JPH065730A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JPH065730A JPH065730A JP4181713A JP18171392A JPH065730A JP H065730 A JPH065730 A JP H065730A JP 4181713 A JP4181713 A JP 4181713A JP 18171392 A JP18171392 A JP 18171392A JP H065730 A JPH065730 A JP H065730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- circuit
- circuit board
- conductor pattern
- base member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱特性に優れ、かつ、絶縁耐圧の高い絶縁
層を有する回路基板を提供する。 【構成】 高電流制御用のパワー回路と、このパワー回
路を制御する制御回路と、を搭載する回路基板である。
ベース部材１１上にＡｌＮの絶縁層１２を積層し、この
絶縁層１２上にパワー回路用の導体パターン１３を形成
する。この絶縁層１２の熱伝導率は１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
である。ベース部材１１上に第２の絶縁層１５を積層
し、第２の絶縁層１５上に上記制御回路用の導体パター
ン１６を形成する。第２の絶縁層１５は有機樹脂系材
料、例えばエポキシ樹脂基板、ポリイミド樹脂基板、ガ
ラスエポキシ樹脂基板等で形成する。
層を有する回路基板を提供する。 【構成】 高電流制御用のパワー回路と、このパワー回
路を制御する制御回路と、を搭載する回路基板である。
ベース部材１１上にＡｌＮの絶縁層１２を積層し、この
絶縁層１２上にパワー回路用の導体パターン１３を形成
する。この絶縁層１２の熱伝導率は１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上
である。ベース部材１１上に第２の絶縁層１５を積層
し、第２の絶縁層１５上に上記制御回路用の導体パター
ン１６を形成する。第２の絶縁層１５は有機樹脂系材
料、例えばエポキシ樹脂基板、ポリイミド樹脂基板、ガ
ラスエポキシ樹脂基板等で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば制御回路を取り
込んだパワーモジュールの配線板、小型の電源ユニット
の配線板等に使用される回路基板、詳しくはパワー回路
を搭載したハイブリッドＩＣ用基板等に用いられ、高放
熱特性および高絶縁耐圧を有する回路基板に関する。
込んだパワーモジュールの配線板、小型の電源ユニット
の配線板等に使用される回路基板、詳しくはパワー回路
を搭載したハイブリッドＩＣ用基板等に用いられ、高放
熱特性および高絶縁耐圧を有する回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの性能向上は、半導体集積
回路の集積度の飛躍的な発展に負うところが大きい。一
方では、これらの半導体集積回路の性能向上に見合った
実装技術の進展も大きく寄与している。それに伴い、１
ゲートあたりの消費電力は低減の方向にある。しかし、
それ以上に素子の高速化と高集積化により発熱密度は増
加の傾向にある。特に、中出力以上のハイブリッドＩＣ
においては内部損失による発熱とその熱の放出が必要で
ある。殊に、小型化を意図する場合には、熱の放出が悪
くなるので、構造設計上の考慮が十分に成されなければ
ならない。
回路の集積度の飛躍的な発展に負うところが大きい。一
方では、これらの半導体集積回路の性能向上に見合った
実装技術の進展も大きく寄与している。それに伴い、１
ゲートあたりの消費電力は低減の方向にある。しかし、
それ以上に素子の高速化と高集積化により発熱密度は増
加の傾向にある。特に、中出力以上のハイブリッドＩＣ
においては内部損失による発熱とその熱の放出が必要で
ある。殊に、小型化を意図する場合には、熱の放出が悪
くなるので、構造設計上の考慮が十分に成されなければ
ならない。
【０００３】一方、電算機や伝送装置も機能として高速
性を追求する観点から、熱放散を十分に考慮しなければ
ならない。この熱抵抗を低減しなければいけないという
要請は、高電流制御用のパワー回路と、このパワー回路
を制御する制御回路を搭載した回路基板でも同様であ
る。従来の多層回路基板としては、例えば図３に示すよ
うなものがある。このものはアルミベース部分２層配線
板であって、パワー素子搭載用の高放熱１層回路および
制御回路用のスルーホール付高密度２層回路を同一基板
上に形成している。すなわち、アルミニウム板３１上に
高放熱性絶縁層としてポリイミド樹脂３２を積層してい
る。このポリイミド系樹脂の絶縁層３２上には、パワー
回路用の導体パターン３３と、２層構造の制御回路用の
導体パターン３４とが配設されている。３５はＮｉメッ
キ層、３６はソルダレジスト層である。
性を追求する観点から、熱放散を十分に考慮しなければ
ならない。この熱抵抗を低減しなければいけないという
要請は、高電流制御用のパワー回路と、このパワー回路
を制御する制御回路を搭載した回路基板でも同様であ
る。従来の多層回路基板としては、例えば図３に示すよ
うなものがある。このものはアルミベース部分２層配線
板であって、パワー素子搭載用の高放熱１層回路および
制御回路用のスルーホール付高密度２層回路を同一基板
上に形成している。すなわち、アルミニウム板３１上に
