JPH0658885A - 異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法 - Google Patents
異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法Info
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- JPH0658885A JPH0658885A JP20935492A JP20935492A JPH0658885A JP H0658885 A JPH0658885 A JP H0658885A JP 20935492 A JP20935492 A JP 20935492A JP 20935492 A JP20935492 A JP 20935492A JP H0658885 A JPH0658885 A JP H0658885A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検査物の透過光を利用し、被検査物の表面
に顔を出さずに埋もれている異物、特に被検査物に形成
された膜中の異物を検出できる異物検査装置およびそれ
を用いた異物検出方法を提供する。 【構成】 半導体集積回路装置の製造におけるホトレジ
スト工程の異物検査装置に用いられ、異物検査を行う被
検査物11と、この被検査物11に対して光源18から
光17を照射する光学系12と、被検査物11を透過し
た光17を光センサ19で検出する検出部13とから構
成されている。そして、光学系12により被検査物11
の主面側から光17が透過され、その透過した光17が
検出部13により感知されて、被検査物11の透明ウェ
ハ14上に形成させたレジスト膜15中に埋もれた異物
16が検出される。
に顔を出さずに埋もれている異物、特に被検査物に形成
された膜中の異物を検出できる異物検査装置およびそれ
を用いた異物検出方法を提供する。 【構成】 半導体集積回路装置の製造におけるホトレジ
スト工程の異物検査装置に用いられ、異物検査を行う被
検査物11と、この被検査物11に対して光源18から
光17を照射する光学系12と、被検査物11を透過し
た光17を光センサ19で検出する検出部13とから構
成されている。そして、光学系12により被検査物11
の主面側から光17が透過され、その透過した光17が
検出部13により感知されて、被検査物11の透明ウェ
ハ14上に形成させたレジスト膜15中に埋もれた異物
16が検出される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、異物検査技術に関し、
特に被検査物の内部に埋もれている異物の検出におい
て、被検査物を透過する透過光により異物の検出が可能
とされる異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法
に適用して有効な技術に関する。
特に被検査物の内部に埋もれている異物の検出におい
て、被検査物を透過する透過光により異物の検出が可能
とされる異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法
に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、半導体集積回路装置の製造に
おいて、ホトレジスト工程は半導体集積回路を形成する
上でマスクの役目となるパターンを形成する工程である
ため、ホトレジスト工程で発生する異物の低減は重要な
ポイントとなっている。このホトレジスト工程の中でレ
ジスト異物は発生率が高く、その検出能力が要求されて
いる。
おいて、ホトレジスト工程は半導体集積回路を形成する
上でマスクの役目となるパターンを形成する工程である
ため、ホトレジスト工程で発生する異物の低減は重要な
ポイントとなっている。このホトレジスト工程の中でレ
ジスト異物は発生率が高く、その検出能力が要求されて
いる。
【0003】そこで、従来は、たとえば図4に示すよう
にウェハ1上に形成されたレジスト膜2などに対して光
源3から光4を照射し、このレジスト膜2上の異物5に
反射した光4を受光器6で検出して異物5の有無を判定
する方法が採用されている。
にウェハ1上に形成されたレジスト膜2などに対して光
源3から光4を照射し、このレジスト膜2上の異物5に
反射した光4を受光器6で検出して異物5の有無を判定
する方法が採用されている。
【0004】なお、これに類似する技術としては、たと
えば社団法人電子通信学会、昭和59年11月30日発
行、「LSIハンドブック」P423〜P424などに
記載されるレジスト処理技術が挙げられる。
えば社団法人電子通信学会、昭和59年11月30日発
行、「LSIハンドブック」P423〜P424などに
記載されるレジスト処理技術が挙げられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、レジスト膜の表面に付着した異
物の検出は可能となるものの、レジスト液中異物などの
レジスト膜中に埋もれて表面に顔を出さない異物の検出
が困難となっている。
な従来技術においては、レジスト膜の表面に付着した異
物の検出は可能となるものの、レジスト液中異物などの
レジスト膜中に埋もれて表面に顔を出さない異物の検出
が困難となっている。
【0006】従って、このような膜中の異物によるパタ
ーンショートなどを防止することができず、特に半導体
