JPH08203029A - 薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法Info
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- JPH08203029A JPH08203029A JP2459395A JP2459395A JPH08203029A JP H08203029 A JPH08203029 A JP H08203029A JP 2459395 A JP2459395 A JP 2459395A JP 2459395 A JP2459395 A JP 2459395A JP H08203029 A JPH08203029 A JP H08203029A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少ない工程数で反射率の高い薄膜磁気ヘッド
用のマーカーを製造すること 【構成】 基板２０表面に凹部２３，凸部２４を形成し
（図（Ｂ））、表面全面に下部磁極層形成用のメッキベ
ース（パーマロイ）２５を形成し（図（Ｃ））、レジス
ト２６を用いてパターンニングを行い、第２孔部２７か
ら露出するメッキベース上に下部磁極層２７を形成する
（図（Ｄ））。レジスト２６を除去後、さらに別のレジ
ストによるパターンニングを行い、凹部，凸部表面のみ
にレジスト２９を残し、上方よりイオンミルをかけ（図
（Ｅ））、露出されたメッキベースが除去した後レジス
ト２９を除去してマーカー３０が形成される（図
（Ｆ））。このように、メッキベースをマーカーに転用
することにより、マーカー独自の製造工程が省略され
る。パーマロイの反射率は高く、マーカー性能も向上す
る。
用のマーカーを製造すること 【構成】 基板２０表面に凹部２３，凸部２４を形成し
（図（Ｂ））、表面全面に下部磁極層形成用のメッキベ
ース（パーマロイ）２５を形成し（図（Ｃ））、レジス
ト２６を用いてパターンニングを行い、第２孔部２７か
ら露出するメッキベース上に下部磁極層２７を形成する
（図（Ｄ））。レジスト２６を除去後、さらに別のレジ
ストによるパターンニングを行い、凹部，凸部表面のみ
にレジスト２９を残し、上方よりイオンミルをかけ（図
（Ｅ））、露出されたメッキベースが除去した後レジス
ト２９を除去してマーカー３０が形成される（図
（Ｆ））。このように、メッキベースをマーカーに転用
することにより、マーカー独自の製造工程が省略され
る。パーマロイの反射率は高く、マーカー性能も向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドのマー
カー形成方法に関するもので、より具体的には、薄膜磁
気ヘッドの製造工程において、各層を形成する際のパタ
ーン形成のために行なう露光処理の際に使用するパター
ンマスクを位置合わせする時の目印のための反射膜（マ
ーカー）を形成方法に関するものである。
カー形成方法に関するもので、より具体的には、薄膜磁
気ヘッドの製造工程において、各層を形成する際のパタ
ーン形成のために行なう露光処理の際に使用するパター
ンマスクを位置合わせする時の目印のための反射膜（マ
ーカー）を形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方
法としては、例えば図４に示すように、基板１の上部に
レジスト２を塗布した後、露光現像処理を行い、所定位
置に孔部３を形成する。この時、孔部３は所定の間隔を
おいて複数（２個）形成し、その中間にレジスト２が所
定形状で残存するように形成されている（同図
（Ａ））。
法としては、例えば図４に示すように、基板１の上部に
レジスト２を塗布した後、露光現像処理を行い、所定位
置に孔部３を形成する。この時、孔部３は所定の間隔を
おいて複数（２個）形成し、その中間にレジスト２が所
定形状で残存するように形成されている（同図
（Ａ））。
【０００３】この状態で基板１の上方からイオンミルを
かけることにより、基板１が孔部３によって露出された
位置に凹部４を形成する。凹部４の中心には、孔部３の
中心に残存したレジスト２によって凸状となった凸部５
が形成される（同図（Ｂ））。次いで、レジストを除去
するとともに、露出された基板１の表面（凹部４の内壁
面，凸部５の表面も含む）にＴｉを蒸着させ反射膜６を
形成する（同図（Ｃ））。
かけることにより、基板１が孔部３によって露出された
