JPH065732A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH065732A JPH065732A JP4159286A JP15928692A JPH065732A JP H065732 A JPH065732 A JP H065732A JP 4159286 A JP4159286 A JP 4159286A JP 15928692 A JP15928692 A JP 15928692A JP H065732 A JPH065732 A JP H065732A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- substrate
- input
- type semiconductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の基板への実装を高密度化するこ
とができるようにするものである。 【構成】 半導体装置の樹脂モールド筐体１３の上面ま
たは下面に凹部１６を設け、この凹部１６に入出力端子
１５を設置したものである。
とができるようにするものである。 【構成】 半導体装置の樹脂モールド筐体１３の上面ま
たは下面に凹部１６を設け、この凹部１６に入出力端子
１５を設置したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に高密度実装する
ことができる半導体装置に関するものである。
ことができる半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のＤＩＰ型半導体装置を示す
斜視図であり、図４はこのＤＩＰ型半導体装置を基板上
に実装した場合の側面図である。図において、１は入出
力端子２を２方向に設置したＤＩＰ（デュアル・インラ
イン・パッケージ）型に代表される挿入形の半導体装置
である。
斜視図であり、図４はこのＤＩＰ型半導体装置を基板上
に実装した場合の側面図である。図において、１は入出
力端子２を２方向に設置したＤＩＰ（デュアル・インラ
イン・パッケージ）型に代表される挿入形の半導体装置
である。
【０００３】このＤＩＰ型半導体装置１の入出力端子２
を基板３の図示せぬスルーホールに挿入し、半田で接合
するものである。
を基板３の図示せぬスルーホールに挿入し、半田で接合
するものである。
【０００４】図５は従来のＱＦＰ型半導体装置を示す斜
視図であり、図６はこのＱＦＰ型半導体装置を基板に実
装した場合の側面図である。図において、４は入出力端
子５を４方向に設置したＱＦＰ（クワッド・フラット・
パッケージ）型に代表される表面実装型の半導体装置で
ある。
視図であり、図６はこのＱＦＰ型半導体装置を基板に実
装した場合の側面図である。図において、４は入出力端
子５を４方向に設置したＱＦＰ（クワッド・フラット・
パッケージ）型に代表される表面実装型の半導体装置で
ある。
【０００５】このＱＦＰ型半導体装置４を基板６に搭載
し、その入出力端子５を基板６の表面の電極部に半田で
接合するものである。
し、その入出力端子５を基板６の表面の電極部に半田で
接合するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の半導体装置、特にＤＩＰ型半導体装置では、基板に
スルーホールを設けなければならないため、スルーホー
ルの部分には基板の配線パターンを設けることができな
い。
成の半導体装置、特にＤＩＰ型半導体装置では、基板に
スルーホールを設けなければならないため、スルーホー
ルの部分には基板の配線パターンを設けることができな
い。
【０００７】また、ＱＦＰ型半導体装置では、入出力端
子が同一ピッチの場合、入出力端子数を増やすと、ＱＦ
Ｐ型半導体装置の樹脂筺体の寸法が大きくなる。
子が同一ピッチの場合、入出力端子数を増やすと、ＱＦ
Ｐ型半導体装置の樹脂筺体の寸法が大きくなる。
【０００８】このように、ＤＩＰ型半導体装置およびＱ
ＦＰ型半導体装置のいずれの入出力端子の設け方でも、
基板への高密度実装という点から満足できるものが得ら
れないという問題点があった。
ＦＰ型半導体装置のいずれの入出力端子の設け方でも、
基板への高密度実装という点から満足できるものが得ら
れないという問題点があった。
【０００９】本発明は、以上述べた基板上への高密度実
装が満足できないという問題点を除去するため、半導体
装置の筺体の平面内に、入出力端子を設置する優れた半
導体装置を提供することを目的とする。
装が満足できないという問題点を除去するため、半導体
装置の筺体の平面内に、入出力端子を設置する優れた半
導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体装置の筺体上面または下面に凹部を設け、こ
の凹部に入出力端子を設置するものである。
は、半導体装置の筺体上面または下面に凹部を設け、こ
の凹部に入出力端子を設置するものである。
【００１１】
【作用】本発明は基板への実装を高密度に行なうことが
できる。
できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図であり、図２はこの半導体装置を基板に実装
した場合の一部破断した側面図である。図において、７
は半導体素子、８はこの半導体素子７を固着したダイパ
ット、９は一方の面に導体１０を配線し、他方の面に導
体１１を配線し、この導体１０と導体１１をスルーホー
ル１２で接続した絶縁板、１３は樹脂モールド、１４は
半導体素子７の電極と導体１０を接続する金属細線、１
５は一端が導体１１に接続し、他端が半導体装置の筺体
下面凹部１６に配置した入出力端子である。
示す断面図であり、図２はこの半導体装置を基板に実装
した場合の一部破断した側面図である。図において、７
は半導体素子、８はこの半導体素子７を固着したダイパ
ット、９は一方の面に導体１０を配線し、他方の面に導
体１１を配線し、この導体１０と導体１１をスルーホー
ル１２で接続した絶縁板、１３は樹脂モールド、１４は
半導体素子７の電極と導体１０を接続する金属細線、１
５は一端が導体１１に接続し、他端が半導体装置の筺体
下面凹部１６に配置した入出力端子である。
【００１３】この構成による半導体装置を基板３上に実
装する場合、図２に示すように、その入出力端子１５
