JPH0666282B2 - 微細電極の形成法 - Google Patents
微細電極の形成法Info
- Publication number
- JPH0666282B2 JPH0666282B2 JP63319435A JP31943588A JPH0666282B2 JP H0666282 B2 JPH0666282 B2 JP H0666282B2 JP 63319435 A JP63319435 A JP 63319435A JP 31943588 A JP31943588 A JP 31943588A JP H0666282 B2 JPH0666282 B2 JP H0666282B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- electrode
- resist film
- opening
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は微細電極の形成法に関し、さらに詳しくは電気
抵抗の低減化された断面Ｔ字型微細電極の形成法に関す
るものである。
抵抗の低減化された断面Ｔ字型微細電極の形成法に関す
るものである。
［従来の技術］ 従来、抵抗の小さい微細電極の形成法として、特公昭61
−77370号公報「パターン形成法」に記載の方法が知ら
れている。前記公報記載の形成法を第３図（ａ）〜
（ｃ）に示す。即ち、まず第３図（ａ）に示すように、
低感度のポジ型レジスト21を基板20上に塗布し、次いで
高感度のポジ型レジスト22を前記低感度ポジ型レジスト
21上に塗布し、電子線23により露光する。次いで現像し
て、断面Ｔ字型のレジストパターンを得た後、第３図
（ｂ）に示すように金属24を蒸着し、有機洗浄により前
記レジスト21,22およびレジスト22上の蒸着金属24を除
去することによって、第３図（ｃ）に示すように断面Ｔ
字型の電極25が形成され、電極の抵抗が下げられるよう
に工夫されている。
−77370号公報「パターン形成法」に記載の方法が知ら
れている。前記公報記載の形成法を第３図（ａ）〜
（ｃ）に示す。即ち、まず第３図（ａ）に示すように、
低感度のポジ型レジスト21を基板20上に塗布し、次いで
高感度のポジ型レジスト22を前記低感度ポジ型レジスト
21上に塗布し、電子線23により露光する。次いで現像し
て、断面Ｔ字型のレジストパターンを得た後、第３図
（ｂ）に示すように金属24を蒸着し、有機洗浄により前
記レジスト21,22およびレジスト22上の蒸着金属24を除
去することによって、第３図（ｃ）に示すように断面Ｔ
字型の電極25が形成され、電極の抵抗が下げられるよう
に工夫されている。
［発明が解決しようとする課題］ 以上述べた形成法は、電極の抵抗が小さくできる点で従
来の単層レジストによって形成された電極に比べて改善
されているものの、上部開口用のレジストである高感度
レジストを含む0.7μｍ以上のレジスト厚のものに電子
線を照射して下部開口の寸法を制御しているため、実際
に下部開口を形成する低感度レジストの厚さが0.1μｍ
しかなくても、電子の広がりによる近接効果のため、電
子線の照射量の大半は下部開口の寸法を制御するために
使用されておらず、露光に無駄を生じている。
来の単層レジストによって形成された電極に比べて改善
されているものの、上部開口用のレジストである高感度
レジストを含む0.7μｍ以上のレジスト厚のものに電子
線を照射して下部開口の寸法を制御しているため、実際
に下部開口を形成する低感度レジストの厚さが0.1μｍ
しかなくても、電子の広がりによる近接効果のため、電
子線の照射量の大半は下部開口の寸法を制御するために
使用されておらず、露光に無駄を生じている。
またレジストが厚いため、電子が広がり、レジスト膜厚
の変化に対する下部開口幅の変化が大きく、寸法コント
ロール性が良くない。この電子の広がりを緩和して微細
な下部寸法のパターンを得るには、エネルギーの高い電
子線を入射する必要があるが、露光に時間がかかるとい
う問題がある。
の変化に対する下部開口幅の変化が大きく、寸法コント
ロール性が良くない。この電子の広がりを緩和して微細
な下部寸法のパターンを得るには、エネルギーの高い電
子線を入射する必要があるが、露光に時間がかかるとい
う問題がある。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめ
て、下部開口の形成における露光の無駄を省き、下部開
口幅の制御性の良い断面Ｔ字型の微細電極の形成法を提
供することにある。
て、下部開口の形成における露光の無駄を省き、下部開
口幅の制御性の良い断面Ｔ字型の微細電極の形成法を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板上に断面Ｔ字型微細電極を形成する方法
において、基板上に第１のレジスト膜および該第１のレ
ジスト膜より高感度な第２のレジスト膜を順次形成する
工程と、該第２のレジスト膜を露光・現像して、電極の
上部寸法に対応する第１の開口を形成する工程と、該第
１の開口に露呈した前記第１のレジスト膜を露光・現像
して前記第１の開口より小さい前記電極の下部寸法に対
応する第２の開口を形成する工程と、前記第１および第
２の開口を含めて電極金属を蒸着し、次いでリフトオフ
法により前記第１および第２のレジスト膜と、前記第１
および第２のレジスト膜上の蒸着金属を除去する工程と
を備えてなることを特徴とする微細電極の形成法であ
る。
において、基板上に第１のレジスト膜および該第１のレ
ジスト膜より高感度な第２のレジスト膜を順次形成する
工程と、該第２のレジスト膜を露光・現像して、電極の
上部寸法に対応する第１の開口を形成する工程と、該第