高放熱性絶縁層としてポリイミド樹脂３２を積層してい
る。このポリイミド系樹脂の絶縁層３２上には、パワー
回路用の導体パターン３３と、２層構造の制御回路用の
導体パターン３４とが配設されている。３５はＮｉメッ
キ層、３６はソルダレジスト層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、この
ような従来の回路基板においては、絶縁層３２としてポ
リイミド系樹脂を用いているため、その熱伝導率が０．
１〜０．５Ｗ／ｍ・Ｋと小さく、未だその放熱特性が不
十分である。そのため、絶縁層３２の層厚を１００μｍ
程度と薄くせざるを得ない。層厚が薄くなると、これら
の樹脂が本来有している高い絶縁耐圧が低減し、絶縁破
壊が起きてしまう。したがって、放熱性と絶縁耐圧とを
両立することができず、両者の関係を示すパラメータで
ある（熱伝導率）×（絶縁耐圧）値が不十分となるとい
う課題があった。
ような従来の回路基板においては、絶縁層３２としてポ
リイミド系樹脂を用いているため、その熱伝導率が０．
１〜０．５Ｗ／ｍ・Ｋと小さく、未だその放熱特性が不
十分である。そのため、絶縁層３２の層厚を１００μｍ
程度と薄くせざるを得ない。層厚が薄くなると、これら
の樹脂が本来有している高い絶縁耐圧が低減し、絶縁破
壊が起きてしまう。したがって、放熱性と絶縁耐圧とを
両立することができず、両者の関係を示すパラメータで
ある（熱伝導率）×（絶縁耐圧）値が不十分となるとい
う課題があった。
【０００５】
【発明の目的】本発明の主たる目的は、このような問題
点を解決して、放熱特性に優れ、かつ、絶縁耐圧の高い
絶縁層を有する回路基板を提供することにある。
点を解決して、放熱特性に優れ、かつ、絶縁耐圧の高い
絶縁層を有する回路基板を提供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、大電力制御
用のパワー回路と、このパワー回路を制御する制御回路
と、を搭載する回路基板において、ベース部材と、この
ベース部材上に積層されるセラミックスの絶縁層と、こ
の絶縁層上に形成された上記パワー回路用の導体パター
ンと、を備えるとともに、上記絶縁層の熱伝導率が１０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上である回路基板である。
用のパワー回路と、このパワー回路を制御する制御回路
と、を搭載する回路基板において、ベース部材と、この
ベース部材上に積層されるセラミックスの絶縁層と、こ
の絶縁層上に形成された上記パワー回路用の導体パター
ンと、を備えるとともに、上記絶縁層の熱伝導率が１０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上である回路基板である。
【０００７】また、上記ベース部材上に第２の絶縁層を
積層し、この第２の絶縁層上に上記制御回路用の導体パ
ターンを形成するとともに、この第２の絶縁層を有機樹
脂系材料で形成した回路基板である。
積層し、この第２の絶縁層上に上記制御回路用の導体パ
ターンを形成するとともに、この第２の絶縁層を有機樹
脂系材料で形成した回路基板である。
【０００８】
【作用】本発明においては、絶縁層の材質としてＡｌ
Ｎ、Ａｌ2Ｏ3あるいはＳｉＣ等のセラミックスを用い
る。これらのセラミックスは、熱伝導率が１０〜３００
Ｗ／ｍ・Ｋであり、絶縁耐圧が１〜２０ｋＶ／ｍｍであ
る。このため、（放熱量）×（絶縁耐圧）値が１００〜
２５００Ｗ・ｋＶ／ｍ・Ｋ・ｍｍと高く、従来に比較し
て大幅に放熱特性が改善される。
Ｎ、Ａｌ2Ｏ3あるいはＳｉＣ等のセラミックスを用い
る。これらのセラミックスは、熱伝導率が１０〜３００
Ｗ／ｍ・Ｋであり、絶縁耐圧が１〜２０ｋＶ／ｍｍであ
る。このため、（放熱量）×（絶縁耐圧）値が１００〜
２５００Ｗ・ｋＶ／ｍ・Ｋ・ｍｍと高く、従来に比較し
て大幅に放熱特性が改善される。
【０００９】また、本発明においては、ベース部材上に
第２の絶縁層を積層し、この第２の絶縁層の上に制御回
路用の導体パターンを形成している。この第２の絶縁層
として有機樹脂系材料を用いている。この有機樹脂系材
料、例えばガラスエポキシ樹脂は、上記セラミックスに
比較して安価である。
第２の絶縁層を積層し、この第２の絶縁層の上に制御回
路用の導体パターンを形成している。この第２の絶縁層
として有機樹脂系材料を用いている。この有機樹脂系材
料、例えばガラスエポキシ樹脂は、上記セラミックスに
比較して安価である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の具体的構成を実施例に基づい
て詳述する。図１は、本発明をスイッチング素子あるい
は電源ユニットとして用いられる高電流制御用回路に適
用した一実施例を示している。図１において、１１は放
熱用のアルミニウム板からなるベース部材であって、そ
の上面には所定厚さの窒化アルミニウム層（ＡｌＮ層）
で構成される絶縁層１２が例えばＡｌ−Ｓｉ系のろう材
を用いて積層、形成されている。この絶縁層１２の上面
には、パワー回路を構成するアルミニウム製の導体パタ
ーン１３が被着、形成されている。この導体パターン１
３の上面にはニッケルメッキ１４が施されており、図示
していないが、はんだ付けによりこの上にパワーＩＣチ
ップが搭載されるものである。
て詳述する。図１は、本発明をスイッチング素子あるい
は電源ユニットとして用いられる高電流制御用回路に適
用した一実施例を示している。図１において、１１は放
熱用のアルミニウム板からなるベース部材であって、そ
の上面には所定厚さの窒化アルミニウム層（ＡｌＮ層）
で構成される絶縁層１２が例えばＡｌ−Ｓｉ系のろう材