位置に凹部４を形成する。凹部４の中心には、孔部３の
中心に残存したレジスト２によって凸状となった凸部５
が形成される（同図（Ｂ））。次いで、レジストを除去
するとともに、露出された基板１の表面（凹部４の内壁
面，凸部５の表面も含む）にＴｉを蒸着させ反射膜６を
形成する（同図（Ｃ））。
【０００４】そして、反射膜６の上面にレジストを塗布
した後、露光現像処理を行い、凹部４，凸部５の上方に
レジスト７を残存させて、残りのレジストを除去する。
（同図（Ｄ））。
した後、露光現像処理を行い、凹部４，凸部５の上方に
レジスト７を残存させて、残りのレジストを除去する。
（同図（Ｄ））。
【０００５】その後、基板１の上方よりイオンミルをか
けることにより、露出された反射膜６（レジスト７によ
って保護されていない反射膜６）を除去し、リムーバに
よってレジスト７を除去することで、基板１の上面所定
位置（凸部５の形成位置）に反射膜６を露出させる（同
図（Ｅ））。そして、係る反射膜が露光現像処理のパタ
ーンマスクの位置を決定させるマーカー８となる。
けることにより、露出された反射膜６（レジスト７によ
って保護されていない反射膜６）を除去し、リムーバに
よってレジスト７を除去することで、基板１の上面所定
位置（凸部５の形成位置）に反射膜６を露出させる（同
図（Ｅ））。そして、係る反射膜が露光現像処理のパタ
ーンマスクの位置を決定させるマーカー８となる。
【０００６】上記のようにして形成したマーカーを用い
て実際の薄膜磁気ヘッドの各層を製造する工程について
説明する。製造する層として磁極層の例を示す。図５に
示すように、基板１及び基板１の上部所定位置に形成さ
れたマーカー８の上面にパーマロイ等を蒸着させて、メ
ッキベース９を形成する（同図（Ａ））。そして、メッ
キベース９の上面にレジスト１０を塗布し、露光現像処
理を行なって、所定位置に孔部１１を形成し、メッキベ
ース９を露出させる。そしてその露出したメッキベース
９上に、メッキを成膜し磁極層１２を形成する（同図
（Ｂ））。
て実際の薄膜磁気ヘッドの各層を製造する工程について
説明する。製造する層として磁極層の例を示す。図５に
示すように、基板１及び基板１の上部所定位置に形成さ
れたマーカー８の上面にパーマロイ等を蒸着させて、メ
ッキベース９を形成する（同図（Ａ））。そして、メッ
キベース９の上面にレジスト１０を塗布し、露光現像処
理を行なって、所定位置に孔部１１を形成し、メッキベ
ース９を露出させる。そしてその露出したメッキベース
９上に、メッキを成膜し磁極層１２を形成する（同図
（Ｂ））。
【０００７】次いで、リムーバによりレジストを除去し
（同図（Ｃ））、さらに、上方よりイオンミルをかける
ことで、不要なメッキベースを除去し、磁極層１２の下
部のみにメッキベース９を残して、磁極層を基盤に強固
に密着させるとともに、マーカー８を露出させる（同図
（Ｄ））。
（同図（Ｃ））、さらに、上方よりイオンミルをかける
ことで、不要なメッキベースを除去し、磁極層１２の下
部のみにメッキベース９を残して、磁極層を基盤に強固
に密着させるとともに、マーカー８を露出させる（同図
（Ｄ））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法では、マー
カー８となる反射膜６をＴｉによって形成するとφ１μ
ｍ程度の凸状の粒が発生する場合があり、反射膜の反射
率が劣化するので、パターンマスクの位置合わせに障害
を発生することが確認されている。
た従来の薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法では、マー
カー８となる反射膜６をＴｉによって形成するとφ１μ
ｍ程度の凸状の粒が発生する場合があり、反射膜の反射
率が劣化するので、パターンマスクの位置合わせに障害
を発生することが確認されている。
【０００９】また、従来の方法では、マーカーのみを単
独で形成しているので、その工程が煩雑であり、製造に
要する時間がかかり生産性が低下するとともに、コスト
の増加を招く。
独で形成しているので、その工程が煩雑であり、製造に
要する時間がかかり生産性が低下するとともに、コスト
の増加を招く。
【００１０】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、マーカー表面に凸状の粒が発生することを防ぎ、
正確なパターンマスクの位置合わせを可能にして高性能
の磁気ヘッドを製造することができ、さらに、マーカー
