JPS5892223A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5892223A JPS5892223A JP56191465A JP19146581A JPS5892223A JP S5892223 A JPS5892223 A JP S5892223A JP 56191465 A JP56191465 A JP 56191465A JP 19146581 A JP19146581 A JP 19146581A JP S5892223 A JPS5892223 A JP S5892223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- beam exposure
- pbs
- ion beam
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオンビーム露光を用いて所定基板上にレジ
ストパターンを形成する方法に関するものである。
ストパターンを形成する方法に関するものである。
イオンビームを用いてレジストにパターン−ｋＭ光する
技術は、回折や近接効果の影響を受けないため、超微細
なパターンを形成する場合に多用されている。第１図に
マスクを用いたイオンビーム露光の従来例を示す。レジ
スト２を塗付した基板１にスペーサ３を介してイオン吸
収材４とイオン透過性の薄膜５からなるマスクを配置し
て、イオンビーム６を用いて露光を行う。この場合、マ
スクの製作に難しいこと、マスクによる散乱や歪みが存
在することおよびマスクと基板の重ね合せが雉しいこと
などが間型とされている。
技術は、回折や近接効果の影響を受けないため、超微細
なパターンを形成する場合に多用されている。第１図に
マスクを用いたイオンビーム露光の従来例を示す。レジ
スト２を塗付した基板１にスペーサ３を介してイオン吸
収材４とイオン透過性の薄膜５からなるマスクを配置し
て、イオンビーム６を用いて露光を行う。この場合、マ
スクの製作に難しいこと、マスクによる散乱や歪みが存
在することおよびマスクと基板の重ね合せが雉しいこと
などが間型とされている。
本発明は、所定基板上に第１のレジストを塗付後、第２
のレジストを塗付し、露光、現像工程により第２のレジ
ストに所定図形を形成した後、イオンビーム露光を行い
、その後筒１のレジストを現像することを特徴とするレ
ジストパターン形成方法であって、本発明によれば上述
の問題点を解決し、マスクの製作が不要でしかも容易に
重ね合せを行うことができる。
のレジストを塗付し、露光、現像工程により第２のレジ
ストに所定図形を形成した後、イオンビーム露光を行い
、その後筒１のレジストを現像することを特徴とするレ
ジストパターン形成方法であって、本発明によれば上述
の問題点を解決し、マスクの製作が不要でしかも容易に
重ね合せを行うことができる。
以下に実施例に基いて本発明の詳細な説明する。
第２図（＆）に示すようにＳｉ基板１上に第１のレジス
トとしてムｚ２４０ｏレジスト７を０．６μｍの厚さに
塗付し、９０℃、１０分のプリベークを行った後、第２
のレジストとしてＰＢＳレジスト８を１μｍの厚さに塗
付し、１６０℃、３０分のプリベークを行う。
トとしてムｚ２４０ｏレジスト７を０．６μｍの厚さに
塗付し、９０℃、１０分のプリベークを行った後、第２
のレジストとしてＰＢＳレジスト８を１μｍの厚さに塗
付し、１６０℃、３０分のプリベークを行う。
電子ビーム露光装置を用いて、原図形中のマークを検出
して重ね合せを行い、所定図形を露光する。露光量は１
×１Ｏ−６Ｃ／ｃｄである。現像はＰＢＳ専用現像液を
用いて１分間である。ムＺ ２４００レジストは、電子
ビームに対する感度が低いので露光されない。以上の工
程により第２図（ｂ）に示すようにＰＢＳレジスト８に
窓９をあける０次に、加速型Ｅ ５０ ｋ ６ Ｖ 、
露光量Ｉ Ｘ １０−６０／６１４でプロトンイオン６
を用いて第２図（Ｃ）に示すようにイオンビーム露光を
行う。この加速電圧では、プロトンのレジスト中への侵
入深さは０．７μｍ程度なので、ＰＢＳレジスト８はイ
オンビームのマスクとして作用し、窓９の内部に露呈す
るム２２４００レジストアのみが露光される。
して重ね合せを行い、所定図形を露光する。露光量は１
×１Ｏ−６Ｃ／ｃｄである。現像はＰＢＳ専用現像液を
用いて１分間である。ムＺ ２４００レジストは、電子
ビームに対する感度が低いので露光されない。以上の工
程により第２図（ｂ）に示すようにＰＢＳレジスト８に
窓９をあける０次に、加速型Ｅ ５０ ｋ ６ Ｖ 、
露光量Ｉ Ｘ １０−６０／６１４でプロトンイオン６
を用いて第２図（Ｃ）に示すようにイオンビーム露光を
行う。この加速電圧では、プロトンのレジスト中への侵
入深さは０．７μｍ程度なので、ＰＢＳレジスト８はイ
オンビームのマスクとして作用し、窓９の内部に露呈す
るム２２４００レジストアのみが露光される。
最後に、第２図（ｄ）に示すように、ムｚ２４０１デベ
ロッパー１：水４の現像液を用いて現像を行は、レジス
トパターンが形成される。
ロッパー１：水４の現像液を用いて現像を行は、レジス
トパターンが形成される。
なお、第２のレジストとしてＰＣＭ人を用い、他の条件
を上記の実施例に示した条件と同一に設定してもレジス
トパターンを形成することができる〇 以上の実施例で示した本発明の方法によれば、耐ドライ
エツチング性の面で優れているレジストＡＺ２４００に
微細パターンを形成することがでキル。またイオンビー
ム露光では一括転写するので非常に短時間であり、しだ
も電子ビーム露光に要する描画時間が亮感度のＰＢＳレ
ジストやＰＧＭ人レジストに依存するのでパターン形成
が高速となる。
を上記の実施例に示した条件と同一に設定してもレジス
トパターンを形成することができる〇 以上の実施例で示した本発明の方法によれば、耐ドライ
エツチング性の面で優れているレジストＡＺ２４００に
微細パターンを形成することがでキル。またイオンビー
ム露光では一括転写するので非常に短時間であり、しだ
も電子ビーム露光に要する描画時間が亮感度のＰＢＳレ
ジストやＰＧＭ人レジストに依存するのでパターン形成
が高速となる。
さらに、本実施例にのべた以外のレジストおよび電子ビ
ーム露光以外の露光法を用いても、本発明によるレジス
トパターン形成方法は適用可能である。
ーム露光以外の露光法を用いても、本発明によるレジス
トパターン形成方法は適用可能である。
以上、詳述したように、本発明によれば、イオンビーム
露光において製作が困難なマスクを不要にすることがで
き、しかも容易に重ね合せを行うことができる。
露光において製作が困難なマスクを不要にすることがで
き、しかも容易に重ね合せを行うことができる。
オンビーム露光を説明する断面図である。
１・・・°・・基板、６・・・・・・イオンビーム、７
・・・・・・第１のレジスト層、８・・・・・・第２の
レジスト層、９・・・・・・第２のレジスト層に設けら
れた窓。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
・・・・・・第１のレジスト層、８・・・・・・第２の