を用いて積層、形成されている。この絶縁層１２の上面
には、パワー回路を構成するアルミニウム製の導体パタ
ーン１３が被着、形成されている。この導体パターン１
３の上面にはニッケルメッキ１４が施されており、図示
していないが、はんだ付けによりこの上にパワーＩＣチ
ップが搭載されるものである。
【００１１】また、上記絶縁層１２上の一端側には第２
の絶縁層である低温焼成基板１５が積層されている。こ
の低温焼成基板１５の上面には金属箔または厚膜回路等
からなる制御回路用の導体パターン１６が被着、形成さ
れている。そして、この導体パターン１６の上に図示し
ていないが制御回路用のＩＣチップ、素子が搭載される
ものである。なお、上記第２の絶縁層１５としてはアル
ミナ基板を採用することもでき、さらには、有機樹脂系
材料の基板、例えばエポキシ基板、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド系基板等を使用することもできる。
の絶縁層である低温焼成基板１５が積層されている。こ
の低温焼成基板１５の上面には金属箔または厚膜回路等
からなる制御回路用の導体パターン１６が被着、形成さ
れている。そして、この導体パターン１６の上に図示し
ていないが制御回路用のＩＣチップ、素子が搭載される
ものである。なお、上記第２の絶縁層１５としてはアル
ミナ基板を採用することもでき、さらには、有機樹脂系
材料の基板、例えばエポキシ基板、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド系基板等を使用することもできる。
【００１２】この実施例にあっては、放熱用のアルミニ
ウム板１１と導体パターン１３との間にセラミックス製
（ＡｌＮ）の絶縁層１２を介在させている。このため、
パワー回路からの発熱はこの絶縁層１２を介して効率よ
くアルミニウム板１１に伝達されることとなり、パワー
ＩＣチップ等の機能を十分に発揮することができる。ま
た、パワー回路の耐久性が増している。
ウム板１１と導体パターン１３との間にセラミックス製
（ＡｌＮ）の絶縁層１２を介在させている。このため、
パワー回路からの発熱はこの絶縁層１２を介して効率よ
くアルミニウム板１１に伝達されることとなり、パワー
ＩＣチップ等の機能を十分に発揮することができる。ま
た、パワー回路の耐久性が増している。
【００１３】この場合、絶縁層１２に用いるセラミック
スとしては、上記のように熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・
Ｋ、絶縁耐圧が１４〜１７ｋＶ／ｍｍであるＡｌＮが好
適であるが、その他にも、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＢｅＯ、
および、ＢａＳｎ（ＢＯ3）2等も用いることができる。
但し、Ａｌ2Ｏ3やＢａＳｎ（ＢＯ3）2は熱伝導率が低
く、ＳｉＣは誘電率が高く、ＢｅＯは毒性が強いので、
好ましくはＡｌＮを用いるべきである。表１に本発明に
おいて使用し得る各種セラミックスの物性値を示す。
スとしては、上記のように熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・
Ｋ、絶縁耐圧が１４〜１７ｋＶ／ｍｍであるＡｌＮが好
適であるが、その他にも、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＢｅＯ、
および、ＢａＳｎ（ＢＯ3）2等も用いることができる。
但し、Ａｌ2Ｏ3やＢａＳｎ（ＢＯ3）2は熱伝導率が低
く、ＳｉＣは誘電率が高く、ＢｅＯは毒性が強いので、
好ましくはＡｌＮを用いるべきである。表１に本発明に
おいて使用し得る各種セラミックスの物性値を示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】この絶縁層１２の材質を選定する場合に
は、放熱特性と絶縁性を兼ね備えたものが好ましく、こ
の両者の相関を示す指標である（熱伝導率）×（絶縁耐
圧）の値が重要である。ＡｌＮは１４００〜１７００で
あり、両者のバランスがよいので好適である。この絶縁
層１２の層厚は０．３〜１．０ｍｍ程度とするのが好ま
しい。層厚がこの範囲を越えると放熱特性が劣化し、こ
の範囲未満であると絶縁破壊を生じることがある。な
お、この絶縁層１２は放熱用のアルミニウム板１１上に
積層しているが、この放熱板としてはアルミニウム以外
にも、鉄、銅等も用い得る。
は、放熱特性と絶縁性を兼ね備えたものが好ましく、こ
の両者の相関を示す指標である（熱伝導率）×（絶縁耐
圧）の値が重要である。ＡｌＮは１４００〜１７００で
あり、両者のバランスがよいので好適である。この絶縁
層１２の層厚は０．３〜１．０ｍｍ程度とするのが好ま
しい。層厚がこの範囲を越えると放熱特性が劣化し、こ
の範囲未満であると絶縁破壊を生じることがある。な
お、この絶縁層１２は放熱用のアルミニウム板１１上に
積層しているが、この放熱板としてはアルミニウム以外
にも、鉄、銅等も用い得る。
【００１６】図２は本発明の他の実施例に係る高電流用
制御回路を示す断面図である。この図に示すように、こ
の実施例では、アルミニウムのベース２１上にＡｌＮの
絶縁層２２を積層し、この絶縁層２２の上に、パワー回
路用の導体パターン２３と、制御回路用の導体パターン
２４と、をそれぞれ形成したものである。この導体パタ
ーン２４は有機樹脂基板またはガラスエポキシ樹脂基板
２５に２層に形成されており、この基板２５が第２の絶
縁層となる。この第２の絶縁層２５は上述したアルミナ
または低温焼成基板を用いてもよい。樹脂を用いれば誘
電率が低いので応答時間が速くなり好適である。用い得
