JPH0656776A - 4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体、その製造方法および中間体としての用途 - Google Patents
4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体、その製造方法および中間体としての用途Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
- C07D209/04—Indoles; Hydrogenated indoles
- C07D209/30—Indoles; Hydrogenated indoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, directly attached to carbon atoms of the hetero ring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 合成中間体として有用な4−ヒドロキシフェ
ニルチオ誘導体を提供する。 【構成】 一般式(I) 【化1】 〔式中、R1およびR2は同一または異なってもよく、そ
れぞれ水素、メチル、またはエチル基、またはハロゲン
原子を表わし、Rは(C1〜C6)アルキル、(C3〜
C6)シクロアルキル、またはフェニル基、R3は水素ま
たはハロゲン原子、Xは−O−、−S−、または−NR
4−(ここで、R4は水素または(C1〜C4)アルキル
基)を表わす〕で示される4−ヒドロキシフェニルチオ
誘導体を提供する。この化合物は薬学的に有効な化合物
の合成中間体、特にアミノアルコキシフェニルスルホニ
ル誘導体の製造の中間体として有用である。
ニルチオ誘導体を提供する。 【構成】 一般式(I) 【化1】 〔式中、R1およびR2は同一または異なってもよく、そ
れぞれ水素、メチル、またはエチル基、またはハロゲン
原子を表わし、Rは(C1〜C6)アルキル、(C3〜
C6)シクロアルキル、またはフェニル基、R3は水素ま
たはハロゲン原子、Xは−O−、−S−、または−NR
4−(ここで、R4は水素または(C1〜C4)アルキル
基)を表わす〕で示される4−ヒドロキシフェニルチオ
誘導体を提供する。この化合物は薬学的に有効な化合物
の合成中間体、特にアミノアルコキシフェニルスルホニ
ル誘導体の製造の中間体として有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に新規置換チオ
フェノール類、その製造方法、およびアミノアルコキシ
フェニルスルホニル誘導体の合成中間体としてのそれら
の用途に関するものである。
フェノール類、その製造方法、およびアミノアルコキシ
フェニルスルホニル誘導体の合成中間体としてのそれら
の用途に関するものである。
【0002】
【発明の構成】より明確には、この発明の対象は、一般
式(I)
式(I)
【化16】 〔式中、R1およびR2は同一または異なってもよく、そ
れぞれ水素、メチルまたはエチル基、または塩素、臭
素、またはヨウ素のようなハロゲン原子を表わし、Rは
(C1〜C6)アルキル、(C3〜C6)シクロアルキル、
またはフェニル基、R3は水素、または塩素または臭素
のようなハロゲン原子、Xは−O−、−S−、または−
NR4−(ここで、R4は水素または(C1〜C4)アルキ
ル基)を表わす〕で示される4−ヒドロキシフェニルチ
オ誘導体である。
れぞれ水素、メチルまたはエチル基、または塩素、臭
素、またはヨウ素のようなハロゲン原子を表わし、Rは
(C1〜C6)アルキル、(C3〜C6)シクロアルキル、
またはフェニル基、R3は水素、または塩素または臭素
のようなハロゲン原子、Xは−O−、−S−、または−
NR4−(ここで、R4は水素または(C1〜C4)アルキ
ル基)を表わす〕で示される4−ヒドロキシフェニルチ
オ誘導体である。
【0003】即ち、上記の定義を考慮すると、Rは特に
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、n−ペンチル、n−ヘキシル、またはシクロプロ
ピル基を表す。
メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブ
チル、n−ペンチル、n−ヘキシル、またはシクロプロ
ピル基を表す。
【0004】式(I)の化合物で、R1およびR2はそれ
ぞれ水素、R3は水素または塩素原子を表わし、Xは基
−NR4−(ここで、R4は水素またはメチル基)を表わ
す化合物は、この発明の特に好ましい化合物である。
ぞれ水素、R3は水素または塩素原子を表わし、Xは基
−NR4−(ここで、R4は水素またはメチル基)を表わ
す化合物は、この発明の特に好ましい化合物である。
【0005】さらに特に好ましい一連の化合物は、Xが
−NR4−基を表わす式(I)で表わされる。
−NR4−基を表わす式(I)で表わされる。
【0006】上記の式(I)において、4−ヒドロキシ
フェニルチオ基はヘテロ環の2位を占め、R基は3位を
占めることができ、あるいはその逆であってもよく、従
って置換3−R−2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)
−ベンゾフラン、−ベンゾチオフェン、または−インド
ールを生成し、もしくは置換2−R−3−(4−ヒドロ
キシフェニルチオ)−ベンゾフラン、−ベンゾチオフェ
ン、または−インドールを生成し得る。ただし式(I)
の置換3−R−2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−
インドールが好ましい。
フェニルチオ基はヘテロ環の2位を占め、R基は3位を
占めることができ、あるいはその逆であってもよく、従
って置換3−R−2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)
−ベンゾフラン、−ベンゾチオフェン、または−インド
ールを生成し、もしくは置換2−R−3−(4−ヒドロ
キシフェニルチオ)−ベンゾフラン、−ベンゾチオフェ
ン、または−インドールを生成し得る。ただし式(I)
の置換3−R−2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−
インドールが好ましい。
【0007】この発明の化合物は、中間体として特に有
用であることが判明し、特に一般式(II)
用であることが判明し、特に一般式(II)
【化17】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは前記と同意義
である)で示される4−ヒドロキシフェニルスルホニル
誘導体の製造に中間体として有用である。
である)で示される4−ヒドロキシフェニルスルホニル
誘導体の製造に中間体として有用である。
【0008】これらの式(II)の化合物は、それ自体、
多くの生成物製造の中間体として広く使用されるが、特
に一般式(III)
多くの生成物製造の中間体として広く使用されるが、特
に一般式(III)
【化18】 〔式中、R、R1、R2、R3およびXは前記と同意義で
あり、Aは(C2〜C5)アルキレン、または2−ヒドロ
キシプロピレン基であって、Amは置換アミノ基、特に
下式
あり、Aは(C2〜C5)アルキレン、または2−ヒドロ
キシプロピレン基であって、Amは置換アミノ基、特に
下式
【化19】 〔式中、R5は水素、または(C1〜C8)アルキル基、
R6は(C1〜C8)アルキル基、または下式 −Alk−R7 {ここで、Alkは単結合または(C1〜C5)アルキレ
ン基、R7はピリジル、フェニル、2,3−メチレンジ
オキシフェニル、または3,4−メチレンジオキシフェ
ニル基、またはハロゲン原子、(C1〜C4)アルキル
基、または(C1〜C4)アルコキシ基の中から選ばれた
1または多数の同一または異なった置換基によって置換
されたフェニル基を表す基である}であり、またはR5
およびR6は互いに一緒になって、(C3〜C6)アルキ
レン、または所望により−O−、−NH−、−N=、ま
たは−NR8−(ここで、R8は(C1〜C4)アルキル、
フェニル、またはジフェニルメチル基を表わす)によっ
