すこ
とはなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱コムを有し、放熱
のためにネジ止めを行なう半導体装置のネジ止めの際に
発生するひずみを防止する半導体装置に関する。
のためにネジ止めを行なう半導体装置のネジ止めの際に
発生するひずみを防止する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置について以下、図面を
参照しながら説明する。図６は従来の放熱コムを有する
半導体装置を示す図である。図６（ａ）はその平面図で
ある。図６（ｂ）はその断面図である。
参照しながら説明する。図６は従来の放熱コムを有する
半導体装置を示す図である。図６（ａ）はその平面図で
ある。図６（ｂ）はその断面図である。
【０００３】従来は、放熱用のコム１上にネジ止め用穴
２と半導体素子３を有し、前記ネジ止め用穴２と前記半
導体素子３との間の片面に溝４を有する構成であった。
２と半導体素子３を有し、前記ネジ止め用穴２と前記半
導体素子３との間の片面に溝４を有する構成であった。
【０００４】そしてネジ止め用穴２に対してネジで固定
する際、発生する応力を溝４により緩和し、半導体素子
３に加わる応力を減少させるのが一般的であった。
する際、発生する応力を溝４により緩和し、半導体素子
３に加わる応力を減少させるのが一般的であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、ネジ止めで発生する放熱コム１への応力を
十分に緩和することができず、半導体素子３にひずみが
加わり、半導体素子の特性不良を招くという課題があっ
た。
の構成では、ネジ止めで発生する放熱コム１への応力を
十分に緩和することができず、半導体素子３にひずみが
加わり、半導体素子の特性不良を招くという課題があっ
た。
【０００６】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、放熱用のコムに対してネジ止めする際、半導体素子
に対して加わるひずみを抑制できる半導体装置を提供す
ることを目的とする。
で、放熱用のコムに対してネジ止めする際、半導体素子
に対して加わるひずみを抑制できる半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る半導体装置は、以下のような構成を有し
ている。すなわち、ネジ止め用穴と、半導体素子とを備
えた放熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用
穴周辺部に切り欠きを有した放熱コムであることを特徴
とする。またネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴周辺
部のコム厚さが他部より薄い放熱コムであることを特徴
とする。またネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴と前
記半導体素子との間の両面に溝を有した放熱コムである
ことを特徴とする。そしてそのネジ止め用穴と半導体素
子との間の両面の溝形状がＶ字型であることを特徴とす
る。
に本発明に係る半導体装置は、以下のような構成を有し
ている。すなわち、ネジ止め用穴と、半導体素子とを備
えた放熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用
穴周辺部に切り欠きを有した放熱コムであることを特徴
とする。またネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴周辺
部のコム厚さが他部より薄い放熱コムであることを特徴
とする。またネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴と前
記半導体素子との間の両面に溝を有した放熱コムである
ことを特徴とする。そしてそのネジ止め用穴と半導体素
子との間の両面の溝形状がＶ字型であることを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】上記構成により、ネジ止め用穴周辺部に切り欠
き、コム厚の薄い部分および溝を設けた場合、ネジによ
って締め付けた際に発生するひずみを切り欠き、コム厚
の薄い部分および溝に集中させることで、半導体素子に
応力が伝わらないようにすることができる。
き、コム厚の薄い部分および溝を設けた場合、ネジによ
って締め付けた際に発生するひずみを切り欠き、コム厚
の薄い部分および溝に集中させることで、半導体素子に
応力が伝わらないようにすることができる。
【０００９】また溝をネジ止め用穴と半導体素子との間
の片面だけではなく、両面に設けることで、応力、ひず
みを半導体素子側に伝えることを著しく緩和することが
できる。
の片面だけではなく、両面に設けることで、応力、ひず
みを半導体素子側に伝えることを著しく緩和することが
できる。
【００１０】また溝の形状では、半導体素子に対する応
力、ひずみがネジ止め用穴と半導体素子とを結ぶ線に対
して垂直方向に曲げようとする力、すなわちひずみが半
導体素子の特性変化に対して大きく関与しているので、
このひずみをネジ止め用穴周辺だけで発生させ、半導体
素子に伝わらないようにする方向、つまり半導体素子側
に開いたＶ字型にすることで、半導体素子に加わる応
力、ひずみを緩和することができる。
力、ひずみがネジ止め用穴と半導体素子とを結ぶ線に対
して垂直方向に曲げようとする力、すなわちひずみが半
導体素子の特性変化に対して大きく関与しているので、
このひずみをネジ止め用穴周辺だけで発生させ、半導体
素子に伝わらないようにする方向、つまり半導体素子側
に開いたＶ字型にすることで、半導体素子に加わる応
力、ひずみを緩和することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の第１の実施例に係る半導体
装置を示す平面図である。図１に示す半導体装置は、放
熱用のコム１はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有
