JPH065928A - 樹脂封止型電子部品 - Google Patents
樹脂封止型電子部品Info
- Publication number
- JPH065928A JPH065928A JP4184404A JP18440492A JPH065928A JP H065928 A JPH065928 A JP H065928A JP 4184404 A JP4184404 A JP 4184404A JP 18440492 A JP18440492 A JP 18440492A JP H065928 A JPH065928 A JP H065928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- light emitting
- emitting diode
- metal wire
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製品の信頼性や製造工程において要求される
樹脂の特性を充分満足させ、しかも製造コストが安価な
樹脂封止型電子部品を提供する。 【構成】 発光ダイオード装置３０は、リード端子１の
先端部のダイパッド２に形成された凹部３にダイボンデ
ィングされた発光ダイオード素子４とリード端子５の先
端部７とが金属線６で接続された状態で、まず、温度サ
イクル等から発光ダイオード素子４等を保護するための
第一樹脂３１が発光ダイオード素子４と金属線６とを被
い、発光ダイオード素子４を湿気から保護するための第
二樹脂３２が第一樹脂３１を被い、成形特性が良い第三
樹脂３３がその第二樹脂３２を被ってパッケージ本体を
形成する。従って、製品の信頼性や製造工程での要求は
各樹脂層で満足され、安価な第三樹脂３３を多量に使用
できるので製造コストを低減できる。
樹脂の特性を充分満足させ、しかも製造コストが安価な
樹脂封止型電子部品を提供する。 【構成】 発光ダイオード装置３０は、リード端子１の
先端部のダイパッド２に形成された凹部３にダイボンデ
ィングされた発光ダイオード素子４とリード端子５の先
端部７とが金属線６で接続された状態で、まず、温度サ
イクル等から発光ダイオード素子４等を保護するための
第一樹脂３１が発光ダイオード素子４と金属線６とを被
い、発光ダイオード素子４を湿気から保護するための第
二樹脂３２が第一樹脂３１を被い、成形特性が良い第三
樹脂３３がその第二樹脂３２を被ってパッケージ本体を
形成する。従って、製品の信頼性や製造工程での要求は
各樹脂層で満足され、安価な第三樹脂３３を多量に使用
できるので製造コストを低減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば発光ダイオード
装置や半導体集積回路等の電子部品のように内部素子
と、内部素子とリード端子とを接続する金属線とが樹脂
で封止された樹脂封止型電子部品に関する。
装置や半導体集積回路等の電子部品のように内部素子
と、内部素子とリード端子とを接続する金属線とが樹脂
で封止された樹脂封止型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の樹脂封止型電子部品の構
成を発光ダイオード装置を例に採って図４、図５に示し
説明する。図４に示す発光ダイオード装置１０は、リー
ド端子１の先端部のダイパッド２に形成された凹部３に
発光ダイオード素子４がダイボンディングされ、その発
光ダイオード素子４と、リード端子５の先端部７とが金
線等の金属線６で接続され、その発光ダイオード素子４
と金属線６とが樹脂１１によって封止された構成であ
る。この樹脂１１は、温度サイクルやハンダ付け時の熱
等から発光ダイオード素子４や金属線６の接続部等を保
護し、製品の信頼性を高めるために、例えば、ガラス転
移温度（Ｔｇ値）が１１５〜１１７°程度で安定してい
るエポキシ樹脂等が用いられ、また、その成形は、一般
に注型法によって行なわれている。
成を発光ダイオード装置を例に採って図４、図５に示し
説明する。図４に示す発光ダイオード装置１０は、リー
ド端子１の先端部のダイパッド２に形成された凹部３に
発光ダイオード素子４がダイボンディングされ、その発
光ダイオード素子４と、リード端子５の先端部７とが金
線等の金属線６で接続され、その発光ダイオード素子４
と金属線６とが樹脂１１によって封止された構成であ
る。この樹脂１１は、温度サイクルやハンダ付け時の熱
等から発光ダイオード素子４や金属線６の接続部等を保
護し、製品の信頼性を高めるために、例えば、ガラス転
移温度（Ｔｇ値）が１１５〜１１７°程度で安定してい
るエポキシ樹脂等が用いられ、また、その成形は、一般
