JPS63253673A - ホトダイオ−ド - Google Patents
ホトダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS63253673A JPS63253673A JP62088003A JP8800387A JPS63253673A JP S63253673 A JPS63253673 A JP S63253673A JP 62088003 A JP62088003 A JP 62088003A JP 8800387 A JP8800387 A JP 8800387A JP S63253673 A JPS63253673 A JP S63253673A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pattern wiring
- light
- receiving surface
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホトダイオードに関し、特にガラス窓を有し気
密封止された構造のホトダイオードに関する。
密封止された構造のホトダイオードに関する。
従来、この種のホトダイオードは、第２図に示すように
、シールガラス５２を貫通するカソードリード端子３１
ａとアノードリード端子３２ａとを備えたステム５０と
、このステム５０の内側のアノードリード端子３２ａの
平坦部にマウントソルダ５３によりアノード電極を接着
接続するホトダイオードチップ２０と、このホトダイオ
ードチップ２０の受光面２１側に形成されたカソード電
極とステム５０の内側のカソードリード端子３１ａとを
ボンディング接続する金属細線２４ａと、ガラス窓４１
を備えステム５０と共にホトダイオードチップ２０を気
密封止する金属キヤ・・ｌプ４０とを有する構造となっ
ていた。
、シールガラス５２を貫通するカソードリード端子３１
ａとアノードリード端子３２ａとを備えたステム５０と
、このステム５０の内側のアノードリード端子３２ａの
平坦部にマウントソルダ５３によりアノード電極を接着
接続するホトダイオードチップ２０と、このホトダイオ
ードチップ２０の受光面２１側に形成されたカソード電
極とステム５０の内側のカソードリード端子３１ａとを
ボンディング接続する金属細線２４ａと、ガラス窓４１
を備えステム５０と共にホトダイオードチップ２０を気
密封止する金属キヤ・・ｌプ４０とを有する構造となっ
ていた。
上述した従来のホトダイオードは、ホトダイオードチッ
プ２０の受光面２１側のカソード電極とカソードリード
端子３１ａとを金属細線２４ａによりボンディング接続
する構造となっているので、ホトダイオードチップ２０
の受光面２１とガラス窓４１との間にすき間が必要であ
り、ガラス窓４１の外部表面からホトダイオードチップ
２゜の受光面２１までの距離（光学長）が大きくなるた
めに受光面２１へ有効に光を入射しようとするときの障
害になるという欠点があった。
プ２０の受光面２１側のカソード電極とカソードリード
端子３１ａとを金属細線２４ａによりボンディング接続
する構造となっているので、ホトダイオードチップ２０
の受光面２１とガラス窓４１との間にすき間が必要であ
り、ガラス窓４１の外部表面からホトダイオードチップ
２゜の受光面２１までの距離（光学長）が大きくなるた
めに受光面２１へ有効に光を入射しようとするときの障
害になるという欠点があった。
特に光フアイバ通信分野で使われるホトダイオードは、
受光面の直径が数１０μ程度であるので、この光学長が
大きくなると極めて使いにくくなる。
受光面の直径が数１０μ程度であるので、この光学長が
大きくなると極めて使いにくくなる。
本発明の目的は、受光面までの光学長を短がくすること
ができて受光面への光を有効に入射することができ、か
つ使いやすいホトダイオードを提供することにある。
ができて受光面への光を有効に入射することができ、か
つ使いやすいホトダイオードを提供することにある。
本発明のホトダイオードは、受光面側の面に形成された
メタライズ層の第１の電極と、前記受光面とは逆の面に
形成された第２の電極とを備えたホトダイオードチップ
と、同一面上に一端が前記第１の電極と面接触して接着
接続するメタライズ層の第１のパターン配線と一端が前
記第２の電極と接続するメタライズ層の第２のパターン
配線とが形成された平板ガラスと、第１及び第２のリー
ド端子を備え前記平板ガラスと共に前記ホトダイオード
チップを気密封止すると同時に前記第１及び第２のパタ
ーン配線と前記第１及び第２のリード端子とをそれぞれ
接続する容器とを有している。
メタライズ層の第１の電極と、前記受光面とは逆の面に
形成された第２の電極とを備えたホトダイオードチップ
と、同一面上に一端が前記第１の電極と面接触して接着
接続するメタライズ層の第１のパターン配線と一端が前
記第２の電極と接続するメタライズ層の第２のパターン
配線とが形成された平板ガラスと、第１及び第２のリー
ド端子を備え前記平板ガラスと共に前記ホトダイオード
チップを気密封止すると同時に前記第１及び第２のパタ
ーン配線と前記第１及び第２のリード端子とをそれぞれ
接続する容器とを有している。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例を示