し、前記ネジ止め用穴２の外側に切り欠き５が設けられ
ている。この構成によって、ネジ止めが行なわれた際、
ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪さにより、
コム１に対して応力が働く。しかしその応力は切り欠き
５があるため、その部分のみが大きくひずみ、応力集中
する。このためその応力、ひずみは半導体素子３側には
伝わらず、半導体素子は特性変化を起すことはない。
装置を示す平面図である。図１に示す半導体装置は、放
熱用のコム１はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有
し、前記ネジ止め用穴２の外側に切り欠き５が設けられ
ている。この構成によって、ネジ止めが行なわれた際、
ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪さにより、
コム１に対して応力が働く。しかしその応力は切り欠き
５があるため、その部分のみが大きくひずみ、応力集中
する。このためその応力、ひずみは半導体素子３側には
伝わらず、半導体素子は特性変化を起すことはない。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例に係る半導体
装置を示す平面図である。図２に示す半導体装置は、放
熱用のコム１はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有
し、前記ネジ止め用穴２に直結する形で切り欠き６が設
けられている。この構成によって、ネジ止めが行なわれ
た際、ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪さに
より、コム１に対して応力が働く。しかしその応力は切
り欠き６があるため、その部分のみが大きくひずみ、応
力集中する。このためその応力、ひずみは半導体素子３
側には伝わらず、半導体素子は特性変化を起すことはな
い。このように図２に示すように、切り欠きをネジ止め
用穴２に直結する形で設けても、ネジ止め時の応力を切
り欠き６の先端部に集中させることができ、半導体素子
３への応力の印加を抑制することができる。
装置を示す平面図である。図２に示す半導体装置は、放
熱用のコム１はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有
し、前記ネジ止め用穴２に直結する形で切り欠き６が設
けられている。この構成によって、ネジ止めが行なわれ
た際、ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪さに
より、コム１に対して応力が働く。しかしその応力は切
り欠き６があるため、その部分のみが大きくひずみ、応
力集中する。このためその応力、ひずみは半導体素子３
側には伝わらず、半導体素子は特性変化を起すことはな
い。このように図２に示すように、切り欠きをネジ止め
用穴２に直結する形で設けても、ネジ止め時の応力を切
り欠き６の先端部に集中させることができ、半導体素子
３への応力の印加を抑制することができる。
【００１４】図３は本発明の第３の実施例に係る半導体
装置を示す図である。図３（ａ）はその平面図である。
図３（ｂ）はその断面図である。
装置を示す図である。図３（ａ）はその平面図である。
図３（ｂ）はその断面図である。
【００１５】図３に示す半導体装置は、放熱用のコム１
はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有し、前記ネジ止
め用穴２の周辺にコム薄部７が設けられている。この構
成によって、ネジ止めが行なわれた際、ネジ締め力また
は相手側放熱板の平面度の悪さにより、コム１に対して
応力が働く。しかしその応力はコム薄部７があるため、
その部分のみが大きくひずみ、応力集中する。このため
その応力、ひずみは半導体素子３側には伝わらず、半導
体素子は特性変化を起すことはない。
はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有し、前記ネジ止
め用穴２の周辺にコム薄部７が設けられている。この構
成によって、ネジ止めが行なわれた際、ネジ締め力また
は相手側放熱板の平面度の悪さにより、コム１に対して
応力が働く。しかしその応力はコム薄部７があるため、
その部分のみが大きくひずみ、応力集中する。このため
その応力、ひずみは半導体素子３側には伝わらず、半導
体素子は特性変化を起すことはない。
【００１６】図４は本発明の第４の実施例に係る半導体
装置を示す図である。図４（ａ）はその平面図である。
図４（ｂ）はその断面図である。
装置を示す図である。図４（ａ）はその平面図である。
図４（ｂ）はその断面図である。
【００１７】図４に示す半導体装置は、放熱用のコム１
はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有し、前記ネジ止
め用穴２と半導体素子３との間の両面に溝８が設けられ
ている。この構成によって、ネジ止めが行なわれた際、
ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪さにより、
コム１に対して応力が働く。しかしその応力は溝８があ
るため、その部分のみが大きくひずみ、応力集中する。
このためその応力、ひずみは半導体素子３側には伝わら
ず、半導体素子は特性変化を起すことはない。
はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有し、前記ネジ止
め用穴２と半導体素子３との間の両面に溝８が設けられ
ている。この構成によって、ネジ止めが行なわれた際、
ネジ締め力または相手側放熱板の平面度の悪さにより、
コム１に対して応力が働く。しかしその応力は溝８があ
るため、その部分のみが大きくひずみ、応力集中する。
このためその応力、ひずみは半導体素子３側には伝わら
ず、半導体素子は特性変化を起すことはない。
【００１８】図５は本発明の第５の実施例に係る半導体
装置を示す図である。図５（ａ）はその平面図である。
図５（ｂ）はその断面図である。
