JPH0657637B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0657637B2 JPH0657637B2 JP62036962A JP3696287A JPH0657637B2 JP H0657637 B2 JPH0657637 B2 JP H0657637B2 JP 62036962 A JP62036962 A JP 62036962A JP 3696287 A JP3696287 A JP 3696287A JP H0657637 B2 JPH0657637 B2 JP H0657637B2
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＧａＡｓ等のIII−Ｖ族化合物半導体の気相成
長装置に関する。
長装置に関する。
近年、ＧａＡｓを用いたマイクロ波デバイス、特にＧａ
ＡｓＦＥＴの需要が急増している。ＧａＡｓＦＥＴは半
絶縁性のＧａＡｓ基板上に成長させたエピタキシャル層
に形成されるが、このエピタキシャル層を形成させるに
はＧａ／ＡｓＣｌ３／Ｈ２系による気相成長方法が一般
に用いられている。第４図にＧａ／ＡｓＣｌ３／Ｈ２系
気相成長に用いる成長装置を示す。第４図において、４
１は反応系石英管，４２はＧａソース，４３は原料ガス
供給部，４４は基板ホルダー，４５は基板、４６は反応
生成物付着領域、４７は成長炉である。この成長装置
は、反応系石英管４１内の高温領域に置かれたＧａソー
ス４２をＡｓを供給するガス状原料と反応せしめ、生じ
た反応ガスを低温領域にて反応させ基板ホルダー４４上
に置かれた基板４５上にＧａＡｓをエピタキシャル成長
させるものである。この基板設置領域よりガス流れ方向
下流側で、およそ５０℃以上低温の領域では、反応生成
物として生じたＨＣｌ，ＧａＣｌ，ＧａＣｌ３，Ａｓ等
が反応系石英管４１の内壁に付着し、特に成長炉４７の
出口付近で温度が急激に低下する場所では上記の反応生
成物の付着が著るしい。しかるに従来の成長装置では基
板設置領域と反応生成物付着領域の間に何も施していな
かった。
ＡｓＦＥＴの需要が急増している。ＧａＡｓＦＥＴは半
絶縁性のＧａＡｓ基板上に成長させたエピタキシャル層
に形成されるが、このエピタキシャル層を形成させるに
はＧａ／ＡｓＣｌ３／Ｈ２系による気相成長方法が一般
に用いられている。第４図にＧａ／ＡｓＣｌ３／Ｈ２系
気相成長に用いる成長装置を示す。第４図において、４
１は反応系石英管，４２はＧａソース，４３は原料ガス
供給部，４４は基板ホルダー，４５は基板、４６は反応
生成物付着領域、４７は成長炉である。この成長装置
は、反応系石英管４１内の高温領域に置かれたＧａソー
ス４２をＡｓを供給するガス状原料と反応せしめ、生じ
た反応ガスを低温領域にて反応させ基板ホルダー４４上
に置かれた基板４５上にＧａＡｓをエピタキシャル成長
させるものである。この基板設置領域よりガス流れ方向
下流側で、およそ５０℃以上低温の領域では、反応生成
物として生じたＨＣｌ，ＧａＣｌ，ＧａＣｌ３，Ａｓ等
が反応系石英管４１の内壁に付着し、特に成長炉４７の
出口付近で温度が急激に低下する場所では上記の反応生
成物の付着が著るしい。しかるに従来の成長装置では基
板設置領域と反応生成物付着領域の間に何も施していな
かった。
従来の成長装置のように基板領域と反応生成物付着領域
の間に何も施されずにエピタキシャル成長を行なうと、
反応生成物のガスが基板領域に逆流して基板を汚染し、
エピタキシャル成長表面にピットが発生したり、あるい
は反応生成物の粉末が基板領域に逆流して基板上に落下
し、エピタキシャル成長方面に異常成長が発生するとい
う欠点があった。
の間に何も施されずにエピタキシャル成長を行なうと、
反応生成物のガスが基板領域に逆流して基板を汚染し、
エピタキシャル成長表面にピットが発生したり、あるい
は反応生成物の粉末が基板領域に逆流して基板上に落下
し、エピタキシャル成長方面に異常成長が発生するとい
う欠点があった。
本発明に係わる気相成長装置は、多数の孔を有する円形
石英板数枚を一定の間隔をおいて接続した治具を反応系
石英管内の基板領域と反応成長物付着領域との間に挿入
することを特徴とする。
石英板数枚を一定の間隔をおいて接続した治具を反応系
石英管内の基板領域と反応成長物付着領域との間に挿入
することを特徴とする。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略断面図であり、１１は
反応系石英管、１２はＧａソース、１３は原料ガス供給
部、１４は基板ホルダー、１５は基板、１６は反応生成
物逆流防止治具、１７は反応生成物付着領域、１８は成
長炉である。ここで反応生成物逆流防止治具１６は第２
図の斜線図に示すように、多数の孔を有する円形石英板
数枚を一定の間隔をおいて接続した構造を有しており、
反応系石英管内の基板領域と反応生成物付着領域との間
に挿入される。本実施例により反応生成物のガスや粉末
が基板領域に逆流することが防止され、エピタキシャル
層に不良の発生が減少する。
反応系石英管、１２はＧａソース、１３は原料ガス供給
部、１４は基板ホルダー、１５は基板、１６は反応生成
物逆流防止治具、１７は反応生成物付着領域、１８は成
長炉である。ここで反応生成物逆流防止治具１６は第２
図の斜線図に示すように、多数の孔を有する円形石英板
