JPS63254724A - レチクルパタ−ン検査方法 - Google Patents

レチクルパタ−ン検査方法

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JPS63254724A
JPS63254724A JP62089535A JP8953587A JPS63254724A JP S63254724 A JPS63254724 A JP S63254724A JP 62089535 A JP62089535 A JP 62089535A JP 8953587 A JP8953587 A JP 8953587A JP S63254724 A JPS63254724 A JP S63254724A
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JP
Japan
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pattern
glass plate
light
position detection
reticle pattern
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Application number
JP62089535A
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English (en)
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JPH07119701B2 (ja
Inventor
Yoshikazu Sano
佐野 義和
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェハ上のレジストパターン形成に用
いられるステッパ露光装置のレチクル上の異物の検査に
利用されるガラス板のパターン形成に関するものである
従来の技術 近年、半導体の高集積化の中でレジストパターンを形成
する露光方式はステッパー装置が広く利用されている。
ところが、この方式はレチクル上に異物、欠陥があると
、各露光フィールド毎にそれが転写され、半導体ウェハ
への繰り返し欠陥として露光される。この異物や欠陥を
発見するため従来は、まず、第5図aのように、レジス
ト8および金属薄膜9を設けたガラス板1に対して、各
フィールドt、n、mごとに所定マスクパターン6およ
び異物7を有するレチクル5により露光処理し、レジス
トパターン形成後、金属薄膜9を選択エッチして、第5
図すのように、ガラス板1上に、上記マスクパターン6
および異物7の投影パターン10.11を形成する。そ
して、これらの投影パターン10.11を光学センサ4
によってグ装置の光学センサが誤動作を起こし、搬送エ
ラーを発生したり、追加エツチングで搬送エラーが発生
する事である。これは、金属薄膜がレジストパターンに
従ってエツチングされるため、光学センサ4から発光さ
れた光13が、ガラス板1を透過し、受光部に反射され
ず、ガラス板の存在が検知されない。このため搬送エラ
ーを発生する。−般のシリコンウェハの場合、表面パタ
ーンエツチングされた後も、シリコンウェハは不透明で
、光を反射するため、搬送エラーは発生しないが、ガラ
ス板の場合、半導体パターンがエツチングされると大部
分の検出光が、透過してしまい、エツチング装置の搬送
用ウェハ検知センサが誤動作する欠点を有していた。
問題点を解決するための手段 従来の問題点を解決するため、透明のガラス板上に感光
剤を塗布し、エツチング装置等に存在する検出センサが
ガラス板を検出する位置に金属薄膜を残すことのできる
位置検出用パターンをそなえたガラス板パターンを作製
し、これによって、レチクルパターンの検査を行うもの
である。
作用 本発明は、ガラス板上のレジストパターンに位置検出用
パターンを形成する事により、検出センサから発せられ
る光が、位置検出用パターンの裏面より反射され、受光
側センサーに受光され、この事により、ガラス板上の金
属パターンエツチング後も誤動作なく、装置内でガラス
板を搬送できる。
実施例 以下本発明の実施例における、ガラス板に位置検出用パ
ターンを形成したレチクル検査方法を図面を参照しなが
ら説明する。
第1図は実施例で用いたガラス板パターンの断面図であ
り、ガラス板l上に、位置検出用パターン2と検査領域
パターン3とが各々レジストパターン10と共に形成さ
れ、エツチング装置内の光学センサ4は位置検出用パタ
ーン2の位置にあるとき、センサ光15が裏面で反射し
、ガラス板の存在を検出する。検査領域パターン3で、
透過光型レチクル検査装置により、レチクル欠陥の有無
を自動検査する事ができる。
第2図は本発明実施例に用いた第1図のガラス板パター
ンの平面概略図である。ガラス板周辺部にセンサ4が存
在する場合、その部分が必らず遮光できるように、位置
検出用パターン2を同図のように、周辺部にのこし、中
央部は検査領域パターン3とする。
第3図は、本発明の別の実施例ガラス板の平面概略図で
、中心部にセンサ4が存在する場合の位置検出用パター
ン2の例である。パターン検査はステッパでの3ケ所の
露光フィールドがおさまる面積以上あればパターン検査
できる事から、中央部以外の周辺を検査領域パターン3
とする事ができる。
第4図は、本発明の他の実施例のガラス板平面概略図で
あり、周辺部、中央部に、それぞれ、センサがある場合
である。中央部のセン゛す光と周辺部のセンサの光を反
射させるため、ステッパーによって、検出用パターン2
を露光し、その後レジストパターンを現像する。エツチ
ング後も位置検出用パターン2があるため下地の金属パ
ターンは存在し、エツチング装置の中央部及び、周辺部
のセンサが、ガラス板の存在を正しく検知する事ができ
る。検査領域パターン3は、ステッパの3ケ所の露光フ
ィールドがおさまる面積以上あれば、パターン検査は可
能である。
発明の効果 ガラス板にウェハ位置検出用パターンを形成する事によ
り、ガラス板裏面の検出光を、表面金属薄膜で反射する
事が出来る。そのため、多くの装置が採用している発光
〜受光型センサ(光センサ)に対し、ガラス板エツチン
グ後も誤動作なく、装置内をガラス板搬送する事ができ
る。また、追加エツチングする場合も位置検出用パター
ンが形成されているため、検出用の光学センサが正しく
動作する事ができ、追加エツチング用に装置を誤動作な
く搬送する事ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例で用いたガラス板パターンの断面
図、第2図は同ガラス板パターンの平面概略図、第3図
、第4図は本発明実施例で用いた他のガラス板パターン
の各平面概略図、第5図a、bは従来例で用いたガラス
板パターンの形成工程順断面図である。 1・・・・・・ガラス板、2・・・・・・位置検出用パ
ターン、3・・・・・・検査領域パターン、4・・・・
・・光学センサ。 第4図 /−−一がラスウニへ 4−一一九〒tンリ 5−−−レ千クル 3−−−レジスト 第5図     9−金A倦騰

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラス板上に半導体素子形成用のレチクルパターン投影
    像および半導体ウェハ位置検出用パターンを設け、同ガ
    ラス板を光学センサ部で移動させる工程をそなえたこと
    を特徴とするレチクルパターン検査方法。
JP8953587A 1987-04-10 1987-04-10 レチクルパタ−ン検査方法 Expired - Lifetime JPH07119701B2 (ja)

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JP8953587A JPH07119701B2 (ja) 1987-04-10 1987-04-10 レチクルパタ−ン検査方法

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JPS63254724A true JPS63254724A (ja) 1988-10-21
JPH07119701B2 JPH07119701B2 (ja) 1995-12-20

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2025133018A (ja) * 2024-02-29 2025-09-10 萬潤科技股▲ふん▼有限公司 電子部品テスト装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS603631A (ja) * 1983-06-21 1985-01-10 Nippon Kogaku Kk <Nikon> マスクの検査方法
JPS6131610A (ja) * 1984-07-24 1986-02-14 Honda Motor Co Ltd 内燃機関の弁作動休止装置

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