JPH0659267A - 表示装置用基板及びその製造方法 - Google Patents
表示装置用基板及びその製造方法Info
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- JPH0659267A JPH0659267A JP4209278A JP20927892A JPH0659267A JP H0659267 A JPH0659267 A JP H0659267A JP 4209278 A JP4209278 A JP 4209278A JP 20927892 A JP20927892 A JP 20927892A JP H0659267 A JPH0659267 A JP H0659267A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明電極の電気抵抗を実質上低下させること
が出来る表示装置用基板の提供。 【構成】 基板１に形成された所定の形状の透明電極２
と接して、インジウム（４）と銅（５）からなる合金層
６と、銅５からなる積層導体とが形成され、合金層６の
少なくとも一部が透明電極２と結合してなる表示装置用
基板。
が出来る表示装置用基板の提供。 【構成】 基板１に形成された所定の形状の透明電極２
と接して、インジウム（４）と銅（５）からなる合金層
６と、銅５からなる積層導体とが形成され、合金層６の
少なくとも一部が透明電極２と結合してなる表示装置用
基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等の表示
装置の基板の製法に関するものである。
装置の基板の製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置等の表示装置は、マン・マ
シーン・インターフェースとして重要な技術である。特
に、最近、コンピューター端末等において、ダウン・サ
イジングの意味からも、液晶表示装置は必須となってき
た。
シーン・インターフェースとして重要な技術である。特
に、最近、コンピューター端末等において、ダウン・サ
イジングの意味からも、液晶表示装置は必須となってき
た。
【０００３】ところで、それに用いられる電極の材料と
しては、電気抵抗値、生産時の制御性、膜の均一性、光
の透過率、微細加工性等の点から、産業的には、圧倒的
に、インジウム−錫の酸化物（いわゆるＩＴＯ透明電
極）が使われている（「薄膜ハンドブック」、日本学術
振興会第１３１委員会 編、オーム社刊参照）。
しては、電気抵抗値、生産時の制御性、膜の均一性、光
の透過率、微細加工性等の点から、産業的には、圧倒的
に、インジウム−錫の酸化物（いわゆるＩＴＯ透明電
極）が使われている（「薄膜ハンドブック」、日本学術
振興会第１３１委員会 編、オーム社刊参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近、コンピューター
端末等に使われる液晶表示装置において、高品位表示の
要求が現実のものとなってきた。これらの液晶表示装置
においては、ＳＴＮ等、単純モードの液晶表示装置が主
に使われている。これらの液晶表示装置には、表示にお
いて、クロストーク現象等、表示の質の低下が見られる
が、現状では仕方なく使われている。
端末等に使われる液晶表示装置において、高品位表示の
要求が現実のものとなってきた。これらの液晶表示装置
においては、ＳＴＮ等、単純モードの液晶表示装置が主
に使われている。これらの液晶表示装置には、表示にお
いて、クロストーク現象等、表示の質の低下が見られる
が、現状では仕方なく使われている。
【０００５】この現象は、透明電極（ＩＴＯ）の電気抵
抗値が十分、低くなく、従って、ＣＲ時定数が大きいこ
とに起因する。現在の技術では、ＩＴＯの比電気抵抗率
は、２×１０ー4Ωｃｍ程度までしか、達成されていな
い。ちなみに、金や銅、アルミニウムの比抵抗率は、２
×１０-6Ωｃｍ程度である。
抗値が十分、低くなく、従って、ＣＲ時定数が大きいこ
とに起因する。現在の技術では、ＩＴＯの比電気抵抗率
は、２×１０ー4Ωｃｍ程度までしか、達成されていな
い。ちなみに、金や銅、アルミニウムの比抵抗率は、２
×１０-6Ωｃｍ程度である。
【０００６】ところが、金や銅、アルミニウムをＩＴＯ
に接して配線された（いわゆる補助電極）基板の開発が
なされているが、この場合、ＩＴＯや基板への接着強度
の欠如が課題となる。
に接して配線された（いわゆる補助電極）基板の開発が
なされているが、この場合、ＩＴＯや基板への接着強度
の欠如が課題となる。
【０００７】また、この補助電極形成のコストは出来る
だけ、低減させることが要求される。
だけ、低減させることが要求される。
【０００８】さらに、この課題は、強誘電性液晶表示装
置においてもあてはまる。
置においてもあてはまる。