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図であ
る。
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図であ
る。
ホトダイオードチップ２０には、受光面２１ｆｔ１１の
面にメタライズ層の第１の電極のカソード電極２２と、
受光面２１とは逆の面に第２の電極のアノード電極２３
が形成されている。
面にメタライズ層の第１の電極のカソード電極２２と、
受光面２１とは逆の面に第２の電極のアノード電極２３
が形成されている。
平板ガラス１０には、片方の面に、この面のほぼ中央に
カソード電極２２とほぼ同一形状のパターンとこれに続
いて周辺まで伸びるパターンを有しメタライズ層で形成
された第１のパターン配線のカソードパターン配線１１
と、周辺から中央方向に少し伸びたパターンを有しメタ
ライズ層で形成された第２のパターン配線のアノードパ
ターン配線１２とが設けられている。
カソード電極２２とほぼ同一形状のパターンとこれに続
いて周辺まで伸びるパターンを有しメタライズ層で形成
された第１のパターン配線のカソードパターン配線１１
と、周辺から中央方向に少し伸びたパターンを有しメタ
ライズ層で形成された第２のパターン配線のアノードパ
ターン配線１２とが設けられている。
この平板ガラス１０の中央のカソードパターン配線１１
に、ホトダイオードチップ２０のカソード電極２２が面
接触して導電性接着剤で接着接着し、また、アノードパ
ターン配線１２とアノード電極２３とが金属細線２４に
よりボンディング接続されている。
に、ホトダイオードチップ２０のカソード電極２２が面
接触して導電性接着剤で接着接着し、また、アノードパ
ターン配線１２とアノード電極２３とが金属細線２４に
よりボンディング接続されている。
セラミック製の容器３０には、外部回路と接続するため
の第１及び第２のリード端子、即ちカソードリード端子
３１及びアノードリード端子３２がメタライズ層で形成
された配線層３３ａ、３３ｂとそれぞれ接続して設けら
れており、また平板ガラス１０がはめ込みできるように
段差部が設けられている。
の第１及び第２のリード端子、即ちカソードリード端子
３１及びアノードリード端子３２がメタライズ層で形成
された配線層３３ａ、３３ｂとそれぞれ接続して設けら
れており、また平板ガラス１０がはめ込みできるように
段差部が設けられている。
そして、ホト・ダイオードチップ２０を取付けた平板ガ
ラス１０を容器３０の段差部にはめ込み、カソードパタ
ーン配線１１の周辺側と配線層３３ａ、アノードパター
ン配線１２の周辺側と配線層３３ｂとが導電性接着剤で
接着接続され、同時に平板ガラス１０と容器とが接着剤
で気密接着されホトダイオードチップ２０を気密封止す
る構造となっている。
ラス１０を容器３０の段差部にはめ込み、カソードパタ
ーン配線１１の周辺側と配線層３３ａ、アノードパター
ン配線１２の周辺側と配線層３３ｂとが導電性接着剤で
接着接続され、同時に平板ガラス１０と容器とが接着剤
で気密接着されホトダイオードチップ２０を気密封止す
る構造となっている。
以上説明したように本発明は、ホトダイオードチップの
受光面側に形成されたメタライズ層の第１の電極と平板
ガラス面に形成されたメタライズ層の第１のパターン配
線とを面接触させて接着接続し気密封止する構造とする
ことにより、受光面までの光学長を短かくすることがで
きるので、使いやすくかつ受光面への光を有効に入射す
ることができる効果がある。
受光面側に形成されたメタライズ層の第１の電極と平板
ガラス面に形成されたメタライズ層の第１のパターン配
線とを面接触させて接着接続し気密封止する構造とする
ことにより、受光面までの光学長を短かくすることがで
きるので、使いやすくかつ受光面への光を有効に入射す
ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例を示
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図、第
２図は従来のホトダイオードの一例を示す断面図である
。 １０・・・平板ガラス、１１・・・カソードパターン配
線、１２・・・アノードパターン配線、２０・・・ホト
ダイオードチップ、２１・・・受光面、２２・・・カソ
ード電極、２３・・・アノード電極、２４．２４ａ・・
・金属細線、３０・・・容器、３１．３１ａ・・・カソ
ードリード端子、３２．３２ａ・・・アノードリード端
子、３３ａ、３３ｂ・・・配線層、４０・・・金属キヤ
・ツブ、４１・・・ガラス窓、４２・・・低融点ガラス
、５０・・・ステム、５１・・・金属ベース、５２・・
・シールガラス、５３・・・マウントソルダ。
す上方向及び下方向からの分解斜視図並びに断面図、第
２図は従来のホトダイオードの一例を示す断面図である
。 １０・・・平板ガラス、１１・・・カソードパターン配
線、１２・・・アノードパターン配線、２０・・・ホト
ダイオードチップ、２１・・・受光面、２２・・・カソ
ード電極、２３・・・アノード電極、２４．２４ａ・・
・金属細線、３０・・・容器、３１．３１ａ・・・カソ
ードリード端子、３２．３２ａ・・・アノードリード端
子、３３ａ、３３ｂ・・・配線層、４０・・・金属キヤ
・ツブ、４１・・・ガラス窓、４２・・・低融点ガラス
、５０・・・ステム、５１・・・金属ベース、５２・・
