JPH066110A - 分波器 - Google Patents
分波器Info
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- JPH066110A JPH066110A JP18182492A JP18182492A JPH066110A JP H066110 A JPH066110 A JP H066110A JP 18182492 A JP18182492 A JP 18182492A JP 18182492 A JP18182492 A JP 18182492A JP H066110 A JPH066110 A JP H066110A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 46
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 46
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 46
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】周波数間隔の大なる多周波の分波器の構成が可
能な分波器を実現する。 【構成】低域通過ろ波器LPF の一方の入出力結合回路と
帯域通過ろ波器BPF の一方の入出力結合回路とを共通の
端子2Cに接続し、低域通過ろ波器LPF の他方の入出力結
合回路を端子2Lに接続し、帯域通過ろ波器BPF の他方の
入出力結合回路を端子2Bに接続してある。
能な分波器を実現する。 【構成】低域通過ろ波器LPF の一方の入出力結合回路と
帯域通過ろ波器BPF の一方の入出力結合回路とを共通の
端子2Cに接続し、低域通過ろ波器LPF の他方の入出力結
合回路を端子2Lに接続し、帯域通過ろ波器BPF の他方の
入出力結合回路を端子2Bに接続してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線通信装置又は放送
装置等における空中線或は列車用無線通信装置における
誘導電磁界形成用の漏洩ケ−ブル等と組合わせて用いる
のに好適な分波器に関するものである。
装置等における空中線或は列車用無線通信装置における
誘導電磁界形成用の漏洩ケ−ブル等と組合わせて用いる
のに好適な分波器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２２は、従来の分波器の一例を示す図
で、LPF は低域通過ろ波器、HPF は高域通過ろ波器、TC
は共通の入力又は出力端子、TLは低域通過ろ波器LPF の
出力又は入力端子、THは高域通過ろ波器HPF の出力又は
入力端子である。図２３もまた従来の分波器の一例を示
す図で、BPF1は通過域の中心周波数がf1である第１の帯
域通過ろ波器、BPF2は通過域の中心周波数がf2である第
２の帯域通過ろ波器、TCは共通の入力又は出力端子、T1
は第１の帯域通過ろ波器BPF1の出力又は入力端子、T2は
第２の帯域通過ろ波器BPF2の出力又は入力端子である。
で、LPF は低域通過ろ波器、HPF は高域通過ろ波器、TC
は共通の入力又は出力端子、TLは低域通過ろ波器LPF の
出力又は入力端子、THは高域通過ろ波器HPF の出力又は
入力端子である。図２３もまた従来の分波器の一例を示
す図で、BPF1は通過域の中心周波数がf1である第１の帯
域通過ろ波器、BPF2は通過域の中心周波数がf2である第
２の帯域通過ろ波器、TCは共通の入力又は出力端子、T1
は第１の帯域通過ろ波器BPF1の出力又は入力端子、T2は
第２の帯域通過ろ波器BPF2の出力又は入力端子である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２２に示した従来の
分波器においては、高域通過ろ波器HPF の通過域の周波
数範囲が比較的高い場合、その構成が複雑となり、製作
も困難となる。図２３に示した従来の分波器において
は、第１及び第２の帯域通過ろ波器BPF1及びBPF2の各入
出力結合回路を容量結合回路で形成した場合、第１の帯
域通過ろ波器BPF1の入出力結合回路と共通の入力又は出
力端子TC間の接続回路の長さを、入出力結合回路の長さ
を含んでλ2/2 （λ2 はf2の波長）に形成し、第２の帯
域通過ろ波器BPF2の入出力結合回路と共通の入力又は出
力端子TC間の接続回路の長さを、入出力結合回路の長さ
を含んでλ1/2 （λ1 はf1の波長）に形成することによ
って、２波の分波器を構成することができる。然しなが
ら、３波以上の分波器を構成する場合には、次のような
制約を免れることができない。例えば３波の分波器を構
成する場合、第１ないし第３の帯域通過ろ波器BPF1ない
しBPF3の各通過域における中心周波数f1（波長λ1 ）、
f2（波長λ2 ）及びf3（波長λ3 ）が互いに極めて接近
している場合には、第１ないし第３の帯域通過ろ波器BP
F1ないしBPF3の各入出力結合回路と共通の入力又は出力
端子TC間の各接続回路の長さを、入出力結合回路の長さ
を含んでλ1/2 ≒λ2/2 ≒λ3/2 に形成することによっ
て３波の分波器を構成することが可能であるが、３波の
周波数が離れている場合には分波器を構成することは不
可能である。図２３に示した第１及び第２の帯域通過ろ
波器BPF1及びBPF2の各入出力結合回路を磁界結合回路で
形成した場合には、第１の帯域通過ろ波器BPF1の入出力
結合回路と共通の入力又は出力端子TC間の接続回路の長
さを、入出力結合回路の長さを含んでλ2/4 に形成し、
第２の帯域通過ろ波器BPF2の入出力結合回路と共通の入
力又は出力端子TC間の接続回路の長さを、入出力結合回