【０００９】本発明は、このような従来の液晶表示装置
の課題を考慮し、透明電極の電気抵抗を実質上低下させ
ることが出来る表示装置用基板及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。
の課題を考慮し、透明電極の電気抵抗を実質上低下させ
ることが出来る表示装置用基板及びその製造方法を提供
することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の主面全
面に亘る所定の形状の透明電極と接して、インジウムと
銅からなる合金層と銅からなる積層導体が存在し、しか
も前記合金層の少なくとも一部が基板又は透明電極と結
合してなる表示装置用基板である。
面に亘る所定の形状の透明電極と接して、インジウムと
銅からなる合金層と銅からなる積層導体が存在し、しか
も前記合金層の少なくとも一部が基板又は透明電極と結
合してなる表示装置用基板である。
【００１１】また、本発明は、基板の主面全面に亘る所
定の形状の透明電極と接して、インジウムとアルミニウ
ムからなる合金層とアルミニウムからなる積層導体が存
在し、しかも前記合金層の少なくとも一部が基板又は透
明電極と結合してなる表示装置用基板である。
定の形状の透明電極と接して、インジウムとアルミニウ
ムからなる合金層とアルミニウムからなる積層導体が存
在し、しかも前記合金層の少なくとも一部が基板又は透
明電極と結合してなる表示装置用基板である。
【００１２】また、本発明は、基板の主面全面に亘る透
明電極の上に、所望の状態にパターン化されたレジスト
膜を形成し、透明電極の腐食液でサイドエッチ状態にな
るまで微細加工をし、洗浄し、次に透明電極の露出部に
インジウム鍍金を施し、更に、この上に、銅鍍金とイン
ジウム鍍金をこの順に順次施し、洗浄、乾燥させ、レジ
スト膜を除去、洗浄、乾燥させ、この後、所望の温度プ
ロフィールで、所望の最高温度まで熱処理するような表
示装置用基板の製造方法を提供する。
明電極の上に、所望の状態にパターン化されたレジスト
膜を形成し、透明電極の腐食液でサイドエッチ状態にな
るまで微細加工をし、洗浄し、次に透明電極の露出部に
インジウム鍍金を施し、更に、この上に、銅鍍金とイン
ジウム鍍金をこの順に順次施し、洗浄、乾燥させ、レジ
スト膜を除去、洗浄、乾燥させ、この後、所望の温度プ
ロフィールで、所望の最高温度まで熱処理するような表
示装置用基板の製造方法を提供する。
【００１３】
【作用】まず、基板への接着力、具体的には、ＩＴＯ並
びに、ガラス質基板表面への接着力は、インジウムない
し、インジウム合金が付着力が良好である。この現象
は、ガラス用ハンダ等で実証されている。また、特に銅
金属はその貴金属性の故に付着力は極めて乏しい。
びに、ガラス質基板表面への接着力は、インジウムない
し、インジウム合金が付着力が良好である。この現象
は、ガラス用ハンダ等で実証されている。また、特に銅
金属はその貴金属性の故に付着力は極めて乏しい。
【００１４】また、インジウムは、水溶液を使った、電
気鍍金で可能である。インジウムを析出させるため、物
理的析出法を使う必要がない。物理的析出法は、蒸着機
やスパッター装置等、高価な設備が必要である。もちろ
ん、インジウム金属は、物理的手法でも析出可能であ
る。
気鍍金で可能である。インジウムを析出させるため、物
理的析出法を使う必要がない。物理的析出法は、蒸着機
やスパッター装置等、高価な設備が必要である。もちろ
ん、インジウム金属は、物理的手法でも析出可能であ
る。
【００１５】電気抵抗は、銅、やアルミニウムを使用す
ることにより、最も理想的に下がる。
ることにより、最も理想的に下がる。
【００１６】また、製造方法は、ＩＴＯの微細加工（こ
れは、従来なされるプロセスである）に、若干のプロセ
スを追加することにより、より低抵抗の電極を得るのが
望ましい。
れは、従来なされるプロセスである）に、若干のプロセ
スを追加することにより、より低抵抗の電極を得るのが
望ましい。
【００１７】これでは、ＩＴＯ電極の検査も一度で済
む。最後の熱処理は、インジウムと銅の一部の合金反応
を進めるためと、基板と前記合金との接着力を向上させ
るためである。
む。最後の熱処理は、インジウムと銅の一部の合金反応
を進めるためと、基板と前記合金との接着力を向上させ
るためである。
【００１８】また、前記最高温度は、表示装置作製にお
ける後の工程での少なくとも最高温度にされるべきであ
る。
ける後の工程での少なくとも最高温度にされるべきであ
る。
【００１９】なお、前記積層導体において、インジウム
ないしインジウム合金の層は基板への付着力にのみ寄与
するものであり、電気抵抗を下げるには卓効はない。従
って、付着力さえ、満足出来れば、銅やアルミニウムか
らなる層の体積は、前記層に比べて、大であるべきであ
る。
ないしインジウム合金の層は基板への付着力にのみ寄与