集積回路の高集積化に伴い、半導体素子を形成するパタ
ーンの微細化が進むにつれて、これらのレジスト膜、絶
縁膜などの膜品質の向上が望まれている。
ーンショートなどを防止することができず、特に半導体
集積回路の高集積化に伴い、半導体素子を形成するパタ
ーンの微細化が進むにつれて、これらのレジスト膜、絶
縁膜などの膜品質の向上が望まれている。
【0007】そこで、本発明の目的は、被検査物の透過
光を利用し、被検査物の表面に顔を出さずに埋もれてい
る異物、特に被検査物に形成された膜中の異物を検出す
ることができる異物検査装置およびそれを用いた異物検
出方法を提供することにある。
光を利用し、被検査物の表面に顔を出さずに埋もれてい
る異物、特に被検査物に形成された膜中の異物を検出す
ることができる異物検査装置およびそれを用いた異物検
出方法を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0010】すなわち、本発明の異物検査装置は、面板
状の被検査物内の異物を検出する異物検査装置であっ
て、被検査物に対して光を照射する光学系と、被検査物
を透過した光を検出する検出部とを備えるものである。
状の被検査物内の異物を検出する異物検査装置であっ
て、被検査物に対して光を照射する光学系と、被検査物
を透過した光を検出する検出部とを備えるものである。
【0011】また、前記検出部を、光学系の光に対して
被検査物を挟むように主面側および裏面側に設置するよ
うにしたものである。
被検査物を挟むように主面側および裏面側に設置するよ
うにしたものである。
【0012】この場合に、前記被検査物を、光を透過し
易い面板状物上に形成された被検査膜とするものであ
る。
易い面板状物上に形成された被検査膜とするものであ
る。
【0013】また、本発明の異物検査装置を用いた異物
検出方法は、光学系より長波長の光を被検査物に透過さ
せて異物を検出するものである。
検出方法は、光学系より長波長の光を被検査物に透過さ
せて異物を検出するものである。
【0014】さらに、本発明の異物検査装置を用いた他
の異物検出方法は、被検査物の裏面側に設置された検出
部の検出感度を制御して異物を検出するものである。
の異物検出方法は、被検査物の裏面側に設置された検出
部の検出感度を制御して異物を検出するものである。
【0015】
【作用】前記した異物検査装置およびそれを用いた異物
検出方法によれば、光学系および検出部が備えられるこ
とにより、被検査物の異物検出時において、光学系によ
り被検査物の主面側から光を透過させ、被検査物の裏面
側に設置した検出部に透過光を感知させることができ
る。
検出方法によれば、光学系および検出部が備えられるこ
とにより、被検査物の異物検出時において、光学系によ
り被検査物の主面側から光を透過させ、被検査物の裏面
側に設置した検出部に透過光を感知させることができ
る。
【0016】また、検出部が被検査物の主面側および裏
面側に設置されることにより、主面側に設置された検出
部と、裏面側に設置された検出部とによる透過光の強弱
を感知することができる。
面側に設置されることにより、主面側に設置された検出
部と、裏面側に設置された検出部とによる透過光の強弱
を感知することができる。
【0017】これにより、被検査物内の異物、特に被検
査物の面板状物上に形成された被検査膜に埋もれた異物
の有無を検出することができる。
査物の面板状物上に形成された被検査膜に埋もれた異物
の有無を検出することができる。
【0018】特に、光学系に長波長の光を用いることに
よって異物の検出確率を向上させ、さらに検出部の検出
感度を制御する場合には、被検査物または被検査膜の種
類および透過率、異物の大きさおよび形状などに応じて
検出感度を変え、最適な検出精度による検出が可能とな
る。
よって異物の検出確率を向上させ、さらに検出部の検出
感度を制御する場合には、被検査物または被検査膜の種
類および透過率、異物の大きさおよび形状などに応じて
検出感度を変え、最適な検出精度による検出が可能とな
る。
【0019】
【実施例】図1は本発明の一実施例である異物検査装置
の異物検出部を示す概略構成図、図2は本実施例の異物
検査装置を示す内部構成図、図3は異物検査装置の外観
図である。
の異物検出部を示す概略構成図、図2は本実施例の異物
検査装置を示す内部構成図、図3は異物検査装置の外観
図である。
【0020】まず、図1により本実施例の異物検査装置
の異物検出部の構成を説明する。
の異物検出部の構成を説明する。
【0021】本実施例の異物検出部は、たとえば半導体
集積回路装置の製造におけるホトレジスト工程の異物検
査装置に用いられ、異物検査を行う被検査物11と、こ
の被検査物11に対して光を照射する光学系12と、被
検査物11を透過した光を検出する検出部13とから構
成され、光学系12により被検査物11の主面側から光
を透過させ、その透過光が検出部13により感知されて
被検査物11内の異物が検出されるようになっている。
集積回路装置の製造におけるホトレジスト工程の異物検
査装置に用いられ、異物検査を行う被検査物11と、こ
の被検査物11に対して光を照射する光学系12と、被
検査物11を透過した光を検出する検出部13とから構
成され、光学系12により被検査物11の主面側から光
を透過させ、その透過光が検出部13により感知されて
被検査物11内の異物が検出されるようになっている。
【0022】被検査物11は、たとえば光を透過し易い
石英などの透明ウェハ(面板状物)14の上にレジスト