形成の工程を短縮化することができ、生産性が良好でコ
ストの低減を図ることのできる薄膜磁気ヘッドのマーカ
ー形成方法を提供することにある。
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、マーカー表面に凸状の粒が発生することを防ぎ、
正確なパターンマスクの位置合わせを可能にして高性能
の磁気ヘッドを製造することができ、さらに、マーカー
形成の工程を短縮化することができ、生産性が良好でコ
ストの低減を図ることのできる薄膜磁気ヘッドのマーカ
ー形成方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法
では、基板上面にパターンニングを行い、マーカー形成
位置に凸部及び凹部を形成し、前記凸部及び凹部を含む
前記基板上面に下部磁極層形成用のメッキベースを形成
し、前記メッキベース上の所定位置に下部磁極層を形成
する。次に、前記凸部及びその凸部近傍の凹部底面を含
む所定部分に位置する前記メッキベースを覆う保護層を
形成するとともに、露出する前記メッキベースを除去す
る。その後、前記保護層を除去することにより、前記凸
部及び凹部上に残った前記メッキベースをマーカーとし
た。
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法
では、基板上面にパターンニングを行い、マーカー形成
位置に凸部及び凹部を形成し、前記凸部及び凹部を含む
前記基板上面に下部磁極層形成用のメッキベースを形成
し、前記メッキベース上の所定位置に下部磁極層を形成
する。次に、前記凸部及びその凸部近傍の凹部底面を含
む所定部分に位置する前記メッキベースを覆う保護層を
形成するとともに、露出する前記メッキベースを除去す
る。その後、前記保護層を除去することにより、前記凸
部及び凹部上に残った前記メッキベースをマーカーとし
た。
【００１２】
【作用】下部磁極層形成用のメッキベースを、本来の導
体膜として使用するとともに、凸部，凹部上に形成され
たメッキベースを反射膜（マーカー）として使用するこ
とにより、マーカー製造工程と、磁極層形成工程が共通
化される。これによりマーカー単独で製造する工程（パ
ターンニング，成膜工程等）が削減される。
体膜として使用するとともに、凸部，凹部上に形成され
たメッキベースを反射膜（マーカー）として使用するこ
とにより、マーカー製造工程と、磁極層形成工程が共通
化される。これによりマーカー単独で製造する工程（パ
ターンニング，成膜工程等）が削減される。
【００１３】また、本発明で使用するメッキベースとし
ては、メッキベース本来の機能とともに反射率も良好
（マーカーとしての機能が発揮できる程度であればよ
い）である必要があるが、一般に磁極層のメッキベース
として使用されるパーマロイは、その条件を満たし、Ｔ
ｉよりも反射率は高い。また、メッキベースでは、Ｔｉ
のような微小な粒も発生せず、その表面は平坦となる。
ては、メッキベース本来の機能とともに反射率も良好
（マーカーとしての機能が発揮できる程度であればよ
い）である必要があるが、一般に磁極層のメッキベース
として使用されるパーマロイは、その条件を満たし、Ｔ
ｉよりも反射率は高い。また、メッキベースでは、Ｔｉ
のような微小な粒も発生せず、その表面は平坦となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカ
ー形成方法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳述
する。図１に本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカー形
成方法の第１実施例を示す。基板２０の上面にレジスト
２１を塗布し、露光現像処理により、所定位置に第１孔
部２２を形成する。この時、第１孔部２２は所定の間隔
をおいて複数（２個）形成し、その中間にレジスト２１
が所定形状で残存するように形成されている（同図
（Ａ））。
ー形成方法の好適な実施例を添付図面を参照にして詳述
する。図１に本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカー形
成方法の第１実施例を示す。基板２０の上面にレジスト
２１を塗布し、露光現像処理により、所定位置に第１孔
部２２を形成する。この時、第１孔部２２は所定の間隔
をおいて複数（２個）形成し、その中間にレジスト２１