路の長さを含んでλ1/4 に形成することによって、２波
の分波器を構成することができ、３波以上の場合にも各
帯域通過ろ波器における通過域の中心周波数が極めて接
近している場合には、各接続回路の長さをλ1/4 ≒λ2/
4 ≒λ3/4 ≒・・・・・に形成することによって３波以
上の分波器の構成が可能であるが、分波対象周波数が互
いに離れている場合には３波以上の分波器の構成は矢張
り不可能である。
分波器においては、高域通過ろ波器HPF の通過域の周波
数範囲が比較的高い場合、その構成が複雑となり、製作
も困難となる。図２３に示した従来の分波器において
は、第１及び第２の帯域通過ろ波器BPF1及びBPF2の各入
出力結合回路を容量結合回路で形成した場合、第１の帯
域通過ろ波器BPF1の入出力結合回路と共通の入力又は出
力端子TC間の接続回路の長さを、入出力結合回路の長さ
を含んでλ2/2 （λ2 はf2の波長）に形成し、第２の帯
域通過ろ波器BPF2の入出力結合回路と共通の入力又は出
力端子TC間の接続回路の長さを、入出力結合回路の長さ
を含んでλ1/2 （λ1 はf1の波長）に形成することによ
って、２波の分波器を構成することができる。然しなが
ら、３波以上の分波器を構成する場合には、次のような
制約を免れることができない。例えば３波の分波器を構
成する場合、第１ないし第３の帯域通過ろ波器BPF1ない
しBPF3の各通過域における中心周波数f1（波長λ1 ）、
f2（波長λ2 ）及びf3（波長λ3 ）が互いに極めて接近
している場合には、第１ないし第３の帯域通過ろ波器BP
F1ないしBPF3の各入出力結合回路と共通の入力又は出力
端子TC間の各接続回路の長さを、入出力結合回路の長さ
を含んでλ1/2 ≒λ2/2 ≒λ3/2 に形成することによっ
て３波の分波器を構成することが可能であるが、３波の
周波数が離れている場合には分波器を構成することは不
可能である。図２３に示した第１及び第２の帯域通過ろ
波器BPF1及びBPF2の各入出力結合回路を磁界結合回路で
形成した場合には、第１の帯域通過ろ波器BPF1の入出力
結合回路と共通の入力又は出力端子TC間の接続回路の長
さを、入出力結合回路の長さを含んでλ2/4 に形成し、
第２の帯域通過ろ波器BPF2の入出力結合回路と共通の入
力又は出力端子TC間の接続回路の長さを、入出力結合回
路の長さを含んでλ1/4 に形成することによって、２波
の分波器を構成することができ、３波以上の場合にも各
帯域通過ろ波器における通過域の中心周波数が極めて接
近している場合には、各接続回路の長さをλ1/4 ≒λ2/
4 ≒λ3/4 ≒・・・・・に形成することによって３波以
上の分波器の構成が可能であるが、分波対象周波数が互
いに離れている場合には３波以上の分波器の構成は矢張
り不可能である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来のように
低域通過ろ波器と高域通過ろ波器とを共通の入力又は出
力端子に接続するか、複数個の帯域通過ろ波器を共通の
入力又は出力端子に接続する代りに、低域通過ろ波器と
入出力結合回路を容量結合回路で形成した帯域通過ろ波
器とを共通の入力又は出力端子に接続して２波の分波器
を構成し、この分波器を縱続的に接続することによって
３波以上の分波器の構成を可能にしたものである。
低域通過ろ波器と高域通過ろ波器とを共通の入力又は出
力端子に接続するか、複数個の帯域通過ろ波器を共通の
入力又は出力端子に接続する代りに、低域通過ろ波器と
入出力結合回路を容量結合回路で形成した帯域通過ろ波
器とを共通の入力又は出力端子に接続して２波の分波器
を構成し、この分波器を縱続的に接続することによって
３波以上の分波器の構成を可能にしたものである。
【０００５】
【作用】低域通過ろ波器及び帯域通過ろ波器の各回路定
数を適当に選ぶことにより、共通の入力又は出力端子か
ら低域通過ろ波器側を見たインピ−ダンスは帯域通過ろ
波器の通過域における周波数に対して高インピ−ダンス
を呈し、共通の入力又は出力端子から帯域通過ろ波器側
を見たインピ−ダンスは低域通過ろ波器の通過域におけ
る周波数に対して高インピ−ダンスを呈し、低域通過ろ
波器と帯域通過ろ波器間に干渉を生ずることなく、共通
の入力又は出力端子に入力した信号のうち、低域通過ろ
波器における通過域内の周波数信号は帯域通過ろ波器側
の出力又は入力端子から出力することなく低域通過ろ波
器側の出力又は入力端子からのみ出力し、共通の入力又
は出力端子に入力した信号のうち、帯域通過ろ波器にお
ける通過域内の周波数信号は低域通過ろ波器側の出力又
は入力端子から出力することなく帯域通過ろ波器側の出
力又は入力端子からのみ出力することとなる。本発明分
波器を複数段設け、前段の分波器における低域通過ろ波
器側の出力又は入力端子を後段の分波器における共通の
入力又は出力端子に接続することにより、多周波の分波
作用を営ませることができる。
数を適当に選ぶことにより、共通の入力又は出力端子か
ら低域通過ろ波器側を見たインピ−ダンスは帯域通過ろ
波器の通過域における周波数に対して高インピ−ダンス
を呈し、共通の入力又は出力端子から帯域通過ろ波器側
を見たインピ−ダンスは低域通過ろ波器の通過域におけ
る周波数に対して高インピ−ダンスを呈し、低域通過ろ
波器と帯域通過ろ波器間に干渉を生ずることなく、共通
の入力又は出力端子に入力した信号のうち、低域通過ろ
波器における通過域内の周波数信号は帯域通過ろ波器側
の出力又は入力端子から出力することなく低域通過ろ波
器側の出力又は入力端子からのみ出力し、共通の入力又
は出力端子に入力した信号のうち、帯域通過ろ波器にお
ける通過域内の周波数信号は低域通過ろ波器側の出力又
は入力端子から出力することなく帯域通過ろ波器側の出
