JPH0658729B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に係り、特に磁気デ
イスク装置に使用するのに好適な薄膜磁気ヘツドの製造
方法に関する 〔発明の背景〕 磁気デイスク装置に使用される薄膜磁気ヘツドは、回転
された磁気デイスクの表面上に微小に間隙をもつて浮上
して、磁気デイスクに対し記録・再生できるように構成
されている。そして、記録・再生を正確に行う為、所望
の電気特性及び磁気特性を持つていなければならない。

そのため、従来の薄膜磁気ヘツドは、第７図に示すよう
に、下部磁性膜１に積層されたギヤツプ材２上に予め定
められたパターンの導体コイル３が積層され、前記ギヤ
ツプ材２上に導体コイル３を覆う絶縁膜４が積層されて
いる。絶縁膜４の周囲にはエツチング処理によつてテー
パ面５が形成され、絶縁膜４及びギヤツプ材２上に上部
磁性膜６が積層されたとき、該上部磁性膜６がテーパ面
５上にも設けられて上部磁性膜６の絶縁膜４上に位置す
る部分と、絶縁膜４上に位置する部分とが接続されるこ
とにより、所望の磁気回路を形成して電気特性の向上を
計つている。前記絶縁膜４は、導体コイル３と上部磁性
膜６との間を電気的に絶縁するものであつて、導体コイ
ル３に対する皮膜性の良好な有機樹脂で構成されてい
る。

ところで、有機樹脂の絶縁膜を用いた場合、絶縁膜のテ
ーパ面の角度が磁気ヘツドの電気特性を大きく左右する
ので、その角度を一定に押える必要がある。

しかし乍ら、上記に示す従来例では、絶縁膜４のテーパ
面をエツチング処理によつて形成すると、テーパ面の角
度を一定に形成できず、しかも量産時、夫々のテーパ面
の角度にバラツキが生じていた。

特開昭58−111116号公報には無機絶縁材の層間絶縁層に
有機樹脂の層間絶縁層が堆積されることが開示されてい
るが、有機樹脂のテーパ面については開示されていな
い。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記事情に鑑み、有機樹脂製絶縁膜を
用いて、そのテーパ面の角度を簡単にかつ確実に一定に
押えることができ、しかも所望の角度を容易に得ること
ができ、以て電気特性を向上させることができる薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供するにある。

〔発明の概要〕

本発明者は、種々の実験・検討をかさねた結果、有機樹
脂製絶縁材は熱硬化するときの時間（または温度）を大
きくした場合、エツチング時のエツチングが遅くなるこ
とに着目し、有機樹脂製絶縁材を少なくとも二層に分け
て順次積層し、上層絶縁材の熱硬化時にその時間分だけ
下層絶縁材が再び熱硬化させることによつて下層絶縁材
と上層絶縁材とに熱硬化時間の差を持たせる。そして、
エツチング処理したとき、下層絶縁材のエツチングレー
トが上層絶縁材より遅くなることにより、上層絶縁材か
ら下層絶縁材へ至るに従つて次第に拡開されたテーパ面
を形成するようにする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図乃至第６図に従つて説
明する。

薄膜磁気ヘツドの製造方法は、第１図に示すように、下
部コアをなす下部磁性膜11の上にギヤツプ材12がスパッ
タリング，蒸着等によつて積層されている。前記ギヤツ
プ材12は、例えば酸化けい素や酸化アルミニウム等で構
成されている。前記下部磁性膜11はパーマロイ，フエラ
イト等で構成され、その下面に絶縁材からなる下地膜13
を介して基板14が積層されている。

また前記ギヤツプ材12の上には第２図に示すように第１
の絶縁間16が形成され、その第１の絶縁膜16上に導体コ
イル15が積層されている。前記第１の絶縁膜16は導体コ
イル15と磁性膜11との間をギヤツプ材12と共に電気絶縁
できるようにポリイミド系の有機樹脂で構成されてい
る。前記導体コイル15は予め定められたパターンをなし
ていて、スパツタリング，蒸着等によつて形成され、例
えば銅，銀等で構成されている。

更に第１の絶縁膜15の上には第３図に示すように導体コ
イル15を覆う為、第２，第３の絶縁膜17，18が順次積層
され、これによつて平板状積層体19が形成される。

前記第２，第３の絶縁膜17，18は、夫々が第１の絶縁膜
16と同様に、ポリイミド系の有機樹脂で構成され、かつ
スピンコーテイング法によつて適度の厚みで塗布された
後、所定の温度及び時間（300℃×1h）で熱硬化して形
成されることにより、順次積層されている。従つて、第
２の絶縁膜17が熱硬化されたとき、その熱硬化時間分だ
け第１の絶縁膜16が再び熱硬化され、かつ第３の絶縁膜
18が熱硬化されたとき、その熱硬化時間分第２の絶縁膜
17が再び熱硬化されると同時に、第１の絶縁膜16がさら
に熱硬化させることになるので、夫々の熱履歴の関係
は、第３の絶縁膜18＜の第２の絶縁膜17＜第１の絶縁膜
16となる。

しかる後、前記平板状積層体19の第３の絶縁膜18上には
第４図に示すように導体コイル15の上方位置にエツチン
グ用のレジスト20が積層されている。レジスト20として
は、図示例ではホトエツチング処理する為にネガ形ホト
レジストが使用され、該ネガ形ホトレジストは前記平板
状積層体19の上にスピンコーテイング法によつて塗布さ
れてプレベークされた後、露光・現像して所望のパター
ンに形成されている。

次いで、レジスト20を有する平板状積層体19がポストベ
ークされた後、エツチング処理される。エツチング処理
としては、例えばヒドラジンヒドラート７容と、エチレ
ンジアミン３容とが混合されたエツチング液を温度35℃
に調温し、このエツチング液に前記平板状積層体19が15
分浸漬される。