膜(被検査膜)15が形成され、このレジスト膜15に
埋もれた異物16が検出される。
石英などの透明ウェハ(面板状物)14の上にレジスト
膜(被検査膜)15が形成され、このレジスト膜15に
埋もれた異物16が検出される。
【0023】光学系12は、被検査物11の主面側上部
に設置され、たとえば検出確率向上のために波長の長い
光17が用いられ、この光17が光源18から被検査物
11に対して照射されている。
に設置され、たとえば検出確率向上のために波長の長い
光17が用いられ、この光17が光源18から被検査物
11に対して照射されている。
【0024】検出部13は、被検査物11の裏面側に設
置され、たとえば検出感度のコントロールが可能な光セ
ンサ19で構成され、被検査物11の種類、異物16の
大きさなどに応じて検出感度が調整されるようになって
いる。
置され、たとえば検出感度のコントロールが可能な光セ
ンサ19で構成され、被検査物11の種類、異物16の
大きさなどに応じて検出感度が調整されるようになって
いる。
【0025】このように構成される異物検出部は、図2
に示すような被検査物11を搬送する搬送アーム20、
検査前の被検査物11が収納されるローダ部21、およ
び検査後の被検査物11が収納されるアンローダ部22
を備えた異物検査装置の内部に収納されている。
に示すような被検査物11を搬送する搬送アーム20、
検査前の被検査物11が収納されるローダ部21、およ
び検査後の被検査物11が収納されるアンローダ部22
を備えた異物検査装置の内部に収納されている。
【0026】そして、ローダ部21に積層された被検査
物11が、搬送アーム20により1枚ずつ光学系12の
直下に搬送され、この検出位置において異物16の検査
が行われた後、搬送アーム20が元の状態に戻ることに
より検査済みの被検査物11がアンローダ部22に収納
される。
物11が、搬送アーム20により1枚ずつ光学系12の
直下に搬送され、この検出位置において異物16の検査
が行われた後、搬送アーム20が元の状態に戻ることに
より検査済みの被検査物11がアンローダ部22に収納
される。
【0027】また、異物検査装置の動作指示、異物検査
結果などは図3に示すディスプレイ23に表示され、各
指示に対してキーボード24を通じて入力することによ
り装置全体がコントロールされている。
結果などは図3に示すディスプレイ23に表示され、各
指示に対してキーボード24を通じて入力することによ
り装置全体がコントロールされている。
【0028】次に、本実施例の作用について、異物検出
を行う場合の手順を説明する。
を行う場合の手順を説明する。
【0029】まず、ローダ部21に積層された1枚の被
検査物11を、搬送アーム20により光学系12の直下
の検出位置まで搬送する。そして、光学系12の光源1
8より被検査物11に対して光17を照射し、レジスト
膜15に埋もれた異物16の検出を開始する。
検査物11を、搬送アーム20により光学系12の直下
の検出位置まで搬送する。そして、光学系12の光源1
8より被検査物11に対して光17を照射し、レジスト
膜15に埋もれた異物16の検出を開始する。
【0030】さらに、光源18から放射された光17
を、透過し易い透明ウェハ14上に形成されたレジスト
膜15に透過させる。この場合に、レジスト膜15中の
異物16の有無により光17は反射か透過に分かれ、透
過した光17を被検査物11の裏面側に設置した検出部
13の光センサ19で検出する。
を、透過し易い透明ウェハ14上に形成されたレジスト
膜15に透過させる。この場合に、レジスト膜15中の
異物16の有無により光17は反射か透過に分かれ、透
過した光17を被検査物11の裏面側に設置した検出部
13の光センサ19で検出する。
【0031】これにより、異物16がある場合には光1
7が反射するので、光源18から照射した光17に比べ
て光センサ19で感知された透過した光17が少ない場
合にはレジスト膜15内に異物16が存在することが判
り、また透過した光17の割合に応じて異物16の量を
認識することができる。
7が反射するので、光源18から照射した光17に比べ
て光センサ19で感知された透過した光17が少ない場
合にはレジスト膜15内に異物16が存在することが判
り、また透過した光17の割合に応じて異物16の量を
認識することができる。
【0032】続いて、異物16の検査が終了した後、搬
送アーム20が元の状態に戻すことにより検査済みの被
検査物11がアンローダ部22に収納され、同様にして
ローダ部21に積層された全ての被検査物11の検査が
行われる。
送アーム20が元の状態に戻すことにより検査済みの被
検査物11がアンローダ部22に収納され、同様にして
ローダ部21に積層された全ての被検査物11の検査が
行われる。
【0033】従って、本実施例の異物検査装置によれ
ば、被検査物11に対して光17を照射する光学系12
と、被検査物11を透過した光17を検出する検出部1
3とが備えられることにより、被検査物11を検査する
場合に、光学系12の光源18より被検査物11の主面
側から光17を透過させ、この透過した光17を検出部
13の光センサ19で感知することによって、透明ウェ
ハ14上に形成させたレジスト膜15に埋もれた異物1
6を検出することができる。
ば、被検査物11に対して光17を照射する光学系12
と、被検査物11を透過した光17を検出する検出部1
3とが備えられることにより、被検査物11を検査する