するものであり、電気抵抗を下げるには卓効はない。従
って、付着力さえ、満足出来れば、銅やアルミニウムか
らなる層の体積は、前記層に比べて、大であるべきであ
る。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２１】本実施例では、単純型のマトリクス表示装
置について述べる。
置について述べる。
【００２２】（実施例１）図１に従って説明する。本実
施例の構成断面図である図１において、１はガラス基
板、２は微細加工済み、すなわち単純マトリクス表示装
置に関しては、ストライプ状に加工されたＩＴＯ電極、
３はフォトレジスト、４はインジウム金属層、５は銅金
属層、６はインジウム−銅の合金からなる層である。
施例の構成断面図である図１において、１はガラス基
板、２は微細加工済み、すなわち単純マトリクス表示装
置に関しては、ストライプ状に加工されたＩＴＯ電極、
３はフォトレジスト、４はインジウム金属層、５は銅金
属層、６はインジウム−銅の合金からなる層である。
【００２３】微細加工されたＩＴＯ電極２を主面に有す
るコーニング社製＃７０５９ガラス基板１を入手した。
東京応化製ポジレジストを使い、公知のフォトリソグラ
フィー法でもって、図１（ａ）の如く、レジストパター
ン３を作った。次に、Ｏ2アッシャーで処理した。
るコーニング社製＃７０５９ガラス基板１を入手した。
東京応化製ポジレジストを使い、公知のフォトリソグラ
フィー法でもって、図１（ａ）の如く、レジストパター
ン３を作った。次に、Ｏ2アッシャーで処理した。
【００２４】次に、硫酸インジウム、約６０グラムと、
硫酸ナトリウム、約１０グラムを約１リットルの純水に
溶解させた溶液で、約０．１ミクロンの厚みのインジウ
ム鍍金４をＩＴＯ電極２上に行う。次によく洗浄する。
硫酸ナトリウム、約１０グラムを約１リットルの純水に
溶解させた溶液で、約０．１ミクロンの厚みのインジウ
ム鍍金４をＩＴＯ電極２上に行う。次によく洗浄する。
【００２５】更に、酸性の硫酸銅系の溶液で、この上
に、約２ミクロンの厚みの銅鍍金５を行った。
に、約２ミクロンの厚みの銅鍍金５を行った。
【００２６】レジスト３を有機溶剤で剥離し、よく洗浄
し、乾燥させ、図１（ｂ）のものを得た。
し、乾燥させ、図１（ｂ）のものを得た。
【００２７】この後、約１５０℃まで、徐徐に昇温し、
最終的には約２６０℃まで、昇温させ、基板を熱処理し
た。この時、インジウム金属層４は、インジウム−銅の
合金層６になっているのが、オージェ電子分析によって
明かになった。かくて、図１（ｃ）を得た。これら、鍍
金層５、６のＩＴＯ電極２への付着力は実用に耐えるも
のであった。
最終的には約２６０℃まで、昇温させ、基板を熱処理し
た。この時、インジウム金属層４は、インジウム−銅の
合金層６になっているのが、オージェ電子分析によって
明かになった。かくて、図１（ｃ）を得た。これら、鍍
金層５、６のＩＴＯ電極２への付着力は実用に耐えるも
のであった。
【００２８】ＩＴＯ電極２のシート抵抗は、約１桁下が
っていた。
っていた。
【００２９】通常の如く、この基板に、ポリイミド膜を
形成し、それをレーヨン繊維を用いてラビング処理を行
った。このような２枚の基板を、ＩＴＯ電極２が対向す
るように、間隙が７．０ミクロンとなるように、貼り合
わせ、この間隙にＳＴＮ用ネマティック液晶組成物を充
填した。この様にして製造された液晶表示装置は、クロ
ストークは、ほとんど無く、コントラストも約５０％上
昇した。
形成し、それをレーヨン繊維を用いてラビング処理を行
った。このような２枚の基板を、ＩＴＯ電極２が対向す
るように、間隙が７．０ミクロンとなるように、貼り合
わせ、この間隙にＳＴＮ用ネマティック液晶組成物を充
填した。この様にして製造された液晶表示装置は、クロ
ストークは、ほとんど無く、コントラストも約５０％上
昇した。
【００３０】（実施例２）図２に従って説明する。本実
施例の構成断面図である図２において、７はガラス基
板、８は微細加工済み、すなわち単純マトリクス表示装
置に関しては、ストライプ状に加工されたＩＴＯ電極、
９はフォトレジスト、１０はインジウム金属層、１１は
アルミニウム金属層、１２はインジウム−アルミニウム
の合金からなる層である。
施例の構成断面図である図２において、７はガラス基
板、８は微細加工済み、すなわち単純マトリクス表示装
置に関しては、ストライプ状に加工されたＩＴＯ電極、
９はフォトレジスト、１０はインジウム金属層、１１は
アルミニウム金属層、１２はインジウム−アルミニウム
の合金からなる層である。
【００３１】微細加工されたＩＴＯ電極８を主面に有す
るコーニング社製＃７０５９ガラス基板７を入手した。
東京応化製ネガレジストを使い、公知のフォトリソグラ
フィー法でもって、図２（ａ）の如く、レジストパター
ン９を作った。次に、Ｏ2アッシャーで、処理した。