・シールガラス、５３・・・マウントソルダ。
Claims (1)
- 受光面側の面に形成されたメタライズ層の第１の電極
と、前記受光面とは逆の面に形成された第２の電極とを
備えたホトダイオードチップと、同一面上に一端が前記
第１の電極と面接触して接着接続するメタライズ層の第
１のパターン配線と一端が前記第２の電極と接続するメ
タライズ層の第２のパターン配線とが形成された平板ガ
ラスと、第１及び第２のリード端子を備え前記平板ガラ
スと共に前記ホトダイオードチップを気密封止すると同
時に前記第１及び第２のパターン配線と前記第１及び第
２のリード端子とをそれぞれ接続する容器とを有するこ
とを特徴とするホトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088003A JPH065761B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ホトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088003A JPH065761B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ホトダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253673A true JPS63253673A (ja) | 1988-10-20 |
| JPH065761B2 JPH065761B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=13930611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088003A Expired - Lifetime JPH065761B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | ホトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065761B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62088003A patent/JPH065761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065761B2 (ja) | 1994-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7345316B2 (en) | Wafer level packaging for optoelectronic devices | |
| JPS63102379A (ja) | 反射光障壁およびその製造方法 | |
| KR940004864A (ko) | 글래스 리드 탑재형 반도체 장치 | |
| EP0127401B1 (en) | Electro-optical element package | |
| JPS60180183A (ja) | 光半導体素子気密パツケ−ジ | |
| JPS63253673A (ja) | ホトダイオ−ド | |
| JPS62264659A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3717623B2 (ja) | 光電子装置およびその製造方法 | |
| JPS58127474A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60153184A (ja) | 受光素子 | |
| JP2006269783A (ja) | 光半導体パッケージ | |
| JPH04290477A (ja) | 半導体装置及びその実装構造 | |
| US20060163462A1 (en) | Localized hermetic sealing of a power monitor on a planar light circuit | |
| JPS59172266A (ja) | 混成集積回路およびその製造方法 | |
| KR890003383B1 (ko) | 광 소자용 패키지 | |
| JPS5972184A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0230181A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2522374Y2 (ja) | 固体撮像素子収納用パッケージ | |
| JPH06174980A (ja) | 光モジュール | |
| JPS5818369Y2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2006156528A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0246056Y2 (ja) | ||
| JPS5928384A (ja) | 光学半導体装置 | |
| JPS59229883A (ja) | ホトアイソレ−タ | |
| JP2549768Y2 (ja) | 固体撮像素子収納用パッケージ |