１の開口に露呈した前記第１のレジスト膜を露光・現像
して前記第１の開口より小さい前記電極の下部寸法に対
応する第２の開口を形成する工程と、前記第１および第
２の開口を含めて電極金属を蒸着し、次いでリフトオフ
法により前記第１および第２のレジスト膜と、前記第１
および第２のレジスト膜上の蒸着金属を除去する工程と
を備えてなることを特徴とする微細電極の形成法であ
る。
本発明において、第１および第２のレジスト膜の露光に
ついては、電子線，イオンビーム,X線，紫外線等によっ
て行うことができる。またレジスト膜材料は露光条件に
合わせて適宜選択することができる。
ついては、電子線，イオンビーム,X線，紫外線等によっ
て行うことができる。またレジスト膜材料は露光条件に
合わせて適宜選択することができる。
［作用］ 本発明の方法においては、低抵抗となる断面Ｔ字型の微
細電極を形成するため、レジストを２層に塗布し、まず
上層レジストのみを露光・現像して電極の上部寸法に対
応する開口を形成し、次いで露呈した下層レジスト部を
再び露光・現像することによって、下層レジストの開口
幅を上層レジストの開口幅より小さくなる寸法に形成
し、ゲート形成金属の蒸着、リフトオフの工程に断面Ｔ
字型の微細電極を形成するものである。
細電極を形成するため、レジストを２層に塗布し、まず
上層レジストのみを露光・現像して電極の上部寸法に対
応する開口を形成し、次いで露呈した下層レジスト部を
再び露光・現像することによって、下層レジストの開口
幅を上層レジストの開口幅より小さくなる寸法に形成
し、ゲート形成金属の蒸着、リフトオフの工程に断面Ｔ
字型の微細電極を形成するものである。
電極の下部寸法に対応する開口の形成は従来のように上
層レジスト膜を含めて行われるのではなく、一旦上部開
口を形成した後、下層レジスト膜のみを用いて行われる
ので、露光に無駄がなく、下部開口幅の制御性も良好な
ものとなる。
層レジスト膜を含めて行われるのではなく、一旦上部開
口を形成した後、下層レジスト膜のみを用いて行われる
ので、露光に無駄がなく、下部開口幅の制御性も良好な
ものとなる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明の方法によって形
成される断面Ｔ字型微細電極の一例を示す平面図および
Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。同図において、電極11
の下部寸法、即ち基板12に接する部分の長さLbと上部寸
法Ltは、例えばLt＝0.8μｍに対して、Lb＝0.1〜0.4μ
ｍに形成可能であることが確認された。
成される断面Ｔ字型微細電極の一例を示す平面図および
Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。同図において、電極11
の下部寸法、即ち基板12に接する部分の長さLbと上部寸
法Ltは、例えばLt＝0.8μｍに対して、Lb＝0.1〜0.4μ
ｍに形成可能であることが確認された。
次に、かかる微細電極を形成する方法の一例を、第２図
を参照して説明する。まず、第２図（ａ）に示すよう
に、基板12上に第１のレジストとしてポリメタクリレー
ト系のレジスト、例えばポリメチルメタクリレート（PM
MA）13を厚さ0.1〜0.4μｍに塗布形成する。次いで、こ
の第１のレジストを覆うように、第２のレジストとし
て、ポリメタクリレート系のレジスト、例えばメチルメ
タクリレートとメタアクリリックアシッドの共重合体14
を厚さ0.5〜1.0μｍに塗布形成する。その後、この第２
のレジスト膜14上に電子線15を照射する。
を参照して説明する。まず、第２図（ａ）に示すよう
に、基板12上に第１のレジストとしてポリメタクリレー
ト系のレジスト、例えばポリメチルメタクリレート（PM
MA）13を厚さ0.1〜0.4μｍに塗布形成する。次いで、こ
の第１のレジストを覆うように、第２のレジストとし
て、ポリメタクリレート系のレジスト、例えばメチルメ
タクリレートとメタアクリリックアシッドの共重合体14
を厚さ0.5〜1.0μｍに塗布形成する。その後、この第２
のレジスト膜14上に電子線15を照射する。
この後、第２図（ｂ）に示すように、第２のレジストを
現像することによって、微細電極11の上部寸法である長
さLtに対応する開口16aを形成する。次いで、開口16aの
下部に露呈した第１のレジスト膜13畳に電子線17を照射
する。
現像することによって、微細電極11の上部寸法である長
さLtに対応する開口16aを形成する。次いで、開口16aの
下部に露呈した第１のレジスト膜13畳に電子線17を照射
する。
次いで、第２図（ｃ）に示すように、第１のレジスト膜
13を現像することにより、前記微細電極11の下部寸法で
ある長さLbに対応する開口16bを形成する。
13を現像することにより、前記微細電極11の下部寸法で
ある長さLbに対応する開口16bを形成する。
その後、第２図（ｄ）に示すように、チタン（Ti），ア
ルミニウム（Al），白金（Pt），あるいは金（Au）の如
き電極材料となる金属19を蒸着する。
ルミニウム（Al），白金（Pt），あるいは金（Au）の如
き電極材料となる金属19を蒸着する。
最後に、有機洗浄あるいは酸素（O2）プラズマの灰化処
理を行って、レジスト膜13,14および第２のレジスト膜1
4上の蒸着金属19を除去することにより、第２図（ｅ）
に示すような微細電極11が得られる。
理を行って、レジスト膜13,14および第２のレジスト膜1
4上の蒸着金属19を除去することにより、第２図（ｅ）
に示すような微細電極11が得られる。
なお、本実施例では第１のレジストおよび第２のレジス
トをポリメタクリレート系レジストとしたが、レジスト