るコーニング社製＃７０５９ガラス基板７を入手した。
東京応化製ネガレジストを使い、公知のフォトリソグラ
フィー法でもって、図２（ａ）の如く、レジストパター
ン９を作った。次に、Ｏ2アッシャーで、処理した。
【００３２】次に、硫酸インジウム、約６０グラムと、
硫酸ナトリウム、約１０グラムを約１リットルの純水に
溶解させた溶液で、約０．１ミクロンの厚みのインジウ
ム鍍金１０をＩＴＯ電極８上に行う。次によく洗浄し、
乾燥させた。
硫酸ナトリウム、約１０グラムを約１リットルの純水に
溶解させた溶液で、約０．１ミクロンの厚みのインジウ
ム鍍金１０をＩＴＯ電極８上に行う。次によく洗浄し、
乾燥させた。
【００３３】更に、非水溶液系の市販のアルミニウム鍍
金液を使用して、この上に、約２ミクロンの厚みのアル
ミニウム鍍金１１を行った。
金液を使用して、この上に、約２ミクロンの厚みのアル
ミニウム鍍金１１を行った。
【００３４】ネガレジストを有機塩素系溶剤で剥離し、
よく洗浄し、乾燥させ、図２（ｂ）を得た。
よく洗浄し、乾燥させ、図２（ｂ）を得た。
【００３５】この後、約１５０℃まで、徐徐に昇温し、
最終的には約２６０℃まで、昇温させ、基板を熱処理し
た。この時、インジウム金属層１０は、インジウム−ア
ルミニウムの合金層１２になっているのが、オージェ電
子分析によって明かになった。かくて、図２（ｃ）を得
た。これら、鍍金層１１、１２のＩＴＯ電極８への付着
力は実用に耐えるものであった。
最終的には約２６０℃まで、昇温させ、基板を熱処理し
た。この時、インジウム金属層１０は、インジウム−ア
ルミニウムの合金層１２になっているのが、オージェ電
子分析によって明かになった。かくて、図２（ｃ）を得
た。これら、鍍金層１１、１２のＩＴＯ電極８への付着
力は実用に耐えるものであった。
【００３６】ＩＴＯ電極８のシート抵抗は、約１桁下が
っていた。
っていた。
【００３７】通常の如く、この基板に、ポリイミド膜を
形成し、それをレーヨン繊維を用いて、ラビング処理を
行った。このような２枚の基板を、ＩＴＯ電極８が対向
するように、間隙が７．０ミクロンとなるように、貼り
合わせ、この間隙にＳＴＮ用ネマティック液晶組成物を
充填した。この様にして製造された液晶表示装置は、ク
ロストークは、ほとんど無く、コントラストも約４０％
上昇した。
形成し、それをレーヨン繊維を用いて、ラビング処理を
行った。このような２枚の基板を、ＩＴＯ電極８が対向
するように、間隙が７．０ミクロンとなるように、貼り
合わせ、この間隙にＳＴＮ用ネマティック液晶組成物を
充填した。この様にして製造された液晶表示装置は、ク
ロストークは、ほとんど無く、コントラストも約４０％
上昇した。
【００３８】（実施例３）図３に従って説明する。本実
施例の構成断面図である図３において、１３はガラス基
板、１４はフォトレジスト、１５はＩＴＯ電極、１６は
サイドエッチ部、１７は単数ないし複数のインジウム金
属層、１８は単数ないし複数の銅金属層、１９は単数な
いし複数のインジウム−銅の合金層である。
施例の構成断面図である図３において、１３はガラス基
板、１４はフォトレジスト、１５はＩＴＯ電極、１６は
サイドエッチ部、１７は単数ないし複数のインジウム金
属層、１８は単数ないし複数の銅金属層、１９は単数な
いし複数のインジウム−銅の合金層である。
【００３９】主面全面にＩＴＯ電極１５を有するコーニ
ング社製＃７０５９ガラス基板１３を入手した。東京応
化製ポジレジストを使い、公知のフォトリソグラフィー
法でもって、図３（ａ）の如く、レジストパターン１４
を得た。
ング社製＃７０５９ガラス基板１３を入手した。東京応
化製ポジレジストを使い、公知のフォトリソグラフィー
法でもって、図３（ａ）の如く、レジストパターン１４
を得た。
【００４０】次に、約４３℃の沃化水素酸溶液に浸漬
し、図３（ｂ）の如く、レジストパターン１４に対し
て、ＩＴＯ電極１５をオーバーエッチ、すなわちサイド
エッチする。約４ミクロン、サイドエッチした。この
後、よく洗浄した。
し、図３（ｂ）の如く、レジストパターン１４に対し
て、ＩＴＯ電極１５をオーバーエッチ、すなわちサイド
エッチする。約４ミクロン、サイドエッチした。この
後、よく洗浄した。
【００４１】次に、実施例１の如く、約０．１ミクロン
のインジウム金属膜１７をサイドエッチ部のＩＴＯ電極
１５側壁に析出させた。さらによく洗浄する。
のインジウム金属膜１７をサイドエッチ部のＩＴＯ電極
１５側壁に析出させた。さらによく洗浄する。
【００４２】更に、実施例１の様に、銅金属１８を１ミ
クロン以上、このインジウム金属層１７の上に析出させ
た。さらによく洗浄する。
クロン以上、このインジウム金属層１７の上に析出させ
た。さらによく洗浄する。
【００４３】この、インジウム及び銅鍍金を、必要とあ
れば繰り返す。この実施例では、インジウム１７、銅１