に注型法によって行なわれている。
【０００３】また、図５に示す発光ダイオード装置２０
は、リード端子１の先端部のダイパッド２に形成された
凹部３にダイボンディングされた発光ダイオード素子４
とリード端子５の先端部７とが金属線６で接続された状
態で、まず、凹部３内の発光ダイオード素子４が樹脂２
１によってコーティングされ、次に、その発光ダイオー
ド素子４と金属線６とが樹脂２２によって封止された構
成である。樹脂２１は発光ダイオード素子４を湿気から
保護し、また、熱サイクルが加わったときに樹脂２２が
伸縮することによる外部応力から発光ダイオード素子４
を保護するために、例えば、シリコーン樹脂等が用いら
れている。
は、リード端子１の先端部のダイパッド２に形成された
凹部３にダイボンディングされた発光ダイオード素子４
とリード端子５の先端部７とが金属線６で接続された状
態で、まず、凹部３内の発光ダイオード素子４が樹脂２
１によってコーティングされ、次に、その発光ダイオー
ド素子４と金属線６とが樹脂２２によって封止された構
成である。樹脂２１は発光ダイオード素子４を湿気から
保護し、また、熱サイクルが加わったときに樹脂２２が
伸縮することによる外部応力から発光ダイオード素子４
を保護するために、例えば、シリコーン樹脂等が用いら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の発光ダイオード装置１０、２０
に用いられている樹脂１１や２２は、外的環境や汚染等
から発光ダイオード素子４や金属線６の接続部等を保護
し、製品の信頼性を高めるために、所定の特性を有する
樹脂が用いられているが、このような樹脂は高価であ
り、従って製品の製造コストが高くなるという問題があ
る。また、これらの樹脂はあらゆる特性を兼ね備えてい
るわけではなく、上記の樹脂１１、２２においては、例
えば、注型法による樹脂成形時に型に流し込み、熱硬化
された樹脂と型とが離れ難い等、樹脂の成形特性に問題
がある等、製品の信頼性や製造工程の作業効率向上のた
めに要求される樹脂の特性を充分に満足させることがで
きないという問題もある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の発光ダイオード装置１０、２０
に用いられている樹脂１１や２２は、外的環境や汚染等
から発光ダイオード素子４や金属線６の接続部等を保護
し、製品の信頼性を高めるために、所定の特性を有する
樹脂が用いられているが、このような樹脂は高価であ
り、従って製品の製造コストが高くなるという問題があ
る。また、これらの樹脂はあらゆる特性を兼ね備えてい
るわけではなく、上記の樹脂１１、２２においては、例
えば、注型法による樹脂成形時に型に流し込み、熱硬化
された樹脂と型とが離れ難い等、樹脂の成形特性に問題
がある等、製品の信頼性や製造工程の作業効率向上のた
めに要求される樹脂の特性を充分に満足させることがで
きないという問題もある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、製品の信頼性や製造工程の作業効率向
上のために要求される樹脂の特性を充分満足させ、しか
も製造コストが安価な樹脂封止型電子部品を提供するこ
とを目的とする。
たものであって、製品の信頼性や製造工程の作業効率向
上のために要求される樹脂の特性を充分満足させ、しか
も製造コストが安価な樹脂封止型電子部品を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、内部素子と、前記内部素子とリード端子
とを接続する金属線とが樹脂封止された電子部品におい
て、前記内部素子と前記金属線とを被う第一樹脂層と、
前記第一樹脂層を被う第二樹脂層と、前記第二樹脂層を
被ってパッケージ本体を形作る第三樹脂層と、を備え、
前記第一樹脂層は、前記各樹脂層の中で最もガラス転移
温度の安定した樹脂であり、前記第二樹脂層は、前記各
樹脂層の中で最も吸湿性の小さい樹脂であり、前記第三
樹脂層は、前記各樹脂層の中で最も成形特性の良い樹脂
を用いるものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、内部素子と、前記内部素子とリード端子
とを接続する金属線とが樹脂封止された電子部品におい
て、前記内部素子と前記金属線とを被う第一樹脂層と、
前記第一樹脂層を被う第二樹脂層と、前記第二樹脂層を
被ってパッケージ本体を形作る第三樹脂層と、を備え、
前記第一樹脂層は、前記各樹脂層の中で最もガラス転移
温度の安定した樹脂であり、前記第二樹脂層は、前記各
樹脂層の中で最も吸湿性の小さい樹脂であり、前記第三