が所定形状で残存するように形成されている（同図
（Ａ））。
【００１５】次いで、上方よりイオンミルをかけること
により、レジスト２１に形成された第１孔部２２の底面
（基板１の露出部分）がエッチングされ、所定深さの凹
部２３を形成する。このとき、第１孔部２２の中心には
レジスト２１が残存しているので、凹部２３の中心には
凸部２４が形成される（同図（Ｂ））。
により、レジスト２１に形成された第１孔部２２の底面
（基板１の露出部分）がエッチングされ、所定深さの凹
部２３を形成する。このとき、第１孔部２２の中心には
レジスト２１が残存しているので、凹部２３の中心には
凸部２４が形成される（同図（Ｂ））。
【００１６】そして、リムーバによってレジスト２１を
除去した後、露出された基板２０の上面全体（凹部２３
の内壁面，凸部２４の表面を含む）にパーマロイ等を蒸
着させて、メッキベース２５を形成する。ただし、メッ
キベース２５は、その構造をパーマロイだけにすると密
着性が悪いので、メッキベース２５の構造をパーマロイ
の下地にろう材として使用するＴｉ層の膜厚を適宜設定
し、密着力の確保を図っている（同図（Ｃ））。
除去した後、露出された基板２０の上面全体（凹部２３
の内壁面，凸部２４の表面を含む）にパーマロイ等を蒸
着させて、メッキベース２５を形成する。ただし、メッ
キベース２５は、その構造をパーマロイだけにすると密
着性が悪いので、メッキベース２５の構造をパーマロイ
の下地にろう材として使用するＴｉ層の膜厚を適宜設定
し、密着力の確保を図っている（同図（Ｃ））。
【００１７】次いで、その上面全体にレジスト２６を塗
布し、露光現像処理を行い、形成する層（この例では下
部磁極層）のパターン形状からなる第２孔部２７を形成
し、上記メッキベース２５を露出させ、その基板２０を
メッキ浴に浸漬させてその露出したメッキベース２５上
にメッキ層を成膜し、所定形状の下部磁極層２８を形成
する（同図（Ｄ））。
布し、露光現像処理を行い、形成する層（この例では下
部磁極層）のパターン形状からなる第２孔部２７を形成
し、上記メッキベース２５を露出させ、その基板２０を
メッキ浴に浸漬させてその露出したメッキベース２５上
にメッキ層を成膜し、所定形状の下部磁極層２８を形成
する（同図（Ｄ））。
【００１８】そして、上記レジスト２６を除去後、再び
全面にレジストを塗布するとともに露光現像処理を行
い、余分なレジストを除去することにより凹部２３及び
凸部２４の上部のみを覆う保護層たるレジスト２９を残
す（同図（Ｅ））。
全面にレジストを塗布するとともに露光現像処理を行
い、余分なレジストを除去することにより凹部２３及び
凸部２４の上部のみを覆う保護層たるレジスト２９を残
す（同図（Ｅ））。
【００１９】次いで、基板２０の上方よりイオンミルを
かけ、露出されたメッキベース２５を除去し、残存した
レジスト２９の下部及び磁極層２８の下部にのみメッキ
ベース２５を残存させる。その後、レジスト２９を除去
し、その下部に形成されていたメッキベースを露出さ
せ、マーカー３０となる反射膜を形成する（同図
（Ｆ））。
かけ、露出されたメッキベース２５を除去し、残存した
レジスト２９の下部及び磁極層２８の下部にのみメッキ
ベース２５を残存させる。その後、レジスト２９を除去
し、その下部に形成されていたメッキベースを露出さ
せ、マーカー３０となる反射膜を形成する（同図
（Ｆ））。
【００２０】上記のように、本実施例では磁極層の下部
に形成するメッキベースをマーカーとしても使用するこ
とで、従来のようにマーカー自体を別個に形成する必要
がないので、係る工程数が削減でき、生産性が向上す
る。
に形成するメッキベースをマーカーとしても使用するこ
とで、従来のようにマーカー自体を別個に形成する必要
がないので、係る工程数が削減でき、生産性が向上す
る。
【００２１】しかも、本例のマーカー３０は、下部磁極
層と同様にパーマロイを用いて形成される。そしてこの
パーマロイは、従来のマーカーに使用されているＴｉよ
りも、反射性が良好でありマーカーとしての機能が高
い。
層と同様にパーマロイを用いて形成される。そしてこの
パーマロイは、従来のマーカーに使用されているＴｉよ
りも、反射性が良好でありマーカーとしての機能が高
い。
【００２２】図２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマー
カー形成方法の第２実施例を示している。すなわち、パ
ーマロイは、Ｔｉに比べて酸や塩基性の溶剤に対する対