数枚を一定の間隔をおいて接続した構造を有しており、
反応系石英管内の基板領域と反応生成物付着領域との間
に挿入される。本実施例により反応生成物のガスや粉末
が基板領域に逆流することが防止され、エピタキシャル
層に不良の発生が減少する。
第３図に従来装置を用いてエピタキシャル成長を行なっ
た場合と、本発明装置を用いてエピタキシャル成長を行
なった場合の不良発生率を示す。第３図に示す様に本発
明による装置を用いてエピタキシャル成長を行なった場
合には従来に比べて不良が約７０％低減しており、エピ
タキシャル成長表面の良好なエピタキシャル層がきわめ
て高い確率で得られることがわかる。
た場合と、本発明装置を用いてエピタキシャル成長を行
なった場合の不良発生率を示す。第３図に示す様に本発
明による装置を用いてエピタキシャル成長を行なった場
合には従来に比べて不良が約７０％低減しており、エピ
タキシャル成長表面の良好なエピタキシャル層がきわめ
て高い確率で得られることがわかる。
以上に述べた様に本発明によれば、反応生成物逆流防止
治具を基板領域と反応生成物付着領域の間に挿入するこ
とによって、反応生成物のガスや粉末が基板領域に逆流
して基板を汚染することがなくなり、エピタキシャル成
長表面にピットや異常成長の少ない良好なエピタキシャ
ル層を得ることができる。
治具を基板領域と反応生成物付着領域の間に挿入するこ
とによって、反応生成物のガスや粉末が基板領域に逆流
して基板を汚染することがなくなり、エピタキシャル成
長表面にピットや異常成長の少ない良好なエピタキシャ
ル層を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の概略断面図、第２図は反応
生成物逆流防止治具本体の斜視図、第３図は従来装置を
用いてエピタキシャル成長を行なった場合と、本発明に
よる装置を用いてエピタキシャル成長を行なった場合の
不良発生率を示す図、第４図は従来装置による気相成長
の一実施例の概略断面図である。 １１，４１……反応系石英管、１２，４２……Ｇａソー
ス、１３，４３……原料ガス供給部、１４，４４……基
板ホルダー、１５，４５……基板、１６……反応生成物
逆流防止治具、１７，４６……反応生成物付着領域、１
８，４７……成長炉。
生成物逆流防止治具本体の斜視図、第３図は従来装置を
用いてエピタキシャル成長を行なった場合と、本発明に
よる装置を用いてエピタキシャル成長を行なった場合の
不良発生率を示す図、第４図は従来装置による気相成長
の一実施例の概略断面図である。 １１，４１……反応系石英管、１２，４２……Ｇａソー
ス、１３，４３……原料ガス供給部、１４，４４……基
板ホルダー、１５，４５……基板、１６……反応生成物
逆流防止治具、１７，４６……反応生成物付着領域、１
８，４７……成長炉。
Claims (1)
- 【請求項１】多数の孔を有する少なくとも３枚の円形石
英板を一定の間隔において接続した治具を、反応系石英
管内の基板領域と反応生成物付着領域との間に挿入する
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036962A JPH0657637B2 (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036962A JPH0657637B2 (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63206383A JPS63206383A (ja) | 1988-08-25 |
| JPH0657637B2 true JPH0657637B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=12484361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036962A Expired - Fee Related JPH0657637B2 (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657637B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55158624A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Nec Corp | Semiconductor vapor phase growing apparatus |
| JPS58119631A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-16 | Nippon Denso Co Ltd | 薄膜生成装置 |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP62036962A patent/JPH0657637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63206383A (ja) | 1988-08-25 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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