JPS63193446A - 透過形電子顕微鏡における電子線制御装置 - Google Patents

透過形電子顕微鏡における電子線制御装置

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JPS63193446A
JPS63193446A JP62024474A JP2447487A JPS63193446A JP S63193446 A JPS63193446 A JP S63193446A JP 62024474 A JP62024474 A JP 62024474A JP 2447487 A JP2447487 A JP 2447487A JP S63193446 A JPS63193446 A JP S63193446A
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261Details
    • H01J37/265Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination

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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は透過形電子顕微蜆の電子線制御装置に係り、特
に電子線プローブ径を切替えても、電子線プローブの逃
げを生ずることがなく、試料上の電子線プローブ照射位
置が変動しないような透過形電子mt*鋺における電子
線制御装置に関する。
し従来の技術〕 従来から、電子顕微鏡においては、観察モード(例えば
高倍率モード、低倍率モード、明/暗視野モード、超^
分散回折モードなど)ごとの電子光学的条件を最適aす
るために、非点収量補正手段を含めた電子線偏向系に供
給する電流を各モードごとに記憶し、独立に制御するよ
うにしていた(特開昭5 7 − 212754 号公
報)。
しかし上記のような従来技術では、同一観察モードであ
っても、照射系レンズの励磁便化によって電子線の逃げ
を生ずるが、この逃げに対する配慮はなされていなかっ
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
すなわち上記従来技術では、照射レンズ系の励磁を変化
させ、試料に照射される電子線プローブ径を切替んたと
きに、極微小な照射レンズ系の軸ずれなどにより電子線
プローブが試料上で移動し、以前とは異なる試料面上を
照射するという不便があった。
そして、結像レンズ系が、試料を透過した電子線を拡大
しているため、上記電子線プローブの移動が拡大され、
最終像または視野が螢光板からずれてしまって観察でき
なくなるという問題点かある。このために、操作者はそ
の都度、電子線偏向装置及び非点補正装置を再調整しな
ければならず、その操作が燻雑であった。
本発明の目的は、電子線プローブ径を切替えても、電子
線プローブが照射する試料位置が変わることをなくした
、透過形竃子顕微鏡に好適な電子線制御装置を提供する
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、電子線偏向装置及び非点補正装置を電子線
プローブ径ごとに独立な系統とすることによって達成さ
れる。
すなわち、例えば電子線プローブ径(換言すれば、照射
系電子レンズの励磁電流値)ごとに、電子線偏向量及び
非点補正量を独立にメモリ(記憶素子や可変抵抗器など
)に記憶させておくことによって達成できる。
〔作用〕
選択されに1所望電子線ブローブ径が変化すると、この
プローブ径に対応して予め記憶された1子線偏向量及び
非点補正量をメモリ上より検索し、その値を出力する。
従って、それまでに、このプローブ径に対応して、電子
線偏向による軸all整及び非点補正が調整されていれ
ば、それらの値がメモリ上に記憶されているので、プロ
ーブ径を切替えられた場合には、新たなプローブ径に対
する適切な値が検索、使用されることになり、電子線が
逃げることがなく、また非点補正を再調整する必要もな
い。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図である
電子銃1より射出した電子sl人は、照射レンズ系2m
.2b及び対物前磁場レンズ5aによりて集束され、試
料20の面上を照射する。試料20を透過した電子線I
Bは、対物レンズ5bをはじめとする結像レンズ系6〜
7によって拡大され、螢光板8に結像する。
照射レンズ系の非点補正器3、電子線偏向器4をはじめ
、各レンズの電流(励磁)は、 D/入変換器10a〜
10gとそれぞれに対応する電源9a〜9gを介して、
マイクロプロセッサ11によって制御されている。
なお、第1図において、12は制御のためのプログラム
や、プローブ径をパラメータとする照射レンズ系2m、
2bのデータ(励磁電流値)が格納さnているメモリ(
ROM)である。13は電子線偏向器4や非点補正器3
のデータ(励磁を流値)を6己憶するためのメモ!j 
(RAM)であり、なるべ(はバッテリでバックアップ
されている。
また、14は電子−プローブ径切替つまみ、15は電子
線偏向を調整つまみ、16は非点(収差)補正用つまみ
である。
以上の構成において、切替つまみ14よりプローブ径を
変化させるような信号が入力されると、マイクロプロセ
ッサ11は新たなプローブ径に対応する照射レンズ系2
m、2bのデータをメモリ12より検索し、その値をD
/人変換器10麿。
10bに出力する。同時に、そのプローブ径に対応する
電子線偏向器と非点補正量をメモリ13より検索し、 
D/人変換器9c、9dに出力する。
y1記のように、メモリ128よび13に記憶された値
(励磁電流値)は、所望の電子線プローブ径に対して適
正にg整されたものであるから、通常の状態では、以上
の操作によって所望の、すなわちつまみ14で選択した
プローブ径が得られるはずである。
しかし、経時変化や環境変化などを生じている場合や、
選択されたプローブ径に対する諸データが未だ記憶され
ていない場合には、前述の操作によって得られた照射レ
ンズ系2a、2bおよび非点補正器3、電子線偏向器4
などのデータは適正でないものとなる。それ故に、この
ままでは所望の電子−プローブ径が得られない。
このように、メモリ12.13から検索されたデータ値
が適正でない状態の場合には、操作者が螢光板8上の像
または視野の明るさやサイズを観察しながら、電子線偏
向つまみ15または/および非点補正つまみ16を用い
て、これらが適正になるように、xiする。
さらに具体約6こいえば、マイクロプロセッサ11はつ
まみ15および16によって設定さnた偏向量または非
点補正量を胱込み、現在 D/入変供器10c、10d
に出力している厘(例えば、検索値)と加算した* D
/λ変換器10c、10dにその結果を出力する。さら
に、これとともにRAM13上にこれらの出力1直を記
憶する。
または非点(収差)補正用つまみ16を調整して、電子
線プローブの位置や形状を所望の値にi!1iJiiL
終ると、その時のプローブ径をパラメータとして、偏向
蓋および非点補正器がメモリ13に記憶されることにな
る。
このような処理(プローブ径の調整およびデータ記憶)
を全プローブ径ごとに一旦行なっておけば、つまみ14
によってプローブ径を切替えても電子線プローブが試料
20の面上で移動することはない。
以上の実施例では、プローブ径を段階的に切替える場合
について説明したが、プローブ径を連続的に変化させた
い場合には、各段階ごとの記憶値から補間演算し、その
任意のプローブ径に対する偏向量、補正量を求め、対応
する D/人変換器に出力するようにすれば、上記と同
様にプローブ移動を防止できることは明らかである。
濾および非点補正量を、個々の対応する可変抵抗素子な
どによってプリセットすることも可能であり、さらには
偏向器および非点補正量に対して共通の可変抵抗素子を
準備し、各電子線プローブ径ごとに調整した抵抗値、電
圧値、電流値、または可動接点位置などを記憶しておき
、選択された電子プローブ径に応じて、適宜の手段(例
えば、サーボ機構など)によってそれらの値を再現する
ようにすることもできる。
〔発明の効果〕
本発明によれは、被検試料を照射する電子線プローブ径
を切替えても、°電子線プローブが試料面上で逃げるよ
うなことがなく、常に同一点を照射するようになるので
、電子顕微鏡の操作性向上に多大の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す講成ブロック図である
。 1・・・電子銃、2a 、2b・・・照射レンズ系、3
・・・非点補正器、4・・・電子線偏向器、5a、5b
・・・対物レンズ、6,7・・・結像レンズ、8・・・
螢光板、9a〜9g−@源、 1 0  m−10g−
D/人変換器、11・・・マイクロプロセッサ、12・
・・メモリ (ROM)、13・・・メモリ(RAM)
、14・・・プローブ径切替つまみ、15・・・′成子
線偏向ii、、14整つまみ、16・・・非点(収差)
補正用つま6.20・・・試料