る樹脂としては、表１に示すように、誘電率が５以下で
あり、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋであるエポキシ樹脂、ポ
リイミド系樹脂、ポリイミドフィルムおよびガラスエポ
キシ樹脂等が挙げられる。この第２の絶縁層２５は、熱
的な遮蔽板としても機能し、これに搭載される導体パタ
ーン２４および制御用のＩＣチップが高温に曝されるの
を防ぐことができる。第２の絶縁層２５は、例えばその
熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ・Ｋ、誘電率が４．８である。
制御回路を示す断面図である。この図に示すように、こ
の実施例では、アルミニウムのベース２１上にＡｌＮの
絶縁層２２を積層し、この絶縁層２２の上に、パワー回
路用の導体パターン２３と、制御回路用の導体パターン
２４と、をそれぞれ形成したものである。この導体パタ
ーン２４は有機樹脂基板またはガラスエポキシ樹脂基板
２５に２層に形成されており、この基板２５が第２の絶
縁層となる。この第２の絶縁層２５は上述したアルミナ
または低温焼成基板を用いてもよい。樹脂を用いれば誘
電率が低いので応答時間が速くなり好適である。用い得
る樹脂としては、表１に示すように、誘電率が５以下で
あり、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋであるエポキシ樹脂、ポ
リイミド系樹脂、ポリイミドフィルムおよびガラスエポ
キシ樹脂等が挙げられる。この第２の絶縁層２５は、熱
的な遮蔽板としても機能し、これに搭載される導体パタ
ーン２４および制御用のＩＣチップが高温に曝されるの
を防ぐことができる。第２の絶縁層２５は、例えばその
熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ・Ｋ、誘電率が４．８である。
【００１７】なお、制御回路用の導体パターンは、上記
絶縁層を除いて直接ベース上に第２の絶縁層を積層、形
成し、この上に形成してもよい。このようにすると、安
価な有機樹脂系の絶縁層により回路基板そのものをより
安価に製作することができる。
絶縁層を除いて直接ベース上に第２の絶縁層を積層、形
成し、この上に形成してもよい。このようにすると、安
価な有機樹脂系の絶縁層により回路基板そのものをより
安価に製作することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の回路基板は、良好な放熱特性、
高い絶縁破壊耐圧特性を有する。
高い絶縁破壊耐圧特性を有する。
【図１】本発明の一実施例に係る多層回路基板を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る多層回路基板を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の多層回路基板を示す断面図である。
１１ ベース部材 １２ 絶縁層 １３ パワー回路用の導体パターン １５ 第２の絶縁層 １６ 制御回路用の導体パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 大電力制御用のパワー回路と、このパワ
ー回路を制御する制御回路と、を搭載する回路基板にお
いて、 ベース部材と、このベース部材上に積層されるセラミッ
クスの絶縁層と、この絶縁層上に形成された上記パワー
回路用の導体パターンと、を備えるとともに、上記絶縁
層の熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴と
する回路基板。 - 【請求項２】 上記ベース部材上に第２の絶縁層を積層
し、この第２の絶縁層上に上記制御回路用の導体パター
ンを形成するとともに、この第２の絶縁層を有機樹脂系
材料で形成した請求項１に記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4181713A JP3036236B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4181713A JP3036236B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065730A true JPH065730A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3036236B2 JP3036236B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=16105561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4181713A Expired - Lifetime JP3036236B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036236B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706221A3 (en) * | 1994-10-07 | 1997-11-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device comprising a plurality of semiconductor elements |
| CN104994682A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-10-21 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 一种具有良好散热性能的pcb以及应用其的移动终端 |