樹脂層は、前記各樹脂層の中で最も成形特性の良い樹脂
を用いるものである。
【０００７】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。内部素子
と、その内部素子とリード端子とを接続する金属線と
を、ガラス転移温度の安定した第一樹脂層で被うことに
より、温度サイクルやハンダ付け時の熱等から内部素子
や金属線の接続部等を保護し、次に、その第一樹脂層
を、吸湿性の小さい第二樹脂層で被うことにより、第一
樹脂層で被われた内部素子と金属線とを湿気から保護
し、もって製品の信頼性の向上が図れ、さらに、その第
二樹脂層を、成形特性の良い第三樹脂層で被ってパッケ
ージ本体を形作ることにより、樹脂成形工程における作
業効率の向上が図れる。すなわち、製品の信頼性や製造
工程の作業効率向上のために要求される樹脂の特性を各
樹脂層で実現することができる。
と、その内部素子とリード端子とを接続する金属線と
を、ガラス転移温度の安定した第一樹脂層で被うことに
より、温度サイクルやハンダ付け時の熱等から内部素子
や金属線の接続部等を保護し、次に、その第一樹脂層
を、吸湿性の小さい第二樹脂層で被うことにより、第一
樹脂層で被われた内部素子と金属線とを湿気から保護
し、もって製品の信頼性の向上が図れ、さらに、その第
二樹脂層を、成形特性の良い第三樹脂層で被ってパッケ
ージ本体を形作ることにより、樹脂成形工程における作
業効率の向上が図れる。すなわち、製品の信頼性や製造
工程の作業効率向上のために要求される樹脂の特性を各
樹脂層で実現することができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。本発明の一実施例に係る発光ダイオード装置の
構成を図１に示し説明する。この発光ダイオード装置３
０は、リード端子１の先端部のダイパッド２に形成され
た凹部３にダイボンディングされた発光ダイオード素子
４とリード端子５の先端部７とが金属線６で接続された
状態で、まず、第一樹脂３１が発光ダイオード素子４と
金属線６とを被い、次に、第二樹脂３２が発光ダイオー
ド素子４と金属線６とを被った第一樹脂３１を被い、さ
らに、第三樹脂３３がその第二樹脂３２を被ってパッケ
ージ本体を形作るようにして、発光ダイオード素子４と
金属線６とが封止された構成である。
明する。本発明の一実施例に係る発光ダイオード装置の
構成を図１に示し説明する。この発光ダイオード装置３
０は、リード端子１の先端部のダイパッド２に形成され
た凹部３にダイボンディングされた発光ダイオード素子
４とリード端子５の先端部７とが金属線６で接続された
状態で、まず、第一樹脂３１が発光ダイオード素子４と
金属線６とを被い、次に、第二樹脂３２が発光ダイオー
ド素子４と金属線６とを被った第一樹脂３１を被い、さ
らに、第三樹脂３３がその第二樹脂３２を被ってパッケ
ージ本体を形作るようにして、発光ダイオード素子４と
金属線６とが封止された構成である。
【０００９】この第一樹脂３１は、温度サイクルやハン
ダ付け時の熱等から発光ダイオード素子４や金属線６の
接続部等を保護し、製品の信頼性を高めるために、例え
ば、Ｔｇ値が安定している高純度のエポキシ樹脂等が用
いられる。ここに、Ｔｇ値が安定しているとは、後述す
る第一樹脂３１の熱硬化時の条件等に影響されず、硬化
したときの第一樹脂３１のＴｇ値がおおよそ１１５〜１
１７°程度で一定していることをいう。なお、このＴｇ
値の範囲より高過ぎると、ハンダ付け時の加熱や、製品
試験における温度サイクル等において樹脂が膨張、収縮
してクラック（ひび割れ）が生じ、金属線６の断線や発
光ダイオード素子４の損傷が発生し、一方、低過ぎる
と、ハンダ付け時の加熱等によって樹脂が軟化し、その
樹脂に封止され、固定されているリード端子１、５がぐ
らつくことによって、金属線６の接続部での断線が発生
するので、いずれも好ましくない。
ダ付け時の熱等から発光ダイオード素子４や金属線６の
接続部等を保護し、製品の信頼性を高めるために、例え
ば、Ｔｇ値が安定している高純度のエポキシ樹脂等が用
いられる。ここに、Ｔｇ値が安定しているとは、後述す
る第一樹脂３１の熱硬化時の条件等に影響されず、硬化
したときの第一樹脂３１のＴｇ値がおおよそ１１５〜１
１７°程度で一定していることをいう。なお、このＴｇ
値の範囲より高過ぎると、ハンダ付け時の加熱や、製品
試験における温度サイクル等において樹脂が膨張、収縮
してクラック（ひび割れ）が生じ、金属線６の断線や発
光ダイオード素子４の損傷が発生し、一方、低過ぎる
と、ハンダ付け時の加熱等によって樹脂が軟化し、その
樹脂に封止され、固定されているリード端子１、５がぐ