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電子線を試料上に集束照射する照射レンズ系の各
    レンズの励磁を可変する手段と、結像レンズ系と電子銃
    の間に位置する非点補正器および軸調整用電子線偏向装
    置の少なくとも一方とを有する透過形電子顕微鏡におけ
    る電子線制御装置であって、 照射レンズ系を構成する少なくとも一部のレンズの励磁
    量をパラメータとして、前記非点補正器および電子線偏
    向装置の少なくとも一方の励磁量を記憶する手段と、 前記レンズの励磁量を選択する手段と、 選択された前記レンズの励磁量をパラメータとして、前
    記非点補正器および電子線偏向装置の少なくとも一方の
    励磁量を読出す手段と、 読出された励磁量に応じて前記非点補正器および電子線
    偏向装置の少なくとも一方を付勢する手段とを見備した
    ことを特徴とする透過形電子顕微鏡における電子線制御
    装置。
  2. (2)励磁量を記憶する手段はメモリであるを特徴とす
    る前記特許請求の範囲第1項記載の透過形電子顕微鏡に
    おける電子線制御装置。
  3. (3)励磁量を記憶する手段は可変抵抗器であるを特徴
    とする前記特許請求の範囲第1項記載の透過形電子顕微
    鏡における電子線制御装置。
  4. (4)励磁量の記憶は、レンズの励磁量の段階的な値に
    対して行なわれることを特徴とする前記特許請求の範囲
    第1項ないし第3項のいずれかに記載の透過形電子顕微
    鏡における電子線制御装置。
  5. (5)前記段階的なレンズ励磁量の中間値に対する前記
    非点補正器および電子線偏向装置の少なくとも一方の励
    磁量は、補間演算によって求められることを特徴とする
    前記特許請求の範囲第4項記載の透過形電子顕微鏡にお
    ける電子線制御装置。
JP62024474A 1987-02-06 1987-02-06 透過形電子顕微鏡における電子線制御装置 Expired - Lifetime JPH0654639B2 (ja)

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