場合に、光学系12の光源18より被検査物11の主面
側から光17を透過させ、この透過した光17を検出部
13の光センサ19で感知することによって、透明ウェ
ハ14上に形成させたレジスト膜15に埋もれた異物1
6を検出することができる。
【0034】また、光源18に長い波長の光17を用い
ることにより、小さい異物16の検出も可能となり、こ
れによって異物16の検出確率を向上させることがで
き、さらに光センサ19の検出感度を変えた場合には、
異物16の大きさおよび形状などに応じて最適な検出精
度を得ることができる。
ることにより、小さい異物16の検出も可能となり、こ
れによって異物16の検出確率を向上させることがで
き、さらに光センサ19の検出感度を変えた場合には、
異物16の大きさおよび形状などに応じて最適な検出精
度を得ることができる。
【0035】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0036】たとえば、本実施例の異物検査装置につい
ては、レジスト膜15内の異物16の検査に用いた場合
について説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、酸化膜、窒化膜などの検査についても広
く適用可能である。
ては、レジスト膜15内の異物16の検査に用いた場合
について説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、酸化膜、窒化膜などの検査についても広
く適用可能である。
【0037】また、検出部を被検査物の主面側および裏
面側に設け、両者の検出部による透過光の強弱を感知し
て異物の検査を行うことも可能である。
面側に設け、両者の検出部による透過光の強弱を感知し
て異物の検査を行うことも可能である。
【0038】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である半導体集積回路装
置の製造におけるホトレジスト工程の異物検査装置に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、層間絶縁膜、絶縁保護膜形成などの他の半導
体集積回路装置の製造工程、さらに光が透過される被検
査物などの異物検査についても広く適用可能である。
てなされた発明をその利用分野である半導体集積回路装
置の製造におけるホトレジスト工程の異物検査装置に適
用した場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、層間絶縁膜、絶縁保護膜形成などの他の半導
体集積回路装置の製造工程、さらに光が透過される被検
査物などの異物検査についても広く適用可能である。
【0039】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0040】(1).被検査物に対して光を照射する光学系
と、被検査物を透過した光を検出する検出部とを備える
ことにより、被検査物の異物検出時において、光学系に
より被検査物の主面側から光を透過させ、被検査物の裏
面側に設置した検出部に透過光を感知させることができ
るので、表面に顔を出さない被検査物内の異物、または
被検査物の面板状物上に形成させた被検査膜内に埋もれ
た異物の検出が可能となる。
と、被検査物を透過した光を検出する検出部とを備える
ことにより、被検査物の異物検出時において、光学系に
より被検査物の主面側から光を透過させ、被検査物の裏
面側に設置した検出部に透過光を感知させることができ
るので、表面に顔を出さない被検査物内の異物、または
被検査物の面板状物上に形成させた被検査膜内に埋もれ
た異物の検出が可能となる。
【0041】(2).検出部を、光学系の光に対して被検査
物を挟むように主面側および裏面側に設置することによ
り、主面側に設置された検出部と、裏面側に設置された
検出部とによる透過光の強弱を感知することができるの
で、被検査物内の異物、特に被検査物上の被検査膜内の
異物の有無を検出することができる。
物を挟むように主面側および裏面側に設置することによ
り、主面側に設置された検出部と、裏面側に設置された
検出部とによる透過光の強弱を感知することができるの
で、被検査物内の異物、特に被検査物上の被検査膜内の
異物の有無を検出することができる。
【0042】(3).被検査物を光を透過し易い面板状物上
に形成された被検査膜とすることにより、弱い光でも透
過させることができるので、光源に依存しない異物の検
出が可能となる。
に形成された被検査膜とすることにより、弱い光でも透
過させることができるので、光源に依存しない異物の検
出が可能となる。
【0043】(4).光学系より長波長の光を透過させて被
検査物を検出することにより、小さい異物についても検
出することができるので、検出確率の向上が可能とな
る。
検査物を検出することにより、小さい異物についても検
出することができるので、検出確率の向上が可能とな
る。
【0044】(5).被検査物の裏面側に設置された検出部
の検出感度を制御して検出することにより、被検査物ま
たは被検査膜の種類および透過率、異物の大きさおよび
形状などに応じて検出感度を調整することができるの
で、最適な検出精度による検出が可能となる。
の検出感度を制御して検出することにより、被検査物ま
たは被検査膜の種類および透過率、異物の大きさおよび
形状などに応じて検出感度を調整することができるの
で、最適な検出精度による検出が可能となる。
