JPH0654744A - 魔鏡の製造方法 - Google Patents
魔鏡の製造方法Info
- Publication number
- JPH0654744A JPH0654744A JP23424992A JP23424992A JPH0654744A JP H0654744 A JPH0654744 A JP H0654744A JP 23424992 A JP23424992 A JP 23424992A JP 23424992 A JP23424992 A JP 23424992A JP H0654744 A JPH0654744 A JP H0654744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magic mirror
- manufacturing
- mirror
- film pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mirrors, Picture Frames, Photograph Stands, And Related Fastening Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 新たな方法で工数少なく且つ確実に魔鏡を復
元できる製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 鏡面研摩したセラミックスの基板上に、膜厚
100Å〜２μｍのメタル薄膜を形成し、次に感光性レジ
ストの塗布、露光、現像、エッチングを行って薄膜パタ
ーンを形成し、且つレジストを剥離し、次いでその上に
反射膜として比較的反射率の高いメタル薄膜を膜厚1000
Å〜２μｍコーティングして、下地の薄膜パターンを目
視では消失させ、照度の強いランプ光を照射し、その反
射光をスクリーン等に照射することにより前記薄膜パタ
ーンを写し出せるようにした魔鏡を製造する方法。
元できる製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 鏡面研摩したセラミックスの基板上に、膜厚
100Å〜２μｍのメタル薄膜を形成し、次に感光性レジ
ストの塗布、露光、現像、エッチングを行って薄膜パタ
ーンを形成し、且つレジストを剥離し、次いでその上に
反射膜として比較的反射率の高いメタル薄膜を膜厚1000
Å〜２μｍコーティングして、下地の薄膜パターンを目
視では消失させ、照度の強いランプ光を照射し、その反
射光をスクリーン等に照射することにより前記薄膜パタ
ーンを写し出せるようにした魔鏡を製造する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、魔鏡、即ち「隠れキリ
シタン」の信仰の対象物を具現せしめる魔鏡、今日では
装飾用に供し得る魔鏡の製造方法に関する。
シタン」の信仰の対象物を具現せしめる魔鏡、今日では
装飾用に供し得る魔鏡の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】古代の魔鏡の製造方法は失われ、不明で
ある。今日では推定で魔鏡の復元を試みている。即ち、
古代鏡で用いられた材料を使用し、溶融、鋳込み、接
合、研摩を繰り返していた。この為、工数が多く、また
最終的に魔鏡となるか、只の鏡となるか不確かで、甚だ
歩留りが悪かった。
ある。今日では推定で魔鏡の復元を試みている。即ち、
古代鏡で用いられた材料を使用し、溶融、鋳込み、接
合、研摩を繰り返していた。この為、工数が多く、また
最終的に魔鏡となるか、只の鏡となるか不確かで、甚だ
歩留りが悪かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、新た
な方法で工数少なく且つ確実に魔鏡を復元できる製造方
法を提供しようとするものである。
な方法で工数少なく且つ確実に魔鏡を復元できる製造方
法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の魔鏡の製造方法は、鏡面研摩したセラミック
スの基板上に、膜厚 100Å〜２μｍのメタル薄膜を形成
し、次に感光性レジストの塗布、露光、現像、エッチン
グを行って薄膜パターンを形成し且つレジストを剥離
し、次いでその上に反射膜として比較的反射率の高いメ
タル薄膜を膜厚1000Å〜２μｍコーティングして、下地
の薄膜パターンを目視では消失させ、照度の強いランプ
光を照射し、その反射光をスクリーン等に照射すること
により前記薄膜パターンを写し出せるようにした魔鏡を
製造することを特徴とするものである。
の本発明の魔鏡の製造方法は、鏡面研摩したセラミック
スの基板上に、膜厚 100Å〜２μｍのメタル薄膜を形成
し、次に感光性レジストの塗布、露光、現像、エッチン
グを行って薄膜パターンを形成し且つレジストを剥離
し、次いでその上に反射膜として比較的反射率の高いメ
タル薄膜を膜厚1000Å〜２μｍコーティングして、下地
の薄膜パターンを目視では消失させ、照度の強いランプ
光を照射し、その反射光をスクリーン等に照射すること
により前記薄膜パターンを写し出せるようにした魔鏡を
製造することを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】上記のように製造された魔鏡は、鏡面研摩され