の混合が生じないものであれば何を用いても差支えな
い。
トをポリメタクリレート系レジストとしたが、レジスト
の混合が生じないものであれば何を用いても差支えな
い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、上層レジスト膜
と下層レジスト膜が別々に露光・現像され、上層レジス
ト膜の開口幅が、下層レジスト膜の開口幅より大なるよ
うに形成されて、断面Ｔ字型の低抵抗電極が形成され
る。
と下層レジスト膜が別々に露光・現像され、上層レジス
ト膜の開口幅が、下層レジスト膜の開口幅より大なるよ
うに形成されて、断面Ｔ字型の低抵抗電極が形成され
る。
このため、露光に無駄がなく、かつ下部開口幅の寸法コ
ントロール性が良くなると共に、上部開口と下部開口を
別々に露光するため、断面Ｔ字型の電極形成も可能であ
る等の効果を有する。
ントロール性が良くなると共に、上部開口と下部開口を
別々に露光するため、断面Ｔ字型の電極形成も可能であ
る等の効果を有する。
第１図は本発明の一実施例により得られる電極を示した
もので、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はそのＡ
−Ａ′線に沿う断面図、第２図は本発明の一実施例を工
程順に示す電極部の概略断面図、第３図は従来例による
微細電極の形成法を工程順に示す電極部の概略断面図で
ある。 11,25……電極、12,20……基板 13……第１のレジスト膜 14……第２のレジスト膜 15,17,23……電子線、16a,16b……開口 19,24……蒸着金属 21……低感度ポジ型レジスト 22……高感度ポジ型レジスト
もので、第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はそのＡ
−Ａ′線に沿う断面図、第２図は本発明の一実施例を工
程順に示す電極部の概略断面図、第３図は従来例による
微細電極の形成法を工程順に示す電極部の概略断面図で
ある。 11,25……電極、12,20……基板 13……第１のレジスト膜 14……第２のレジスト膜 15,17,23……電子線、16a,16b……開口 19,24……蒸着金属 21……低感度ポジ型レジスト 22……高感度ポジ型レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に断面Ｔ字型微細電極を形成する方
法において、基盤上に第１のレジスト膜および該第１の
レジスト膜より高感度な第２のレジスト膜を順次形成す
る工程と、該第２のレジスト膜を露光・現像して、電極
の上部寸法に対応する第１の開口を形成する工程と、該
第１の開口に露呈した前記第１のレジスト膜を露光・現
像して前記第１の開口より小さい前記電極の下部寸法に
対応する第２の開口を形成する工程と、前記第１および
第２の開口を含めて電極金属を蒸着し、次いでリフトオ
フ法により前記第１および第２のレジスト膜と、前記第
１および第２のレジスト膜上の蒸着金属を除去する工程
とを備えてなることを特徴とする微細電極の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319435A JPH0666282B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 微細電極の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319435A JPH0666282B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 微細電極の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165623A JPH02165623A (ja) | 1990-06-26 |
| JPH0666282B2 true JPH0666282B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=18110166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319435A Expired - Lifetime JPH0666282B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 微細電極の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666282B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623783A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-06 | Matsushita Electronics Corp | Formation of electrode for semiconductor device |
| JPS6315475A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Fujitsu Ltd | 電界効果型半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63319435A patent/JPH0666282B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02165623A (ja) | 1990-06-26 |
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