JPH065653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH065653A JPH065653A JP4165590A JP16559092A JPH065653A JP H065653 A JPH065653 A JP H065653A JP 4165590 A JP4165590 A JP 4165590A JP 16559092 A JP16559092 A JP 16559092A JP H065653 A JPH065653 A JP H065653A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、ボンディング作業中の衝撃によ
り、シリコン基板上の厚い絶縁膜にクラックが生じるこ
とがなく、配線層とその下地とが剥がれることのないボ
ンディングパッドを提供する。 【構成】熱酸化膜12の上に多結晶シリコン層13を設け、
この多結晶シリコン層13の上に、ボンディングパッドと
ボンディングワイヤとの接触面より小さく且つ前記多結
晶シリコン層13に達する複数の開口部14ａを有する層間
絶縁膜14を設け、この層間絶縁膜14の上および開口部14
ａ内面にボンディングパッドとしての配線層15を設けて
いる。このため、ボンディング作業中の衝撃が多結晶シ
リコン層13および層間絶縁膜14により緩和され、熱酸化
膜12のクラックの発生を防止できる。しかも、前記配線
層15はバリアメタル層16およびアルミニウム層17からな
るため、多結晶シリコン層13と配線層15とは密着性が良
い。
り、シリコン基板上の厚い絶縁膜にクラックが生じるこ
とがなく、配線層とその下地とが剥がれることのないボ
ンディングパッドを提供する。 【構成】熱酸化膜12の上に多結晶シリコン層13を設け、
この多結晶シリコン層13の上に、ボンディングパッドと
ボンディングワイヤとの接触面より小さく且つ前記多結
晶シリコン層13に達する複数の開口部14ａを有する層間
絶縁膜14を設け、この層間絶縁膜14の上および開口部14
ａ内面にボンディングパッドとしての配線層15を設けて
いる。このため、ボンディング作業中の衝撃が多結晶シ
リコン層13および層間絶縁膜14により緩和され、熱酸化
膜12のクラックの発生を防止できる。しかも、前記配線
層15はバリアメタル層16およびアルミニウム層17からな
るため、多結晶シリコン層13と配線層15とは密着性が良
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に係わ
り、特にボンディングパッドに関する。
り、特にボンディングパッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体装置におけるボン
ディングパッドを示す断面図である。シリコン基板１の
表面には厚い絶縁膜２が設けられており、この厚い絶縁
膜２の上にはシリコン酸化膜を堆積させてなる層間絶縁
膜３が設けられている。この層間絶縁膜３の上には配線
層４が設けられており、この配線層４はアルミニウム層
５およびバリアメタル層６から構成されている。このバ
リアメタル層６はアルミニウム層５と層間絶縁膜３との
間に形成されており、前記ボンディングパッドとしての
アルミニウム層５は層間絶縁膜３を保護する保護酸化膜
７に設けられた開口部７ａから露出されている。
ディングパッドを示す断面図である。シリコン基板１の
表面には厚い絶縁膜２が設けられており、この厚い絶縁
膜２の上にはシリコン酸化膜を堆積させてなる層間絶縁
膜３が設けられている。この層間絶縁膜３の上には配線
層４が設けられており、この配線層４はアルミニウム層
５およびバリアメタル層６から構成されている。このバ
リアメタル層６はアルミニウム層５と層間絶縁膜３との
間に形成されており、前記ボンディングパッドとしての
アルミニウム層５は層間絶縁膜３を保護する保護酸化膜
７に設けられた開口部７ａから露出されている。
【０００３】上記従来のボンディングパッドはバリアメ
タル層６と層間絶縁膜３との密着性が悪いため、配線層
４がボンディング作業中に層間絶縁膜３から剥がれるこ
とがある。これを防止するために、バリアメタル層６の
下に多結晶シリコン層あるいはシリサイド層を設けたボ
ンディングパッドが考えられている。
タル層６と層間絶縁膜３との密着性が悪いため、配線層
４がボンディング作業中に層間絶縁膜３から剥がれるこ
とがある。これを防止するために、バリアメタル層６の
下に多結晶シリコン層あるいはシリサイド層を設けたボ
ンディングパッドが考えられている。