腐食性が弱い。従って、その後の薄膜磁気ヘッド各層の
製造工程において用いられるウエットエッチング等の時
に使用される酸や塩基性の溶剤がパーマロイからなるマ
ーカー３０に触れると、それを浸蝕してしまうおそれが
ある。また、従来のＴｉの場合も若干ではあるが浸蝕さ
れることがあるので、実際にはマーカーの上部をフォト
レジストからなる保護パターンで覆うようにしている。
従って、本実施例でも同様にマーカー３０の上部を保護
パターン３１で被覆する（図３（Ａ）参照）。この時、
従来のＴｉの時に用いていたマスクを用いて保護パター
ンを形成すると、図示するようにマーカーの大きさと保
護パターンの大きさが一致する。すると、酸または塩基
性の溶剤中に浸漬させると、保護パターン３１と基板２
０との境界から溶剤が染み込み、マーカー３０の上端側
から徐々に浸蝕してしまうおそれがある。
カー形成方法の第２実施例を示している。すなわち、パ
ーマロイは、Ｔｉに比べて酸や塩基性の溶剤に対する対
腐食性が弱い。従って、その後の薄膜磁気ヘッド各層の
製造工程において用いられるウエットエッチング等の時
に使用される酸や塩基性の溶剤がパーマロイからなるマ
ーカー３０に触れると、それを浸蝕してしまうおそれが
ある。また、従来のＴｉの場合も若干ではあるが浸蝕さ
れることがあるので、実際にはマーカーの上部をフォト
レジストからなる保護パターンで覆うようにしている。
従って、本実施例でも同様にマーカー３０の上部を保護
パターン３１で被覆する（図３（Ａ）参照）。この時、
従来のＴｉの時に用いていたマスクを用いて保護パター
ンを形成すると、図示するようにマーカーの大きさと保
護パターンの大きさが一致する。すると、酸または塩基
性の溶剤中に浸漬させると、保護パターン３１と基板２
０との境界から溶剤が染み込み、マーカー３０の上端側
から徐々に浸蝕してしまうおそれがある。
【００２３】そこで本実施例では、係る溶剤等による悪
影響を受けることがないようにしている。具体的には、
第１実施例における図１（Ａ）〜（Ｄ）までと同様の処
理を行い、図２（Ａ）に示すように、基板２０上の上部
所定位置に凹部２３（中央に凸部２４を有する）を形成
し、その基板２０の表面全面に下部磁極層２８を形成す
るためのメッキベース２５を蒸着により形成し、そのメ
ッキベース２５の上面全体に塗布されたレジスト２６の
所定位置に第２孔部２７が形成され、その第２孔部２７
内のメッキベース２６上にメッキ膜を成膜して下部磁極
層２８が形成される（同図（Ａ））。
影響を受けることがないようにしている。具体的には、
第１実施例における図１（Ａ）〜（Ｄ）までと同様の処
理を行い、図２（Ａ）に示すように、基板２０上の上部
所定位置に凹部２３（中央に凸部２４を有する）を形成
し、その基板２０の表面全面に下部磁極層２８を形成す
るためのメッキベース２５を蒸着により形成し、そのメ
ッキベース２５の上面全体に塗布されたレジスト２６の
所定位置に第２孔部２７が形成され、その第２孔部２７
内のメッキベース２６上にメッキ膜を成膜して下部磁極
層２８が形成される（同図（Ａ））。
【００２４】この状態からレジスト２６を除去した後、
再度表面全面にレジストを塗布し露光現像処理を行い、
凹部２３及び凸部２４の上方にレジスト３５を残存させ
る（同図（Ｂ））。この時、上記した第１実施例と相違
して凹部２３の側端面（凸部２４から離れた部分）の上
部はレジスト３５を残さないようにし、メッキベース２
５を露出させるようにしている。
再度表面全面にレジストを塗布し露光現像処理を行い、
凹部２３及び凸部２４の上方にレジスト３５を残存させ
る（同図（Ｂ））。この時、上記した第１実施例と相違
して凹部２３の側端面（凸部２４から離れた部分）の上
部はレジスト３５を残さないようにし、メッキベース２
５を露出させるようにしている。
【００２５】次いで、上方よりイオンミルをかけること
でレジスト３５で覆われていない露出したメッキベース
２５を除去した後、リムーバによってレジストを除去す
ることにより、レジストに保護されていたメッキベース
を露出させる。このメッキベースは凹部２１の底面の一
部及び凸部２２の表面上に形成され、係るメッキベース
がマーカー３０′となる（同図（Ｃ））。
でレジスト３５で覆われていない露出したメッキベース
２５を除去した後、リムーバによってレジストを除去す
ることにより、レジストに保護されていたメッキベース
を露出させる。このメッキベースは凹部２１の底面の一