力又は入力端子からのみ出力することとなる。本発明分
波器を複数段設け、前段の分波器における低域通過ろ波
器側の出力又は入力端子を後段の分波器における共通の
入力又は出力端子に接続することにより、多周波の分波
作用を営ませることができる。
【０００６】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す正面図、図
２は側面図、図３は、図１のＡ−Ａ断面図、図４は、図
１のＢ−Ｂ断面図で、各図において、１は共通のシ−ル
ドケ−ス、2Cは共通の入力又は出力端子、2L及び2Bは出
力又は入力端子で、各端子は例えば同軸接栓より成る。
３は誘電体基板で、その表裏面に低域通過ろ波器及び帯
域通過ろ波器の各構成素子を設けてある。図５（ａ）
は、誘電体基板３の表面図、図５（ｂ）は、誘電体基板
３を上端縁側から見た図、図５（ｃ）は、誘電体基板３
の裏面図で、各図において、41ないし43は容量形成導
体、51ないし56はインダクタンス形成導体、61ないし63
は共振素子形成導体、71ないし73は接続導体で、これら
は例えばエッチング法によるプリント配線手法によって
誘電体基板３の表面（又は裏面）に設けてある。８及び
91ないし93は接地導体で、これらもまた例えばエッチン
グ法によるプリント配線手法によって誘電体基板３の裏
面（又は表面）に設けてある。容量形成導体41ないし
43、インダクタンス形成導体51ないし56及び接地導体８
によって低域通過ろ波器が形成され、共振素子形成導体
61ないし63及び接地導体91ないし93によって帯域通過ろ
波器が形成される。尚、共振素子形成導体62の開放端部
と接地導体92によって形成される容量は、共振素子形成
導体62によって形成されるインダクタンスと直列共振回
路を形成し、共振素子形成導体61及び63の各開放端部と
接地導体91及び93によって形成される容量は、共振素子
形成導体61及び63によって形成されるインダクタンスと
直列共振回路を形成すると共に、入出力容量結合回路を
形成する。
２は側面図、図３は、図１のＡ−Ａ断面図、図４は、図
１のＢ−Ｂ断面図で、各図において、１は共通のシ−ル
ドケ−ス、2Cは共通の入力又は出力端子、2L及び2Bは出
力又は入力端子で、各端子は例えば同軸接栓より成る。
３は誘電体基板で、その表裏面に低域通過ろ波器及び帯
域通過ろ波器の各構成素子を設けてある。図５（ａ）
は、誘電体基板３の表面図、図５（ｂ）は、誘電体基板
３を上端縁側から見た図、図５（ｃ）は、誘電体基板３
の裏面図で、各図において、41ないし43は容量形成導
体、51ないし56はインダクタンス形成導体、61ないし63
は共振素子形成導体、71ないし73は接続導体で、これら
は例えばエッチング法によるプリント配線手法によって
誘電体基板３の表面（又は裏面）に設けてある。８及び
91ないし93は接地導体で、これらもまた例えばエッチン
グ法によるプリント配線手法によって誘電体基板３の裏
面（又は表面）に設けてある。容量形成導体41ないし
43、インダクタンス形成導体51ないし56及び接地導体８
によって低域通過ろ波器が形成され、共振素子形成導体
61ないし63及び接地導体91ないし93によって帯域通過ろ
波器が形成される。尚、共振素子形成導体62の開放端部
と接地導体92によって形成される容量は、共振素子形成
導体62によって形成されるインダクタンスと直列共振回
路を形成し、共振素子形成導体61及び63の各開放端部と
接地導体91及び93によって形成される容量は、共振素子
形成導体61及び63によって形成されるインダクタンスと
直列共振回路を形成すると共に、入出力容量結合回路を
形成する。
【０００７】誘電体基板３を図３及び図４に示すように
共通のシ−ルドケ−ス１に内装すると、共振素子形成導
体61ないし63の各短絡端、接地導体８及び91ないし93が
共通のシ−ルドケ−ス１に電気的に接続されると共に、
接続導体71ないし73が同軸接栓2L、2C及び2Bの各内部導
体に各別に接続される。図６は、上記本発明分波器の等
価回路図で、LPF は低域通過ろ波器、BPF は帯域通過ろ
波器、2Cは共通の入力又は出力端子、2Lは低域通過ろ波
器LPF の出力又は入力端子、2Bは帯域通過ろ波器BPF の
出力又は入力端子である。
共通のシ−ルドケ−ス１に内装すると、共振素子形成導
体61ないし63の各短絡端、接地導体８及び91ないし93が
共通のシ−ルドケ−ス１に電気的に接続されると共に、
接続導体71ないし73が同軸接栓2L、2C及び2Bの各内部導
体に各別に接続される。図６は、上記本発明分波器の等
価回路図で、LPF は低域通過ろ波器、BPF は帯域通過ろ
波器、2Cは共通の入力又は出力端子、2Lは低域通過ろ波
器LPF の出力又は入力端子、2Bは帯域通過ろ波器BPF の
出力又は入力端子である。
【０００８】図５に示したインダクタンス形成導体51な
いし56の各長さを電気長で遮断波長の1/4 以下の範囲で
適宜選定すると共に各幅を適当に選んで、インダクタン
ス形成導体51ないし56によって形成されるインダクタン
ス回路の特性インピ−ダンスを外部回路の特性インピ−
ダンスに比し適宜高くなるように形成し、容量形成導体
41ないし43の各面積を適当に選ぶことによって、低域通
過ろ波器LPF の特性を任意に定めることができる。共振
素子形成導体61ないし63の各長さ及び幅、共振素子形成
導体61ないし63の各開放端部と接地導体91ないし93との
各対向面積、及び共振素子形成導体61ないし63の各間隔
を適当に選ぶことによって帯域通過ろ波器BPF の特性を
任意に定めることができるから、低域通過ろ波器LPF 及
び帯域通過ろ波器BPF における各通過域の周波数範囲を
互いに異ならせることができる。又、図６における共通