らつくことによって、金属線６の接続部での断線が発生
するので、いずれも好ましくない。
【００１０】また、第二樹脂３２は発光ダイオード素子
４を湿気から保護し、製品の信頼性を高めるために、例
えば、シリコーン樹脂等が用いられる。
４を湿気から保護し、製品の信頼性を高めるために、例
えば、シリコーン樹脂等が用いられる。
【００１１】さらに、第三樹脂３３は、第一樹脂３１、
第二樹脂３２によって被われた発光ダイオード素子４と
金属線６とを封止し、パッケージ本体を形作るので、成
形特性が良い、例えば、ポリカーボネートやアクリル酸
樹脂、あるいは、成形特性の良いエポキシ樹脂等が用い
られる。なお、上述のように発光ダイオード素子４と金
属線６とは第一樹脂３１および第二樹脂３２で被われて
いるので、第三樹脂３３としてはＴｇ値の安定性や吸湿
性等をそれほど考慮する必要がなく、成形特性だけを考
慮すればよいので、比較的安価な樹脂を用いることがで
きる。
第二樹脂３２によって被われた発光ダイオード素子４と
金属線６とを封止し、パッケージ本体を形作るので、成
形特性が良い、例えば、ポリカーボネートやアクリル酸
樹脂、あるいは、成形特性の良いエポキシ樹脂等が用い
られる。なお、上述のように発光ダイオード素子４と金
属線６とは第一樹脂３１および第二樹脂３２で被われて
いるので、第三樹脂３３としてはＴｇ値の安定性や吸湿
性等をそれほど考慮する必要がなく、成形特性だけを考
慮すればよいので、比較的安価な樹脂を用いることがで
きる。
【００１２】次に、この発光ダイオード装置３０の製造
過程の一例を図２を参照して説明する。まず、図２
（ａ）に示すような、樹脂封止前の発光ダイオード装置
を従来と同様の方法で製造する。すなわち、リード端子
１の先端部のダイパッド２に形成された凹部３に発光ダ
イオード素子４をダイボンディングし、さらに、その発
光ダイオード素子４とリード端子５の先端部７とをワイ
ヤーボンディングによって金属線６で接続する。
過程の一例を図２を参照して説明する。まず、図２
（ａ）に示すような、樹脂封止前の発光ダイオード装置
を従来と同様の方法で製造する。すなわち、リード端子
１の先端部のダイパッド２に形成された凹部３に発光ダ
イオード素子４をダイボンディングし、さらに、その発
光ダイオード素子４とリード端子５の先端部７とをワイ
ヤーボンディングによって金属線６で接続する。
【００１３】次に、この樹脂封止前の発光ダイオード装
置の発光ダイオード素子４と金属線６とを第一樹脂層で
被うために、図２（ｂ）に示すように、溶融した第一樹
脂３１が入れられた第一樹脂槽４１に、発光ダイオード
素子４と金属線６とを浸けて、引き上げる。このとき、
発光ダイオード素子４と金属線６との周りには、第一樹
脂３１の表面張力により第一樹脂３１の層が形成され
る。この状態で、第一樹脂３１を熱硬化させる。
置の発光ダイオード素子４と金属線６とを第一樹脂層で
被うために、図２（ｂ）に示すように、溶融した第一樹
脂３１が入れられた第一樹脂槽４１に、発光ダイオード
素子４と金属線６とを浸けて、引き上げる。このとき、
発光ダイオード素子４と金属線６との周りには、第一樹
脂３１の表面張力により第一樹脂３１の層が形成され
る。この状態で、第一樹脂３１を熱硬化させる。
【００１４】次に、図２（ｂ）で製造された第一樹脂３
１の層の周りを第二樹脂層で被うために、図２（ｃ）に
示すように、溶融した第二樹脂３２が入れられた第二樹
脂槽４２に、第一樹脂３１に被われた発光ダイオード素
子４と金属線６とを浸けて、引き上げる。このとき、第
一樹脂３１の層の周りには、第二樹脂３２が被着して第
二樹脂３２の層が形成される。この状態で、第二樹脂３
２を熱硬化させる。
１の層の周りを第二樹脂層で被うために、図２（ｃ）に
示すように、溶融した第二樹脂３２が入れられた第二樹
脂槽４２に、第一樹脂３１に被われた発光ダイオード素
子４と金属線６とを浸けて、引き上げる。このとき、第
一樹脂３１の層の周りには、第二樹脂３２が被着して第
二樹脂３２の層が形成される。この状態で、第二樹脂３
２を熱硬化させる。
【００１５】最後に、図２（ｄ）に示すように、注型法
により第三樹脂３３でパッケージ本体を形成する。すな
わち、第三樹脂３３が注入されたパッケージ本体成形用
の型４３に、第一樹脂３１と第二樹脂３２とで被われた
発光ダイオード素子４と金属線６とを挿入し、第三樹脂
３３を熱硬化させることにより発光ダイオード装置３０
が製造される。
により第三樹脂３３でパッケージ本体を形成する。すな
わち、第三樹脂３３が注入されたパッケージ本体成形用
の型４３に、第一樹脂３１と第二樹脂３２とで被われた
発光ダイオード素子４と金属線６とを挿入し、第三樹脂