て中断されるアルキレン基を表わし、従ってR5および
R6は、それらが結合している窒素原子と一緒になっ
て、特にピロリジニル、ピペリジニル、モルホリニル、
ピペラジニル、4−メチルピペラジニル、4−フェニル
ピペラジニル、または1H−イミダソリル基を表わし、
または下式
R6は(C1〜C8)アルキル基、または下式 −Alk−R7 {ここで、Alkは単結合または(C1〜C5)アルキレ
ン基、R7はピリジル、フェニル、2,3−メチレンジ
オキシフェニル、または3,4−メチレンジオキシフェ
ニル基、またはハロゲン原子、(C1〜C4)アルキル
基、または(C1〜C4)アルコキシ基の中から選ばれた
1または多数の同一または異なった置換基によって置換
されたフェニル基を表す基である}であり、またはR5
およびR6は互いに一緒になって、(C3〜C6)アルキ
レン、または所望により−O−、−NH−、−N=、ま
たは−NR8−(ここで、R8は(C1〜C4)アルキル、
フェニル、またはジフェニルメチル基を表わす)によっ
て中断されるアルキレン基を表わし、従ってR5および
R6は、それらが結合している窒素原子と一緒になっ
て、特にピロリジニル、ピペリジニル、モルホリニル、
ピペラジニル、4−メチルピペラジニル、4−フェニル
ピペラジニル、または1H−イミダソリル基を表わし、
または下式
【化20】 {式中、R5は前記と同意義であって、R9、R'9および
R"9は同一または異なってもよく、それぞれ水素、塩素
または臭素のようなハロゲン原子、または(C1〜C4)
アルキル、または(C1〜C4)アルコキシ基、nおよび
mは同一または異なってもよく、それぞれ0、1、2ま
たは3を表わす}で示される基である〕で示されるアミ
ノアルコキシフェニルスルホニル誘導体、または製薬上
許容し得るその塩の製造の最終合成の中間体として有用
である。
R"9は同一または異なってもよく、それぞれ水素、塩素
または臭素のようなハロゲン原子、または(C1〜C4)
アルキル、または(C1〜C4)アルコキシ基、nおよび
mは同一または異なってもよく、それぞれ0、1、2ま
たは3を表わす}で示される基である〕で示されるアミ
ノアルコキシフェニルスルホニル誘導体、または製薬上
許容し得るその塩の製造の最終合成の中間体として有用
である。
【0009】そのような式(III)で示されるアミノア
ルコキシフェニルスルホニル誘導体は、特に特許または
特許出願公開EP−A−0302793号、同0382
618号、同0382628号、および同第03826
29号に報告されている。
ルコキシフェニルスルホニル誘導体は、特に特許または
特許出願公開EP−A−0302793号、同0382
618号、同0382628号、および同第03826
29号に報告されている。
【0010】これらの化合物は、その治療的応用の点で
特に有用であり、とりわけそれらのカルシウム輸送に対
する阻害作用、およびその徐脈、降圧、または抗アドレ
ナリン作用性によって、ある種の心脈管系の病理学的症
状の処置に有用であり、特に狭心症、高血圧症、不整
脈、または脳循環不全等の処置に有用であることが判明
した。抗腫瘍剤の分野では、これらの化合物は抗ガン作
用増強剤として有用であり得る。
特に有用であり、とりわけそれらのカルシウム輸送に対
する阻害作用、およびその徐脈、降圧、または抗アドレ
ナリン作用性によって、ある種の心脈管系の病理学的症
状の処置に有用であり、特に狭心症、高血圧症、不整
脈、または脳循環不全等の処置に有用であることが判明
した。抗腫瘍剤の分野では、これらの化合物は抗ガン作
用増強剤として有用であり得る。
【0011】この系統のアミノアルコキシフェニルスル
ホニル誘導体のうちで、特に代表的な化合物としては1
−メチル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N−
メチル−N−(3,4−ジメトキシ−β−フェネチル)
アミノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インドー
ル、および製薬上許容し得るその塩類(化合物A)、1
−メチル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N−
メチル−N−(3,5−ジメトキシ−β−フェネチル)
アミノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インドー
ル、および製薬上許容し得るその塩類(化合物B)、2
−〔4−{3−〔N−メチル−N−(3,4−ジメトキ
シ−β−フェネチル)アミノ〕プロポキシ}フェニルス
ルホニル〕−5−クロロ−3−イソプロピル−1−メチ
ルインドール、および製薬上許容し得るその塩類(化合
物C)が挙げられ得る。
ホニル誘導体のうちで、特に代表的な化合物としては1
−メチル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N−
メチル−N−(3,4−ジメトキシ−β−フェネチル)
アミノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インドー
ル、および製薬上許容し得るその塩類(化合物A)、1
−メチル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N−
メチル−N−(3,5−ジメトキシ−β−フェネチル)
アミノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インドー
ル、および製薬上許容し得るその塩類(化合物B)、2
−〔4−{3−〔N−メチル−N−(3,4−ジメトキ
シ−β−フェネチル)アミノ〕プロポキシ}フェニルス
ルホニル〕−5−クロロ−3−イソプロピル−1−メチ
ルインドール、および製薬上許容し得るその塩類(化合
物C)が挙げられ得る。
【0012】上記の特許には、ヘテロ環4−ヒドロキシ
フェニルスルホニル誘導体、特にベンゾフラン、ベンゾ
チオフェン、またはインドールの4−ヒドロキシフェニ
ルスルホニル誘導体から出発するヘテロ環アミノアルコ
キシフェニルスルホニル誘導体の製造方法が報告されて
いる。またこれらの特許には、これらの4−ヒドロキシ
フェニルスルホニル誘導体の合成方法が報告されてい
る。この方法には、特にヘテロ環4−メトキシフェニル
チオ誘導体の3−クロロ過安息香酸による酸化反応が含
まれている。
フェニルスルホニル誘導体、特にベンゾフラン、ベンゾ
チオフェン、またはインドールの4−ヒドロキシフェニ
ルスルホニル誘導体から出発するヘテロ環アミノアルコ
キシフェニルスルホニル誘導体の製造方法が報告されて
いる。またこれらの特許には、これらの4−ヒドロキシ
フェニルスルホニル誘導体の合成方法が報告されてい
る。この方法には、特にヘテロ環4−メトキシフェニル
チオ誘導体の3−クロロ過安息香酸による酸化反応が含
まれている。
【0013】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】例え
ばヨーロッパ特許出願公開EP−A−0302793号
には、この形式の酸化反応を含んだ方法により、3−イ
ソプロピルインドールから出発する3−イソプロピル−
1−メチル−2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニ
ル)インドールの4段階合成が報告されている。
ばヨーロッパ特許出願公開EP−A−0302793号
には、この形式の酸化反応を含んだ方法により、3−イ
ソプロピルインドールから出発する3−イソプロピル−
1−メチル−2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニ
ル)インドールの4段階合成が報告されている。
【0014】この方法は(a)3−イソプロピルインド
ールを4−メトキシベンゼンチオールと結合させて、3
−イソプロピル−2−(4−メトキシフェニルチオ)イ
ンドールを得(収量、純粋な生成物の72%)、(b)
この化合物を3−クロロ過安息香酸で酸化して、3−イ
ソプロピル−2−(4−メトキシフェニルスルホニル)
インドールを得て(収量、90%)、(c)得られた化
合物を、水素化ナトリウムの存在でヨー化メチルによっ