| US12635518B2 (en) | 2021-05-27 | 2026-05-19 | Denso Corporation | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4181713A patent/JP3036236B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706221A3 (en) * | 1994-10-07 | 1997-11-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device comprising a plurality of semiconductor elements |
| US5956231A (en) * | 1994-10-07 | 1999-09-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having power semiconductor elements |
| CN104994682A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-10-21 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 一种具有良好散热性能的pcb以及应用其的移动终端 |
| US12635518B2 (en) | 2021-05-27 | 2026-05-19 | Denso Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3036236B2 (ja) | 2000-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7872869B2 (en) | Electronic chip module | |
| US6212076B1 (en) | Enhanced heat-dissipating printed circuit board package | |
| EP1363325B1 (en) | Member for electronic circuit, method for manufacturing the member | |
| US8139368B2 (en) | Component-containing module | |
| US6181008B1 (en) | Integrated circuit power supply | |
| US4994903A (en) | Circuit substrate and circuit using the substrate | |
| CN113284864B (zh) | 嵌入式电力系统的冷却配置集成 | |
| EP2391192A1 (en) | Multilayer circuit substrate | |
| US6414847B1 (en) | Integral dielectric heatspreader | |
| SE509570C2 (sv) | Temperaturkompenserande organ och förfarande vid montering av elektronik på ett mönsterkort | |
| JP3603354B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH05243433A (ja) | 電子回路装置 | |
| JP2004363568A (ja) | 回路素子内蔵モジュール | |
| JP3036236B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2006269966A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH06334286A (ja) | 回路基板 | |
| JPH04273150A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07162157A (ja) | 多層基板 | |
| JPH08125287A (ja) | マルチチップモジュール用配線基板の製造方法 | |
| JP2965223B2 (ja) | 放熱用複合基板 | |
| JP2000299564A (ja) | 多層基板の放熱構造 | |
| JP2004072003A (ja) | 金属ベース多層回路基板とそれを用いた混成集積回路 | |
| JP2521624Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05114665A (ja) | 放熱性基板 | |
| CN119812135B (zh) | 芯片封装结构及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000125 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080225 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120225 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130225 Year of fee payment: 13 |