３３を熱硬化させることにより発光ダイオード装置３０
が製造される。
【００１６】なお、上述した製造工程は一例を示すもの
であり、発光ダイオード装置３０の各樹脂層を別の方法
により形成してもよい。
であり、発光ダイオード装置３０の各樹脂層を別の方法
により形成してもよい。
【００１７】次に、本発明をＤＩＰ（Dual In-Line Pac
kage）タイプの半導体装置に適用した場合について図３
を参照して説明する。この半導体装置５０は、ダイパッ
ド５１にダイボンディングされた半導体素子５２とリー
ド端子５３の先端部５４とが金属線５５で接続された状
態で、半導体素子５２と金属線５５とを第一樹脂６１で
被い、その第一樹脂６１の周りを第二樹脂６２で被い、
さらに、第二樹脂６２の周りを第三樹脂６３で被ってパ
ッケージ本体を形成する構成である。上述した発光ダイ
オード装置３０に用いたような各樹脂３１〜３３は透光
性を有する必要があるが、これらの各樹脂６１〜６３
は、非透光性であってもよい。パッケージ本体を成形す
る際、半導体素子５２および金属線５５は第一樹脂６１
および第二樹脂で被われているので、生産性を上げるた
めに成形条件（樹脂注入圧力や速度等）を過酷に設定し
ても、半導体素子５２や金属線５５に悪影響を与えるこ
とはない。
kage）タイプの半導体装置に適用した場合について図３
を参照して説明する。この半導体装置５０は、ダイパッ
ド５１にダイボンディングされた半導体素子５２とリー
ド端子５３の先端部５４とが金属線５５で接続された状
態で、半導体素子５２と金属線５５とを第一樹脂６１で
被い、その第一樹脂６１の周りを第二樹脂６２で被い、
さらに、第二樹脂６２の周りを第三樹脂６３で被ってパ
ッケージ本体を形成する構成である。上述した発光ダイ
オード装置３０に用いたような各樹脂３１〜３３は透光
性を有する必要があるが、これらの各樹脂６１〜６３
は、非透光性であってもよい。パッケージ本体を成形す
る際、半導体素子５２および金属線５５は第一樹脂６１
および第二樹脂で被われているので、生産性を上げるた
めに成形条件（樹脂注入圧力や速度等）を過酷に設定し
ても、半導体素子５２や金属線５５に悪影響を与えるこ
とはない。
【００１８】なお、本発明は上述の発光ダイオード装置
やＤＩＰタイプの半導体装置に限定されず、樹脂封止型
の各種の電子部品に適用することができる。
やＤＩＰタイプの半導体装置に限定されず、樹脂封止型
の各種の電子部品に適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、内部素子と、その内部素子とリード端子とを
接続する金属線とを、ガラス転移温度の安定した第一樹
脂層で被うことにより、温度サイクルやハンダ付け時の
熱等から内部素子や金属線の接続部等を保護し、次に、
その第一樹脂層を、吸湿性の小さい第二樹脂層で被うこ
とにより、第一樹脂層で被われた内部素子と金属線とを
湿気から保護し、もって製品の信頼性の向上が図れ、さ
らに、その第二樹脂層を、成形特性の良い第三樹脂層で
被ってパッケージ本体を形作ることにより、樹脂成形工
程の作業効率の向上が図れる。すなわち、製品の信頼性
や製造工程の作業効率向上のために要求される樹脂の特
性を各樹脂層で実現することができる。また、温度サイ
クルやハンダ付け時の熱等から内部素子や金属線の接続
部等を保護するための高信頼性の高価な第一樹脂層は、
内部素子や金属線の周りだけに使用し、湿気から内部素
子を保護するための比較的高価な第二樹脂層も、第一樹
脂層の周りだけに使用しており、パッケージ本体を形成
するために前記第一、第二樹脂層よりも多量に使用され
る第三樹脂層としては、比較的安価なものを選択できる
ので、全体として樹脂のコストの低減が図れ、製造コス
トを下げることができる。
によれば、内部素子と、その内部素子とリード端子とを
接続する金属線とを、ガラス転移温度の安定した第一樹
脂層で被うことにより、温度サイクルやハンダ付け時の
熱等から内部素子や金属線の接続部等を保護し、次に、
その第一樹脂層を、吸湿性の小さい第二樹脂層で被うこ
とにより、第一樹脂層で被われた内部素子と金属線とを
湿気から保護し、もって製品の信頼性の向上が図れ、さ
らに、その第二樹脂層を、成形特性の良い第三樹脂層で
被ってパッケージ本体を形作ることにより、樹脂成形工
程の作業効率の向上が図れる。すなわち、製品の信頼性
や製造工程の作業効率向上のために要求される樹脂の特
性を各樹脂層で実現することができる。また、温度サイ
クルやハンダ付け時の熱等から内部素子や金属線の接続
部等を保護するための高信頼性の高価な第一樹脂層は、
内部素子や金属線の周りだけに使用し、湿気から内部素