【０００４】図５はバリアメタル層６の下に多結晶シリ
コン層８を設けた例を示すものである。即ち、前記厚い
絶縁膜２の上には多結晶シリコン層８が設けられてい
る。前記層間絶縁膜３には開口部３ａが設けられ、この
開口部３ａ内で多結晶シリコン層８の上には前記配線層
４が設けられている。
コン層８を設けた例を示すものである。即ち、前記厚い
絶縁膜２の上には多結晶シリコン層８が設けられてい
る。前記層間絶縁膜３には開口部３ａが設けられ、この
開口部３ａ内で多結晶シリコン層８の上には前記配線層
４が設けられている。
【０００５】以上のようなボンディングパッドでは前記
バリアメタル層６と多結晶シリコン層８との密着性が良
いと共に、多結晶シリコン層８と厚い絶縁膜２との密着
性も良い。このため、前記配線層４がボンディング作業
中に層間絶縁膜３から剥がれることがない。
バリアメタル層６と多結晶シリコン層８との密着性が良
いと共に、多結晶シリコン層８と厚い絶縁膜２との密着
性も良い。このため、前記配線層４がボンディング作業
中に層間絶縁膜３から剥がれることがない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ボンディン
グされる配線層４と厚い絶縁膜２との間には多結晶シリ
コン層８が設けられているだけである。このため、ボン
ディング作業中の衝撃が配線層４および多結晶シリコン
層８から厚い絶縁膜２に伝わり、この厚い絶縁膜２にク
ラックが生じることがある。
グされる配線層４と厚い絶縁膜２との間には多結晶シリ
コン層８が設けられているだけである。このため、ボン
ディング作業中の衝撃が配線層４および多結晶シリコン
層８から厚い絶縁膜２に伝わり、この厚い絶縁膜２にク
ラックが生じることがある。
【０００７】この発明の目的は、ボンディングパッドに
おけるボンディング作業中の衝撃により、シリコン基板
上の厚い絶縁膜にクラックが生じることがなく、配線層
とその下地とが剥がれることのない半導体装置を提供す
ることにある。
おけるボンディング作業中の衝撃により、シリコン基板
上の厚い絶縁膜にクラックが生じることがなく、配線層
とその下地とが剥がれることのない半導体装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、半導体基板表面上に設けられた第１の絶
縁膜と、この第１の絶縁膜の上に設けた第１の配線層
と、この第１の配線層の上に設けられ、ボンディングワ
イヤの接触面より小さく且つ前記第１の配線層に達する
複数の開口部を有する第２の絶縁膜と、この第２の絶縁
膜の上および開口部内面に設けられ、前記開口部内にお
いて前記第１の配線層と接した第２の配線層とを具備す
ることを特徴としている。また、前記第１の絶縁膜と第
１の配線層との間に第３の絶縁膜と第３の配線層とを有
することを特徴としている。また、前記第１の配線層は
多結晶シリコンからなることを特徴としている。また、
前記第１の配線層はシリサイドからなることを特徴とし
ている。また、前記第１の配線層は多結晶シリコンとシ
リサイドとを積層した物からなることを特徴としてい
る。また、前記第２の配線層はチタンと窒化チタンとか
らなるバリアメタル層およびアルミニウム層からなるこ
とを特徴としている。また、前記第２の絶縁膜はＰＳＧ
またはＢＰＳＧからなることを特徴としている。
解決するため、半導体基板表面上に設けられた第１の絶
縁膜と、この第１の絶縁膜の上に設けた第１の配線層
と、この第１の配線層の上に設けられ、ボンディングワ
イヤの接触面より小さく且つ前記第１の配線層に達する
複数の開口部を有する第２の絶縁膜と、この第２の絶縁
膜の上および開口部内面に設けられ、前記開口部内にお
いて前記第１の配線層と接した第２の配線層とを具備す
ることを特徴としている。また、前記第１の絶縁膜と第
１の配線層との間に第３の絶縁膜と第３の配線層とを有
することを特徴としている。また、前記第１の配線層は
多結晶シリコンからなることを特徴としている。また、
前記第１の配線層はシリサイドからなることを特徴とし
ている。また、前記第１の配線層は多結晶シリコンとシ
リサイドとを積層した物からなることを特徴としてい
る。また、前記第２の配線層はチタンと窒化チタンとか
らなるバリアメタル層およびアルミニウム層からなるこ
とを特徴としている。また、前記第２の絶縁膜はＰＳＧ
またはＢＰＳＧからなることを特徴としている。
【０００９】
【作用】この発明は、第１の絶縁膜の上に第１の配線層
が設けられ、この第１の配線層の上に、ボンディングパ
ッドとボンディングワイヤとの接触面より小さく且つ第