装置を示す図である。図５（ａ）はその平面図である。
図５（ｂ）はその断面図である。
【００１９】図５に示す半導体装置は、放熱用のコム１
はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有し、前記ネジ止
め用穴２と半導体素子３との間の両面に平面形状がＶ字
型の溝９が設けられている。この構成によって、ネジ止
めが行なわれた際、ネジ締め力または相手側放熱板の平
面度の悪さにより、コム１に対して応力が働く。しかし
その応力は溝９の存在で、断面積を減らして応力、ひず
みの伝導を抑制するとともに、溝部分のみが大きくひず
み、応力集中する。このためその応力、ひずみは半導体
素子３側には伝わらず、半導体素子は特性変化を起すこ
とはない。
はネジ止め用穴２と半導体素子３とを有し、前記ネジ止
め用穴２と半導体素子３との間の両面に平面形状がＶ字
型の溝９が設けられている。この構成によって、ネジ止
めが行なわれた際、ネジ締め力または相手側放熱板の平
面度の悪さにより、コム１に対して応力が働く。しかし
その応力は溝９の存在で、断面積を減らして応力、ひず
みの伝導を抑制するとともに、溝部分のみが大きくひず
み、応力集中する。このためその応力、ひずみは半導体
素子３側には伝わらず、半導体素子は特性変化を起すこ
とはない。
【００２０】なお、前記第１、第２、第３、第４および
第５の実施例では、切り欠き、溝などの単独構成での例
を示したが、それら切り欠き、溝などの組合せでも同様
に半導体素子への応力の印加を抑制できることは言うま
でもない。
第５の実施例では、切り欠き、溝などの単独構成での例
を示したが、それら切り欠き、溝などの組合せでも同様
に半導体素子への応力の印加を抑制できることは言うま
でもない。
【００２１】
【発明の効果】以上、本発明は放熱用のコムに設けたネ
ジ止め用穴に対してネジで固定する際、応力緩衝機構と
して、切り欠き、コム薄部および溝を設けることによ
り、半導体素子への応力、ひずみの印加を抑制すること
ができ、半導体素子の特性変化を防止することができ
る。
ジ止め用穴に対してネジで固定する際、応力緩衝機構と
して、切り欠き、コム薄部および溝を設けることによ
り、半導体素子への応力、ひずみの印加を抑制すること
ができ、半導体素子の特性変化を防止することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置を示す
平面図
平面図
【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置を示す
平面図
平面図
【図３】本発明の第３の実施例に係る半導体装置を示す
図
図
【図４】本発明の第４の実施例に係る半導体装置を示す
図
図
【図５】本発明の第５の実施例に係る半導体装置を示す
図
図
【図６】従来の半導体装置を示す図
１ コム ２ ネジ止め用穴 ３ 半導体素子 ４ 溝 ５、６ 切り欠き ７ コム薄部 ８、９ 溝
Claims (4)
- 【請求項１】ネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴周辺
部に切り欠きを有した放熱コムであることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】ネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴周辺
部のコム厚さが他部より薄い放熱コムであることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項３】ネジ止め用穴と、半導体素子とを備えた放
熱コムよりなり、前記放熱コムが前記ネジ止め用穴と前
記半導体素子との間の両面に溝を有した放熱コムである
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】ネジ止め用穴と半導体素子との間の両面の
溝形状がＶ字型であることを特徴とする請求項３記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203343A JPH0653379A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203343A JPH0653379A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653379A true JPH0653379A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16472457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203343A Pending JPH0653379A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0923129A1 (en) * | 1997-12-11 | 1999-06-16 | Siemens Aktiengesellschaft | A lead frame for electronic semi-conductor devices |
| WO2022054550A1 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203343A patent/JPH0653379A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0923129A1 (en) * | 1997-12-11 | 1999-06-16 | Siemens Aktiengesellschaft | A lead frame for electronic semi-conductor devices |
| WO2022054550A1 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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