てメチル化して、1−メチル−3−イソプロピル−2−
(4−メトキシフェニルスルホニル)インドールを得
(収量、85%)、(d)2−メルカプトエタノール/
水素化ナトリウムを使用して、この化合物をO−脱保護
し、最後に所望の化合物を製造する(収量、45.9
%)ことからなる。
ールを4−メトキシベンゼンチオールと結合させて、3
−イソプロピル−2−(4−メトキシフェニルチオ)イ
ンドールを得(収量、純粋な生成物の72%)、(b)
この化合物を3−クロロ過安息香酸で酸化して、3−イ
ソプロピル−2−(4−メトキシフェニルスルホニル)
インドールを得て(収量、90%)、(c)得られた化
合物を、水素化ナトリウムの存在でヨー化メチルによっ
てメチル化して、1−メチル−3−イソプロピル−2−
(4−メトキシフェニルスルホニル)インドールを得
(収量、85%)、(d)2−メルカプトエタノール/
水素化ナトリウムを使用して、この化合物をO−脱保護
し、最後に所望の化合物を製造する(収量、45.9
%)ことからなる。
【0015】従って3−イソプロピル−1−メチル−2
−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)インドールは
この方法よって合成できるが、3−イソプロピルインド
ールからの通算収率は低く約28%である。
−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)インドールは
この方法よって合成できるが、3−イソプロピルインド
ールからの通算収率は低く約28%である。
【0016】しかも2−メルカプトエタノールを使用す
ると、式(II)の4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘
導体に吐き気を催す臭気が残り、その臭気は式(III)
の目的とするアミノアルコキシフェニルスルホニル誘導
体でも認められる。
ると、式(II)の4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘
導体に吐き気を催す臭気が残り、その臭気は式(III)
の目的とするアミノアルコキシフェニルスルホニル誘導
体でも認められる。
【0017】ここに説明した方法は、特に酸化段階で保
護基を有するヒドロキシル基(この場合はメトキシ基)
を含むフェニルチオ誘導体を使用することを特徴とする
が、保護基を有するヒドロキシル基は、遊離ヒドロキシ
ル基を再生するため、その後の操作で脱保護する必要が
ある。
護基を有するヒドロキシル基(この場合はメトキシ基)
を含むフェニルチオ誘導体を使用することを特徴とする
が、保護基を有するヒドロキシル基は、遊離ヒドロキシ
ル基を再生するため、その後の操作で脱保護する必要が
ある。
【0018】遊離ヒドロキシル官能基はかなり容易に酸
化され得るので、この基が酸化剤に対して敏感であるこ
とはよく知られており、酸化/脱保護の組合せを用いる
理由はこの事実によって説明できる〔メトーデン・デア
・オルガニッシェン・ヒェミー(Methoden der Organisc
hen Chemie)、フーベン−ワイル(Houben-Weyl)、VI/1
c巻、フェノール・タイル(Phenole Teil) 2、112
1頁〕。
化され得るので、この基が酸化剤に対して敏感であるこ
とはよく知られており、酸化/脱保護の組合せを用いる
理由はこの事実によって説明できる〔メトーデン・デア
・オルガニッシェン・ヒェミー(Methoden der Organisc
hen Chemie)、フーベン−ワイル(Houben-Weyl)、VI/1
c巻、フェノール・タイル(Phenole Teil) 2、112
1頁〕。
【0019】容易に入手可能で高価でない合成中間体を
使用して、満足すべき目的生成物の収量で、式(II)の
ヘテロ環4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体を製
造する工業的な方法の探索は、まぎれもない興味の対象
としてなお存続している。
使用して、満足すべき目的生成物の収量で、式(II)の
ヘテロ環4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体を製
造する工業的な方法の探索は、まぎれもない興味の対象
としてなお存続している。
【0020】
【課題を解決するための手段】予想外にもこの発明によ
って、保護基を有するヒドロキシル基ではなく、遊離ヒ
ドロキシル基を含んでいるヘテロ環フェニルチオ誘導体
の酸化によって、ヘテロ環4−ヒドロキシフェニルスル
ホニルインドール誘導体、特に2−または3−(4−ヒ
ドロキシフェニルスルホニル)誘導体を優れた収量で製
造できることが判明した。
って、保護基を有するヒドロキシル基ではなく、遊離ヒ
ドロキシル基を含んでいるヘテロ環フェニルチオ誘導体
の酸化によって、ヘテロ環4−ヒドロキシフェニルスル
ホニルインドール誘導体、特に2−または3−(4−ヒ
ドロキシフェニルスルホニル)誘導体を優れた収量で製
造できることが判明した。
【0021】この発明では、例えば3−クロロ過安息香
酸または一過フタル酸マグネシウムのような好適な酸化
剤を使用し、所望の化合物を提供する好適な溶媒中で式
(I)のフェニルチオ誘導体を酸化することにより、式
(II)の化合物を製造する。
酸または一過フタル酸マグネシウムのような好適な酸化
剤を使用し、所望の化合物を提供する好適な溶媒中で式
(I)のフェニルチオ誘導体を酸化することにより、式
(II)の化合物を製造する。
【0022】一般に酸化は−5℃から室温の間の温度、
好ましくは0℃から室温の間の温度で起こる。
好ましくは0℃から室温の間の温度で起こる。
【0023】溶媒としては、例えばN,N−ジメチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、2−メチ
ルピロリドン、またはヘキサメチルリン酸トリアミドの
ようなアミド基を含んでいる極性溶媒、例えばメタノー
ル、またはエタノールのような低級アルコール、または
アセトニトリルのようなニトリルが使用できる。N,N
−ジメチルホルムアミドは特に好ましい溶媒である。
ルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、2−メチ
ルピロリドン、またはヘキサメチルリン酸トリアミドの
ようなアミド基を含んでいる極性溶媒、例えばメタノー
ル、またはエタノールのような低級アルコール、または
アセトニトリルのようなニトリルが使用できる。N,N
−ジメチルホルムアミドは特に好ましい溶媒である。
【0024】一般に式(I)の化合物1当量当たり、2
〜2.5当量の酸化剤、好ましくは3−クロロ過安息香
酸または一過フタル酸マグネシウムを使用する。
〜2.5当量の酸化剤、好ましくは3−クロロ過安息香
酸または一過フタル酸マグネシウムを使用する。
【0025】またアルカリ金属、またはアルカリ土類金
属の炭酸塩または重炭酸塩のような弱塩基を追加的に加
えることによって、反応混合物の緩衝化を考慮すること
もできる。
属の炭酸塩または重炭酸塩のような弱塩基を追加的に加
えることによって、反応混合物の緩衝化を考慮すること
もできる。
【0026】式(I)の化合物は、先行方法の不都合な
点を回避して、極めて都合よく、式(II)の化合物へ接
近する手段を提供できる。
点を回避して、極めて都合よく、式(II)の化合物へ接
近する手段を提供できる。
【0027】実際、式(I)の4−ヒドロキシフェニル
チオ誘導体から4−ヒドロキシフェニルスルホニル鎖の
生成は、2倍の反応、即ち、まず酸化反応、ついでヒド
ロキシル基の脱保護反応を用いることが必要である先行
方法とは対照的に、単一の反応によって実施することが
できる。
チオ誘導体から4−ヒドロキシフェニルスルホニル鎖の
生成は、2倍の反応、即ち、まず酸化反応、ついでヒド
ロキシル基の脱保護反応を用いることが必要である先行
方法とは対照的に、単一の反応によって実施することが
できる。
【0028】そのうえ式(I)の化合物は、先行技術に
よって得られるよりかなり高い、特に優れた収量で式
(II)の化合物の合成を可能とする。
よって得られるよりかなり高い、特に優れた収量で式
(II)の化合物の合成を可能とする。