の入力又は出力端子2Cから帯域通過ろ波器BPF の初段直
列共振回路を見たインピ−ダンスは、周波数の低い範囲
においては容量性を呈するから、この容量を考慮して低
域通過ろ波器LPF を設計することによって、低域通過ろ
波器LPF の特性を通過域の広い良好なものとすることが
できる。
いし56の各長さを電気長で遮断波長の1/4 以下の範囲で
適宜選定すると共に各幅を適当に選んで、インダクタン
ス形成導体51ないし56によって形成されるインダクタン
ス回路の特性インピ−ダンスを外部回路の特性インピ−
ダンスに比し適宜高くなるように形成し、容量形成導体
41ないし43の各面積を適当に選ぶことによって、低域通
過ろ波器LPF の特性を任意に定めることができる。共振
素子形成導体61ないし63の各長さ及び幅、共振素子形成
導体61ないし63の各開放端部と接地導体91ないし93との
各対向面積、及び共振素子形成導体61ないし63の各間隔
を適当に選ぶことによって帯域通過ろ波器BPF の特性を
任意に定めることができるから、低域通過ろ波器LPF 及
び帯域通過ろ波器BPF における各通過域の周波数範囲を
互いに異ならせることができる。又、図６における共通
の入力又は出力端子2Cから帯域通過ろ波器BPF の初段直
列共振回路を見たインピ−ダンスは、周波数の低い範囲
においては容量性を呈するから、この容量を考慮して低
域通過ろ波器LPF を設計することによって、低域通過ろ
波器LPF の特性を通過域の広い良好なものとすることが
できる。
【０００９】このように構成した本発明分波器において
は、共通の入力又は出力端子2Cから低域通過ろ波器LPF
側を見たインピ−ダンスは帯域通過ろ波器BPF の通過域
における周波数に対して高インピ−ダンスを呈し、共通
の入力又は出力端子2Cから帯域通過ろ波器BPF 側を見た
インピ−ダンスは低域通過ろ波器LPF の通過域における
周波数に対して高インピ−ダンスを呈するから、低域通
過ろ波器LPF と帯域通過ろ波器BPF 間に干渉を生ずるこ
とはない。したがって、端子2Cに入力した信号のうち、
低域通過ろ波器BPF における通過域内の周波数信号は端
子2Bから出力することなく端子2Lからのみ出力し、端子
2Cに入力した信号のうち、帯域通過ろ波器BPF における
通過域内の周波数信号は端子2Lから出力することなく端
子2Bからのみ出力することとなる。図７は、本発明分波
器の伝送特性の一例を示す図で、横軸は伝送周波数f(MH
z)、縦軸は減衰量ATT(dB) 、曲線Ｌは共通の入力又は出
力端子2Cと低域通過ろ波器LPF の出力又は入力端子2L間
の伝送特性、曲線Ｂは共通の入力又は出力端子2Cと帯域
通過ろ波器BPF の出力又は入力端子2B間の伝送特性であ
る。
は、共通の入力又は出力端子2Cから低域通過ろ波器LPF
側を見たインピ−ダンスは帯域通過ろ波器BPF の通過域
における周波数に対して高インピ−ダンスを呈し、共通
の入力又は出力端子2Cから帯域通過ろ波器BPF 側を見た
インピ−ダンスは低域通過ろ波器LPF の通過域における
周波数に対して高インピ−ダンスを呈するから、低域通
過ろ波器LPF と帯域通過ろ波器BPF 間に干渉を生ずるこ
とはない。したがって、端子2Cに入力した信号のうち、
低域通過ろ波器BPF における通過域内の周波数信号は端
子2Bから出力することなく端子2Lからのみ出力し、端子
2Cに入力した信号のうち、帯域通過ろ波器BPF における
通過域内の周波数信号は端子2Lから出力することなく端
子2Bからのみ出力することとなる。図７は、本発明分波
器の伝送特性の一例を示す図で、横軸は伝送周波数f(MH
z)、縦軸は減衰量ATT(dB) 、曲線Ｌは共通の入力又は出
力端子2Cと低域通過ろ波器LPF の出力又は入力端子2L間
の伝送特性、曲線Ｂは共通の入力又は出力端子2Cと帯域
通過ろ波器BPF の出力又は入力端子2B間の伝送特性であ
る。
【００１０】図８は、本発明分波器を複数個（図示の場
合は５個）縱続的に接続して多周波分波器を構成した一
例を示すブロック線図で、BR1 ないしBR5 は分波器で、
図１ないし図７について説明したものと同様の構成であ
る。2C1 ないし2C5 は分波器BR1 ないしBR5 における共
通の入力又は出力端子、2L1 ないし2L5 は分波器BR1な
いしBR5 における各低域通過ろ波器側の出力又は入力端
子、2B1 ないし2B5 は分波器BR1 ないしBR5 における各
帯域通過ろ波器側の出力又は入力端子である。各分波器
における帯域通過ろ波器の通過域における中心周波数
を、分波器BR1においては例えば1500MHz 、分波器BR2
においては例えば 900MHz 、分波器BR3においては例え
ば 400MHz 、分波器BR4 においては例えば 150MHz 、分
波器BR5においては例えば80MHz に設定し、分波器BR1
ないしBR5 における各低域通過ろ波器の特性を適当に定
めると、共通の入力又は出力端子2C1 に加えられた信号
のうち、1500MHz の信号は分波器BR1 の端子2B1 から出
力し、他の周波数信号は端子2L1 を介して分波器BR2 の
端子2C2 に加えられ、900MHzの信号が端子2B2 から出力
し、他の周波数信号は端子2L2 を介して分波器BR3 の端
子2C3 に加えられ、以下同様にして400MHz、150MHz及び
80MHz の各信号が分波器BR3 、分波器BR4 及び分波器BR
5 の各端子2B3 、2B4 及び2B5 から各別に出力する。
合は５個）縱続的に接続して多周波分波器を構成した一
例を示すブロック線図で、BR1 ないしBR5 は分波器で、
図１ないし図７について説明したものと同様の構成であ
る。2C1 ないし2C5 は分波器BR1 ないしBR5 における共