子を保護するための比較的高価な第二樹脂層も、第一樹
脂層の周りだけに使用しており、パッケージ本体を形成
するために前記第一、第二樹脂層よりも多量に使用され
る第三樹脂層としては、比較的安価なものを選択できる
ので、全体として樹脂のコストの低減が図れ、製造コス
トを下げることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る発光ダイオード装置の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図２】実施例装置の製造工程を説明するための図であ
る。
る。
【図３】本発明の別の実施例に係るＤＩＰタイプの半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図４】従来例に係る発光ダイオード装置の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来例に係る発光ダイオード装置の構成を示す
断面図である。
断面図である。
１、５ … リード端子 ２ … ダイパッド ３ … 凹部 ４ … 発光ダイオード素子 ６ … 金属線 ３０ … 発光ダイオード装置 ３１ … 第一樹脂 ３２ … 第二樹脂 ３３ … 第三樹脂 ５０ … ＤＩＰ（Dual In-Line Package）タイプの半
導体装置
導体装置
Claims (1)
- 【請求項１】 内部素子と、前記内部素子とリード端子
とを接続する金属線とが樹脂封止された電子部品におい
て、 前記内部素子と前記金属線とを被う第一樹脂層と、 前記第一樹脂層を被う第二樹脂層と、 前記第二樹脂層を被ってパッケージ本体を形作る第三樹
脂層と、 を備え、 前記第一樹脂層は、前記各樹脂層の中で最もガラス転移
温度の安定した樹脂であり、 前記第二樹脂層は、前記各樹脂層の中で最も吸湿性の小
さい樹脂であり、 前記第三樹脂層は、前記各樹脂層の中で最も成形特性の
良い樹脂であることを特徴とする樹脂封止型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18440492A JP3183715B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 樹脂封止型光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18440492A JP3183715B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 樹脂封止型光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065928A true JPH065928A (ja) | 1994-01-14 |
| JP3183715B2 JP3183715B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=16152579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18440492A Expired - Fee Related JP3183715B2 (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | 樹脂封止型光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183715B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217463A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子及びその製造方法 |
| JP2004088004A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2007214252A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2012089864A (ja) * | 2004-04-06 | 2012-05-10 | Cree Inc | 少なくとも一つのカプセル化層がナノ粒子群を含む複数のカプセル化層を有する発光素子およびその形成方法 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP18440492A patent/JP3183715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001217463A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｌｅｄ発光素子及びその製造方法 |