【0029】例えば1−メチル−3−イソプロピル−2
−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)インドール
は、全部で4段階を必要とする先行技術とは対照的に、
3−イソプロピルインドールから2−(4−ヒドロキシ
フェニルチオ)−1−メチル−3−イソプロピルインド
ールを経る3段階を用いて作成することができる。その
うえ既知の方法の通算収率は、3−イソプロピルインド
ールから65〜70%程度であるから、この発明によっ
て得られる通算収率は、既知の方法によって提供される
より一層高い収量であることが分かる。
−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)インドール
は、全部で4段階を必要とする先行技術とは対照的に、
3−イソプロピルインドールから2−(4−ヒドロキシ
フェニルチオ)−1−メチル−3−イソプロピルインド
ールを経る3段階を用いて作成することができる。その
うえ既知の方法の通算収率は、3−イソプロピルインド
ールから65〜70%程度であるから、この発明によっ
て得られる通算収率は、既知の方法によって提供される
より一層高い収量であることが分かる。
【0030】従って式(I)の4−ヒドロキシフェニル
チオ誘導体は、特に例えば式(II)の4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニル誘導体の製造の合成中間体として、有
用な新規工業的生成物であり、この発明の範囲に包含さ
れる。
チオ誘導体は、特に例えば式(II)の4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニル誘導体の製造の合成中間体として、有
用な新規工業的生成物であり、この発明の範囲に包含さ
れる。
【0031】式(I)の化合物は、一般式(IV)
【化21】 (式中、R、R3、およびXは前記と同意義である)で
示される化合物を、一般式(V)
示される化合物を、一般式(V)
【化22】 (式中、R1およびR2は前記と同意義である)で示され
るチオフェノールと、(C1〜C4)アルコール(例えば
エタノール)、またはアミド(例えばN,N−ジメチル
ホルムアミドまたはヘキサメチルリン酸トリアミド)を
含有する水溶液のような好適な溶媒中、ヨウ素の存在
で、好ましくは反応混合物の還流温度で反応させ、所望
の化合物を製造することによって得ることができる。
るチオフェノールと、(C1〜C4)アルコール(例えば
エタノール)、またはアミド(例えばN,N−ジメチル
ホルムアミドまたはヘキサメチルリン酸トリアミド)を
含有する水溶液のような好適な溶媒中、ヨウ素の存在
で、好ましくは反応混合物の還流温度で反応させ、所望
の化合物を製造することによって得ることができる。
【0032】式(IV)および(V)の化合物は、既知の
方法よって得ることができる既知化合物である。
方法よって得ることができる既知化合物である。
【0033】例えばXが基−NR4−(ここで、R4は水
素以外の基)を表わす式(IV)の化合物は、式(IV)の
化合物(ここで、Xは−NH−を表わす)を所望により
金属誘導体の形で、一般式(VI) Hal−R4 (VI) (ここで、Halはハロゲン原子、例えばヨウ素を表わ
し、R4は水素以外の前記と同意義の基を表わす)で示
されるハロゲン化物で処理することによって得ることが
できる。
素以外の基)を表わす式(IV)の化合物は、式(IV)の
化合物(ここで、Xは−NH−を表わす)を所望により
金属誘導体の形で、一般式(VI) Hal−R4 (VI) (ここで、Halはハロゲン原子、例えばヨウ素を表わ
し、R4は水素以外の前記と同意義の基を表わす)で示
されるハロゲン化物で処理することによって得ることが
できる。
【0034】式(IV)の化合物(ここで、Xは−NH−
を表わす)の金属誘導体を優先的に使用するが、この金
属誘導体は、上記の式(IV)の化合物(ここで、Xは−
NH−を表わす)を、水素化アルカリ金属(例えば水素
化ナトリウム)またはアルコキシド(例えばカリウム第
3級ブトキシド)で処理することによって得られる。
を表わす)の金属誘導体を優先的に使用するが、この金
属誘導体は、上記の式(IV)の化合物(ここで、Xは−
NH−を表わす)を、水素化アルカリ金属(例えば水素
化ナトリウム)またはアルコキシド(例えばカリウム第
3級ブトキシド)で処理することによって得られる。
【0035】前述のように、式(I)の4−ヒドロキシ
フェニルチオ誘導体は、式(III)のアミノアルコキシ
フェニルスルホニル誘導体の製造に使用できる。
フェニルチオ誘導体は、式(III)のアミノアルコキシ
フェニルスルホニル誘導体の製造に使用できる。
【0036】従って式(I)の4−ヒドロキシフェニル
チオ誘導体もまた、式(III)のアミノアルコキシフェ
ニルスルホニル誘導体の最終合成の中間体、特に化合物
A、B、またはCの合成の中間体としてこの発明の範囲
に包含される。
チオ誘導体もまた、式(III)のアミノアルコキシフェ
ニルスルホニル誘導体の最終合成の中間体、特に化合物
A、B、またはCの合成の中間体としてこの発明の範囲
に包含される。
【0037】例えば(a)式(II)の化合物を、塩基性
試薬の存在で、一般式(VII) Hal−A−Hal (VII) (ここで、Aは前記と同意義であって、Halはハロゲ
ン原子、好ましくは臭素を表わす)で示されるジハロゲ
ン化アルカンと、好適な溶媒、一般にメチルエチルケト
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエ
ン、またはキシレンのような極性または非極性溶媒中で
還流温度で結合させ、あるいは(b1)一般式(VIII) Hal−A−OH (VIII) (ここで、AおよびHalは前記と同意義である)で示
されるハロゲン化アルコールと、N,N−ジメチルホル
ムアミドのような溶媒中で、塩基性試薬の存在で結合さ
せ、ついで得られた置換アルコールを、一般式(IX) Hal−W (IX) 〔ここで、Halは前記と同意義、Wは(C1〜C4)ア
ルキルスルホニル基、例えばメタンスルホニル基、また
は(C6〜C10)アリールスルホニル基、例えばフェニ
ルスルホニル、またはp−トルエンスルホニル基を表わ
す〕で示されるハロゲン化物と酸受容溶媒(例えばピリ
ジン)中で結合させ、あるいは(b2)塩基性試薬の存
在で、メチルエチルケトンのような極性溶媒中で、エピ
ハロゲンヒドリン(例えばエピクロロヒドリン)と還流
温度で加熱して、一般式(X)
試薬の存在で、一般式(VII) Hal−A−Hal (VII) (ここで、Aは前記と同意義であって、Halはハロゲ
ン原子、好ましくは臭素を表わす)で示されるジハロゲ
ン化アルカンと、好適な溶媒、一般にメチルエチルケト
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエ
ン、またはキシレンのような極性または非極性溶媒中で
還流温度で結合させ、あるいは(b1)一般式(VIII) Hal−A−OH (VIII) (ここで、AおよびHalは前記と同意義である)で示
されるハロゲン化アルコールと、N,N−ジメチルホル
ムアミドのような溶媒中で、塩基性試薬の存在で結合さ
せ、ついで得られた置換アルコールを、一般式(IX) Hal−W (IX) 〔ここで、Halは前記と同意義、Wは(C1〜C4)ア
ルキルスルホニル基、例えばメタンスルホニル基、また
は(C6〜C10)アリールスルホニル基、例えばフェニ
ルスルホニル、またはp−トルエンスルホニル基を表わ
す〕で示されるハロゲン化物と酸受容溶媒(例えばピリ
ジン)中で結合させ、あるいは(b2)塩基性試薬の存
在で、メチルエチルケトンのような極性溶媒中で、エピ
ハロゲンヒドリン(例えばエピクロロヒドリン)と還流
温度で加熱して、一般式(X)
【化23】 〔式中、R、R1、R2、R3、およびXは前記と同意義
であり、Zは一般式 A−Z1 {ここで、Aは前記と同意義、Z1はハロゲン原子、ま
たは(C1〜C4)アルキルスルホニルオキシ基、または
(C6〜C10)アリールスルホニルオキシ基である}で
示される基を表わす〕で示されるヘテロ環スルホニル誘