通の入力又は出力端子、2L1 ないし2L5 は分波器BR1な
いしBR5 における各低域通過ろ波器側の出力又は入力端
子、2B1 ないし2B5 は分波器BR1 ないしBR5 における各
帯域通過ろ波器側の出力又は入力端子である。各分波器
における帯域通過ろ波器の通過域における中心周波数
を、分波器BR1においては例えば1500MHz 、分波器BR2
においては例えば 900MHz 、分波器BR3においては例え
ば 400MHz 、分波器BR4 においては例えば 150MHz 、分
波器BR5においては例えば80MHz に設定し、分波器BR1
ないしBR5 における各低域通過ろ波器の特性を適当に定
めると、共通の入力又は出力端子2C1 に加えられた信号
のうち、1500MHz の信号は分波器BR1 の端子2B1 から出
力し、他の周波数信号は端子2L1 を介して分波器BR2 の
端子2C2 に加えられ、900MHzの信号が端子2B2 から出力
し、他の周波数信号は端子2L2 を介して分波器BR3 の端
子2C3 に加えられ、以下同様にして400MHz、150MHz及び
80MHz の各信号が分波器BR3 、分波器BR4 及び分波器BR
5 の各端子2B3 、2B4 及び2B5 から各別に出力する。
【００１１】図５には、分波器を構成する帯域通過ろ波
器をインタディジタル型帯域通過ろ波器で形成した場合
を例示してあるが、コムライン型帯域通過ろ波器で形成
しても本発明を実施することができる。図１ないし図７
について説明した実施例においては、低域通過ろ波器及
び帯域通過ろ波器を誘電体基板の表裏面に設けた金属薄
層で形成した場合を例示したが、各独立した立体的構成
部品（コイル及びコンデンサ）を共通のシ−ルドケ−ス
内に配設して低域通過ろ波器を形成し、又、例えば棒状
導体より成る内部導体を共通のシ−ルドケ−ス内に配設
して帯域通過ろ波器を形成しても本発明を実施すること
ができる。又、帯域通過ろ波器をヘリカル共振器を縱続
接続して形成し、低域通過ろ波器を誘電体基板に付着さ
せた金属薄層で形成するか、共振回路部分をヘリカルコ
イル及びコンデンサで形成し、段間をコイルで結合して
低域通過ろ波器を形成してもよい。
器をインタディジタル型帯域通過ろ波器で形成した場合
を例示してあるが、コムライン型帯域通過ろ波器で形成
しても本発明を実施することができる。図１ないし図７
について説明した実施例においては、低域通過ろ波器及
び帯域通過ろ波器を誘電体基板の表裏面に設けた金属薄
層で形成した場合を例示したが、各独立した立体的構成
部品（コイル及びコンデンサ）を共通のシ−ルドケ−ス
内に配設して低域通過ろ波器を形成し、又、例えば棒状
導体より成る内部導体を共通のシ−ルドケ−ス内に配設
して帯域通過ろ波器を形成しても本発明を実施すること
ができる。又、帯域通過ろ波器をヘリカル共振器を縱続
接続して形成し、低域通過ろ波器を誘電体基板に付着さ
せた金属薄層で形成するか、共振回路部分をヘリカルコ
イル及びコンデンサで形成し、段間をコイルで結合して
低域通過ろ波器を形成してもよい。
【００１２】図９は、本発明の他の実施例を示す断面図
（図１０のＢ−Ｂ断面図）、図１０は、図９のＡ−Ａ断
面図で、両図において、10は矩形導波管壁、111 及び11
2 は入出力結合プロ−ブ、121 及び122 は段間結合窓、
131 ないし133 は共振周波数微調整素子、14は低域通過
ろ波器のシ−ルドケ−ス、３は誘電体基板で、その表裏
面に図５に示したものと同様の低域通過ろ波器の形成素
子導体を設けてある。2Cは共通の入力又は出力端子で、
例えば同軸接栓より成り、その内部導体2CI を低域通過
ろ波器の形成素子導体及び入出力結合プロ−ブ111 に接
続してある。2Lは低域通過ろ波器の出力又は入力端子、
2Bは帯域通過ろ波器の出力又は入力端子である。本実施
例は、帯域通過ろ波器を矩形導波管型共振器で形成した
点が図１ないし図７について説明した実施例と異なるも
ので、分波作用は前実施例と同様である。
（図１０のＢ−Ｂ断面図）、図１０は、図９のＡ−Ａ断
面図で、両図において、10は矩形導波管壁、111 及び11
2 は入出力結合プロ−ブ、121 及び122 は段間結合窓、
131 ないし133 は共振周波数微調整素子、14は低域通過
ろ波器のシ−ルドケ−ス、３は誘電体基板で、その表裏
面に図５に示したものと同様の低域通過ろ波器の形成素
子導体を設けてある。2Cは共通の入力又は出力端子で、
例えば同軸接栓より成り、その内部導体2CI を低域通過
ろ波器の形成素子導体及び入出力結合プロ−ブ111 に接
続してある。2Lは低域通過ろ波器の出力又は入力端子、
2Bは帯域通過ろ波器の出力又は入力端子である。本実施
例は、帯域通過ろ波器を矩形導波管型共振器で形成した
点が図１ないし図７について説明した実施例と異なるも
ので、分波作用は前実施例と同様である。
【００１３】図１１は、帯域通過ろ波器を円形導波管型
共振器で形成した実施例を示す断面図、図１２は、図１
１のＡ−Ａ断面図で、両図において、15は円形導波管
壁、16は結合窓、171 及び172 はＶモ−ド波の共振周波
数微調整素子、181 及び182 はＨモ−ド波の共振周波数
微調整素子、191 及び192 はモ−ド結合調整素子、20は
低域通過ろ波器のシ−ルドケ−スで、他の符号及び構
成、作用は前実施例と同様である。
共振器で形成した実施例を示す断面図、図１２は、図１
１のＡ−Ａ断面図で、両図において、15は円形導波管
壁、16は結合窓、171 及び172 はＶモ−ド波の共振周波
数微調整素子、181 及び182 はＨモ−ド波の共振周波数
微調整素子、191 及び192 はモ−ド結合調整素子、20は
低域通過ろ波器のシ−ルドケ−スで、他の符号及び構