部及び凸部２２の表面上に形成され、係るメッキベース
がマーカー３０′となる（同図（Ｃ））。
【００２６】上記した方法により形成されたマーカー３
０′は、少なくとも凸部２４の表面と凹部２３の底面の
うち凸部２４側の表面に反射膜が形成されて構成される
ので、マーカーとしての機能は発揮する。そして、その
後の所定層の形成時に酸や塩基性の溶剤を用いてウエッ
トエッチング等を行う際にマーカー３０′を保護すべ
く、上記した第１実施例の説明と同様に凹部２３及び凸
部２４の上部のみを覆う保護パターン３１を形成した場
合、図３（Ｂ）に示すように、マーカー（反射膜）３
０′の大きさよりも保護パーターン３１のそれが大きい
ため、たとえ保護パターン３１と基板２０の境界から溶
剤が染み込んだとしても、保護パターン３１のみが存在
しマーカー３０′までは溶剤が到達せず、浸蝕されな
い。
０′は、少なくとも凸部２４の表面と凹部２３の底面の
うち凸部２４側の表面に反射膜が形成されて構成される
ので、マーカーとしての機能は発揮する。そして、その
後の所定層の形成時に酸や塩基性の溶剤を用いてウエッ
トエッチング等を行う際にマーカー３０′を保護すべ
く、上記した第１実施例の説明と同様に凹部２３及び凸
部２４の上部のみを覆う保護パターン３１を形成した場
合、図３（Ｂ）に示すように、マーカー（反射膜）３
０′の大きさよりも保護パーターン３１のそれが大きい
ため、たとえ保護パターン３１と基板２０の境界から溶
剤が染み込んだとしても、保護パターン３１のみが存在
しマーカー３０′までは溶剤が到達せず、浸蝕されな
い。
【００２７】なお、第１実施例のようにして形成された
マーカー３０であっても、浸蝕されるのは、その端部で
あり、位置合わせに使用する凸部２４の表面やその周辺
の凹部２３の底面までは浸蝕されないため、実際上はさ
ほど問題はない。そして、係る構成をとっても例えば図
３（Ｃ）のように、その後の所定層の製造時に行う保護
パターン３１′を、マスク３０の大きさよりも十分大き
くすれば、浸蝕のおそれも可及的に減少する。
マーカー３０であっても、浸蝕されるのは、その端部で
あり、位置合わせに使用する凸部２４の表面やその周辺
の凹部２３の底面までは浸蝕されないため、実際上はさ
ほど問題はない。そして、係る構成をとっても例えば図
３（Ｃ）のように、その後の所定層の製造時に行う保護
パターン３１′を、マスク３０の大きさよりも十分大き
くすれば、浸蝕のおそれも可及的に減少する。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドのマーカー形成方法では、マーカーを、Ｔｉによっ
て単独に形成する代わりに磁極層を基板と密着するため
のメッキベースを使用して形成するので、マーカー形成
の工程と磁極層形成の工程を同時に行えるので工程数を
減らして、製造工程の煩雑さを緩和し、また、コスト安
とすることができる。さらに、工程数の削減にともな
い、製造時間も短縮され、生産性が向上する。また、Ｔ
ｉのような微小な粒も発生せず、表面が平坦となるの
で、反射率が低下することもない。よって、オートアラ
イメントが正確に行える。
ッドのマーカー形成方法では、マーカーを、Ｔｉによっ
て単独に形成する代わりに磁極層を基板と密着するため
のメッキベースを使用して形成するので、マーカー形成
の工程と磁極層形成の工程を同時に行えるので工程数を
減らして、製造工程の煩雑さを緩和し、また、コスト安
とすることができる。さらに、工程数の削減にともな
い、製造時間も短縮され、生産性が向上する。また、Ｔ
ｉのような微小な粒も発生せず、表面が平坦となるの
で、反射率が低下することもない。よって、オートアラ
イメントが正確に行える。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方
法における第１実施例を示す工程図である。
法における第１実施例を示す工程図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方
法における第２実施例を示す工程図である。
法における第２実施例を示す工程図である。
【図３】形成したマーカーを使用して各層を形成する際
のマーカーの保護方法について説明する図である。
のマーカーの保護方法について説明する図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法にお
けるマーカー形成までを示す工程図である。