導体を製造する一連の段階を含む手順を用いることによ
って、式(I)の4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体か
ら、それ自体、この発明によって得られた式(II)の4
−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体から出発して、
式(III)の化合物を製造することができる。
であり、Zは一般式 A−Z1 {ここで、Aは前記と同意義、Z1はハロゲン原子、ま
たは(C1〜C4)アルキルスルホニルオキシ基、または
(C6〜C10)アリールスルホニルオキシ基である}で
示される基を表わす〕で示されるヘテロ環スルホニル誘
導体を製造する一連の段階を含む手順を用いることによ
って、式(I)の4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体か
ら、それ自体、この発明によって得られた式(II)の4
−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体から出発して、
式(III)の化合物を製造することができる。
【0038】式(II)の化合物の処理の際に使用される
塩基性試薬は、一般に例えば炭酸カリウムのようなアル
カリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウ
ムのようなアルカリ金属水酸化物、水素化ナトリウムの
ような水素化アルカリ金属、または例えばナトリムメト
キシドまたはナトリウムエトキシドのようなアルカリ金
属アルコキシドである。
塩基性試薬は、一般に例えば炭酸カリウムのようなアル
カリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウ
ムのようなアルカリ金属水酸化物、水素化ナトリウムの
ような水素化アルカリ金属、または例えばナトリムメト
キシドまたはナトリウムエトキシドのようなアルカリ金
属アルコキシドである。
【0039】ついで式(X)の誘導体を、一般式(XI) H−Am (XI) (ここで、Amは前記と同意義である)で示されるアミ
ンと反応させ、ここで反応は、酸受容体の存在で、好適
な溶媒、一般にアルコール(例えばブタノール)、ケト
ン(例えばメチルエチルケトン)、芳香族炭化水素(例
えばベンゼン、トルエン、またはキシレン)のような極
性溶媒中で、または式(XI)のアミンの過剰量の存在で
起こり、式(III)の化合物を遊離塩基の形で製造し、
この化合物を、所望により好適な酸と反応させて、製薬
上許容し得るこの化合物の塩を作成することができる。
ンと反応させ、ここで反応は、酸受容体の存在で、好適
な溶媒、一般にアルコール(例えばブタノール)、ケト
ン(例えばメチルエチルケトン)、芳香族炭化水素(例
えばベンゼン、トルエン、またはキシレン)のような極
性溶媒中で、または式(XI)のアミンの過剰量の存在で
起こり、式(III)の化合物を遊離塩基の形で製造し、
この化合物を、所望により好適な酸と反応させて、製薬
上許容し得るこの化合物の塩を作成することができる。
【0040】別法として、そのような化合物を、一般式
(XII) Hal−A−Am (XII) 〔ここで、HalおよびAmは前記と同意義であり、A
は(C2〜C5)アルキレン基を表わす〕で示されるハロ
ゲン化物で直接処理し、例えば炭酸カリウムのようなア
ルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリ
ウムのようなアルカリ金属水酸化物、水素化ナトリウム
のような水素化アルカリ金属、または例えばナトリウム
メトキシドまたはナトリウムエトキシドのようなアルカ
リ金属アルコキシドのような塩基性試薬の存在で反応を
実施して、式(III)の化合物〔ここで、Aは(C2〜C
5)アルキレン基を表わす〕を製造し、この化合物を、
所望により好適な酸と反応させて、製薬上許容し得るこ
の化合物の塩を作成することができる。
(XII) Hal−A−Am (XII) 〔ここで、HalおよびAmは前記と同意義であり、A
は(C2〜C5)アルキレン基を表わす〕で示されるハロ
ゲン化物で直接処理し、例えば炭酸カリウムのようなア
ルカリ金属炭酸塩、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリ
ウムのようなアルカリ金属水酸化物、水素化ナトリウム
のような水素化アルカリ金属、または例えばナトリウム
メトキシドまたはナトリウムエトキシドのようなアルカ
リ金属アルコキシドのような塩基性試薬の存在で反応を
実施して、式(III)の化合物〔ここで、Aは(C2〜C
5)アルキレン基を表わす〕を製造し、この化合物を、
所望により好適な酸と反応させて、製薬上許容し得るこ
の化合物の塩を作成することができる。
【0041】
【実施例】次に実施例をあげて、この発明の化合物の製
造方法を説明する。実施例は単に発明を説明するための
ものであって、発明の範囲を限定する目的をもつもので
はない。
造方法を説明する。実施例は単に発明を説明するための
ものであって、発明の範囲を限定する目的をもつもので
はない。
【0042】実施例1 2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−3−イソプロピ
ル−1−メチルインドールの製造 (a)3−イソプロピル−1−メチルインドール 3−イソプロピルインドール25g(0.157モル)
のベンゼン200ml溶液をカリウム第3級ブトキシド2
1.1g(0.172モル)の懸濁液へよく撹拌しながら
添加する。ついでヨウ化メチル24.51g(0.172
モル)を徐々に添加し、撹拌を室温で20時間続ける。
ル−1−メチルインドールの製造 (a)3−イソプロピル−1−メチルインドール 3−イソプロピルインドール25g(0.157モル)
のベンゼン200ml溶液をカリウム第3級ブトキシド2
1.1g(0.172モル)の懸濁液へよく撹拌しながら
添加する。ついでヨウ化メチル24.51g(0.172
モル)を徐々に添加し、撹拌を室温で20時間続ける。
【0043】水/破砕した氷の混合物を加え、ベンゼン
画分を分液する。この画分を2回水洗し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、濾過し、回転蒸発器で溶媒を留去する
と、油状の残留物質を得る。この方法によって、3−イ
ソプロピル−1−メチルインドール27gを得る。収量
100%。
画分を分液する。この画分を2回水洗し、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、濾過し、回転蒸発器で溶媒を留去する
と、油状の残留物質を得る。この方法によって、3−イ
ソプロピル−1−メチルインドール27gを得る。収量
100%。
【0044】(b)2−(4−ヒドロキシフェニルチ
オ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール 3−イソプロピル−1−メチルインドール27g(0.
155モル)および4−ヒドロキシベンゼンチオール2
1.7g(0.172モル)をエタノール250mlおよび
水125mlに溶解する。全体を窒素大気下に置き、ヨウ
素43.65g(0.172モル)のエタノール溶液を徐
々に添加する。混合物を還流温度で2時間加熱し、冷却
し、氷冷した水中へ投入する。酢酸エチルで抽出を実施
し、抽出物を水洗して、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。ついで濾過を行い、回転蒸発器で溶媒を蒸発し、カ
ラムクロマトグラフィーによって精製を実施する(溶離
液:ヘプタン/ジクロロエタン:7/3)。この方法に
よって、2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−3−イ
ソプロピル−1−メチルインドール33.9gを得る。
収量73.5%。 M.p.:89〜90℃。純度99.3%。
オ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール 3−イソプロピル−1−メチルインドール27g(0.