成、作用は前実施例と同様である。
【００１４】図１３は、帯域通過ろ波器をTE01テ゛ルタ モ
−ド誘電体共振器で形成した実施例を示す断面図（図１
４のＣ−Ｃ断面図）、図１４は、図１３のＡ−Ａ断面
図、図１５は、図１３のＢ−Ｂ断面図で、各図におい
て、10は導波管壁、211 ないし213はTE01テ゛ルタ モ−ド誘
電体共振素子、221 ないし223 は共振素子の支持体で、
固体誘電体より成る。他の符号及び構成、作用は前記各
実施例と同様である。
−ド誘電体共振器で形成した実施例を示す断面図（図１
４のＣ−Ｃ断面図）、図１４は、図１３のＡ−Ａ断面
図、図１５は、図１３のＢ−Ｂ断面図で、各図におい
て、10は導波管壁、211 ないし213はTE01テ゛ルタ モ−ド誘
電体共振素子、221 ないし223 は共振素子の支持体で、
固体誘電体より成る。他の符号及び構成、作用は前記各
実施例と同様である。
【００１５】図１６は、帯域通過ろ波器をTM01テ゛ルタ モ
−ド誘電体共振器で形成した実施例を示す断面図、図１
７は、図１６のＡ−Ａ断面図で、231 ないし233 は棒状
誘電体より成るTM01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子で、他
の符号及び構成、作用は前記各実施例と同様である。
−ド誘電体共振器で形成した実施例を示す断面図、図１
７は、図１６のＡ−Ａ断面図で、231 ないし233 は棒状
誘電体より成るTM01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子で、他
の符号及び構成、作用は前記各実施例と同様である。
【００１６】図１８は、帯域通過ろ波器をＨモ−ド誘電
体共振器で形成した実施例を示す断面図、図１９は、図
１８のＡ−Ａ断面図で、241 及び242 は円盤状誘電体よ
り成るＨモ−ド誘電体共振素子で、他の符号及び構成、
作用は前記各実施例と同様である。
体共振器で形成した実施例を示す断面図、図１９は、図
１８のＡ−Ａ断面図で、241 及び242 は円盤状誘電体よ
り成るＨモ−ド誘電体共振素子で、他の符号及び構成、
作用は前記各実施例と同様である。
【００１７】図２０は、帯域通過ろ波器を誘電体同軸共
振器で形成した実施例を示す断面図、図２１は、図２０
のＡ−Ａ断面図で、25は固体誘電体ブロック、261 ない
し263 は固体誘電体ブロック25に適宜間隔を隔てて穿っ
た孔隙、271 ないし273 は孔隙261 ないし263 の各内周
面に付着させた金属薄層より成る内部導体である。孔隙
261 ないし263 の各内周面に金属薄層を付着させる代り
に、孔隙261 ないし263 の各内部に棒状導体を挿入して
内部導体を形成してもよい。281 及び282 は入出力結合
容量素子で、他の符号及び構成、作用は前記各実施例と
同様である。
振器で形成した実施例を示す断面図、図２１は、図２０
のＡ−Ａ断面図で、25は固体誘電体ブロック、261 ない
し263 は固体誘電体ブロック25に適宜間隔を隔てて穿っ
た孔隙、271 ないし273 は孔隙261 ないし263 の各内周
面に付着させた金属薄層より成る内部導体である。孔隙
261 ないし263 の各内周面に金属薄層を付着させる代り
に、孔隙261 ないし263 の各内部に棒状導体を挿入して
内部導体を形成してもよい。281 及び282 は入出力結合
容量素子で、他の符号及び構成、作用は前記各実施例と
同様である。
【００１８】上記各実施例における低域通過ろ波器及び
帯域通過ろ波器の各段数（次数）は、これを適宜増減し
て本発明を実施することができ、又、低域通過ろ波器は
各図に示した構成の他、従来公知の回路構成のもののう
ち適宜の低域通過ろ波器を用いて本発明を実施すること
ができる。
帯域通過ろ波器の各段数（次数）は、これを適宜増減し
て本発明を実施することができ、又、低域通過ろ波器は
各図に示した構成の他、従来公知の回路構成のもののう
ち適宜の低域通過ろ波器を用いて本発明を実施すること
ができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、構成及び製作が複雑困難な高
域通過ろ波器を用いることなく、入出力結合回路を容量
結合回路で形成した帯域通過ろ波器を用い、これを低域
通過ろ波器と組合わせて分波器を構成することにより、
全体の構成製作を簡潔容易にし、又、通過域における中
心周波数の異なる帯域通過ろ波器を組合わせて構成した
従来の分波器のように、各帯域通過ろ波器の入出力結合
回路と共通の入力又は出力端子間の接続回路の長さの制
約を受けることがないから、この点からも製作が容易
で、周波数間隔の大なる多周波の分波器の構成が可能で
ある等の特長を有する。
域通過ろ波器を用いることなく、入出力結合回路を容量
結合回路で形成した帯域通過ろ波器を用い、これを低域
通過ろ波器と組合わせて分波器を構成することにより、
全体の構成製作を簡潔容易にし、又、通過域における中
心周波数の異なる帯域通過ろ波器を組合わせて構成した
従来の分波器のように、各帯域通過ろ波器の入出力結合
回路と共通の入力又は出力端子間の接続回路の長さの制
約を受けることがないから、この点からも製作が容易
で、周波数間隔の大なる多周波の分波器の構成が可能で
ある等の特長を有する。
図１は、本発明の一実施例を示す正面図である。図２
は、本発明の一実施例を示す側面図である。図３は、本
発明の一実施例を示す断面図である。図４は、本発明の
一実施例を示す断面図である。図５（ａ）は、本発明の
一実施例における要部の表面図である。図５（ｂ）は、
本発明の一実施例における要部を、その上縁部から見た
図である。図５（ｃ）は、本発明の一実施例における要
部の裏面図である。図６は、本発明分波器の等価回路図