| JP2004088004A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2012089864A (ja) * | 2004-04-06 | 2012-05-10 | Cree Inc | 少なくとも一つのカプセル化層がナノ粒子群を含む複数のカプセル化層を有する発光素子およびその形成方法 |
| US8946755B2 (en) | 2004-04-06 | 2015-02-03 | Cree, Inc. | Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same |
| JP2007214252A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3183715B2 (ja) | 2001-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6211574B1 (en) | Semiconductor package with wire protection and method therefor | |
| US6194251B1 (en) | Die positioning in integrated circuit packaging | |
| US20050146057A1 (en) | Micro lead frame package having transparent encapsulant | |
| KR100242393B1 (ko) | 반도체 패키지 및 제조방법 | |
| JPH06151977A (ja) | 光半導体装置 | |
| US8445998B1 (en) | Leadframe structures for semiconductor packages | |
| JPH05299530A (ja) | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH065928A (ja) | 樹脂封止型電子部品 | |
| US10374104B2 (en) | Waterproof electronic packaging structure and method for making the same | |
| US20240128185A1 (en) | Semiconductor device and pre-forming adaptor thereof | |
| US9252344B2 (en) | Structural component and method for producing a structural component | |
| JP2771475B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6489571B1 (en) | Molded tape ball grid array package | |
| KR100221918B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
| KR200211272Y1 (ko) | 칩 사이즈 패키지 | |
| KR960000462Y1 (ko) | 기판 반도체 장치 | |
| KR19990051002A (ko) | 적층형 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPS5986251A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH05226676A (ja) | 半導体装置 | |
| KR200156148Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JPS61216438A (ja) | 封止された電子部品の製造方法 | |
| KR0145769B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH06163619A (ja) | 半導体装置およびその製造において用いるトランスファモールド型 | |
| KR100424611B1 (ko) | 저형상 감광성 반도체 패키지 | |
| JPS6167945A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |