JPH065761B2 - ホトダイオ−ド - Google Patents
ホトダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPH065761B2 JPH065761B2 JP62088003A JP8800387A JPH065761B2 JP H065761 B2 JPH065761 B2 JP H065761B2 JP 62088003 A JP62088003 A JP 62088003A JP 8800387 A JP8800387 A JP 8800387A JP H065761 B2 JPH065761 B2 JP H065761B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pattern wiring
- photodiode
- receiving surface
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトダイオードに関し、特にガラス窓を有し気
密封止された構造のホトダイオードに関する。
密封止された構造のホトダイオードに関する。
従来、この種のホトダイオードは、第２図に示すよう
に、シールガラス５２を貫通するカソードリード端子３
１ａとアノードリード端子３２ａとを備えたステム５０
と、このステム５０の内側のアノードリード端子３２ａ
の平坦部にマウントソルダ５３によりアノード電極を接
着接続するホトダイオードチップ２０と、このホトダイ
オードチップ２０の受光面２１側に形成されたカソード
電極とステム５０の内側のカソードリード端子３１ａと
をボンディング接続する金属細線２４ａと、ガラス窓４
１を備えステム５０と共にホトダイオードチップ２０を
気密封止する金属キャップ４０とを有する構造となって
いた。
に、シールガラス５２を貫通するカソードリード端子３
１ａとアノードリード端子３２ａとを備えたステム５０
と、このステム５０の内側のアノードリード端子３２ａ
の平坦部にマウントソルダ５３によりアノード電極を接
着接続するホトダイオードチップ２０と、このホトダイ
オードチップ２０の受光面２１側に形成されたカソード
電極とステム５０の内側のカソードリード端子３１ａと
をボンディング接続する金属細線２４ａと、ガラス窓４
１を備えステム５０と共にホトダイオードチップ２０を
気密封止する金属キャップ４０とを有する構造となって
いた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のホトダイオードは、ホトダイオードチッ
プ２０の受光面２１側のカソード電極とカソードリード
端子３１ａとを金属細線２４ａによりボンディクング接
続する構造となっているので、ホトダイオードチップ２
０の受光面２１とガラス窓４１との間にすき間が必要で
あり、ガラス窓４１の外部表面からホトダイオードチッ
プ２０の受光面２１までの距離（光学長）が大きくなる
ために受光面２１へ有効に光を入射しようとするときの
障害になるという欠点があった。
プ２０の受光面２１側のカソード電極とカソードリード
端子３１ａとを金属細線２４ａによりボンディクング接
続する構造となっているので、ホトダイオードチップ２
０の受光面２１とガラス窓４１との間にすき間が必要で
あり、ガラス窓４１の外部表面からホトダイオードチッ
プ２０の受光面２１までの距離（光学長）が大きくなる
ために受光面２１へ有効に光を入射しようとするときの
障害になるという欠点があった。
特に光ファイバ通信分野で使われるホトダイオードは、
受光面の直径が数１０μ程度であるので、この光学長が
大きくなると極めて使いにくくなる。
受光面の直径が数１０μ程度であるので、この光学長が
大きくなると極めて使いにくくなる。
本発明の目的は、受光面までの光学長を短かくすること
ができて受光面への光を有効に入射することができ、か
つ使いやすいホトダイオードを提供することにある。
ができて受光面への光を有効に入射することができ、か
つ使いやすいホトダイオードを提供することにある。
本発明のホトダイオードは、受光面側の面に形成された
メタライズ層の第１の電極と、前記受光面とは逆の面に
形成された第２の電極とを備えたホトダイオードチップ
と、同一面上に一端が前記第１の電極と面接触して接着
接続するメタライズ層の第１のパターン配線と一端が前
記第２の電極と接続するメタライズ層の第２のパターン
配線とが形成された平板ガラスと、第１及び第２のリー
ド端子を備え前記平板ガラスと共に前記ホトダイオード
チップを気密封止すると同時に前記第１及び第２のパタ
ーン配線と前記第１及び第２のリード端子とをそれぞれ
接続する容器とを有している。
メタライズ層の第１の電極と、前記受光面とは逆の面に
形成された第２の電極とを備えたホトダイオードチップ
と、同一面上に一端が前記第１の電極と面接触して接着
接続するメタライズ層の第１のパターン配線と一端が前
記第２の電極と接続するメタライズ層の第２のパターン
配線とが形成された平板ガラスと、第１及び第２のリー
ド端子を備え前記平板ガラスと共に前記ホトダイオード
チップを気密封止すると同時に前記第１及び第２のパタ
ーン配線と前記第１及び第２のリード端子とをそれぞれ
接続する容器とを有している。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例を示
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図であ
る。
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図であ
る。
ホトダイオードチップ２０には、受光面２１側の面にメ
タライズ層の第１の電極のカソード電極２２と、受光面
２１とは逆の面に第２の電極のアノード電極２３が形成
されている。
タライズ層の第１の電極のカソード電極２２と、受光面
２１とは逆の面に第２の電極のアノード電極２３が形成
されている。
平板ガラス１０には、片方の面に、この面のほぼ中央に
カソード電極２２とほぼ同一形状のパターンとこれに続
いて周辺まで伸びるパターンを有しメタライズ層で形成
された第１のパターン配線のカソードパターン配線１１
と、周辺から中央方向に少し伸びたパターンを有しメタ
ライズ層で形成された第２のパターン配線のアノードパ
ターン配線１２とが設けられている。
カソード電極２２とほぼ同一形状のパターンとこれに続
いて周辺まで伸びるパターンを有しメタライズ層で形成
された第１のパターン配線のカソードパターン配線１１
と、周辺から中央方向に少し伸びたパターンを有しメタ
ライズ層で形成された第２のパターン配線のアノードパ
ターン配線１２とが設けられている。
この平板ガラス１０の中央のカソードパターン配線１１
に、ホトダイオードチップ２０のカソード電極２２が面
接触して導電性接着剤で接着接着し、また、アノードパ
ターン配線１２とアノード電極２３とが金属細線２４に
よりボンディング接続されている。
に、ホトダイオードチップ２０のカソード電極２２が面
接触して導電性接着剤で接着接着し、また、アノードパ
ターン配線１２とアノード電極２３とが金属細線２４に
よりボンディング接続されている。
セラミック製の容器３０には、外部回路と接続するため
の第１及び第２のリード端子、即ちカソードリード端子
３１及びアノードリード端子３２がメタライズ層で形成
された配線層３３ａ，３３ｂとそれぞれ接続して設けら
れており、また平板ガラス１０がはめ込みできるように
段差部が設けられている。
の第１及び第２のリード端子、即ちカソードリード端子
３１及びアノードリード端子３２がメタライズ層で形成
された配線層３３ａ，３３ｂとそれぞれ接続して設けら
れており、また平板ガラス１０がはめ込みできるように
段差部が設けられている。
そして、ホトダイオードチップ２０を取付けた平板ガラ
ス１０を容器３０の段差部にはめ込み、カソードパター
ン配線１１の周辺側と配線層３３ａ、アノードパターン
配線１２の周辺側と配線層３３ｂとが導電性接着剤で接
着接続され、同時に平板ガラス１０と容器とが接着剤で
気密接着されホトダイオードチップ２０を気密封止する
構造となっている。
ス１０を容器３０の段差部にはめ込み、カソードパター
ン配線１１の周辺側と配線層３３ａ、アノードパターン
配線１２の周辺側と配線層３３ｂとが導電性接着剤で接
着接続され、同時に平板ガラス１０と容器とが接着剤で
気密接着されホトダイオードチップ２０を気密封止する
構造となっている。
以上説明したように本発明は、ホトダイオードチップの
受光面側に形成されたメタライズ層の第１の電極と平板
ガラス面に形成されたメタライズ層の第１のパターン配
線とを面接触させて接着接続し気密封止する構造とする
ことにより、受光面までの光学長を短かくすることがで
きるので、使いやすくかつ受光面への光を有効に入射す
ることができる効果がある。
受光面側に形成されたメタライズ層の第１の電極と平板
ガラス面に形成されたメタライズ層の第１のパターン配
線とを面接触させて接着接続し気密封止する構造とする
ことにより、受光面までの光学長を短かくすることがで
きるので、使いやすくかつ受光面への光を有効に入射す
ることができる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例を示
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図、第
２図は従来のホトダイオードの一例を示す断面図であ
る。 １０…平板ガラス、１１…カソードパターン配線、１２
…アノードパターン配線、２０…ホトダイオードチッ
プ、２１…受光面、２２…カソード電極、２３…アノー
ド電極、２４，２４ａ…金属細線、３０…容器、３１，
３１ａ…カソードリード端子、３２，３２ａ…アノード
リード端子、３３ａ，３３ｂ…配線層、４０…金属キャ
ップ、４１…ガラス窓、４２…低融点ガラス、５０…ス
テム、５１…金属ベース、５２…シールガラス、５３…
マウントソルダ。
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図、第
２図は従来のホトダイオードの一例を示す断面図であ
る。 １０…平板ガラス、１１…カソードパターン配線、１２
…アノードパターン配線、２０…ホトダイオードチッ
プ、２１…受光面、２２…カソード電極、２３…アノー
ド電極、２４，２４ａ…金属細線、３０…容器、３１，
３１ａ…カソードリード端子、３２，３２ａ…アノード
リード端子、３３ａ，３３ｂ…配線層、４０…金属キャ
ップ、４１…ガラス窓、４２…低融点ガラス、５０…ス
テム、５１…金属ベース、５２…シールガラス、５３…
マウントソルダ。
Claims (1)
- 【請求項１】受光面側の面に形成されたメタライズ層の
第１の電極と、前記受光面とは逆の面に形成された第２
の電極とを備えたホトダイオードチップと、同一面上に
一端が前記第１の電極と面接触して接着接続するメタラ
イズ層の第１のパターン配線と一端が前記第２の電極と
接続するメタライズ層の第２のパターン配線とが形成さ
れた平板ガラスと、第１及び第２のリード端子を備え前
記平板ガラスと共に前記ホトダイオードチップを気密封
止すると同時に前記第１及び第２のパターン配線と前記
第１及び第２のリード端子とをそれぞれ接続する容器と
を有することを特徴とするホトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088003A JPH065761B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ホトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088003A JPH065761B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ホトダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253673A JPS63253673A (ja) | 1988-10-20 |
| JPH065761B2 true JPH065761B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=13930611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088003A Expired - Lifetime JPH065761B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ホトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065761B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62088003A patent/JPH065761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63253673A (ja) | 1988-10-20 |
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