である。図７は、本発明分波器の伝送特性の一例を示す
図である。図８は、本発明を５波の分波器に実施した例
を示す図である。図９は、本発明の他の実施例を示す断
面図である。図１０は、本発明の他の実施例を示す断面
図である。図１１は、本発明の他の実施例を示す断面図
である。図１２は、本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。図１３は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１４は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１５は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１６は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１７は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１８は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１９は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図２０は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図２１は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図２２は、従来の分波器を示す図である。図２３
は、従来の分波器を示す図である。
は、本発明の一実施例を示す側面図である。図３は、本
発明の一実施例を示す断面図である。図４は、本発明の
一実施例を示す断面図である。図５（ａ）は、本発明の
一実施例における要部の表面図である。図５（ｂ）は、
本発明の一実施例における要部を、その上縁部から見た
図である。図５（ｃ）は、本発明の一実施例における要
部の裏面図である。図６は、本発明分波器の等価回路図
である。図７は、本発明分波器の伝送特性の一例を示す
図である。図８は、本発明を５波の分波器に実施した例
を示す図である。図９は、本発明の他の実施例を示す断
面図である。図１０は、本発明の他の実施例を示す断面
図である。図１１は、本発明の他の実施例を示す断面図
である。図１２は、本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。図１３は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１４は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１５は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１６は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１７は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１８は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図１９は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図２０は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図２１は、本発明の他の実施例を示す断面図であ
る。図２２は、従来の分波器を示す図である。図２３
は、従来の分波器を示す図である。
１ 共通のシ−ルドケ−ス 2C 共通の入力又は出力端子 2L 出力又は入力端子 2B 出力又は入力端子 ３ 誘電体基板 41 容量形成導体 42 容量形成導体 43 容量形成導体 51 インダクタンス形成導体 52 インダクタンス形成導体 53 インダクタンス形成導体 54 インダクタンス形成導体 55 インダクタンス形成導体 56 インダクタンス形成導体 61 共振素子形成導体 62 共振素子形成導体 63 共振素子形成導体 71 接続導体 72 接続導体 73 接続導体 ８ 接地導体 91 接地導体 92 接地導体 93 接地導体 LPF 低域通過ろ波器 BPF 帯域通過ろ波器 BR1 分波器 BR2 分波器 BR3 分波器 BR4 分波器 BR5 分波器 2C1 共通の入力又は出力端子 2C2 共通の入力又は出力端子 2C3 共通の入力又は出力端子 2C4 共通の入力又は出力端子 2C5 共通の入力又は出力端子 2L1 出力又は入力端子 2L2 出力又は入力端子 2L3 出力又は入力端子 2L4 出力又は入力端子 2L5 出力又は入力端子 2B1 出力又は入力端子 2B2 出力又は入力端子 2B3 出力又は入力端子 2B4 出力又は入力端子 2B5 出力又は入力端子 10 矩形導波管壁 111 入出力結合プロ−ブ 112 入出力結合プロ−ブ 121 結合窓 122 結合窓 131 共振周波数微調整素子 132 共振周波数微調整素子 133 共振周波数微調整素子 14 低域通過ろ波器のシ−ルドケ−ス 15 円形導波管壁 16 結合窓 171 Ｖモ−ド波の共振周波数微調整素子 172 Ｖモ−ド波の共振周波数微調整素子 181 Ｈモ−ド波の共振周波数微調整素子 182 Ｈモ−ド波の共振周波数微調整素子 191 モ−ド結合調整素子 192 モ−ド結合調整素子 20 低域通過ろ波器のシ−ルドケ−ス 211 TE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 212 