けるマーカー形成までを示す工程図である。
【図５】製造したマーカーを使用して行う磁極層の形成
方法を示す工程図である。
方法を示す工程図である。
２０ 基板 ２１ レジスト ２２ 第１孔部 ２３ 凹部 ２４ 凸部 ２５ メッキベース ２６ レジスト ２７ 第２孔部 ２８ 磁極層 ２９ レジスト（保護層） ３０，３０′ マーカー
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上面にパターンニングを行い、マー
カー形成位置に凸部及び凹部を形成し、 前記凸部及び凹部を含む前記基板上面に下部磁極層形成
用のメッキベースを形成し、 前記メッキベース上の所定位置に下部磁極層を形成し、 前記凸部及びその凸部近傍の凹部底面を含む所定部分に
位置する前記メッキベースを覆う保護層を形成するとと
もに、露出する前記メッキベースを除去し、次いで、前
記保護層を除去することにより、前記凸部及び凹部上に
残った前記メッキベースをマーカーとした薄膜磁気ヘッ
ドのマーカー形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2459395A JPH08203029A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2459395A JPH08203029A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203029A true JPH08203029A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=12142462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2459395A Withdrawn JPH08203029A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 薄膜磁気ヘッドのマーカー形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203029A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7449790B2 (en) | 2004-08-26 | 2008-11-11 | Hitachi Global Storage Technologies, Inc. | Methods and systems of enhancing stepper alignment signals and metrology alignment target signals |
| US8283792B1 (en) | 2004-08-26 | 2012-10-09 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Methods and systems for forming an alignment mark with optically mismatched alignment mark stack materials |
-
1995
- 1995-01-20 JP JP2459395A patent/JPH08203029A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7449790B2 (en) | 2004-08-26 | 2008-11-11 | Hitachi Global Storage Technologies, Inc. | Methods and systems of enhancing stepper alignment signals and metrology alignment target signals |
| US8283792B1 (en) | 2004-08-26 | 2012-10-09 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. | Methods and systems for forming an alignment mark with optically mismatched alignment mark stack materials |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020402 |