８、インジウム１７の鍍金を繰り返した。かくて、図３
（ｃ）を得た。
れば繰り返す。この実施例では、インジウム１７、銅１
８、インジウム１７の鍍金を繰り返した。かくて、図３
（ｃ）を得た。
【００４４】レジスト１４を有機溶剤で剥離し、よく洗
浄し、乾燥させる。
浄し、乾燥させる。
【００４５】この後、約１５０℃まで、徐徐に昇温し、
最終的には約２６０℃まで、昇温させ、基板を熱処理し
た。この時、インジウム金属層１７は、インジウム−銅
の合金層１９になっているのが、オージェ電子分析によ
って明かになった。かくて、図３（ｄ）を得た。これ
ら、鍍金層１８、１９のＩＴＯ電極１５への付着力は実
用に耐えるものであった。
最終的には約２６０℃まで、昇温させ、基板を熱処理し
た。この時、インジウム金属層１７は、インジウム−銅
の合金層１９になっているのが、オージェ電子分析によ
って明かになった。かくて、図３（ｄ）を得た。これ
ら、鍍金層１８、１９のＩＴＯ電極１５への付着力は実
用に耐えるものであった。
【００４６】ＩＴＯ電極１５のシート抵抗は、約１桁下
がっていた。
がっていた。
【００４７】通常の如く、この基板に、ポリイミド膜を
形成し、それをレーヨン繊維を用いて、ラビング処理を
行った。このような２枚の基板を、ＩＴＯ電極１５が対
向するように、間隙が７．０ミクロンとなるように、貼
り合わせ、この間隙にＳＴＮ用ネマティック液晶組成物
を充填した。この様にして製造された液晶表示装置は、
クロストークは、ほとんど無く、コントラストも約３０
％上昇した。
形成し、それをレーヨン繊維を用いて、ラビング処理を
行った。このような２枚の基板を、ＩＴＯ電極１５が対
向するように、間隙が７．０ミクロンとなるように、貼
り合わせ、この間隙にＳＴＮ用ネマティック液晶組成物
を充填した。この様にして製造された液晶表示装置は、
クロストークは、ほとんど無く、コントラストも約３０
％上昇した。
【００４８】なお、この製造方法は、アルミニウムとイ
ンジウムの合金層の少なくとも一部が基板と結合してな
るものを製造する方法にも適用可能である。
ンジウムの合金層の少なくとも一部が基板と結合してな
るものを製造する方法にも適用可能である。
【００４９】また、本発明は他の液晶表示装置、あるい
は更にＥＬ表示装置等他の表示装置にも適用可能であ
る。
は更にＥＬ表示装置等他の表示装置にも適用可能であ
る。
【００５０】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、透明電極の電気抵抗を実質上低下させること
が出来る表示装置用基板及びそれの製造方法を提供する
ことが出来、産業に貢献するところ大である。
本発明は、透明電極の電気抵抗を実質上低下させること
が出来る表示装置用基板及びそれの製造方法を提供する
ことが出来、産業に貢献するところ大である。
【図１】本発明の表示装置用基板にかかる一実施例を説
明するための断面工程図である。
明するための断面工程図である。
【図２】本発明の表示装置用基板にかかる他の実施例を
説明するための断面工程図である。
説明するための断面工程図である。
【図３】本発明の表示装置用基板の製造方法の断面工程
図である。
図である。
１ ガラス基板 ２ ストライプ状に加工されたＩＴＯ電極 ３ フォトレジスト ４ インジウム金属層 ５ 銅金属層 ６ インジウム−銅の合金からなる層 ７ ガラス基板 ８ ストライプ状に加工されたＩＴＯ電極 ９ フォトレジスト １０ インジウム金属層 １１ アルミニウム金属層 １２ インジウム−アルミニウムの合金からなる層 １３ ガラス基板 １４ フォトレジスト １５ ＩＴＯ透明電極 １６ サイドエッチ部 １７ 単数ないし複数のインジウム金属層 １８ 単数ないし複数の銅金属層 １９ 単数ないし複数のインジウム−銅の合金層
Claims (3)
- 【請求項１】基板に形成された所定の形状の透明電極と
接して、インジウムと銅からなる合金層と、銅からなる
積層導体とが形成され、前記合金層の少なくとも一部が
前記基板又は透明電極と結合してなることを特徴とする
表示装置用基板。 - 【請求項２】基板に形成された所定の形状の透明電極と
接して、インジウムとアルミニウムからなる合金層と、
アルミニウムからなる積層導体とが形成され、前記合金
層の少なくとも一部が前記基板又は前記透明電極と結合
してなることを特徴とする表示装置用基板。 - 【請求項３】基板に形成された透明電極の上に、所望の
状態にパターン化されたレジスト膜を形成し、前記透明
電極の腐食液で透明電極をサイドエッチ状態になるまで
微細加工をし、洗浄し、次に前記透明電極の露出部にイ
ンジウム鍍金を施し、更に、この上に、銅鍍金とインジ
ウム鍍金をこの順に順次施し、洗浄、乾燥させ、前記レ
ジスト膜を除去、洗浄、乾燥させ、この後、所望の温度
プロフィールで、所望の最高温度まで熱処理することを