たセラミックス基板上に於いて、メタル薄膜のパターン
が存在し、全体を反射用メタル薄膜で被っているので、
メタル薄膜のパターンのエッジ部で反射用メタル薄膜が
テーパー面となり、セラミックス基板全体に照度の強い
ランプ光を照射した時、フラット面での反射光とは異な
る角度で反射を起こし、遠く離れたスクリーン上で強調
されて浮かび上がり、魔鏡現象が現れる。
たセラミックス基板上に於いて、メタル薄膜のパターン
が存在し、全体を反射用メタル薄膜で被っているので、
メタル薄膜のパターンのエッジ部で反射用メタル薄膜が
テーパー面となり、セラミックス基板全体に照度の強い
ランプ光を照射した時、フラット面での反射光とは異な
る角度で反射を起こし、遠く離れたスクリーン上で強調
されて浮かび上がり、魔鏡現象が現れる。
【０００６】
【実施例】本発明の魔鏡の製造方法の一実施例を図によ
って説明すると、図１に示す直径８インチ、厚さ 0.6mm
の鏡面研摩したＳｉ基板１上に、スパッタリングにより
膜厚1000ÅのＴｉ薄膜２を形成した。次にその上に図２
に示すように膜厚 1.3μｍに感光性レジスト３を塗布し
た。そして感光性レジスト３の上に図３に示すように十
字架模様のマスク４を置き、80mJの光を照射して露光
し、ＮＭＤ−３で１分間現像した後、エッチング液（ア
ンモニア、Ｈ2 Ｏ2 、ＥＤＴＡ）を用いて１分間、23℃
でエッチングして、図４に示すようにＴｉ薄膜パターン
５を形成し、且つレジスト３を剥離した。次いでその上
に反射膜としてスパッタリングにより図５に示すように
膜厚2000ÅのＣｒ薄膜６をコーティングして下地のＴｉ
薄膜パターン５を目視から消失させて魔鏡７を完成させ
た。
って説明すると、図１に示す直径８インチ、厚さ 0.6mm
の鏡面研摩したＳｉ基板１上に、スパッタリングにより
膜厚1000ÅのＴｉ薄膜２を形成した。次にその上に図２
に示すように膜厚 1.3μｍに感光性レジスト３を塗布し
た。そして感光性レジスト３の上に図３に示すように十
字架模様のマスク４を置き、80mJの光を照射して露光
し、ＮＭＤ−３で１分間現像した後、エッチング液（ア
ンモニア、Ｈ2 Ｏ2 、ＥＤＴＡ）を用いて１分間、23℃
でエッチングして、図４に示すようにＴｉ薄膜パターン
５を形成し、且つレジスト３を剥離した。次いでその上
に反射膜としてスパッタリングにより図５に示すように
膜厚2000ÅのＣｒ薄膜６をコーティングして下地のＴｉ
薄膜パターン５を目視から消失させて魔鏡７を完成させ
た。
【０００７】このようにして製造した魔鏡７は、鏡面研
摩されたＳｉ基板１上に於いて、Ｔｉ薄膜パターン５が
存在し、全体を反射用Ｃｒ薄膜６で被っているので、Ｔ
ｉ薄膜パターン５のエッヂ部で反射用Ｃｒ薄膜６がテー
パ面となり、図６に示すようにＳｉ基板１全体に照度の
強いランプ光を照射すると、フラット面での反射光とは
異なる角度で反射を起こし、遠く離れたスクリーン８上
で十字架模様のＴｉ薄膜パターン５が強調されて浮かび
上がり、魔鏡現象が現れる。
摩されたＳｉ基板１上に於いて、Ｔｉ薄膜パターン５が
存在し、全体を反射用Ｃｒ薄膜６で被っているので、Ｔ
ｉ薄膜パターン５のエッヂ部で反射用Ｃｒ薄膜６がテー
パ面となり、図６に示すようにＳｉ基板１全体に照度の
強いランプ光を照射すると、フラット面での反射光とは
異なる角度で反射を起こし、遠く離れたスクリーン８上
で十字架模様のＴｉ薄膜パターン５が強調されて浮かび
上がり、魔鏡現象が現れる。
【０００８】
【発明の効果】以上の通り本発明の魔鏡の製造方法によ
ると、照度の強い光を照射することにより、その反射光
の投影によりスクリーン上に鮮明な像が結ばれる魔鏡が
確実に得られる。また本発明の魔鏡の製造方法は、工数
が少なく且つ半導体ウェハーと同程度の量と質の多量生
産が可能で、コストを低減できる。
ると、照度の強い光を照射することにより、その反射光
の投影によりスクリーン上に鮮明な像が結ばれる魔鏡が
確実に得られる。また本発明の魔鏡の製造方法は、工数
が少なく且つ半導体ウェハーと同程度の量と質の多量生
産が可能で、コストを低減できる。
【図１】本発明の魔鏡の製造方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の魔鏡の製造方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の魔鏡の製造方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明の魔鏡の製造方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明の魔鏡の製造方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明の製造方法で得た魔鏡による魔鏡現象の
説明図である。
説明図である。
１ セラミックスの基板（Ｓｉ基板） ２ メタル薄膜（Ｔｉ薄膜） ３ 感光性レジスト ４ マスク ５ 薄膜パターン（Ｔｉ） ６ メタル薄膜（Ｃｒ薄膜） ７ 魔鏡 ８ スクリーン
Claims (1)
- 【請求項１】 鏡面研摩したセラミックスの基板上に、
膜厚 100Å〜２μｍのメタル薄膜を形成し、次に感光性
レジストの塗布、露光、現像、エッチングを行って薄膜
パターンを形成し、且つレジストを剥離し、次いでその
上に反射膜として比較的反射率の高いメタル薄膜を膜厚