このようにエツチング処理すると、エツチング液がレジ
ス20を浸透して夫々第３，第２、第１の絶縁膜18，17，
16を腐食させるが、その際、前述の如く熱履歴が、第３
の絶縁膜18＜第２の絶縁膜17＜第１の絶縁膜16となつて
いるので、夫々のエツチングレートの関係が、第３の絶
縁膜18＞第２の絶縁膜17＞第１の絶縁膜16となる。即
ち、第３の絶縁膜18に対する侵食が最も速く、第２，第
１の絶縁膜17，16に対する侵食が次第に遅くなるので、
第５図に示すように第１〜第３の絶縁膜16〜18のレジス
ト20周辺部にはテーパ面30が形成される。このテーパ面
30は、上層から下層に至るに従つて次第に拡開された形
状をなしており、第１〜第３の絶縁膜16〜18の膜厚及び
熱履歴並びにレジスト20の膜厚が変わることによつて任
意の角度に選定される。

そして、前記エツチング処理によつてテーパ面30が形成
された後、第３の絶縁膜18からレジスト20を剥離し、そ
の後第６図に示すように、前記ギヤツプ材12及び下部磁
性膜11の上に第３の絶縁膜18を覆うように上部磁性膜21
が積層され、かつその上部磁性膜21上に保護膜22が積層
されることにより、薄膜磁気ヘツドが形成される。前記
上部磁性膜21は、上部コアをなすものであつて、下部磁
性膜11と同様にパーマロイ，フエライト等で構成されて
いる。

本発明方法は、上記の如く、夫々の絶縁膜16〜18が順次
積層され、エッチング処理したとき、夫々の絶縁膜16〜
18に応じてエツチングレートが変わるようにしたので、
絶縁膜16〜18の周辺部に設けられるテーパ面30の形状を
一様に形成することができる。

従つて、有機樹脂の絶縁膜４を一層設けた従来例と比較
すると、テーパ面30を円滑に形成することができると共
に、量産時、テーパ面30にバラツキが生じるのを防ぐこ
とができる。しかもテーパ面30は絶縁膜厚及び熱履歴等
によつて種々の角度に選定できるので、所望の角度を容
易に得ることができる。

また、図示実施例では第１の絶縁間16に導体コイル15が
設けられるので、第１の絶縁膜16とギヤツプ材12との双
方によつて導体コイル15及び下部磁性膜11間を確実に電
気絶縁することができ、しかも第１の絶縁膜16とその上
に積層された第２の絶縁膜17とで導体コイル15を挟むの
で、両絶縁膜16，17によつて導体コイル15に対する皮覆
性をよりいつそう高めることができる。

なお図示実施例では、前述の如く、第１の絶縁膜16と第
２の絶縁膜17との間に導体コイル15が設けられた例を示
したが、本発明方法においては必ずしもそれに限定され
るものではない。即ち、本発明方法においては、上記実
施例の効果と相反するが、例えばギヤツプ材が確実に電
気絶縁できる厚みであれば、第１の絶縁膜16が不要にな
り、その場合、導体コイル15を覆う絶縁膜を少なくとも
二層に順次積層することにより、上記の効果を達成する
ことができる。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明方法によれば、下部磁性膜に
積層されたギヤツプ材に導体コイルを積層し、そのギヤ
ツプ材の上に導体コイルを覆う有機樹脂製の絶縁膜を少
なくとも二層に分けて順次積層して平板状積層体を形成
し、該平板状積層体の前記上層絶縁膜上には導体コイル
より上方位置にレジストを塗布すると共に平板状積層体
をエツチング処理して、上層及び下層絶縁膜のレジスト
周辺部にエツチングレートに応じたテーパ面が形成され
るようにしたので、テーパ面の角度を簡単にかつ確実に
一定に押えることができると共に、所望の角度を容易に
形成することもでき、しかも順次積層した同一材質の絶
縁膜を単に一括的にエッチングするだけであるから、レ
ジストの形成条件やエッチング処理内容が複雑になるこ
とがない。従って、本発明方法によれば電気特性を確実
にかつ容易に向上させることができと共に、有機樹脂製
の絶縁膜の良好な特性を充分活かすことができる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明の薄膜磁気ヘツドの製造方法
を具体化した一実施例を示し、第１図はギヤツプ材の積
層状態を示す断面図、第２図は導体コイルの積層状態を
示す断面図、第３図は平板状積層体を示す断面図、第４
図はレジストの積層状態を示す断面図、第５図はエツチ
ング処理によつてテーパ面が形成された状態を示す断面
図、第６図は薄膜磁気ヘツドを示す断面図、第７図は従
来の薄膜磁気ヘツドの一構成例を示す断面図である。 11……下部磁性膜、12……ギヤツプ材、15……導体コイ
ル、16……第１の絶縁膜、17……第２の絶縁膜、18……
第３の絶縁膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 憲治 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 鍬塚 俊一郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭59−165220（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−108019（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下部磁性膜に積層されたギヤツプ材膜に予
   め定められたパターンで導体コイルを積層し、前記ギヤ
   ツプ材膜に導体コイルを覆う有機樹脂製の絶縁膜を少な
   くとも二層に分けて順次積層して平板状積層体を形成
   し、その後、平板状積層体の前記上層絶縁膜には導体コ
   イルより上方位置にレジストを塗布して該平板状積層体
   をエツチング処理し、上層及び下層絶縁膜のレジスト材
   周辺部に上層絶縁膜と下層絶縁膜とのエツチングレート
   の差に応じたテーパ面が形成されることを特徴とする薄
   膜磁気ヘツドの製造方法。