特徴とする請求項１記載の表示装置用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4209278A JPH0659267A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 表示装置用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4209278A JPH0659267A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 表示装置用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0659267A true JPH0659267A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16570302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4209278A Pending JPH0659267A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | 表示装置用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659267A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437820B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 배선층으로 구리를, 투명도전층으로 인듐산화물과 금속산화물을 주성분으로 하는 복합산화물을 이용한 전자기기용 구성기판및 그것을 이용한 전자기기 |
| US6961101B2 (en) * | 2001-10-25 | 2005-11-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Copper alloy, array substrate of liquid crystal display using the same and method of fabricating the same |
| JP2007242793A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Ulvac Japan Ltd | 金属膜、液晶表示装置、金属膜の製造方法 |
| JP2016018141A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 |
| CN106773425A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP4209278A patent/JPH0659267A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437820B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 배선층으로 구리를, 투명도전층으로 인듐산화물과 금속산화물을 주성분으로 하는 복합산화물을 이용한 전자기기용 구성기판및 그것을 이용한 전자기기 |
| US6961101B2 (en) * | 2001-10-25 | 2005-11-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Copper alloy, array substrate of liquid crystal display using the same and method of fabricating the same |
| JP2007242793A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Ulvac Japan Ltd | 金属膜、液晶表示装置、金属膜の製造方法 |
| JP2016018141A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 |
| CN106773425A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-05-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN106773425B (zh) * | 2017-02-28 | 2019-09-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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