１の配線層に達する複数の開口部を有する第２の絶縁膜
が設けられ、この第２の絶縁膜の上に第２の配線層が設
けられている。この第２の配線層の上にボンディングワ
イヤが接続されるため、ボンディング作業中の衝撃が第
１の配線層および第２の絶縁膜により緩和され、第１の
絶縁膜のクラックの発生を防止できる。また、前記第１
の配線層は多結晶シリコンまたはシリサイドまたは多結
晶シリコンとシリサイドとを積層した物からなり、前記
第２の配線層はバリアメタル層およびアルミニウム層か
らなるため、第１の配線層と第２の配線層とは密着性が
良い。従って、第１の配線層と第２の配線層との剥離を
防止できる。
が設けられ、この第１の配線層の上に、ボンディングパ
ッドとボンディングワイヤとの接触面より小さく且つ第
１の配線層に達する複数の開口部を有する第２の絶縁膜
が設けられ、この第２の絶縁膜の上に第２の配線層が設
けられている。この第２の配線層の上にボンディングワ
イヤが接続されるため、ボンディング作業中の衝撃が第
１の配線層および第２の絶縁膜により緩和され、第１の
絶縁膜のクラックの発生を防止できる。また、前記第１
の配線層は多結晶シリコンまたはシリサイドまたは多結
晶シリコンとシリサイドとを積層した物からなり、前記
第２の配線層はバリアメタル層およびアルミニウム層か
らなるため、第１の配線層と第２の配線層とは密着性が
良い。従って、第１の配線層と第２の配線層との剥離を
防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。
り説明する。
【００１１】図１は、この発明の第１の実施例の半導体
装置におけるボンディングパッドを示す平面図である。
ボンディングパッド９と図示せぬボンディングワイヤ−
との接触面１０はボンディングパッド９表面の略中央部
に位置しており、この接触面１０は直径約４０μｍの円
形となっている。このボンディングパッド９の表面には
複数の凹部１１が設けられており、この凹部１１は一辺
が５μｍの正方形となっている。この正方形の凹部１１
が５μｍの間隔で設けられている。
装置におけるボンディングパッドを示す平面図である。
ボンディングパッド９と図示せぬボンディングワイヤ−
との接触面１０はボンディングパッド９表面の略中央部
に位置しており、この接触面１０は直径約４０μｍの円
形となっている。このボンディングパッド９の表面には
複数の凹部１１が設けられており、この凹部１１は一辺
が５μｍの正方形となっている。この正方形の凹部１１
が５μｍの間隔で設けられている。
【００１２】図２は、図１に示す４−４線に沿った断面
図である。シリコン基板１の表面上には厚さ５０００オ
ングストロ−ムの熱酸化膜１２が設けられ、この熱酸化
膜１２の上には厚さ４０００オングストロ−ムの多結晶
シリコン層１３が設けられている。この層１３はシリサ
イドまたは多結晶シリコンとシリサイドとを積層した物
であっても良い。前記多結晶シリコン層１３の上には厚
さ８０００オングストロ−ムのＢＰＳＧ(borophosphosi
licate glass) から形成された層間絶縁膜（第１の層間
絶縁膜）１４が設けられている。この膜１４はＰＳＧ(p
hosphosilicateglass) から形成されたものであっても
良い。前記層間絶縁膜１４には複数の開口部１４ａが設
けられており、この開口部１４ａから多結晶シリコン層
１３が露出される。前記層間絶縁膜１４の上、開口部１
４ａの内側面および多結晶シリコン層１３上には配線層
１５が設けられ、この配線層１５が開口部１４ａに入り
込んだ部分に前記凹部１１が形成される。この配線層１
５は厚さ１０００オングストロ−ムのバリアメタル層１
６および厚さ５０００オングストロ−ムのアルミニウム
層１７から構成されており、バリアメタル層１６の上に
アルミニウム層１７が形成されている。前記バリアメタ
ル層１６は図示せぬ厚さ４００オングストロ−ムのチタ
ン層および厚さ６００オングストロ−ムの窒化チタン層
から形成されている。前記配線層１５は層間絶縁膜１４
の上に設けられた保護絶縁膜１８の開口部１８ａから露
出されている。この保護絶縁膜１８は厚さ１００００オ
ングストロ−ムのＰＳＧから形成されている。
図である。シリコン基板１の表面上には厚さ５０００オ
ングストロ−ムの熱酸化膜１２が設けられ、この熱酸化
膜１２の上には厚さ４０００オングストロ−ムの多結晶
シリコン層１３が設けられている。この層１３はシリサ
イドまたは多結晶シリコンとシリサイドとを積層した物
であっても良い。前記多結晶シリコン層１３の上には厚
さ８０００オングストロ−ムのＢＰＳＧ(borophosphosi