1000Å〜２μｍコーティングして、下地の薄膜パターン
を目視では消失させ、照度の強いランプ光を照射し、そ
の反射光をスクリーン等に照射することにより前記薄膜
パターンを写し出せるようにした魔鏡を製造することを
特徴とする魔鏡の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23424992A JPH0654744A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 魔鏡の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23424992A JPH0654744A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 魔鏡の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0654744A true JPH0654744A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16968013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23424992A Pending JPH0654744A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 魔鏡の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654744A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006149555A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Hosaka Glass Kk | 両面鏡とその製造方法 |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP23424992A patent/JPH0654744A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006149555A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Hosaka Glass Kk | 両面鏡とその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
| JPS61240452A (ja) | ガラス成形型製作方法 | |
| US4238559A (en) | Two layer resist system | |
| EP0134789B1 (en) | Bilevel ultraviolet resist system for patterning substrates of high reflectivity | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| US3936301A (en) | Process for contact photolithography utilizing a photomask having indented channels | |
| JPH06174907A (ja) | 金属格子の製作方法 | |
| JPH0654744A (ja) | 魔鏡の製造方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JPH06151351A (ja) | 電極形成方法 | |
| JPS58155550A (ja) | 異なる深さを持つ溝を同時に形成する方法 | |
| JPH06105678B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2941824B2 (ja) | 金属配線パターン形成方法 | |
| JPH04324445A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JPS63138736A (ja) | レジストのパタ−ニング方法 | |
| JPH06112119A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH04306828A (ja) | パターニング方法 | |
| JPH08203029A (ja) | 薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法 | |
| JPS5841765B2 (ja) | フオトマスク材の傷修復方法 | |
| JPS647492B2 (ja) | ||
| JPH02130968A (ja) | 超電導物質のパターン形成方法 | |
| JPH03136318A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS604220A (ja) | フオトエツチング方法 | |
| JPS60177627A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPS60231331A (ja) | リフトオフ・パタ−ンの形成方法 |