【0045】(6).前記(1) 〜(5) により、特に半導体集
積回路装置の製造に適用した場合には、被検査膜中の異
物検出が可能となり、これによって膜中の異物によるパ
ターンショート不良を防止することができ、また異物発
生時の装置へのフィードバックの迅速化が可能となる。
積回路装置の製造に適用した場合には、被検査膜中の異
物検出が可能となり、これによって膜中の異物によるパ
ターンショート不良を防止することができ、また異物発
生時の装置へのフィードバックの迅速化が可能となる。
【図1】本発明の一実施例である異物検査装置の異物検
出部を示す概略構成図である。
出部を示す概略構成図である。
【図2】本実施例の異物検査装置を示す内部構成図であ
る。
る。
【図3】本実施例の異物検査装置を示す外観図である。
【図4】従来技術の一例である異物検査装置の要部を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
1 ウェハ 2 レジスト膜 3 光源 4 光 5 異物 6 受光器 11 被検査物 12 光学系 13 検出部 14 透明ウェハ(面板状物) 15 レジスト膜(被検査膜) 16 異物 17 光 18 光源 19 光センサ 20 搬送アーム 21 ローダ部 22 アンローダ部 23 ディスプレイ 24 キーボード
Claims (5)
- 【請求項1】 面板状の被検査物内の異物を検出する異
物検査装置であって、前記被検査物に対して光を照射す
る光学系と、前記被検査物を透過した光を検出する検出
部とを備え、前記被検査物の異物検出時において、前記
光学系により前記被検査物の主面側から光を透過させ、
該被検査物の裏面側に設置した前記検出部に透過光を感
知させて異物を検出することを特徴とする異物検査装
置。 - 【請求項2】 前記検出部を、前記光学系の光に対して
前記被検査物を挟むように主面側および裏面側に設置
し、前記主面側に設置された検出部と、前記裏面側に設
置された検出部とによる透過光の強弱により前記被検査
物内の異物を検出することを特徴とする請求項1記載の
異物検査装置。 - 【請求項3】 前記被検査物を、光を透過し易い面板状
物上に形成された被検査膜とし、該被検査膜内の異物を
検出することを特徴とする請求項1または2記載の異物
検査装置。 - 【請求項4】 前記請求項1、2または3記載の異物検
査装置を用いた異物検出方法であって、前記光学系より
長波長の光を透過させて前記被検査物の異物を検出する
ことを特徴とする異物検出方法。 - 【請求項5】 前記請求項1、2または3記載の異物検
査装置を用いた異物検出方法であって、前記被検査物の
裏面側に設置された検出部の検出感度を制御して異物を
検出することを特徴とする異物検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20935492A JPH0658885A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20935492A JPH0658885A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0658885A true JPH0658885A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16571561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20935492A Pending JPH0658885A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 異物検査装置およびそれを用いた異物検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658885A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038049A (ko) * | 2001-11-08 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이면 연마장비의 척 테이블 및 이를 이용한 연마방법 |
| KR100478482B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-03-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 검사장치 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP20935492A patent/JPH0658885A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030038049A (ko) * | 2001-11-08 | 2003-05-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 이면 연마장비의 척 테이블 및 이를 이용한 연마방법 |
| KR100478482B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-03-28 | 동부아남반도체 주식회사 | 웨이퍼 검사장치 |
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