licate glass) から形成された層間絶縁膜（第１の層間
絶縁膜）１４が設けられている。この膜１４はＰＳＧ(p
hosphosilicateglass) から形成されたものであっても
良い。前記層間絶縁膜１４には複数の開口部１４ａが設
けられており、この開口部１４ａから多結晶シリコン層
１３が露出される。前記層間絶縁膜１４の上、開口部１
４ａの内側面および多結晶シリコン層１３上には配線層
１５が設けられ、この配線層１５が開口部１４ａに入り
込んだ部分に前記凹部１１が形成される。この配線層１
５は厚さ１０００オングストロ−ムのバリアメタル層１
６および厚さ５０００オングストロ−ムのアルミニウム
層１７から構成されており、バリアメタル層１６の上に
アルミニウム層１７が形成されている。前記バリアメタ
ル層１６は図示せぬ厚さ４００オングストロ−ムのチタ
ン層および厚さ６００オングストロ−ムの窒化チタン層
から形成されている。前記配線層１５は層間絶縁膜１４
の上に設けられた保護絶縁膜１８の開口部１８ａから露
出されている。この保護絶縁膜１８は厚さ１００００オ
ングストロ−ムのＰＳＧから形成されている。
【００１３】上記第１の実施例によれば、ボンディング
パッド９とボンディングワイヤとの接触面１０より小さ
く且つ多結晶シリコン層１３に達する開口部１４ａを複
数有する層間絶縁膜１４を設け、この層間絶縁膜１４の
上および開口部１４ａ内に配線層１５を設けている。従
って、この配線層１５の上にボンディングワイヤを接続
する際、その衝撃が多結晶シリコン層１３および層間絶
縁膜１４により緩和され、熱酸化膜１２のクラックの発
生を防止できる。また、前記配線層１５のうち下層はバ
リアメタル層１６からなるため、前記開口部１４ａの底
部における多結晶シリコン層１３と配線層１５とは密着
性が良い。従って、多結晶シリコン層１３と配線層１５
とは剥がれることがない。
パッド９とボンディングワイヤとの接触面１０より小さ
く且つ多結晶シリコン層１３に達する開口部１４ａを複
数有する層間絶縁膜１４を設け、この層間絶縁膜１４の
上および開口部１４ａ内に配線層１５を設けている。従
って、この配線層１５の上にボンディングワイヤを接続
する際、その衝撃が多結晶シリコン層１３および層間絶
縁膜１４により緩和され、熱酸化膜１２のクラックの発
生を防止できる。また、前記配線層１５のうち下層はバ
リアメタル層１６からなるため、前記開口部１４ａの底
部における多結晶シリコン層１３と配線層１５とは密着
性が良い。従って、多結晶シリコン層１３と配線層１５
とは剥がれることがない。
【００１４】図３は、この発明の第２の実施例を示すも
のであり、図２と同一部分には同一符号を付し、異なる
部分についてのみ説明する。即ち、この実施例において
は、熱酸化膜１２と第１の配線層（多結晶シリコン層）
１３との間に、厚さ４０００オングストロ−ムの多結晶
シリコン層からなる第２の配線層１９、および厚さ５０
００オングストロ−ムのＢＰＳＧからなる第２の層間絶
縁膜２０を設けている。
のであり、図２と同一部分には同一符号を付し、異なる
部分についてのみ説明する。即ち、この実施例において
は、熱酸化膜１２と第１の配線層（多結晶シリコン層）
１３との間に、厚さ４０００オングストロ−ムの多結晶
シリコン層からなる第２の配線層１９、および厚さ５０
００オングストロ−ムのＢＰＳＧからなる第２の層間絶
縁膜２０を設けている。
【００１５】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができ、しかも熱酸化膜１２と
第１の配線層１３との間に第２の配線層１９および第２
の層間絶縁膜２０を設けているため、一層ボンディング
作業中の衝撃を緩和できる。
と同様の効果を得ることができ、しかも熱酸化膜１２と
第１の配線層１３との間に第２の配線層１９および第２
の層間絶縁膜２０を設けているため、一層ボンディング
作業中の衝撃を緩和できる。
【００１６】尚、この発明の半導体装置は上記の実施例
に限定されることなく、層間絶縁膜に設ける開口部の大
きさはボンディングパッドとボンディングワイヤとの接
触面より充分小さければ良く、この開口部の形状が正方
形の場合は一辺の長さが１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、開口部の形状は長方形または円形であって
も良く、種々変更可能である。
に限定されることなく、層間絶縁膜に設ける開口部の大
きさはボンディングパッドとボンディングワイヤとの接
触面より充分小さければ良く、この開口部の形状が正方