TE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 213 TE01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 221 共振素子の支持体 222 共振素子の支持体 223 共振素子の支持体 231 TM01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 232 TM01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 233 TM01テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子 241 Ｈモ−ド誘電体共振素子 242 Ｈモ−ド誘電体共振素子 25 固体誘電体ブロック 261 孔隙 262 孔隙 263 孔隙 271 金属薄層 272 金属薄層 273 金属薄層 281 入出力結合容量素子 282 入出力結合容量素子 HPF 高域通過ろ波器 TC 共通の入力又は出力端子 TL 出力又は入力端子 TH 出力又は入力端子 BPF1 帯域通過ろ波器 BPF2 帯域通過ろ波器 T1 出力又は入力端子 T2 出力又は入力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 1/205 Ｂ 1/208 Ｚ
Claims (11)
- 【請求項１】入出力結合回路が容量結合回路より成る帯
域通過ろ波器の何れか一方の入出力結合回路を共通の入
力又は出力端子に接続すると共に、低域通過ろ波器の何
れか一方の入出力結合回路を前記共通の入力又は出力端
子に接続して構成したことを特徴とする分波器。 - 【請求項２】帯域通過ろ波器が、インタディジタル型共
振器より成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項３】帯域通過ろ波器が、コムライン型共振器よ
り成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項４】帯域通過ろ波器が、ヘリカル型共振器より
成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項５】帯域通過ろ波器が、矩形導波管型共振器よ
り成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項６】帯域通過ろ波器が、円形導波管型共振器よ
り成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項７】帯域通過ろ波器が、TE01テ゛ルタ モ−ド誘電
体共振器より成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項８】帯域通過ろ波器が、TM01テ゛ルタ モ−ド誘電
体共振器より成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項９】帯域通過ろ波器が、Ｈモ−ド誘電体共振器
より成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項１０】帯域通過ろ波器が、誘電体同軸共振器よ
り成る請求項１に記載の分波器。 - 【請求項１１】入出力結合回路が容量結合回路より成る
帯域通過ろ波器の何れか一方の入出力結合回路を共通の
入力又は出力端子に接続すると共に、低域通過ろ波器の
何れか一方の入出力結合回路を前記共通の入力又は出力
端子に接続して構成した分波器を複数段設け、前段の分
波器における低域通過ろ波器の他方の入出力結合回路を
後段の分波器における共通の入力又は出力端子に接続し
て構成したことを特徴とする分波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18182492A JPH066110A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18182492A JPH066110A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 分波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH066110A true JPH066110A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16107458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18182492A Pending JPH066110A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 分波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066110A (ja) |
Cited By (1)
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-
1992
- 1992-06-16 JP JP18182492A patent/JPH066110A/ja active Pending
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| JP2010081292A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | 分波器ならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950620 |