155モル)および4−ヒドロキシベンゼンチオール2
1.7g(0.172モル)をエタノール250mlおよび
水125mlに溶解する。全体を窒素大気下に置き、ヨウ
素43.65g(0.172モル)のエタノール溶液を徐
々に添加する。混合物を還流温度で2時間加熱し、冷却
し、氷冷した水中へ投入する。酢酸エチルで抽出を実施
し、抽出物を水洗して、無水硫酸ナトリウムで乾燥す
る。ついで濾過を行い、回転蒸発器で溶媒を蒸発し、カ
ラムクロマトグラフィーによって精製を実施する(溶離
液:ヘプタン/ジクロロエタン:7/3)。この方法に
よって、2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−3−イ
ソプロピル−1−メチルインドール33.9gを得る。
収量73.5%。 M.p.:89〜90℃。純度99.3%。
【0045】実施例2 3−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−2−イソプロピ
ルインドールの製造 2−イソプロピンインドール3.2g(0.02モル)お
よび4−ヒドロキシベンゼンチオール2.5g(0.02
モル)をエタノール80mlに溶解する。水40mlを加
え、混合物を撹拌し、ついでヨウ素5g(0.04モ
ル)のエタノール溶液をこれに滴下する。このようにし
て生成した油状物質を水400mlに投入し、ついで混合
物を冷却しながら、油状物質が固化するまで撹拌する。
生成物を濾取し、フィルター上で洗浄する。ついで生成
物を真空下に60℃の温度で乾燥し、予期した生成物
5.6gを得る。ついでヘプタン/トルエン混合液(7
/3)250mlから再結晶を実施する。 この方法によ
って、3−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−2−イソ
プロピルインドール4.2gを不溶性の樹脂状物質とし
て得る。収量74.2%。M.p.116℃。
ルインドールの製造 2−イソプロピンインドール3.2g(0.02モル)お
よび4−ヒドロキシベンゼンチオール2.5g(0.02
モル)をエタノール80mlに溶解する。水40mlを加
え、混合物を撹拌し、ついでヨウ素5g(0.04モ
ル)のエタノール溶液をこれに滴下する。このようにし
て生成した油状物質を水400mlに投入し、ついで混合
物を冷却しながら、油状物質が固化するまで撹拌する。
生成物を濾取し、フィルター上で洗浄する。ついで生成
物を真空下に60℃の温度で乾燥し、予期した生成物
5.6gを得る。ついでヘプタン/トルエン混合液(7
/3)250mlから再結晶を実施する。 この方法によ
って、3−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−2−イソ
プロピルインドール4.2gを不溶性の樹脂状物質とし
て得る。収量74.2%。M.p.116℃。
【0046】〔製造例〕以下の製造例は、この発明の化
合物の用途を説明するものである。製造例は単に発明を
説明するためのものであって、発明の範囲を限定する目
的をもつものではない。
合物の用途を説明するものである。製造例は単に発明を
説明するためのものであって、発明の範囲を限定する目
的をもつものではない。
【0047】製造例I 2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−3−イソ
プロピル−1−メチルインドールの製造 2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−3−イソプロピ
ル−1−メチルインドール13.17g(0.044モ
ル)をN,N−ジメチルホルムアミド70mlに溶解す
る。溶液を撹拌して、0℃に冷却し、ついで70%の3
−クロロ過安息香酸21.7g(0.088モル)の溶液
を徐々に(2時間)添加する。混合物の温度を自然に室
温へ戻し、TLCによって反応の進行(スルフィド、ス
ルホキシド、スルホン)をモニターしながら、反応混合
物の撹拌を20時間続ける。混合物を氷冷した水へ投入
し、生成した沈殿を濾取し、フィルター上で重炭酸ナト
リウム溶液で洗浄し、最後に水で洗浄する。ついでシリ
カカラムクロマトグラフィーによって精製を実施する
(溶離液:2%メタノール含有ジクロロメタン)。この
方法によって、2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニ
ル)−3−イソプロピル−1−メチルインドール9gを
得る。収量62.1%。M.p.188℃。
プロピル−1−メチルインドールの製造 2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−3−イソプロピ
ル−1−メチルインドール13.17g(0.044モ
ル)をN,N−ジメチルホルムアミド70mlに溶解す
る。溶液を撹拌して、0℃に冷却し、ついで70%の3
−クロロ過安息香酸21.7g(0.088モル)の溶液
を徐々に(2時間)添加する。混合物の温度を自然に室
温へ戻し、TLCによって反応の進行(スルフィド、ス
ルホキシド、スルホン)をモニターしながら、反応混合
物の撹拌を20時間続ける。混合物を氷冷した水へ投入
し、生成した沈殿を濾取し、フィルター上で重炭酸ナト
リウム溶液で洗浄し、最後に水で洗浄する。ついでシリ
カカラムクロマトグラフィーによって精製を実施する
(溶離液:2%メタノール含有ジクロロメタン)。この
方法によって、2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニ
ル)−3−イソプロピル−1−メチルインドール9gを
得る。収量62.1%。M.p.188℃。
【0048】製造例II 2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−3−イソ
プロピル−1−メチルインドールの製造 製造例Iと同様の方法を用いて、ただしN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶液中で、2−(4−ヒドロキシフェニ
ルチオ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール1
モルに対し、3−クロロ過安息香酸2.1モルを室温で
2時間かけて添加し、反応混合物を24時間撹拌しなが
ら室温に保つことによって、2−(4−ヒドロキシフェ
ニルスルホニル)−3−イソプロピル−1−メチルイン
ドールを62%の収量で得る。
プロピル−1−メチルインドールの製造 製造例Iと同様の方法を用いて、ただしN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶液中で、2−(4−ヒドロキシフェニ
ルチオ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール1
モルに対し、3−クロロ過安息香酸2.1モルを室温で
2時間かけて添加し、反応混合物を24時間撹拌しなが
ら室温に保つことによって、2−(4−ヒドロキシフェ
ニルスルホニル)−3−イソプロピル−1−メチルイン
ドールを62%の収量で得る。
【0049】製造例III 2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−3−イソ
プロピル−1−メチルインドールの製造 製造例Iと同様の方法を用いて、ただしN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶液中で、2−(4−ヒドロキシフェニ
ルチオ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール1
モルに対し、3−クロロ過安息香酸2.4モルを10℃
で5時間かけて添加し、反応混合物を48時間撹拌しな
がら室温に保つことによって、2−(4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニル)−3−イソプロピル−1−メチルイ
ンドールを80%の収量で得る。
プロピル−1−メチルインドールの製造 製造例Iと同様の方法を用いて、ただしN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶液中で、2−(4−ヒドロキシフェニ
ルチオ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール1
モルに対し、3−クロロ過安息香酸2.4モルを10℃
で5時間かけて添加し、反応混合物を48時間撹拌しな
がら室温に保つことによって、2−(4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニル)−3−イソプロピル−1−メチルイ
ンドールを80%の収量で得る。
【0050】製造例IV 2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−3−イソ
プロピル−1−メチルインドールの製造 製造例Iと同様の方法を用いて、ただしN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶液中で、2−(4−ヒドロキシフェニ
ルチオ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール1
モルに対して3−クロロ過安息香酸2.4モルを、1.1
モルは10℃で0.5時間、ついで1.3モルは10℃で
5時間の速度で添加し、反応混合物を48時間撹拌しな