形の場合は一辺の長さが１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、開口部の形状は長方形または円形であって
も良く、種々変更可能である。
【００１７】さらに、前記熱酸化膜と多結晶シリコン層
との間には複数の配線層および層間絶縁膜を設けても良
く、前記第２の配線層および第２の層間絶縁膜の材質は
多結晶シリコン層およびＢＰＳＧ以外の材料を用いても
良い。
との間には複数の配線層および層間絶縁膜を設けても良
く、前記第２の配線層および第２の層間絶縁膜の材質は
多結晶シリコン層およびＢＰＳＧ以外の材料を用いても
良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
第１の絶縁膜の上に第１の配線層を設け、この第１の配
線層の上に、ボンディングパッドとボンディングワイヤ
との接触面より小さく且つ第１の配線層に達する複数の
開口部を有する第２の絶縁膜を設け、この第２の絶縁膜
の上および開口部内面にボンディングパッドとしての第
２の配線層を設けている。このため、ボンディング作業
中の衝撃が第１の配線層および第２の絶縁膜により緩和
され、第１の絶縁膜のクラックの発生を防止できる。し
かも、前記第１の配線層は多結晶シリコンまたはシリサ
イドまたは多結晶シリコンとシリサイドとを積層した物
からなり、前記第２の配線層はバリアメタル層およびア
ルミニウム層からなるため、第１の配線層と第２の配線
層とは密着性が良い。従って、第１の配線層と第２の配
線層との剥離を防止できる。
第１の絶縁膜の上に第１の配線層を設け、この第１の配
線層の上に、ボンディングパッドとボンディングワイヤ
との接触面より小さく且つ第１の配線層に達する複数の
開口部を有する第２の絶縁膜を設け、この第２の絶縁膜
の上および開口部内面にボンディングパッドとしての第
２の配線層を設けている。このため、ボンディング作業
中の衝撃が第１の配線層および第２の絶縁膜により緩和
され、第１の絶縁膜のクラックの発生を防止できる。し
かも、前記第１の配線層は多結晶シリコンまたはシリサ
イドまたは多結晶シリコンとシリサイドとを積層した物
からなり、前記第２の配線層はバリアメタル層およびア
ルミニウム層からなるため、第１の配線層と第２の配線
層とは密着性が良い。従って、第１の配線層と第２の配
線層との剥離を防止できる。
【図１】この発明の第１の実施例の半導体装置における
ボンディングパッドを示す平面図。
ボンディングパッドを示す平面図。
【図２】この発明の第１の実施例の図１に示す４−４線
に沿った断面図。
に沿った断面図。
【図３】この発明の第２の実施例を示すものであり、図
２を変形した断面図。
２を変形した断面図。
【図４】従来の半導体装置におけるボンディングパッド
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】従来の半導体装置におけるボンディングパッド
を示す断面図。
を示す断面図。
1 …シリコン基板、9 …ボンディングパッド、10…ボン
ディングパッドとボンディングワイヤとの接触面、11…
凹部、12…熱酸化膜、13…多結晶シリコン層（第１の配
線層）、14…層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）、15…配
線層、16…バリアメタル層、17…アルミニウム層、18…
保護絶縁膜、19…第２の配線層、20…第２の層間絶縁膜
ディングパッドとボンディングワイヤとの接触面、11…
凹部、12…熱酸化膜、13…多結晶シリコン層（第１の配
線層）、14…層間絶縁膜（第１の層間絶縁膜）、15…配
線層、16…バリアメタル層、17…アルミニウム層、18…
保護絶縁膜、19…第２の配線層、20…第２の層間絶縁膜
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板表面上に設けられた第１の絶
縁膜と、 前記第１の絶縁膜の上に設けられた第１の配線層と、 前記第１の配線層の上に設けられ、ボンディングワイヤ
の接触面より小さく且つ前記第１の配線層に達する複数
の開口部を有する第２の絶縁膜と、 前記第２の絶縁膜の上および開口部内面に設けられ、前
記開口部内において前記第１の配線層と接した第２の配
線層とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の絶縁膜と前記第１の配線層と
の間に第３の絶縁膜と第３の配線層とを有することを特
徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記第１の配線層は多結晶シリコンから
なることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記第１の配線層はシリサイドからなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記第１の配線層は多結晶シリコンとシ
リサイドとを積層した物からなることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記第２の配線層はチタンと窒化チタン
とからなるバリアメタル層およびアルミニウム層からな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項７】 前記第２の絶縁膜はＰＳＧまたはＢＰＳ
Ｇからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165590A JPH065653A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4165590A JPH065653A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065653A true JPH065653A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15815248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4165590A Pending JPH065653A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065653A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723628B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-04-20 | Seiko Epson Corporation | Method for forming bonding pad structures in semiconductor devices |
| US6812123B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-11-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
| CN109300913A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-02-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| JP2021150587A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP4165590A patent/JPH065653A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723628B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-04-20 | Seiko Epson Corporation | Method for forming bonding pad structures in semiconductor devices |
| US6812123B2 (en) | 2000-03-27 | 2004-11-02 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
| CN109300913A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-02-01 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| CN109300913B (zh) * | 2018-09-27 | 2020-11-27 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
| JP2021150587A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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