は、筺体下面凹部１６に設けたので、接合材料１７によ
り、基板３上の配線パターン（図示せず）に接合するこ
とができる。
装する場合、図２に示すように、その入出力端子１５
は、筺体下面凹部１６に設けたので、接合材料１７によ
り、基板３上の配線パターン（図示せず）に接合するこ
とができる。
【００１４】このように、半導体素子の筺体下面に設け
た凹部１６の面積全てを入出力端子として使用すること
ができ、基板への高密度実装を行なうことができる。
た凹部１６の面積全てを入出力端子として使用すること
ができ、基板への高密度実装を行なうことができる。
【００１５】なお、上述の実施例では、入出力端子を、
半導体装置の筺体の下面に設置した場合を示したが、こ
れに限定せず、筺体の上面に設けてもよいことはもちろ
んである。
半導体装置の筺体の下面に設置した場合を示したが、こ
れに限定せず、筺体の上面に設けてもよいことはもちろ
んである。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体装置によれば、入出力端子を半導体装置の筺体
の上面または下面に設置したので、基板への実装密度を
上げることができる効果がある。
る半導体装置によれば、入出力端子を半導体装置の筺体
の上面または下面に設置したので、基板への実装密度を
上げることができる効果がある。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】図１の半導体装置を基板に実装した場合を示す
一部破断した側面図である。
一部破断した側面図である。
【図３】従来のＤＩＰ型半導体装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図４】図３の半導体装置を基板に実装した場合を示す
側面図である。
側面図である。
【図５】従来のＱＦＰ型半導体装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５の半導体装置を基板に実装した場合を示す
側面図である。
側面図である。
７ 半導体素子 ８ ダイパット ９ 絶縁板 １０，１１ 導体 １２ スルーホール １３ 樹脂モールド １５ 入出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の筐体上面または下面に凹部
を設け、この凹部に入出力端子を設置したことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04159286A JP3107648B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 半導体装置 |
| JP2000129910A JP3589941B2 (ja) | 1992-06-18 | 2000-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04159286A JP3107648B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000129910A Division JP3589941B2 (ja) | 1992-06-18 | 2000-04-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065732A true JPH065732A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3107648B2 JP3107648B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=15690482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04159286A Expired - Fee Related JP3107648B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3107648B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102414635A (zh) * | 2009-04-28 | 2012-04-11 | 三菱电机株式会社 | 指令生成装置 |
| JP2023084224A (ja) * | 2021-12-07 | 2023-06-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992020097A1 (fr) | 1991-04-26 | 1992-11-12 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteurs et procede de production de ce dispositif |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP04159286A patent/JP3107648B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102414635A (zh) * | 2009-04-28 | 2012-04-11 | 三菱电机株式会社 | 指令生成装置 |
| US8897901B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-11-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Command generator |
| JP2023084224A (ja) * | 2021-12-07 | 2023-06-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3107648B2 (ja) | 2000-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 10 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 11 |
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