がら室温に保つことによって、2−(4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニル)−3−イソプロピル−1−メチルイ
ンドールを88%の収量で得る。
プロピル−1−メチルインドールの製造 製造例Iと同様の方法を用いて、ただしN,N−ジメチ
ルホルムアミド溶液中で、2−(4−ヒドロキシフェニ
ルチオ)−3−イソプロピル−1−メチルインドール1
モルに対して3−クロロ過安息香酸2.4モルを、1.1
モルは10℃で0.5時間、ついで1.3モルは10℃で
5時間の速度で添加し、反応混合物を48時間撹拌しな
がら室温に保つことによって、2−(4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニル)−3−イソプロピル−1−メチルイ
ンドールを88%の収量で得る。
【0051】製造例V 1−メチル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N
−メチル−N−(3,4−ジメトキシ−β−フェネチ
ル)アミノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インド
ール蓚酸塩の製造 2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−3−イソ
プロピル−1−メチルインドール9.9g(0.003モ
ル)のN,N−ジメチルホルムアミド165ml混合物へ
微粉化した無水炭酸カリウム29g(0.21モル)を
添加する。混合物を0.5時間撹拌し、これに1−クロ
ロ−3−〔N−メチル−N−(3,4−ジメトキシ−β
−フェネチル)アミノ〕プロパン蓚酸塩(90%)1
3.3g(0.33モル)を添加する。
−メチル−N−(3,4−ジメトキシ−β−フェネチ
ル)アミノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インド
ール蓚酸塩の製造 2−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−3−イソ
プロピル−1−メチルインドール9.9g(0.003モ
ル)のN,N−ジメチルホルムアミド165ml混合物へ
微粉化した無水炭酸カリウム29g(0.21モル)を
添加する。混合物を0.5時間撹拌し、これに1−クロ
ロ−3−〔N−メチル−N−(3,4−ジメトキシ−β
−フェネチル)アミノ〕プロパン蓚酸塩(90%)1
3.3g(0.33モル)を添加する。
【0052】混合物を100℃で1時間加熱し、撹拌し
ながら放冷して室温へ戻す。反応混合物を氷水450ml
へ投入して、混合物を0.25時間撹拌する。ジエチル
エーテル150mlで3回抽出を行ない、抽出物を水15
0mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。得られ
たエーテル溶液へエチルエーテル50mlに溶解した蓚酸
3.5gを添加し、混合物を24時間放置して結晶化さ
せる。結晶を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄し、
真空下に50℃で乾燥する。この方法によって1−メチ
ル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N−メチル
−N−(3,4−ジメトキシ−β−フェネチル)アミ
ノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インドールの蓚
酸塩を得る。収量90%。M.p.94℃。
ながら放冷して室温へ戻す。反応混合物を氷水450ml
へ投入して、混合物を0.25時間撹拌する。ジエチル
エーテル150mlで3回抽出を行ない、抽出物を水15
0mlで2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。得られ
たエーテル溶液へエチルエーテル50mlに溶解した蓚酸
3.5gを添加し、混合物を24時間放置して結晶化さ
せる。結晶を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄し、
真空下に50℃で乾燥する。この方法によって1−メチ
ル−3−イソプロピル−2−〔4−{3−〔N−メチル
−N−(3,4−ジメトキシ−β−フェネチル)アミ
ノ〕プロポキシ}フェニルスルホニル〕インドールの蓚
酸塩を得る。収量90%。M.p.94℃。
【0053】製造例VI 3−(4−ヒドロキシフェニルスルホニル)−2−イソ
プロピルインドールの製造 3−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−2−イソプロピ
ルインドール0.36g(0.00127モル)をN,N
−ジメチルホルムアミド5mlに溶解する。溶液を0℃
(氷浴)へ冷却し、70%の3−クロロ過安息香酸0.
62g(0.00254モル)のN,N−ジメチルホル
ムアミド2ml溶液をこれに滴下する。撹拌を室温で24
時間続け、ついで混合物を氷冷した水へ投入する。
プロピルインドールの製造 3−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−2−イソプロピ
ルインドール0.36g(0.00127モル)をN,N
−ジメチルホルムアミド5mlに溶解する。溶液を0℃
(氷浴)へ冷却し、70%の3−クロロ過安息香酸0.
62g(0.00254モル)のN,N−ジメチルホル
ムアミド2ml溶液をこれに滴下する。撹拌を室温で24
時間続け、ついで混合物を氷冷した水へ投入する。
【0054】このようにして生成した粘着性の沈殿を酢
酸エチルで抽出し、溶液を重炭酸ナトリウム水溶液、つ
いで水で洗浄する。溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾
過し、溶媒を回転蒸発器で留去することにより、残留物
0.5gを得る。これをエタノール/水混合液から結晶
化する。この方法によって、3−(4−ヒドロキシフェ
ニルスルホニル)−2−イソプロピルインドール0.3
8gを得る。収量95%。M.p.152℃。
酸エチルで抽出し、溶液を重炭酸ナトリウム水溶液、つ
いで水で洗浄する。溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾
過し、溶媒を回転蒸発器で留去することにより、残留物
0.5gを得る。これをエタノール/水混合液から結晶
化する。この方法によって、3−(4−ヒドロキシフェ
ニルスルホニル)−2−イソプロピルインドール0.3
8gを得る。収量95%。M.p.152℃。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 409/12 233 8829−4C
Claims (20)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 〔式中、R1およびR2は同一または異なってもよく、そ
れぞれ水素、メチル、またはエチル基、またはハロゲン
原子を表わし、Rは(C1〜C6)アルキル、(C3〜
C6)シクロアルキル、またはフェニル基、R3は水素ま
たはハロゲン原子、Xは−O−、−S−、または−NR
4−(ここで、R4は水素または(C1〜C4)アルキル
基)を表わす〕で示される4−ヒドロキシフェニルチオ
誘導体。 - 【請求項2】 R1およびR2はそれぞれ水素、R3は水
素または塩素原子を表わし、Xは基−NR4−(ここ
で、R4は水素またはメチル基)を表わす請求項1記載
の4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体。 - 【請求項3】 一般式 【化2】 (式中、R、R1、R2、R3、およびR4は請求項1の場
合と同意義である)で示される、請求項1または2のい
ずれか1項記載の4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体。 - 【請求項4】 Xが−NR4−基である、請求項1また
は2のいずれか1項記載の4−ヒドロキシフェニルチオ
誘導体。 - 【請求項5】 2−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−
3−イソプロピル−1−メチルインドール。 - 【請求項6】 3−(4−ヒドロキシフェニルチオ)−
2−イソプロピルインドール。 - 【請求項7】 一般式(IV) 【化3】 (式中、R、R3、およびXは請求項1の場合と同意義
である)で示される化合物を、一般式(V) 【化4】 (式中、R1およびR2は請求項1の場合と同意義であ
る)で示されるチオフェノールと、溶媒中、ヨウ素の存
在で反応混合物の還流温度で反応させ、所望の化合物を
製造することからなる、請求項1記載の4−ヒドロキシ
フェニルチオ誘導体の製造方法。 - 【請求項8】 一般式(I) 【化5】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義である)で示される4−ヒドロキシフェニル
チオ誘導体を、溶媒中で酸化剤によって酸化し、所望の
化合物を製造することからなる、一般式(II) 【化6】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義である)で示される4−ヒドロキシフェニル
スルホニル誘導体の製造方法。 - 【請求項9】 (a)一般式(I) 【化7】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義である)で示される4−ヒドロキシフェニル
チオ誘導体を、溶媒中で酸化剤によって酸化して、一般