レジスト層、９・・・・・・第２のレジスト層に設けら
れた窓。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 所定基板上に第１のレジストを塗付後、同第１のレジス
ト上に第２のレジストを塗付し、次いで露光、現像処理
を施し前記第２のレジストに所定図形を形成した後、イ
オンビーム露光を行い、この後前記第１のレジストを現
像する処理を施すことを特徴とするレジストパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191465A JPS5892223A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191465A JPS5892223A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892223A true JPS5892223A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16275096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191465A Pending JPS5892223A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892223A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122625A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS647520A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Manufacture of integrated circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111073A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Fine pattern forming |
| JPS53142180A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Pattern transcribing method and transcribing intermediate body |
| JPS5539694A (en) * | 1978-06-21 | 1980-03-19 | Hughes Aircraft Co | Method of breaking ion beam |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56191465A patent/JPS5892223A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111073A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Fine pattern forming |
| JPS53142180A (en) * | 1977-05-18 | 1978-12-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Pattern transcribing method and transcribing intermediate body |
| JPS5539694A (en) * | 1978-06-21 | 1980-03-19 | Hughes Aircraft Co | Method of breaking ion beam |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122625A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS647520A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Manufacture of integrated circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04115515A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS5925308B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子及びその製造方法 | |
| JPS5832420A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| JP2583988B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH06105678B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58204532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6040184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS609342B2 (ja) | パタ−ンの作製法 | |
| JPS6229134A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH03179444A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS62173722A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPS6351637A (ja) | マスク形成方法 | |
| JPH0685070B2 (ja) | レジストパターンの現像方法 | |
| JPS62183449A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS59108321A (ja) | リフトオフ法による金属膜の形成方法 | |
| JPS59232418A (ja) | 微細パタ−ン形成法 | |
| JPS59128540A (ja) | フオトマスク | |
| JPH05251314A (ja) | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS60217628A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS61209442A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6152567B2 (ja) | ||
| JPS63202025A (ja) | 半導体装置の製造方法 |