式(II) 【化8】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義である)で示される4−ヒドロキシフェニル
スルホニル誘導体を製造し、(b)このようにして生成
した4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体を、塩基
性試薬の存在で、一般式(VII) Hal−A−Hal (VII) 〔ここで、Aは(C2〜C5)アルキレン基、または2−
ヒドロキシプロピレン基、Halはハロゲン原子を表わ
す〕で示されるジハロゲン化アルカンと、溶媒中、還流
温度で結合させるか、あるいは(c1)このようにして
生成した4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体を、
一般式(VIII) Hal−A−OH (VIII) (ここで、AおよびHalは前記と同意義である)で示
されるハロゲン化アルコールと、溶媒中、塩基性試薬の
存在で結合させ、得られた置換アルコールを、ついで一
般式(IX) Hal−W (IX) 〔ここで、Halは前記と同意義、Wは(C1〜C4)ア
ルキルスルホニル基、または(C6〜C10)アリールス
ルホニル基である〕で示されるハロゲン化物と酸受容溶
媒中で結合させるか、あるいは(c2)このようにして
生成した4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体を、
極性溶媒中、塩基性試薬の存在でエピハロヒドリンと還
流温度で加熱して、一般式(X) 【化9】 〔式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義であり、Zは一般式 A−Z1 {ここで、Aは前記と同意義、Z1はハロゲン原子、ま
たは(C1〜C4)アルキルスルホニルオキシ基、または
(C6〜C10)アリールスルホニルオキシ基である}で
示される基を表わす〕で示されるヘテロ環スルホニル誘
導体を製造し、この式(X)のフェニルスルホニル誘導
体を、一般式(XI) H−Am (XI) (ここで、Amは置換アミノ基を表わす)で示されるア
ミンと反応させ、ここで反応は、溶媒中で酸受容体の存
在、または式(XI)のアミンの過剰量の存在で起こり、
所望の化合物を遊離塩基の形で製造し、所望により遊離
塩基を酸と反応させて、製薬上許容し得るこの化合物の
塩を作成することができる、一般式(III) 【化10】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義であり、AおよびAmは前記と同意義であ
る)で示されるアミノアルコキシフェニルスルホニル誘
導体の製造方法。 - 【請求項10】 (a)一般式(I) 【化11】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義である)で示される4−ヒドロキシフェニル
チオ誘導体を、溶媒中で酸化剤によって酸化して、一般
式(II) 【化12】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義である)で示される4−ヒドロキシフェニル
スルホニル誘導体を製造し、(b)このようにして生成
した4−ヒドロキシフェニルスルホニル誘導体を、一般
式(XII) Hal−A−Am (XII) 〔ここで、Aは(C2〜C5)アルキレン基、Amは置換
アミノ基を表わし、Halはハロゲン原子を表わす〕で
示されるハロゲン化物で処理し、反応を塩基性試薬の存
在で実施して、所望の化合物を遊離塩基の形で製造し、
所望により遊離塩基を酸と反応させて、製薬上許容し得
るこの化合物の塩を作成することからなる、一般式(II
I) 【化13】 (式中、R、R1、R2、R3、およびXは請求項1の場
合と同意義であり、AおよびAmは前記と同意義であ
る)で示されるアミノアルコキシフェニルスルホニル誘
導体の製造方法。 - 【請求項11】 酸化剤が3−クロロ過安息香酸、また
は一過フタル酸マグネシウムである、請求項8〜10の
いずれか1項記載の方法。 - 【請求項12】 式(I)のフェニルチオ誘導体1当量
当たり、酸化剤を2〜2.5当量使用する、請求項8〜
10のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項13】 酸化が−5℃から室温の間で起こる、
請求項8〜10のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項14】 酸化が極性溶媒中で起こる、請求項8
〜10のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項15】 溶媒がN,N−ジメチルホルムアミ
ド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、アセトニトリル、
または(C1〜C4)アルコールである、請求項14記載
の方法。 - 【請求項16】 Amが、下式 【化14】 〔式中、R5は水素、または(C1〜C8)アルキル基、
R6は(C1〜C8)アルキル基、または下式 −Alk−R7 {ここで、Alkは単結合、または(C1〜C5)アルキ
レン基、R7はピリジル、フェニル、2,3−メチレン
ジオキシフェニル、または3,4−メチレンジオキシフ
ェニル基、またはハロゲン原子、(C1〜C4)アルキル
基、または(C1〜C4)アルコキシ基の中から選ばれた
1または数個の同一または異なった置換基によって置換
されたフェニル基を表す}で示される基〕であり、また
はR5およびR6は互いに一緒になって、(C3〜C6)ア
ルキレン、または所望により−O−、−NH−、−N
=、または−NR8−(ここで、R8は(C1〜C4)アル
キル、フェニル、またはジフェニルメチル基を表わす)
によって中断されるアルキレン基を表わし、または下式 【化15】 〔式中、R5は前記と同意義であって、R9、R'9および
R"9は同一または異なってもよく、それぞれ水素、ハロ
ゲン原子、または(C1〜C4)アルキル、または(C1
〜C4)アルコキシ基、nおよびmは同一または異なっ
てもよく、それぞれ0、1、2または3を表わす〕で示
される基である、請求項9または10のいずれか1項記
載の方法。 - 【請求項17】 1−メチル−3−イソプロピル−2−
〔4−{3−〔N−メチル−N−(3,4−ジメトキシ
−β−フェネチル)アミノ〕プロポキシ}フェニルスル
ホニル〕インドール、および製薬上許容し得るその塩を
製造する、請求項9〜16のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項18】 1−メチル−3−イソプロピル−2−
〔4−{3−〔N−メチル−N−(3,5−ジメトキシ
−β−フェネチル)アミノ〕プロポキシ}フェニルスル
ホニル〕インドール、および製薬上許容し得るその塩を
製造する、請求項9〜16のいずれか1項記載の方法。 - 【請求項19】 2−〔4−{3−〔N−メチル−N−
(3,4−ジメトキシ−β−フェネチル)アミノ〕プロ
ポキシ}フェニルスルホニル〕−5−クロロ−3−イソ
プロピル−1−メチルインドール、および製薬上許容し
得るその塩を製造する、請求項9〜16のいずれか1項
記載の方法。 - 【請求項20】 溶媒が(C1〜C4)アルコールまたは
アミドの水溶液である、請求項7記載の方法。
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|---|---|---|---|
| FR9207659 | 1992-06-23 | ||
| FR9207659A FR2692574B1 (fr) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Derives hydroxy-4 benzenethio, leur preparation ainsi que leur utilisation pour la preparation de derives aminoalkoxybenzenesulfonyles. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0656776A true JPH0656776A (ja) | 1994-03-01 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5150354A Withdrawn JPH0656776A (ja) | 1992-06-23 | 1993-06-22 | 4−ヒドロキシフェニルチオ誘導体、その製造方法および中間体としての用途 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5401855A (ja) |
| EP (1) | EP0576347A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0656776A (ja) |
| CA (1) | CA2098983A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| FR2708604B1 (fr) * | 1993-07-30 | 1995-10-20 | Sanofi Elf | Utilisation de dérivés de benzènesulfonyl-indole pour la préparation de médicaments. |
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